JPH01142418A - 赤外線検出素子 - Google Patents
赤外線検出素子Info
- Publication number
- JPH01142418A JPH01142418A JP62301834A JP30183487A JPH01142418A JP H01142418 A JPH01142418 A JP H01142418A JP 62301834 A JP62301834 A JP 62301834A JP 30183487 A JP30183487 A JP 30183487A JP H01142418 A JPH01142418 A JP H01142418A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- wavelength
- light
- ray
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 19
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 12
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 claims description 6
- 230000005855 radiation Effects 0.000 abstract description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 34
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000252229 Carassius auratus Species 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/12—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/81—Structural details of the junction
- H10N10/817—Structural details of the junction the junction being non-separable, e.g. being cemented, sintered or soldered
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は赤外線検出素子に係り、特に熱望赤外線センサ
である赤外線検出素子に関する。
である赤外線検出素子に関する。
（従来の技術）
従来から、熱電特性が異なる２種の金属または半導体を
接合しこれらの接合点に温度差を与えた時に起電力を生
じる現象、いわゆるビーベック ・効果を利用した、
赤外線検出用のサーモカップルが知られている。第３図
は、このようなサーモカップルを多数直列に接続して大
きな起電力を得るようにしたサーモパイル素子を示して
いる。
接合しこれらの接合点に温度差を与えた時に起電力を生
じる現象、いわゆるビーベック ・効果を利用した、
赤外線検出用のサーモカップルが知られている。第３図
は、このようなサーモカップルを多数直列に接続して大
きな起電力を得るようにしたサーモパイル素子を示して
いる。
図中、符号１は基板上に形成されたパターン支持ＩＴ／
Ａであり、このパターン支持薄膜１上には例えばフォト
エツチング技術により第１、第２の熱電材料膜２．３が
互いに直列に接続されるように形成されている。これら
第１、第２の熱電材料膜２．３は、サーモカップル４を
構成している。さらに、パターン支持薄ＩＦ５１上の中
心部には金魚（Ａｕ ｂｌａｃｋ）等からなる赤外線吸
収体である受光膜５が形成されている。
Ａであり、このパターン支持薄膜１上には例えばフォト
エツチング技術により第１、第２の熱電材料膜２．３が
互いに直列に接続されるように形成されている。これら
第１、第２の熱電材料膜２．３は、サーモカップル４を
構成している。さらに、パターン支持薄ＩＦ５１上の中
心部には金魚（Ａｕ ｂｌａｃｋ）等からなる赤外線吸
収体である受光膜５が形成されている。
このようなサーモバイル素子では、赤外線の入射に伴い
受光膜５の膜温度が上昇し、各サーモカップル４の温接
合部ａと冷接合部すとの間に温度差が生じて発生した起
電力を測定することによって赤外線を検出することがで
きる。
受光膜５の膜温度が上昇し、各サーモカップル４の温接
合部ａと冷接合部すとの間に温度差が生じて発生した起
電力を測定することによって赤外線を検出することがで
きる。
ところで、赤外線発生源はその物体の湿度に応じた赤外
線を放射しており、その放射エネルギー強度はウィーン
（Ｗｉｅｎ）の変位則に従って、ある波長λｍにおいて
極大値を示す。一般にサーモバイルのパッケージの窓に
はシリコン等のフィルタを設け、可視光線を遮断し一定
波長以上の赤外線のみを受光膜へ入射させるようにして
いる。
線を放射しており、その放射エネルギー強度はウィーン
（Ｗｉｅｎ）の変位則に従って、ある波長λｍにおいて
極大値を示す。一般にサーモバイルのパッケージの窓に
はシリコン等のフィルタを設け、可視光線を遮断し一定
波長以上の赤外線のみを受光膜へ入射させるようにして
いる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このようなサーモパイルでは、例えば６
ミクロンカットオンフィルターを採用すると、６μｍ以
