JPH011920A - 焦電形赤外線検出装置 - Google Patents
焦電形赤外線検出装置Info
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- JPH011920A JPH011920A JP62-155339A JP15533987A JPH011920A JP H011920 A JPH011920 A JP H011920A JP 15533987 A JP15533987 A JP 15533987A JP H011920 A JPH011920 A JP H011920A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く産業上の利用分野〉
本発明は、例えば防犯の目的に、人体から放射される熱
線部ら赤外線の検出によりこれを発見するために用いる
赤外線検出装置に関する。
線部ら赤外線の検出によりこれを発見するために用いる
赤外線検出装置に関する。
〈従来の技術〉
一般に、赤外線を検出する赤外線センサは、半導体の光
電効果を利用した量子形と、熱電効果や焦電効果を利用
した熱形の2種類に大別される。
電効果を利用した量子形と、熱電効果や焦電効果を利用
した熱形の2種類に大別される。
量子形は、非常に高感度であるが応答波長領域が狭く、
赤外線の検出のためには冷却を必要とするため限定され
た使用に止どまっている。一方、熱形は検知感度は低い
が安価であり、常温で動作して波長依存性がないなどの
特徴を有している。
赤外線の検出のためには冷却を必要とするため限定され
た使用に止どまっている。一方、熱形は検知感度は低い
が安価であり、常温で動作して波長依存性がないなどの
特徴を有している。
このため、最近では、熱形の赤外線センサ、特に焦電形
赤外線センサが各種の分野で使用されている。
赤外線センサが各種の分野で使用されている。
焦電形赤外線センサは、焦電性結晶に温度変化を与えた
とき、焦電性結晶表面に自発分極の変化によって電荷が
発生するという焦電効果を利用して温度を検出する一種
の温度センサであり、人体検知、炎検知及び温度検知等
に使用されている。
とき、焦電性結晶表面に自発分極の変化によって電荷が
発生するという焦電効果を利用して温度を検出する一種
の温度センサであり、人体検知、炎検知及び温度検知等
に使用されている。
ところで、焦電形赤外線センサは、焦電性結晶表面に発
生する電荷により温度変化を検出するという上記動作原
理からも明らかなように、インピーダンスが高く外来雑
音の影響を受けやすいという欠点を有している。そこで
、この種の焦電形赤外線センサを用いた焦電形赤外線検
出装置では、焦電形赤外線センサの取り付は部に集光ミ
ラーを配置して赤外線の発生源から発Iられる赤外線を
焦電形赤外線ぜンサに集光し、S/N比を高くするよう
工夫している。
生する電荷により温度変化を検出するという上記動作原
理からも明らかなように、インピーダンスが高く外来雑
音の影響を受けやすいという欠点を有している。そこで
、この種の焦電形赤外線センサを用いた焦電形赤外線検
出装置では、焦電形赤外線センサの取り付は部に集光ミ
ラーを配置して赤外線の発生源から発Iられる赤外線を
焦電形赤外線ぜンサに集光し、S/N比を高くするよう
工夫している。
例えば、前記集光ミラーとして放物面鏡を用いて、その
焦点に一対の焦電形赤外線検出素子を配置した焦電形赤
外線検出装置が考えられた。この様な、焦電形赤外線検
出装置の光学系の構成図を第5図に示す。第5図におい
て、1は放物面鏡、2は当該放物面鏡1の焦点近1カに
配設した焦電形赤外線センサ、3a、3bは焦電形赤外
線センサ2を構成する焦電形赤外線検出素子、4は前記
焦電形赤外線検出素子3a、3bを形成する基板である
。この焦電形赤外線検出装置における焦電形赤外線セン
サ2の焦電形赤外線検出素子3a、3bは第6図に示す
