JP2516887B2 - インド―ル類の製造方法 - Google Patents
インド―ル類の製造方法Info
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Indole Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は動物飼料のアミノ酸強化剤等として用いられ
るＬ−トリプトファンの原料であるインドール類の効率
的な製造方法に関する。
るＬ−トリプトファンの原料であるインドール類の効率
的な製造方法に関する。
［従来の技術及び発明が解決しようとする課題］ 動物飼料などの原料として用いられる穀類には必須ア
ミノ酸が不足しており、その供給が重要な課題となって
いる。必須アミノ酸の１つであるＬ−トリプトファンを
安価に供給するために、その原料であるインドールを大
量、かつ安価に製造する技術の確立が望まれている。こ
れまでインドールの製造法としてはアニリンとエチレン
グリコールとの反応（特開昭59−73567号公報），アニ
リンとエタノールアミンとの反応（カナダ特許第114939
5号明細書，米国特許第4376205号明細書）,o−エチルア
ニリンの脱水素環化反応（特開昭52−31069号公報，同5
7−139064号公報）などの方法が知られている。
ミノ酸が不足しており、その供給が重要な課題となって
いる。必須アミノ酸の１つであるＬ−トリプトファンを
安価に供給するために、その原料であるインドールを大
量、かつ安価に製造する技術の確立が望まれている。こ
れまでインドールの製造法としてはアニリンとエチレン
グリコールとの反応（特開昭59−73567号公報），アニ
リンとエタノールアミンとの反応（カナダ特許第114939
5号明細書，米国特許第4376205号明細書）,o−エチルア
ニリンの脱水素環化反応（特開昭52−31069号公報，同5
7−139064号公報）などの方法が知られている。
しかしながら、これらの方法のうちエチレングリコー
ル，エタノールアミンを用いる方法は、これら化合物の
分解，縮合などの反応を起こし易く、これを防ぐ目的で
一般にはアニリン大過剰下で反応を行なっている。した
がって、アニリン転化率を増大させることはできない。
すなわち、空時収量（STY）が小さい。
ル，エタノールアミンを用いる方法は、これら化合物の
分解，縮合などの反応を起こし易く、これを防ぐ目的で
一般にはアニリン大過剰下で反応を行なっている。した
がって、アニリン転化率を増大させることはできない。
すなわち、空時収量（STY）が小さい。
また、ｏ−エチルアニリンを用いる方法も原料供給量
に対してかなり多量の触媒が必要であり、効率が良くな
い。
に対してかなり多量の触媒が必要であり、効率が良くな
い。
［課題を解決するための手段］ 叙上の問題点を解決するために、本発明者らは鋭意研
究を進めた結果、触媒の存在下、反応温度を特定すれ
ば、芳香族アミンとオレフィンを原料として効率的にイ
ンドール類を製造することができることを見い出し、か
かる知見に基いて本発明を完成した。
究を進めた結果、触媒の存在下、反応温度を特定すれ
ば、芳香族アミンとオレフィンを原料として効率的にイ
ンドール類を製造することができることを見い出し、か
かる知見に基いて本発明を完成した。
すなわち本発明は、芳香族アミンとオレフィンを触媒
の存在下に450℃以上の温度で反応させることを特徴と
するインドール類の製造法を提供するものである。
の存在下に450℃以上の温度で反応させることを特徴と
するインドール類の製造法を提供するものである。
本発明で用いることができる触媒は結晶性金属シリケ
ートなどがある。結晶性金属シリケートはSiO2と他の金
属酸化物［Ｍ2/nＯ（ここでｎは金属Ｍの原子価を示
す。）］とのモル比、すなわちSiO2/M2/nＯが12以上の
ものが好ましく、特に好ましくは40〜3,000である。こ
のモル比が12以下では、インドール類が生成しにくい。
また、この結晶性金属シリケートは酸素10員環の主空洞
を有するもの、特にペンタシル型構造が好ましい。さら
に、この結晶性金属シリケート中の金属Ｍとしては種々
のものを挙げることができるが、特にGa,Al,B,Fe,In,L
a,Sc,Y,Cr,Ti等の３価金属が好ましく、中でもGa,Alが
好ましく、特にGaが好ましい。通常、これらの金属は１
