JPH09218086A - 赤外線センサ - Google Patents
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Abstract
精度及び感度がよく、鮮明な熱画像が得られるようにす
る。 【解決手段】 保持層4のうちセンサエレメント1A、
1B、1Cの配置されていない領域の受光面側の全面も
しくは一部分に赤外光反射金属膜8を設けてこの部分に
入射する赤外線7x、7yを反射するようにする。
Description
線輻射を検知し、熱物体の存在や位置、動き、温度分布
等の検出を行う赤外線センサに関する。
接人に関わる装置における人の状態に応じた制御への指
向が高まるにつれて、人体の有無、位置、数、動き、姿
勢といった人情報のセンシング(検出)技術が重要視さ
れてきている。一方、公共施設や工場から家屋に至るま
での防犯・防災システムを構成する上でも人検知や火災
検知の手段が非常に重要となってきている。そこで、こ
れらの要求を実現する一つの手段として、物体からの赤
外線輻射を検出する赤外線センサが大きな注目を集める
ようになってきた。
のと熱型のものとに大きく分けられる。前者は量子効果
による光電導や光起電力を利用するものであり、高感度
・高速応答性を有するが、検出される赤外線の波長は素
子により決まっており、しかも近赤外光域に限られてい
る。また、測定時には冷却が必要であり、一般に計測用
として利用されている。これに対し後者の熱型は、赤外
線を吸収して熱に変換しそれによる温度変化を検出する
タイプであり、量子型と比較して応答性と感度の点で劣
る。しかし、室温動作が可能で、近赤外光域から遠赤外
光域までの広い範囲にわたって感度を有するという利点
がある。このため、遠赤外光域に輻射強度のピークを有
するような室温付近の対象の検知をコンパクトかつ安価
に行うのに熱型センサが広く用いられている。
温体の性能指数が重要であるだけでなく、入射した赤外
線をいかに効率よく吸収して感温体に大きな温度変化を
与えるか、また感温体とそれ以外の部分との熱の流れを
いかに防ぐかというセンサ自体の素子構造に関する部分
が非常に重要となる。
である焦電体101a〜101c、下部電極102a〜
102c、及び受光電極103a〜103cをスパッタ
リング等の方法を用いて薄膜で構成することで、これら
の焦電体101a〜101c、下部電極102a〜10
2c、及び受光電極103a〜103cからなるセンサ
エレメント101A〜101Cの熱容量を小さくして赤
外線107a〜107cを吸収した際の温度変化が大き
くなるようにしている。またセンサエレメント101A
〜101Cを熱伝導率の比較的低い合成樹脂製の保持層
104で支え、かつ保持層104の下部を中空状基板1
05によって浮かすように支えてセンサエレメント10
1A〜101Cどうし間及びセンサエレメント101A
〜101Cと基板105間の熱の出入りを極力抑えると
いう方法がこれまでは行われてきた。
うな構成では、検出波長によってはセンサエレメント1
01A〜101Cの非配置領域に入射する赤外線107
x、107yを保持層104が吸収し、この部分の温度
上昇が起きてセンサエレメント101A〜101Cに熱
が流れ込むことになり、これは測定温度精度の低下、熱
画像の鮮明度の低下の原因になる。
ント101A〜101C周辺部へ保持層104を通して
熱が拡散し、感度低下の原因となる。さらに、センサエ
レメント101A〜101Cから保持層104に流れ出
た熱の隣接センサエレメントへの流入量が大きい場合に
はクロストークが問題となり、測定温度精度の低下、熱
画像の鮮明度の低下の原因となる。
センサの構成では、輻射温度の測定精度が不充分であっ
たり、アレイセンサや2次元センサを用いた赤外線画像
センサの場合には鮮明度が不十分であるといった問題を
有していた。さらに人体活動量センサなどのチョッパを
使用しない場合、もしくはチョッピング周波数が低い領