上の全波長域の赤外線に対して応答を示すことになり、
ある特定渇疫の赤外線発生源に選択的に応答さぼるのは
困難である。また、波長選択性を具備させるために、検
出対象の波長領域よりも短波長側の入射光を遮断するフ
ィルターと長波長側の入ｒＪＪ光を遮断するフィルター
を設けると、検出対象の波長領域の赤外線の入射エネル
ギーも減衰し、微弱な赤外線が対象な場合、検出不能と
なる恐れがあった。
ミクロンカットオンフィルターを採用すると、６μｍ以
上の全波長域の赤外線に対して応答を示すことになり、
ある特定渇疫の赤外線発生源に選択的に応答さぼるのは
困難である。また、波長選択性を具備させるために、検
出対象の波長領域よりも短波長側の入射光を遮断するフ
ィルターと長波長側の入ｒＪＪ光を遮断するフィルター
を設けると、検出対象の波長領域の赤外線の入射エネル
ギーも減衰し、微弱な赤外線が対象な場合、検出不能と
なる恐れがあった。
本発明はかかる点に対処してなされたもので、微弱な赤
外線でもその発生源に対して選択的に検出することがで
きるように、検出対象の波長領域の赤外線に対して選択
的に感度を高かめることができる赤外線検出素子を提供
することを目的とする。
外線でもその発生源に対して選択的に検出することがで
きるように、検出対象の波長領域の赤外線に対して選択
的に感度を高かめることができる赤外線検出素子を提供
することを目的とする。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
上記の目的を達するために、本発明の赤外線検出素子は
、基板上に熱電特性が異なる２種の熱電材料を接合さゼ
たサーモカップルパターンと赤外線吸収体とが形成され
た赤外線検出素子において、前記赤外線吸収体の表面に
、その中心線平均粗さ（Ｒａ ）および任意の断面曲線
の山頂間の距離が検出対象の赤外線発生源より放射され
る赤外線放射エネルギーが最大強度となる波長（λｍ）
とほぼ一致する凹凸が形成されていることを特徴として
いる。
、基板上に熱電特性が異なる２種の熱電材料を接合さゼ
たサーモカップルパターンと赤外線吸収体とが形成され
た赤外線検出素子において、前記赤外線吸収体の表面に
、その中心線平均粗さ（Ｒａ ）および任意の断面曲線
の山頂間の距離が検出対象の赤外線発生源より放射され
る赤外線放射エネルギーが最大強度となる波長（λｍ）
とほぼ一致する凹凸が形成されていることを特徴として
いる。
（作 用）
本発明の赤外線検出素子では、赤外線吸収体表面に中心
線平均粗さ（Ｒａ ）および任意の断面曲線の山頂間の
距離が検出対象の赤外線発生源よ° り放射される赤
外線放射エネルギーが最大強度となる波長（λｍ）と同
程度となるような凹凸を設けることにより、ミー（Ｈｉ
ｅ ）散乱効果による波長選択吸収性が付与され、その
波長領域の赤外線に対して選択的に感度が向上する。し
たがって、従来では検出不能となるような微弱な赤外線
発生源に対しても選択的に検知させるようにすることも
可能となる。
線平均粗さ（Ｒａ ）および任意の断面曲線の山頂間の
距離が検出対象の赤外線発生源よ° り放射される赤
外線放射エネルギーが最大強度となる波長（λｍ）と同
程度となるような凹凸を設けることにより、ミー（Ｈｉ
ｅ ）散乱効果による波長選択吸収性が付与され、その
波長領域の赤外線に対して選択的に感度が向上する。し
たがって、従来では検出不能となるような微弱な赤外線
発生源に対しても選択的に検知させるようにすることも
可能となる。
（実施例）
以下、図面に示す一実施例について本発明の詳細な説明
する。
する。
第１図は本発明の一実施例の赤外線検出素子の断面を示
すもので、図中、パターン支持簿膜１は例えばアルミナ
等のセセラミックスからなる絶縁基板６上に形成されて
おり、このパターン支持薄膜１の上に第１、第２の熱電
材料膜２．３が例えば第３図に示すようなパターンで形
成されている。
すもので、図中、パターン支持簿膜１は例えばアルミナ
等のセセラミックスからなる絶縁基板６上に形成されて
おり、このパターン支持薄膜１の上に第１、第２の熱電
材料膜２．３が例えば第３図に示すようなパターンで形
成されている。
ナーモカップル４はこの熱電材料ＤＩ ２．３の組合せ
によって構成される。これら第１、第２の熱電材料膜２
．３としては例えば３ｉとｓｂとの組合わせが挙げられ
る。これらのサーモカップルパターンはメタルマスク法
またはフォトマスク法と組合わせた真空蒸着やスパッタ
リング法などで形成される。なお、ａは熱電材料膜２．
３の温接合部を、ｂは冷接合部を示すもので、受光膜５
はサーモカップル４の温接合部ａに近接して設けられる
。すなわち受光膜５は、入射した赤外線を吸収してサー
モカップル４の温接合部ａｌａ度を上昇させる働きする
ものである。
によって構成される。これら第１、第２の熱電材料膜２
．３としては例えば３ｉとｓｂとの組合わせが挙げられ
る。これらのサーモカップルパターンはメタルマスク法
またはフォトマスク法と組合わせた真空蒸着やスパッタ
リング法などで形成される。なお、ａは熱電材料膜２．
３の温接合部を、ｂは冷接合部を示すもので、受光膜５
はサーモカップル４の温接合部ａに近接して設けられる
。すなわち受光膜５は、入射した赤外線を吸収してサー
モカップル４の温接合部ａｌａ度を上昇させる働きする
ものである。
この受光ｇＩ５には、その表面を第２図に拡大して示す
ように、中心線平均粗さＲａおよび断面曲線Ａの任意の
山頂間の距離ｄが検出対象の赤外線の放射エネルギーが
最大強度となる波長λｍとほぼ等しい凹凸が形成されて