ように同種の分極同士が直接接続され、その差動出力か
電界効果トランジスタ(FET)によるエミッタホロワ
のインピーダンス変換回路から出力される。なお、R1
、R2は抵抗でおる。第6図では焦電形赤外線検出索子
3a、4aの同極同士が直接接続の直列接続になってい
るが、異分極同士を接続した並列接、涜でもよい。
焦点に一対の焦電形赤外線検出素子を配置した焦電形赤
外線検出装置が考えられた。この様な、焦電形赤外線検
出装置の光学系の構成図を第5図に示す。第5図におい
て、1は放物面鏡、2は当該放物面鏡1の焦点近1カに
配設した焦電形赤外線センサ、3a、3bは焦電形赤外
線センサ2を構成する焦電形赤外線検出素子、4は前記
焦電形赤外線検出素子3a、3bを形成する基板である
。この焦電形赤外線検出装置における焦電形赤外線セン
サ2の焦電形赤外線検出素子3a、3bは第6図に示す
ように同種の分極同士が直接接続され、その差動出力か
電界効果トランジスタ(FET)によるエミッタホロワ
のインピーダンス変換回路から出力される。なお、R1
、R2は抵抗でおる。第6図では焦電形赤外線検出索子
3a、4aの同極同士が直接接続の直列接続になってい
るが、異分極同士を接続した並列接、涜でもよい。
この構成において、動作を第5図の構成図及び第7図の
波形図を用いて説明する。焦電形赤外線センサ2の第1
、第2の焦電形赤外線検出素子3a、3bが放物面鏡の
光軸の両側に間隔dで配置されている。被検出体である
赤外線の放射源、例えば人体か領1jA(1)から領域
(2)の検知ゾーンに進入してくると、光軸から僅かに
ずれた方向からの赤外線は放物面鏡1で反射して第1の
赤外線検出素子3aに入射し始めて、赤外線を検出し始
める。被検出体か領域(2)の検知ゾーンを進んでいく
と、徐々に赤外線の入射量が多くなってFET出力が増
加していくが、第2の赤外線検出索子3bに入射し始め
、赤外線を検出し始める。
波形図を用いて説明する。焦電形赤外線センサ2の第1
、第2の焦電形赤外線検出素子3a、3bが放物面鏡の
光軸の両側に間隔dで配置されている。被検出体である
赤外線の放射源、例えば人体か領1jA(1)から領域
(2)の検知ゾーンに進入してくると、光軸から僅かに
ずれた方向からの赤外線は放物面鏡1で反射して第1の
赤外線検出素子3aに入射し始めて、赤外線を検出し始
める。被検出体か領域(2)の検知ゾーンを進んでいく
と、徐々に赤外線の入射量が多くなってFET出力が増
加していくが、第2の赤外線検出索子3bに入射し始め
、赤外線を検出し始める。
すると、FETは第1と第2の赤外線検出索子3a、3
bの差動出力を増幅するから徐々に減少していく。そし
て、領14(3)では、第1と第2の赤外線検出素子3
a、3bの両方に同じ様に入射するので、FFT−には
差動出力は現れないこととなる。そして、領域(4)の
検知ゾーンに移動しlことぎは、再度FETに出力が現
れ。領M(5)に出ると、第1及び第2の焦電形赤外線
検出素子3a、3bの両方に入射しないので、FETに
は差動出力が現れない。
bの差動出力を増幅するから徐々に減少していく。そし
て、領14(3)では、第1と第2の赤外線検出素子3
a、3bの両方に同じ様に入射するので、FFT−には
差動出力は現れないこととなる。そして、領域(4)の
検知ゾーンに移動しlことぎは、再度FETに出力が現
れ。領M(5)に出ると、第1及び第2の焦電形赤外線
検出素子3a、3bの両方に入射しないので、FETに
は差動出力が現れない。
〈発明か解決しようとする問題点〉
上述のように、放物面鏡1に焦電形赤外線検出センサ2
を配置した場合、焦点に集まる光は、平行線を集めるた
め検知ゾーンはミラーの開口面よりあまり広くならない
かかなり長い距離の検知ゾーンか得られる。ところが2
個の焦電形赤外線検出素子3a、3bを使用した場合、
検知ゾーンはこれらの焦電形赤外線検出素子3a、3b