種単独でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
ートなどがある。結晶性金属シリケートはSiO2と他の金
属酸化物［Ｍ2/nＯ（ここでｎは金属Ｍの原子価を示
す。）］とのモル比、すなわちSiO2/M2/nＯが12以上の
ものが好ましく、特に好ましくは40〜3,000である。こ
のモル比が12以下では、インドール類が生成しにくい。
また、この結晶性金属シリケートは酸素10員環の主空洞
を有するもの、特にペンタシル型構造が好ましい。さら
に、この結晶性金属シリケート中の金属Ｍとしては種々
のものを挙げることができるが、特にGa,Al,B,Fe,In,L
a,Sc,Y,Cr,Ti等の３価金属が好ましく、中でもGa,Alが
好ましく、特にGaが好ましい。通常、これらの金属は１
種単独でもよいし、２種以上の組合せでもよい。
なお、酸素10員環の主空洞を有する結晶性金属シリケ
ートとしては、例えばZSM−５（特公昭46−10064号公
報）,ZSM−８（特開昭47−25097号公報）,ZSM−21（米
国特許第4,001,346号明細書）,ZSM−35（特開昭52−139
029号公報）などの結晶性アルミノシリケート,ZSM−５
型またはZSM−11型構造を有する結晶性ボロシリケート
（特開昭53−55500号公報，特開昭55−7588号公報），
フェリエライトなどの結晶性鉄シリケート（特開昭50−
127898号公報，特開昭55−85415号公報）およびZSM−５
型構造を有する結晶性ガロシリケートなどが知られてい
る。
ートとしては、例えばZSM−５（特公昭46−10064号公
報）,ZSM−８（特開昭47−25097号公報）,ZSM−21（米
国特許第4,001,346号明細書）,ZSM−35（特開昭52−139
029号公報）などの結晶性アルミノシリケート,ZSM−５
型またはZSM−11型構造を有する結晶性ボロシリケート
（特開昭53−55500号公報，特開昭55−7588号公報），
フェリエライトなどの結晶性鉄シリケート（特開昭50−
127898号公報，特開昭55−85415号公報）およびZSM−５
型構造を有する結晶性ガロシリケートなどが知られてい
る。
本発明に用いられる結晶性金属シリケートは公知の方
法により調製できる。例えばシリカ源と金属酸化物およ
び必要に応じてアルカリ金属化合物や有機結晶化剤を含
む混合物を用いて水熱合成によって調製することができ
る。これらの触媒調製における出発物質は特に限定され
ず、既知のものを任意に使用できる。例えばシリカ源と
しては、コロイド状シリカまたは水ガラスなどのケイ酸
またはその縮合物あるいはケイ酸塩などがあり、金属酸
化物源としては、金属の硫酸塩，硝酸塩などの塩あるい
は酸素酸塩などがある。
法により調製できる。例えばシリカ源と金属酸化物およ
び必要に応じてアルカリ金属化合物や有機結晶化剤を含
む混合物を用いて水熱合成によって調製することができ
る。これらの触媒調製における出発物質は特に限定され
ず、既知のものを任意に使用できる。例えばシリカ源と
しては、コロイド状シリカまたは水ガラスなどのケイ酸
またはその縮合物あるいはケイ酸塩などがあり、金属酸
化物源としては、金属の硫酸塩，硝酸塩などの塩あるい
は酸素酸塩などがある。
本発明の原料であるエチレンの如きオレフィンの活性
化等の点からはH+型の結晶性金属シリケートが好ましい
が、このうち一部もしくは全部が他の陽イオンで置き換
っていてもよい。他の陽イオンとしては、例えばマグネ
シウムイオン，カルシウムイオン，ランタンイオン，銅
イオン，亜鉛イオン，鉄イオン，ガリウムイオン，クロ
ムイオンなどがあるが、ガリウムイオンが特に好まし
い。
化等の点からはH+型の結晶性金属シリケートが好ましい
が、このうち一部もしくは全部が他の陽イオンで置き換
っていてもよい。他の陽イオンとしては、例えばマグネ
シウムイオン，カルシウムイオン，ランタンイオン，銅
イオン，亜鉛イオン，鉄イオン，ガリウムイオン，クロ
ムイオンなどがあるが、ガリウムイオンが特に好まし
い。
また、本発明の結晶性金属シリケートは、必要に応じ
てさらに他の種々の金属成分を担持して用いることもで
きる。他の金属成分としては、マンガン，鉄，ニッケ
ル，クロム，コバルトおよびガリウムなどがあるが、特
にガリウムが好ましい。金属成分の担持方法としては種
々の方法が使用できるが、例えば含浸，吸着，蒸着など