いる。
ように、中心線平均粗さＲａおよび断面曲線Ａの任意の
山頂間の距離ｄが検出対象の赤外線の放射エネルギーが
最大強度となる波長λｍとほぼ等しい凹凸が形成されて
いる。
ここで、中心線平均粗さＲａは、断面面ＭＡより求めら
れる粗さ曲線からその中心線の方向に測定長さぶの部分
を抜取り、この扱取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方
向をＹ軸とし、粗さ曲線をｙ＝ｆ （ｘ）で表したとき
、次式にしたがって求められるものである。
れる粗さ曲線からその中心線の方向に測定長さぶの部分
を抜取り、この扱取り部分の中心線をＸ軸、縦倍率の方
向をＹ軸とし、粗さ曲線をｙ＝ｆ （ｘ）で表したとき
、次式にしたがって求められるものである。
Ｒａ ＝１／ｆｌｆ ｌ ｆ （ｘ） ｌ ｄｘこのよ
うな凹凸状の表面を有する受光膜５を形成するには、ま
ず基板６の受光膜５形成面にプラズマエツチングやケミ
カルエツチングなどの手法により、前述したように検出
すべき赤外線の波長λｍに規定される大ぎさの凹凸を形
成しておき、この上に例えばカーボン膜などの受光膜５
を真空蒸着法などにより被着させればよい。
うな凹凸状の表面を有する受光膜５を形成するには、ま
ず基板６の受光膜５形成面にプラズマエツチングやケミ
カルエツチングなどの手法により、前述したように検出
すべき赤外線の波長λｍに規定される大ぎさの凹凸を形
成しておき、この上に例えばカーボン膜などの受光膜５
を真空蒸着法などにより被着させればよい。
次表に、熱電材料に３ｉＳ３ｂを用い、サーモカップル
数を１６対とし、Ｒａおよびｄが９．５μｍとなる凹凸
を形成した３ｉｌ板上に受光膜として膜厚０．１μｍの
カーボン膜を真空蒸着法により被着させて形成した本実
施例の赤外線検出素子について、２ｍが９．５μｍの波
長領域の赤外線すなわちウィーンの変位則より温度３２
℃の赤外線発生源から放射される赤外線を検出した場合
の出力並びに温度１００℃の赤外線発生源から放射され
る赤外線を検出した場合の出力および受光膜と基板との
付着力を雰囲気温度２０℃の下で測定した結果を示す。
数を１６対とし、Ｒａおよびｄが９．５μｍとなる凹凸
を形成した３ｉｌ板上に受光膜として膜厚０．１μｍの
カーボン膜を真空蒸着法により被着させて形成した本実
施例の赤外線検出素子について、２ｍが９．５μｍの波
長領域の赤外線すなわちウィーンの変位則より温度３２
℃の赤外線発生源から放射される赤外線を検出した場合
の出力並びに温度１００℃の赤外線発生源から放射され
る赤外線を検出した場合の出力および受光膜と基板との
付着力を雰囲気温度２０℃の下で測定した結果を示す。
また、比較例１．２として、受光膜の形成以外は実施例
と同様にして、鏡面状のＳｉ基板上にカーボン膜を蒸着
させた場合および同じ〈従来の鏡面状の８１基板上に合
焦を蒸着させた場合について実施例と同様に測定した結
果を次表に示す。
と同様にして、鏡面状のＳｉ基板上にカーボン膜を蒸着
させた場合および同じ〈従来の鏡面状の８１基板上に合
焦を蒸着させた場合について実施例と同様に測定した結
果を次表に示す。
表
比較例１：鏡面基板上にカーボン蒸着
比較例２：鏡面基板上に全黒蒸着
この表からも明らかなように、本実施例の赤外線検出素
子は、温度３２℃の赤外線発生源から放射される赤外線
に対する出力が比較例１．２と比較して相対的に大きく
、温度１００℃の場合と比べて選択的に感度が向上して
いる。また、受光膜と基板の付着力も、鏡面状態の基板
に受光膜を形成した場合と比べて、−段と優れている。
子は、温度３２℃の赤外線発生源から放射される赤外線
に対する出力が比較例１．２と比較して相対的に大きく
、温度１００℃の場合と比べて選択的に感度が向上して
いる。また、受光膜と基板の付着力も、鏡面状態の基板
に受光膜を形成した場合と比べて、−段と優れている。
このように本発明の赤外線検出素子は、特定の波長領域
の赤外線に対して選択的に感度を高かくすることができ
るため、その波長領域の赤外線に対してのみ応答するよ
う他の入射光を遮断するフィルターを用いても十分検出
することができる。
の赤外線に対して選択的に感度を高かくすることができ
るため、その波長領域の赤外線に対してのみ応答するよ
う他の入射光を遮断するフィルターを用いても十分検出
することができる。
また、本発明では従来受光膜の材質として用いられてき
た合焦に替えてより安価な例えばカーボンなどを使用で
きるので、コストを下げることができる。さらに、本質
的に基板に対する密着力の弱い合焦に比べて、高真空中
にて蒸着さＶることができるカーボンなどは基板に対す
る密着力が強く、その上基板の表面に凹凸を形成しであ
るので、基板と受光膜との密着力を従来よりも著しく向
上させることができる。したがって赤外線検出素子とし
て実際に使用される場合に予想されるヒートサイクルや
ヒートシコックによっても受光膜と基板の間で剥離が生
じにくく、安定した出力特性を長期間維持することがで
きる。
た合焦に替えてより安価な例えばカーボンなどを使用で
きるので、コストを下げることができる。さらに、本質
的に基板に対する密着力の弱い合焦に比べて、高真空中
にて蒸着さＶることができるカーボンなどは基板に対す
る密着力が強く、その上基板の表面に凹凸を形成しであ
るので、基板と受光膜との密着力を従来よりも著しく向
上させることができる。したがって赤外線検出素子とし
て実際に使用される場合に予想されるヒートサイクルや