の配置間隔dに応じた分だけずれ、しかもこの焦電形界
タト線検出素子3a、3bの差動出力は前jホのような
領+4C(2>と(5)の両側の検知ゾーンでしかIH
られないことになる。即ら、検知ゾーンは放物面鏡1の
開口部の縁から光軸と平行方向に僅かに拡がって延びて
いる部分のみでおる。そのため、被検出体か放物面鏡の
正面にきたときには、差動出力が11られない欠点があ
った。
を配置した場合、焦点に集まる光は、平行線を集めるた
め検知ゾーンはミラーの開口面よりあまり広くならない
かかなり長い距離の検知ゾーンか得られる。ところが2
個の焦電形赤外線検出素子3a、3bを使用した場合、
検知ゾーンはこれらの焦電形赤外線検出素子3a、3b
の配置間隔dに応じた分だけずれ、しかもこの焦電形界
タト線検出素子3a、3bの差動出力は前jホのような
領+4C(2>と(5)の両側の検知ゾーンでしかIH
られないことになる。即ら、検知ゾーンは放物面鏡1の
開口部の縁から光軸と平行方向に僅かに拡がって延びて
いる部分のみでおる。そのため、被検出体か放物面鏡の
正面にきたときには、差動出力が11られない欠点があ
った。
く問題点を解決するための手段〉
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであ
り、集光ミラーの縁により生ずる検知ゾーンとその間に
検知ゾーンを生じさせる焦電形赤外線検出装置を提供す
るものである。
り、集光ミラーの縁により生ずる検知ゾーンとその間に
検知ゾーンを生じさせる焦電形赤外線検出装置を提供す
るものである。
本発明の焦電形赤外線検出装置は、赤外線を集光する集
光ミラーと、一対の焦電形赤外線検出素子とを有し、そ
の焦電形赤外線検出素子を前記集光ミラーの焦点近傍に
位置させている。集光ミラーの反射面上には反射光■を
減少させる非鏡面部を設けている。
光ミラーと、一対の焦電形赤外線検出素子とを有し、そ
の焦電形赤外線検出素子を前記集光ミラーの焦点近傍に
位置させている。集光ミラーの反射面上には反射光■を
減少させる非鏡面部を設けている。
く作用〉
集光ミラーの反射面上の一部に反射光量を減少させる非
鏡面部を有し、そのため反射鏡面と非鏡面部とでは光即
ち赤外線の反射光量を大きく異ならせることにより、第
1及び第2の焦電形赤外線検出素子に入射する赤外線量
のバランスを崩して、検知ゾーンを生じさせている。
鏡面部を有し、そのため反射鏡面と非鏡面部とでは光即
ち赤外線の反射光量を大きく異ならせることにより、第
1及び第2の焦電形赤外線検出素子に入射する赤外線量
のバランスを崩して、検知ゾーンを生じさせている。
〈実施例〉
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に説明する。
第1図は一実施例の光学系の構成図であり、集光ミラー
としての放物面鏡1は、例えば金属平板を湾曲させて放
物面を形成したものであり、平行入射赤外線を反射して
焦点fに集光させる反射鏡面1aと、入射赤外線の反射
光量を減少させる非鏡面部1bを備えている。焦電形赤
外線センサ2は放物面鏡1の焦点f1の近傍に位置し、
焦電形赤外線素子3a、3bは光軸の両側に位置して、
放物面鏡1に対面している。
としての放物面鏡1は、例えば金属平板を湾曲させて放
物面を形成したものであり、平行入射赤外線を反射して
焦点fに集光させる反射鏡面1aと、入射赤外線の反射
光量を減少させる非鏡面部1bを備えている。焦電形赤
外線センサ2は放物面鏡1の焦点f1の近傍に位置し、
焦電形赤外線素子3a、3bは光軸の両側に位置して、
放物面鏡1に対面している。
放物面鏡1は前述のように金属平板をプレス加工して形
成するばか樹脂成型によっても実現できる。その反射鏡
面1aの形成は樹脂成型の場合はメツキを施して鏡面仕
上げする。プレス加工の場合は金属平板が光沢アルミ材
若しくは光沢クロム材等であればそのまま反射鏡面1a
として用いることができ、鉄、銅若しくは真鍮等であれ