域で使用する場合、及び高感度・高速応答のために熱容
量を小さくした焦電薄膜型のセンサの場合にはこれらの
影響は特に重大となる。
温度の検出精度及び感度がよく、鮮明な熱画像を得るこ
とのできる赤外線センサを提供することを目的としてい
る。
に本発明の赤外線センサは、センサエレメントを保持す
る保持層の赤外光受光面側のセンサエレメント非配置領
域に赤外光反射手段を設けるか、またはセンサエレメン
ト非配置領域の保持層にスリツト状等の間隙を設けて、
前記赤外光反射手段や間隙によつて熱伝導抵抗部を形成
するようにしたものである。そしてこれによって、前記
赤外光反射手段の場合には、センサエレメント非配置領
域での赤外線吸収量が減少して、この保持層部分による
吸収熱のセンサエレメントへの熱影響が減少し、温度測
定精度の向上、及び熱画像の鮮明化を図ることができ
る。また前記間隙の場合には、センサエレメント間での
熱伝導、及びセンサエレメントより基板への熱拡散が減
少し、感度低下及びクロストークを抑制することができ
る。
は、センサエレメントを焦電特性を有する薄膜とこの薄
膜上面の赤外光受光面側に設けられ前記薄膜内部の分極
変化を電気信号として読み出す受光電極と前記薄膜下面
の赤外光非受光面側に設けられた下部電極とで構成し、
かつこのセンサエレメントを保持する保持層の赤外光受
光面側のセンサエレメント非配置領域に赤外光を反射す
る赤外光反射金属膜を設けたものであり、この構成によ
って、保持層におけるセンサエレメントの非配置領域で
の赤外線吸収量を減少させることができる。
赤外光反射金属膜を接地するようにしたものであり、こ
れによって、センサエレメントよりの出力信号をよりク
リアーなもの(ノイズ等の少ないもの)にし、画像の信
頼性の向上を図ることができる。
センサエレメントを複数個保持層に配設し、かつこの保
持層を周辺部のみで基板によって支え、前記センサエレ
メントどうしの間及び前記センサエレメントと前記基板
との間の前記保持層に間隙を形成するようにしたもので
あり、これによって、間隙が両センサエレメント間及び
センサエレメントと基板との間で熱伝導抵抗部となり、
センサエレメント相互の熱影響及び基板への熱の逃げ等
を少なくすることができる。
ンサエレメントと間隙との間の赤外光受光面側に赤外光
反射金属膜を設けたものであり、これによって、間隙と
赤外光反射金属膜の両者により、センサエレメント以外
の部分での熱の吸収、拡散をより一層少なくすることが
できる。
ンサエレメントを厚みが略3μm以下の保持層に複数個
配設しかつセンサエレメントどうしの間隔を略300μ
m以上としたものであり、これによって、前記間隔を熱
伝導抵抗部となるようにし、センサエレメントからの熱
の逃げやクロストークを抑えることができる。
する。
金属膜を設けた赤外線センサの断面図である。
を有する薄膜状の焦電薄膜エレメント(薄膜)であり、
焦電薄膜エレメント1a、1b、1cの各上面の赤外光
受光面側には受光電極3a、3b、3cを、同下面の赤
外光非受光面側には下部電極2a、2b、2cを具備し
てセンサエレメント1A、1B、1Cを構成している。
センサエレメント1A〜1Cは、例えばポリイミド樹脂
等の絶縁性部材からなる保持層4に各々が所定の間隔を
有して埋設され、さらにこの保持層4を合成樹脂等の基
板5で支持している。また保持層4上面の赤外光受光面
側には、センサエレメント1A〜1Cの非配置領域に入
射した赤外線7x、7yを反射する金属製の赤外光反射
金属膜8を設けている。ここで受光電極3a〜3cの厚
さは赤外線7a,7b、7cが透過できるように充分薄
く形成され、また、赤外光反射金属膜8は、例えばRF
プラズマスパッタ等により成膜した約100nm厚のNiCr
膜をパターニングすることによって形成している。
エレメント1A〜1Cに入射した赤外線7a、7b、7
cは受光電極3a、3b、3cを透過するとともに焦電
薄膜エレメント1a、1b、1c及び受光電極3a、3
b、3cと下部電極2a、2b、2cで吸収される。そ