ヒートシコックによっても受光膜と基板の間で剥離が生
じにくく、安定した出力特性を長期間維持することがで
きる。
［発明の効果］
以上の説明からも明らかなように、本発明によれば、受
光膜の表面に赤外線発光源の放射エネルギー最大波長と
ほぼ同じ大きさの凹凸を設けることにより、その波長領
域の赤外線発生源に対して選択的な感度を有する赤外線
検出素子を得ることができる。また、受光膜の基板に適
度な凹凸があるために受光膜と基板間の密着力に優れ、
実使用時に安定な出力を維持できる。さらに、受光膜と
して従来の合焦に替えて、カーボン等の安価な材料を使
用できるので、コストを低下させることができる。
光膜の表面に赤外線発光源の放射エネルギー最大波長と
ほぼ同じ大きさの凹凸を設けることにより、その波長領
域の赤外線発生源に対して選択的な感度を有する赤外線
検出素子を得ることができる。また、受光膜の基板に適
度な凹凸があるために受光膜と基板間の密着力に優れ、
実使用時に安定な出力を維持できる。さらに、受光膜と
して従来の合焦に替えて、カーボン等の安価な材料を使
用できるので、コストを低下させることができる。
第１図は本発明の一実施例の赤外線検出素子の断面図、
第２図は第１図に示す赤外線検出素子の受光膜表面を拡
大して示す断面図、第３図は従来の赤外線検出素子を示
す斜視図である。 １・・・・・・・・・パターン支持薄膜２・・・・・・
・・・第１の熱電材料膜３・・・・・・・・・第２の熱
電材料膜４・・・・・・・・・サーモカップル ５・・・・・・・・・受光膜 ６・・・・・・・・・基板 ａ・・・・・・・・・温接合部 ｂ・・・・・・・・・冷接合部
第２図は第１図に示す赤外線検出素子の受光膜表面を拡
大して示す断面図、第３図は従来の赤外線検出素子を示
す斜視図である。 １・・・・・・・・・パターン支持薄膜２・・・・・・
・・・第１の熱電材料膜３・・・・・・・・・第２の熱
電材料膜４・・・・・・・・・サーモカップル ５・・・・・・・・・受光膜 ６・・・・・・・・・基板 ａ・・・・・・・・・温接合部 ｂ・・・・・・・・・冷接合部
Claims (1)
- （１）基板上に熱電特性が異なる２種の熱電材料を接合
させたサーモカップルパターンと赤外線吸収体とが形成
された赤外線検出素子において、前記赤外線吸収体の表
面に、その中心線平均粗さ（Ｒａ）および任意の断面曲
線の山頂間の距離が検出対象の赤外線発生源より放射さ
れる赤外線放射エネルギーが最大強度となる波長（λｍ
）とほぼ一致する凹凸が形成されていることを特徴とす
る赤外線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301834A JPH01142418A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62301834A JPH01142418A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 赤外線検出素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01142418A true JPH01142418A (ja) | 1989-06-05 |
Family
ID=17901721
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62301834A Pending JPH01142418A (ja) | 1987-11-30 | 1987-11-30 | 赤外線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01142418A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006226891A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nec Corp | 熱型赤外線検出素子 |
| JP2006337224A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Ushio Inc | マイクロチップ検査装置 |
| JP2007024842A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
| JP2010002323A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Yazaki Corp | 赤外線センサ及び二酸化炭素センサ |
| JP2013164395A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子および半導体光装置 |
| JP2014103808A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Nec Engineering Ltd | 非接触充電監視システム、非接触充電システム、及び非接触充電方法 |
| WO2014199583A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 赤外線センサ |
| JP2016533033A (ja) * | 2013-08-02 | 2016-10-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 反射を削減する表面特徴部を含む基板支持体、及び基板支持体を製造するための製造技術 |