がある。また、前記結晶性金属シリケートはシリカ，シ
リカアルミナ，カオリンなどのバインダーを用いて成形
して用いてもよい。触媒の形状は特に制限はなく、いず
れの形状であっても使用できる。
てさらに他の種々の金属成分を担持して用いることもで
きる。他の金属成分としては、マンガン，鉄，ニッケ
ル，クロム，コバルトおよびガリウムなどがあるが、特
にガリウムが好ましい。金属成分の担持方法としては種
々の方法が使用できるが、例えば含浸，吸着，蒸着など
がある。また、前記結晶性金属シリケートはシリカ，シ
リカアルミナ，カオリンなどのバインダーを用いて成形
して用いてもよい。触媒の形状は特に制限はなく、いず
れの形状であっても使用できる。
触媒の焼成温度は500〜800℃であるが、高温焼成した
もの程、不用な副反応を抑える作用があるので好適であ
る。
もの程、不用な副反応を抑える作用があるので好適であ
る。
本発明では触媒として上記の如き結晶性金属シリケー
トを用いて、原料である芳香族アミンとオレフィンを反
応させてインドール類を製造する。
トを用いて、原料である芳香族アミンとオレフィンを反
応させてインドール類を製造する。
ここで芳香族アミンとしてはアニリンおよび反応を阻
害しない置換基を有するアニリン誘導体が挙げられる。
反応を阻害しない置換基としては、例えばアルキル基、
好ましくはC1〜C4のアルキル基，アルコキシル基，ヒド
ロキシル基，ハロゲン，ニトロ基などがある。これらの
化合物の具体例としては、例えばアニリン,o−トルイジ
ン,m−トルイジン,p−トルイジン,o−アミノフェノー
ル,m−アミノフェノール,p−アミノフェノール,o−アニ
シジン,m−アニシジン,p−アニシジン,o−クロルアニリ
ン,m−クロルアニリン,p−クロルアニリン,o−ニトロア
ニリン,m−ニトロアニリン,p−ニトロアニリン，メチル
アミノベンゼンなどが挙げられ、これらの中ではアニリ
ン,o−トルイジン,m−トルイジン,p−トルイジンが好ま
しい。一方、オレフィンとしてはエチレン，プロピレ
ン，ブテン，イソブチレンなどが用いられ、エチレン，
プロピレンが好ましい。
害しない置換基を有するアニリン誘導体が挙げられる。
反応を阻害しない置換基としては、例えばアルキル基、
好ましくはC1〜C4のアルキル基，アルコキシル基，ヒド
ロキシル基，ハロゲン，ニトロ基などがある。これらの
化合物の具体例としては、例えばアニリン,o−トルイジ
ン,m−トルイジン,p−トルイジン,o−アミノフェノー
ル,m−アミノフェノール,p−アミノフェノール,o−アニ
シジン,m−アニシジン,p−アニシジン,o−クロルアニリ
ン,m−クロルアニリン,p−クロルアニリン,o−ニトロア
ニリン,m−ニトロアニリン,p−ニトロアニリン，メチル
アミノベンゼンなどが挙げられ、これらの中ではアニリ
ン,o−トルイジン,m−トルイジン,p−トルイジンが好ま
しい。一方、オレフィンとしてはエチレン，プロピレ
ン，ブテン，イソブチレンなどが用いられ、エチレン，
プロピレンが好ましい。
ここで最も好ましい具体例として芳香族アミンとして
アニリン，オレフィンとしてエチレンを用いた場合の反
応例を示す。
アニリン，オレフィンとしてエチレンを用いた場合の反
応例を示す。
原料の使用量については、アニリン／エチレン（モル
比）が0.05〜20の範囲となるように用いられるが、0.1
〜10の範囲で用いるのが好ましい。
比）が0.05〜20の範囲となるように用いられるが、0.1
〜10の範囲で用いるのが好ましい。
反応温度は450℃以上、通常は450〜800℃であり、好
ましくは500〜700℃である。450℃より低温ではインド
ールは全く生成せず、800℃を超える高温では触媒の失
活が速くなるので好ましくない。反応圧力は常圧〜100k
g/cm2の範囲が適当であるが、脱水素反応を伴なうた
め、常圧あるいはそれに近い圧力で行なうのが好まし
い。また、この際の重量時空間速度（WHSV）、すなわち
アニリン重量／触媒重量は0.01〜100hr-1が適当であ
り、好ましくは0.1〜10hr-1である。
ましくは500〜700℃である。450℃より低温ではインド
ールは全く生成せず、800℃を超える高温では触媒の失
活が速くなるので好ましくない。反応圧力は常圧〜100k
g/cm2の範囲が適当であるが、脱水素反応を伴なうた
め、常圧あるいはそれに近い圧力で行なうのが好まし