して、この吸収熱による温度上昇により、焦電薄膜エレ
メント内部で自発分極が変化し表面電荷が発生してこの
電気信号が受光電極3a、3b、3cと下部電極2a、
2b、2cを介して出力として取り出される。このと
き、センサエレメント1A〜1Cの非配置領域に入射し
た赤外線7x、7yは赤外光反射金属膜8によって反射
され、センサエレメント1A〜1Cにはこの周辺の保持
層4からの熱の流入は抑制される。
Fプラズマスパッタで成膜したNiCr膜を用いたが、材料
や成膜方法に関してはこれに限るものではなく、下記の
(表1)、すなわち理科年表(昭和56年度版)、に示
されるようなAuやAl等の赤外線反射率の高い他の金属材
料や、イオンビームスパッタまたは熱蒸着といった別の
方法を用いてもよい。
厚みを約100nmとしたが、これに限定されるものでは
ない。また、センサエレメント1A〜1Cが複数となっ
ているが、単数のセンサエレメントの場合にもその周辺
部に赤外光反射金属膜を設けることで同様の効果が得ら
れる。
をアース電極(図示せず)に接続することによって、セ
ンサエレメント1A〜1Cへのノイズ影響を一層抑制す
ることができ、出力信号をよりクリアーなものにするこ
とができる。
線センサの平面図、同(b)は(a)のA−A線断面図
であり、本実施例が上記実施例1と異なる点は、保持層
を外周部のみで基板によって支え、赤外光反射金属膜の
代りにセンサエレメント間及びセンサエレメントと基板
との間の保持層に間隙を設けた点である。
周辺部だけで基板5a上に支え、各センサエレメント1
A、1B、1Cの間及びセンサエレメント1A〜1Cと
基板5aとの間の保持層4aに、スリット状の間隙9を
形成したものである。なお、保持層4aは例えば感光性
のポリイミド樹脂を用いてパターニングを行って構成し
てもよく、この場合は、各センサエレメント1A、1
B、1C間及びセンサエレメント1A〜1Cと基板5a
との間に間隙9を形成しておく。
エレメント1A〜1Cの相互間及びセンサエレメント1
A〜1Cと基板5aの間の熱伝導は、各間を結ぶ保持層
4aの熱伝導経路の一部が間隙9によって遮断されてい
るため、間隙9を迂回してしか隣接エレメントに熱は伝
わらない。このため、熱伝導経路が長くなり、かつその
断面積も小さくなって熱伝導が抑制される。また、セン
サエレメント1A〜1Cは基板5aからの熱的な独立性
が向上し、センサエレメント1A〜1Cから基板5aへ
の熱の流出や逆に基板5aからセンサエレメント1A〜
1C個々への熱影響を一層抑えることができる。したが
つて、結果としてセンサエレメント1A〜1Cのクロス
トークを小さくすることができるとともに、データの精
度アップ等信頼性の向上を図ることができる。
〜1Cが複数となっているが、単数エレメントの場合に
もその周辺部の保持層に間隙を設けることで同様の効果
を得ることができる。
ものとしたが、形状や数についてこれに限定されるもの
ではなく、熱伝導抵抗部となる間隙であればよい。
サの側断面図であり、本実施例が上記実施例2と異なる
点は、赤外光受光側保持層のセンサエレメント非配置領
域に赤外光反射金属膜と間隙とを設けた点である。
メント1A、1B、1Cの間の保持層4aにスリット状
の間隙9を形成し、さらに、間隙9と各センサエレメン
ト1A、1B、1Cとの間及びセンサエレメント外周部
の保持層4a上に赤外光反射金属膜8aを設けたもので
あり、間隙9と赤外光反射金属膜8aの両者によって、
各センサエレメント1A、1B、1C相互間の熱伝導は
より一層遮断されるようになり、このため、赤外線セン
サのクロストークを一層小さくすることができる。
間隔及び保持層の厚みを限定した赤外線センサの側断面
図である。
メント1A、1B、1Cはそれぞれ所定の間隔eを有し
て厚みdの薄肉のポリイミド樹脂からなる保持層4bに
埋設し、保持層4bをその周辺部のみで基板5aによっ
て支持している。このとき、厚みdを略3μmとし、間
隔eを略100μmと略300μmの二通りにした赤外