-
1987
- 1987-11-30 JP JP62301834A patent/JPH01142418A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006226891A (ja) * | 2005-02-18 | 2006-08-31 | Nec Corp | 熱型赤外線検出素子 |
| JP2006337224A (ja) * | 2005-06-03 | 2006-12-14 | Ushio Inc | マイクロチップ検査装置 |
| JP4635728B2 (ja) * | 2005-06-03 | 2011-02-23 | ウシオ電機株式会社 | マイクロチップ検査装置 |
| JP2007024842A (ja) * | 2005-07-21 | 2007-02-01 | Matsushita Electric Works Ltd | 赤外線センサ |
| JP2010002323A (ja) * | 2008-06-20 | 2010-01-07 | Yazaki Corp | 赤外線センサ及び二酸化炭素センサ |
| JP2013164395A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光素子および半導体光装置 |
| JP2014103808A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-06-05 | Nec Engineering Ltd | 非接触充電監視システム、非接触充電システム、及び非接触充電方法 |
| WO2014199583A1 (ja) * | 2013-06-10 | 2014-12-18 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 赤外線センサ |
| US10119865B2 (en) | 2013-06-10 | 2018-11-06 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Infrared sensor having improved sensitivity and reduced heat generation |
| JP2016533033A (ja) * | 2013-08-02 | 2016-10-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | 反射を削減する表面特徴部を含む基板支持体、及び基板支持体を製造するための製造技術 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10585002B2 (en) | Micromechanical device for electromagnetic radiation sensing | |
| JP2001156277A (ja) | 赤外線検出器 | |
| JP7188436B2 (ja) | 電磁波センサ | |
| AU6711000A (en) | Micro-bridge structure | |
| JPH01142418A (ja) | 赤外線検出素子 | |
| EP0259992B1 (en) | Radiation detection arrangements | |
| US9612159B2 (en) | Infrared sensor and infrared sensor array | |
| JPH11258038A (ja) | 赤外線センサ | |
| US7737403B2 (en) | Detector arrangement for electromagnetic radiation and method for measuring electromagnetic radiation | |
| JP2009025306A (ja) | 電磁放射検出器およびこの検出器の製造方法 | |
| JPH0249124A (ja) | サーモパイル | |
| US20140151834A1 (en) | MEMS Infrared Sensor Including a Plasmonic Lens | |
| WO2018110310A1 (ja) | 光検出器 | |
| JPH02205730A (ja) | 赤外線センサ | |
| JP3670450B2 (ja) | 狭視野サーミスタボロメータ | |
| JP3309957B2 (ja) | 赤外線検出素子 | |
| JPH1019670A (ja) | 人体検知センサ装置 | |
| JP2716253B2 (ja) | 高速応答性赤外線ターゲット、及び光軸合わせ試験システム | |
| JP7027714B2 (ja) | ウエハキャップ、遠赤外線センサ、遠赤外線検出装置、キャップ | |
| KR102003224B1 (ko) | 유리 투과형 온도 측정 장치 및 이를 구비하는 인덕션 가열 장치 | |
| JPS634652B2 (ja) | ||
| JPH09218086A (ja) | 赤外線センサ | |
| JPH11326039A (ja) | 熱型赤外線撮像装置および熱型赤外線受光素子 | |
| JPH0266416A (ja) | サーモパイル | |
| KR100310113B1 (ko) | 적외선검지소자의수광전극구조 |