い。また、この際の重量時空間速度（WHSV）、すなわち
アニリン重量／触媒重量は0.01〜100hr-1が適当であ
り、好ましくは0.1〜10hr-1である。
この反応を行なうに際し、原料の希釈ガスとして窒
素，ヘリウム，アルゴン等の不活性ガスや触媒寿命の延
長等に効果のある水素ガス等を使用することが好まし
く、目的を阻害しない限り、その他のガスも用いること
ができる。
素，ヘリウム，アルゴン等の不活性ガスや触媒寿命の延
長等に効果のある水素ガス等を使用することが好まし
く、目的を阻害しない限り、その他のガスも用いること
ができる。
なお、本発明では反応を行なった後、反応塔から流出
する未反応原料（アニリン，エチレン）あるいは副生成
物を含む混合物は反応混合物から蒸留により分離したの
ち再度反応塔に返送することにより、目的とするインド
ール類の選択率を向上させることができる。生成したイ
ンドール類は常法により所望程度まで精製して利用に供
する。
する未反応原料（アニリン，エチレン）あるいは副生成
物を含む混合物は反応混合物から蒸留により分離したの
ち再度反応塔に返送することにより、目的とするインド
ール類の選択率を向上させることができる。生成したイ
ンドール類は常法により所望程度まで精製して利用に供
する。
［実施例］ 次に、実施例により本発明を詳しく説明する。
参考例１ 結晶性ガロシリケートの調製 水ガラス［Ｊケイ酸ソーダ３号，日本化学工業（株）
製］300gを水476gに溶解させてＡ液とし、硝酸ガリウム
（Ga（NO3）３・nH2O,Ga18.5重量％）14.7gを水476gに
溶解させ、さらにこれに濃硫酸33.6gおよびテトラプロ
ピルアンモニウムブロマイド50.4gを溶解させてＢ液と
し、また塩化ナトリウム150.4gを水232gに溶解させてＣ
液とする。
製］300gを水476gに溶解させてＡ液とし、硝酸ガリウム
（Ga（NO3）３・nH2O,Ga18.5重量％）14.7gを水476gに
溶解させ、さらにこれに濃硫酸33.6gおよびテトラプロ
ピルアンモニウムブロマイド50.4gを溶解させてＢ液と
し、また塩化ナトリウム150.4gを水232gに溶解させてＣ
液とする。
Ａ液とＢ液とを室温にて20分間わたりＣ液に滴下し、
得られた混合液をオートクレーブに入れ、125℃で48時
間加熱処理した。冷却後，内容物を過、水洗し、120
℃で12時間乾燥させた。生成物をＸ線回折分析したとこ
ろ、ZSM−５構造であることが確認された。
得られた混合液をオートクレーブに入れ、125℃で48時
間加熱処理した。冷却後，内容物を過、水洗し、120
℃で12時間乾燥させた。生成物をＸ線回折分析したとこ
ろ、ZSM−５構造であることが確認された。
これを550℃で６時間焼成し、さらに1N硝酸アンモニ
ウム水溶液による80℃,4時間の還流操作を４回くり返し
てイオン交換を行ない、過、水洗の後、120℃で12時
間乾燥してアンモニウム型結晶性ガロシリケートを得
た。このもののSiO2/Ga2O3（モル比）は75であった。こ
の触媒を反応に用いる際は所定の温度で焼成を行ない、
Ｈ型にして使用した。
ウム水溶液による80℃,4時間の還流操作を４回くり返し
てイオン交換を行ない、過、水洗の後、120℃で12時
間乾燥してアンモニウム型結晶性ガロシリケートを得
た。このもののSiO2/Ga2O3（モル比）は75であった。こ
の触媒を反応に用いる際は所定の温度で焼成を行ない、
Ｈ型にして使用した。
参考例２ 結晶性アルミノシリケートの調製 上記参考例１において硝酸ガリウム（Ga（NO3）３・n
H2O,Ga18.5重量％）の代わりに硫酸アルミニウム14〜18
水和物12.6gを用いたほかは参考例１と同様の操作を行
なって最終的にアンモニウム型結晶性アルミノシリケー
トを得た。このもののSiO2/Al2O3（モル比）は75であ
り、ZSM−５構造を有するものであった。
H2O,Ga18.5重量％）の代わりに硫酸アルミニウム14〜18
水和物12.6gを用いたほかは参考例１と同様の操作を行
なって最終的にアンモニウム型結晶性アルミノシリケー
トを得た。このもののSiO2/Al2O3（モル比）は75であ
り、ZSM−５構造を有するものであった。
これを反応に用いる際は所定の温度で焼成を行ないＨ
型にして使用した。
型にして使用した。
実施例１ 常圧固定床流通式反応管に上記参考例１で得られたア
ンモニウム型結晶性ガロシリケートを600℃にて焼成し