ばメツキを施して反g)J鏡面1aに仕上げる。一方、
非鏡面部1bの形成は、前述の反射鏡面1a上又は非鏡
面部1bを形成するために鏡面仕上げをしていない部分
に遠赤外線を吸収する材質でメツキ、蒸着、印刷、塗装
又は接着等により加工する。又は、所定部分に膜を形成
した後遠赤外線を吸収できるように加工して、非鏡面部
1bを形成してもよい。
成するばか樹脂成型によっても実現できる。その反射鏡
面1aの形成は樹脂成型の場合はメツキを施して鏡面仕
上げする。プレス加工の場合は金属平板が光沢アルミ材
若しくは光沢クロム材等であればそのまま反射鏡面1a
として用いることができ、鉄、銅若しくは真鍮等であれ
ばメツキを施して反g)J鏡面1aに仕上げる。一方、
非鏡面部1bの形成は、前述の反射鏡面1a上又は非鏡
面部1bを形成するために鏡面仕上げをしていない部分
に遠赤外線を吸収する材質でメツキ、蒸着、印刷、塗装
又は接着等により加工する。又は、所定部分に膜を形成
した後遠赤外線を吸収できるように加工して、非鏡面部
1bを形成してもよい。
あるいは、非鏡面部1bは遠赤外線を乱反射するように
加工してもよい。このように非鏡面部1bを遠赤外線の
吸収部分又は乱反射部分とすることにより、反則鏡面1
aと比較して反則赤外線光量を著しく少なくしている。
加工してもよい。このように非鏡面部1bを遠赤外線の
吸収部分又は乱反射部分とすることにより、反則鏡面1
aと比較して反則赤外線光量を著しく少なくしている。
この装置の動作を第1図の構成図及び第2図の波形図を
用いて説明する。
用いて説明する。
領域(1)から領域(2)の検知ゾーンに移動すると、
FETに差動出力が現れ、被検出体からの赤外線か検出
される。さらに進んで領域(3)ではFETには差動出
力は現れない、そして、領域(6)に入ると、反射鏡面
1aと非鏡面部1bの赤外線反射量の違いにより第1の
焦電形赤外線検出素子3aに入射する赤外線の組が第2
の焦電形赤外線検出素子3bに入射する赤外線の量より
はるかに大ぎく、両者の赤外線入射量のバランスが大き
く崩れるために、FETに差動出力が現れる。さらに、
領域(7)では、非鏡面部1bの影響を受けず、赤外線
が第1、第2の焦電形赤外線検出素子3a、3bの両方
に入射し、FETに差動出力は現れない。また、領域(
8)では反射鏡面1aと非鏡面部1bとにより第第2の
焦電形赤外線検出素子3bに入射する赤外線の間が第1
の焦電形赤外線検出素子3aに入射する赤外線の但□
よりはるかに大きく、両者の赤外線入射量のバラン
スが大きく崩れて、FETに差動出力が現れ、この領v
1.(8)も検知ゾーンとなる。領域(9)では領域(
7)と同様にFET出力が現れず、以下、領域(4)、
更に領域(5)と移動していくと、前述の第6図の説明
と同様に動作する。
FETに差動出力が現れ、被検出体からの赤外線か検出
される。さらに進んで領域(3)ではFETには差動出
力は現れない、そして、領域(6)に入ると、反射鏡面
1aと非鏡面部1bの赤外線反射量の違いにより第1の
焦電形赤外線検出素子3aに入射する赤外線の組が第2
の焦電形赤外線検出素子3bに入射する赤外線の量より
はるかに大ぎく、両者の赤外線入射量のバランスが大き
く崩れるために、FETに差動出力が現れる。さらに、
領域(7)では、非鏡面部1bの影響を受けず、赤外線
が第1、第2の焦電形赤外線検出素子3a、3bの両方
に入射し、FETに差動出力は現れない。また、領域(
8)では反射鏡面1aと非鏡面部1bとにより第第2の
焦電形赤外線検出素子3bに入射する赤外線の間が第1
の焦電形赤外線検出素子3aに入射する赤外線の但□
よりはるかに大きく、両者の赤外線入射量のバラン
スが大きく崩れて、FETに差動出力が現れ、この領v
1.(8)も検知ゾーンとなる。領域(9)では領域(
7)と同様にFET出力が現れず、以下、領域(4)、
更に領域(5)と移動していくと、前述の第6図の説明