た触媒を1.0g充填し、反応温度550℃に保ちながらアニ
リンとエチレンをアニリン／エチレン（モル比）＝２の
割合で供給し、アニリン基準のWHSV7.4hr-1で反応を行
なった。反応開始後１時間目の結果を第１表に示す。
ンモニウム型結晶性ガロシリケートを600℃にて焼成し
た触媒を1.0g充填し、反応温度550℃に保ちながらアニ
リンとエチレンをアニリン／エチレン（モル比）＝２の
割合で供給し、アニリン基準のWHSV7.4hr-1で反応を行
なった。反応開始後１時間目の結果を第１表に示す。
実施例２ 実施例１において触媒量を2.0g（WHSV3.7hr-1）にし
たこと以外は実施例１と同様にして反応を行なった。結
果を第１表に示す。
たこと以外は実施例１と同様にして反応を行なった。結
果を第１表に示す。
実施例３ 実施例１においてアニリン／エチレン（モル比）を0.
5とし、触媒量を2.0g（WHSV3.7hr-1）としたほかは実施
例１と同様にして反応を行なった。結果を第１表に示
す。
5とし、触媒量を2.0g（WHSV3.7hr-1）としたほかは実施
例１と同様にして反応を行なった。結果を第１表に示
す。
実施例４ 実施例３において触媒量を12.0g（WHSV0.6hr-1）にし
たこと以外は実施例３と同様にして反応を行なった。結
果を第１表に示す。
たこと以外は実施例３と同様にして反応を行なった。結
果を第１表に示す。
実施例５ 参考例１で得られたアンモニウム型結晶性ガロシリケ
ートを800℃にて焼成した触媒を3.5g反応管に充填し、
反応温度650℃に保ちながらアニリン／エチレン（モル
比）0.5の割合で供給し、アニリン基準のWHSV2.1hr-1で
反応を行なった。反応開始後１時間目の結果を第１表に
示す。
ートを800℃にて焼成した触媒を3.5g反応管に充填し、
反応温度650℃に保ちながらアニリン／エチレン（モル
比）0.5の割合で供給し、アニリン基準のWHSV2.1hr-1で
反応を行なった。反応開始後１時間目の結果を第１表に
示す。
実施例６ 参考例２で得られたアンモニウム型結晶性アルミノシ
リケートを600℃にて焼成した触媒を2.0g反応管に充填
し、反応温度550℃に保ちながらアニリン／エチレン
（モル比）0.5の割合で供給し、アニリン基準のWHSV3.7
hr-1で反応を行なった。反応開始後１時間目の結果を第
１表に示す。
リケートを600℃にて焼成した触媒を2.0g反応管に充填
し、反応温度550℃に保ちながらアニリン／エチレン
（モル比）0.5の割合で供給し、アニリン基準のWHSV3.7
hr-1で反応を行なった。反応開始後１時間目の結果を第
１表に示す。
実施例７ 実施例６において触媒量を12.0g（WHSV0.6hr-1）にし
たほかは実施例６と同様にして反応を行なった。結果を
第１表に示す。
たほかは実施例６と同様にして反応を行なった。結果を
第１表に示す。
実施例８ 参考例２で得られたアンモニウム型結晶性アルミノシ
リケートを800℃にて焼成した触媒3.5gを反応管に充填
し、反応温度650℃に保ちながらアニリン／エチレン
（モル比）0.5の割合で供給し、アニリン基準のWHSV2.1
hr-1で反応を行なった。反応開始後１時間目の結果を第
１表に示す。
リケートを800℃にて焼成した触媒3.5gを反応管に充填
し、反応温度650℃に保ちながらアニリン／エチレン
（モル比）0.5の割合で供給し、アニリン基準のWHSV2.1
hr-1で反応を行なった。反応開始後１時間目の結果を第
１表に示す。
実施例９ 参考例２で得られたアンモニウム型結晶性アルミノシ
リケート100重量部に対して酸化ガリウム（Ga2O3）とし
て２重量部となるように硝酸ガリウム水溶液を結晶性ア
ルミノシリケートに含浸担持し、これを800℃で焼成し
た。この触媒3.5g（WHSV2.1hr-1）を触媒として用いた
ほかは実施例８と同様にして反応を行なった。結果を第
１表に示す。
リケート100重量部に対して酸化ガリウム（Ga2O3）とし
て２重量部となるように硝酸ガリウム水溶液を結晶性ア
ルミノシリケートに含浸担持し、これを800℃で焼成し
た。この触媒3.5g（WHSV2.1hr-1）を触媒として用いた
ほかは実施例８と同様にして反応を行なった。結果を第
１表に示す。
比較例１ 反応管に参考例１で得られたアンモニウム型結晶性ガ
ロシリケートを600℃にて焼成した触媒を12.0g充填し、