と同様に動作する。
第1図の例では、非鏡面部1bを1箇所に設けていたが
、第3図のように複数箇所に形成して、検知ゾーンを増
加させることができる。また、第4図にように、反射面
の下部に非鏡面部1bを設ければ被検出対の動きに合致
した特定方向の検知ゾーンを設置することができる。
、第3図のように複数箇所に形成して、検知ゾーンを増
加させることができる。また、第4図にように、反射面
の下部に非鏡面部1bを設ければ被検出対の動きに合致
した特定方向の検知ゾーンを設置することができる。
これらの集光ミラーとして平板を湾曲させた断面放物線
の鏡により説明したが、断面円形の湾曲ミラーを用いて
もよく、ざらには回転放物面鏡あるいは球面鏡によって
構成してもよく、その他集光ミラーであればその種類は
問わない。
の鏡により説明したが、断面円形の湾曲ミラーを用いて
もよく、ざらには回転放物面鏡あるいは球面鏡によって
構成してもよく、その他集光ミラーであればその種類は
問わない。
〈発明の効果〉
以上詳細に説明したように、本発明によれば、集光ミラ
ーの反射鏡面とは反射光量が著しく少ない非鏡面部を設
けたので、集光ミラーの正面部に差動出力を得る検知ゾ
ーンを任意に設置することができ、これにより、被検出
体がミラー正面にきたときやミラー正面での細かな動き
に対応して差動出力が得られる。
ーの反射鏡面とは反射光量が著しく少ない非鏡面部を設
けたので、集光ミラーの正面部に差動出力を得る検知ゾ
ーンを任意に設置することができ、これにより、被検出
体がミラー正面にきたときやミラー正面での細かな動き
に対応して差動出力が得られる。
第1図は本発明の実施例の光学系の構成図、第2図は第
1図の実施例装置の出力波形図、第3図及び第4図は本
発明の他の実施例の集光ミラーの反射面の部分斜視図、
第5図は従来の焦電形赤外線検出装置の光学系の構成図
、第6図は焦電形赤外線検出装置に用いる電気回路図の
例、第7図は第5図の装僧の出ツノ波形図でおる。 1・・・放物面鏡、1a・・・反則鏡面、1b・・・非
鏡面部、2・・・焦電形赤外線センサ、3a、3b・・
・焦電形赤外線検出素子。
1図の実施例装置の出力波形図、第3図及び第4図は本
発明の他の実施例の集光ミラーの反射面の部分斜視図、
第5図は従来の焦電形赤外線検出装置の光学系の構成図
、第6図は焦電形赤外線検出装置に用いる電気回路図の
例、第7図は第5図の装僧の出ツノ波形図でおる。 1・・・放物面鏡、1a・・・反則鏡面、1b・・・非
鏡面部、2・・・焦電形赤外線センサ、3a、3b・・
・焦電形赤外線検出素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 赤外線を焦点に集光する集光ミラーと、前記集光ミラー
の焦点近傍に位置する一対の焦電形赤外線検出素子とを
備えた焦電形赤外線検出装置において、 前記集光ミラーの反射面上に、反射光量を減少させる非
鏡面部を設けたことを特徴とする焦電形赤外線検出装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-155339A JPH011920A (ja) | 1987-06-24 | 焦電形赤外線検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62-155339A JPH011920A (ja) | 1987-06-24 | 焦電形赤外線検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS641920A JPS641920A (en) | 1989-01-06 |
JPH011920A true JPH011920A (ja) | 1989-01-06 |
Family
ID=
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