反応温度425℃に保ちながらアニリン／エチレン（モル
比）0.5の割合で供給し、アニリン基準のWHSV0.6hr-1で
反応を行なったところ、インドールは全く生成しなかっ
た。
ロシリケートを600℃にて焼成した触媒を12.0g充填し、
反応温度425℃に保ちながらアニリン／エチレン（モル
比）0.5の割合で供給し、アニリン基準のWHSV0.6hr-1で
反応を行なったところ、インドールは全く生成しなかっ
た。
比較例２ 比較例１において参考例２で得られたアンモニウム型
結晶性アルミノシリケートを600℃にて焼成したものを
用いたほかは比較例１と同様にして反応を行なったとこ
ろ、インドールは全く生成しなかった。
結晶性アルミノシリケートを600℃にて焼成したものを
用いたほかは比較例１と同様にして反応を行なったとこ
ろ、インドールは全く生成しなかった。
比較例３ 触媒の代わりにガラスビーズ12.0gを充填し、反応温
度を650℃に保ったほかは比較例１と同様に反応を行な
ったところ、インドールは全く生成しなかった。
度を650℃に保ったほかは比較例１と同様に反応を行な
ったところ、インドールは全く生成しなかった。
［発明の効果］ 本発明によれば、特定の反応条件を設定したことによ
り、分解，縮合等の副反応が起こらないエチレン等のオ
レフィンを原料として用いることが可能となり、その結
果目的とするインドール類の選択率を向上させ、効率的
に製造することができる。また、このようにして得られ
たインドール類はＬ−トリプトファンの製造などに利用
される。
り、分解，縮合等の副反応が起こらないエチレン等のオ
レフィンを原料として用いることが可能となり、その結
果目的とするインドール類の選択率を向上させ、効率的
に製造することができる。また、このようにして得られ
たインドール類はＬ−トリプトファンの製造などに利用
される。
Claims (4)
- 【請求項１】芳香族アミンとオレフィンを触媒の存在下
に450℃以上の温度で反応させることからなるインドー
ル類の製造方法。 - 【請求項２】触媒がSiO2と金属酸化物［Ｍ2/nＯ（ここ
でｎは金属Ｍの原子価を示す。）］とのモル比（SiO2/M
2/nＯ）が12以上の結晶性金属シリケートである請求項
１記載の製造方法。 - 【請求項３】結晶性金属シリケートが結晶性ガロシリケ
ートである請求項２記載の製造方法。 - 【請求項４】結晶性金属シリケートがガリウム成分を保
持したものである請求項２記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022698A JP2516887B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | インド―ル類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63022698A JP2516887B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | インド―ル類の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01199942A JPH01199942A (ja) | 1989-08-11 |
| JP2516887B2 true JP2516887B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=12090091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63022698A Expired - Lifetime JP2516887B2 (ja) | 1988-02-04 | 1988-02-04 | インド―ル類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2516887B2 (ja) |
-
1988
- 1988-02-04 JP JP63022698A patent/JP2516887B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01199942A (ja) | 1989-08-11 |
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