線センサを構成し、これらのセンサエレメント1A〜1
Cに赤外光受光面側よりレーザーをステップ照射してそ
のときの出力を調べた。その結果、間隔eが100μm
の場合には隣接エレメントで約65%観測されたクロス
トークが、間隔eを300μmとすることによって約1
6%に縮少できることが分かった。これはチョッパを使
用しない場合のクロストークに相当し、チョッピングを
行う場合にはこれよりもクロストークをさらに小さくす
ることができる。
mと小さくし、各センサエレメント1A、1B、1C間
隔を略300μm以上離すことによって、隣接センサエ
レメント間で相互の熱の逃げ及び干渉が抑制され、クロ
ストークを小さくすることができる。
てポリイミド樹脂を使用したがこれに限定されるもので
はなく、別の絶縁性部材を用いても同様の効果を得るこ
とができる。また、前述の実施例2、3に本実施例4を
組み合わせて用いることにより、熱の逃げやクロストー
クをより一層抑えることが可能となる。
の請求項1に記載の発明は、センサエレメント非配置領
域の保持層上に赤外光反射金属膜を設けたものであり、
これによって、センサエレメント以外の部分での熱の吸
収を少なくでき、輻射温度の測定精度を向上でき、鮮明
な熱画像を得ることができる。またセンサエレメントの
有感度領域と無感度領域との境界が明確に規定できるの
で、視野に応じた赤外線センサのデバイス設計が容易と
なる。
請求項1記載の赤外光反射金属膜を接地するようにした
ものであり、これによって、保持層表面の電位がふらつ
いてセンサの動作が不安定になるのを防ぐことができ、
かつ赤外光反射金属膜がシールドとしての役割を果たし
て、信頼性の高い赤外線センサを得ることができる。
サエレメント間及びセンサエレメントと基板との間の保
持層に間隙を設けるようにしたものであり、これによっ
て、センサエレメントどうしの熱の干渉及びセンサエレ
メントから基板への熱の流出や逆の流入等が減少し、輻
射温度の測定精度が向上するとともにクロストークが減
少し、鮮明な熱画像が得られる。さらにチョッパを使用
しない、もしくはチョッピング周波数が低い領域で使用
する場合にも高感度に赤外線の変化を捉えることができ
る。
エレメント間の保持層に間隙を形成するとともに、間隙
と各センサエレメントとの間に赤外光反射金属膜を設け
たものであり、これによって、センサエレメント以外の
部分での熱の吸収を抑制でき、このため感度が向上して
輻射温度をより精度よく測定でき、一層鮮明な熱画像を
得ることができる。
レメントを有する保持層の厚みを略3μm以下としかつ
各センサエレメントの間隔を300μm以上としたもの
であり、これによって、前記同様センサエレメントから
の熱の逃げやクロストークを抑えることができ、輻射温
度の測定精度の向上及び鮮明な熱画像を得ることができ
る。また前述同様チョッパを使用いない、もしくはチョ
ッピング周波数が低い領域で使用する場合にも高精度に
赤外線の変化を捉えることができる。
Claims (5)
- 【請求項1】焦電特性を有する薄膜とこの薄膜上面の赤
外光受光面側に設けられ前記薄膜内部の分極変化を電気
信号として読み出す受光電極と前記薄膜下面の赤外光非
受光面側に設けられた下部電極とからなるセンサエレメ
ントと、このセンサエレメントを保持する保持層とを有
し、前記保持層の赤外光受光面側の前記センサエレメン
ト非配置領域に赤外光反射金属膜を設けた赤外線セン
サ。 - 【請求項2】赤外光反射金属膜をアース電極に接続した
請求項1記載の赤外線センサ。 - 【請求項3】請求項1記載のセンサエレメントを複数個
保持層に配置し、かつこの保持層を周辺部のみで基板に
よって支え、前記センサエレメントどうしの間及び前記
センサエレメントと前記基板との間の前記保持層に間隙
を形成した赤外線センサ。 - 【請求項4】センサエレメントと間隙との間の赤外光受
光面側に赤外光反射金属膜を設けた請求項3記載の赤外
線センサ。 - 【請求項5】請求項1記載のセンサエレメントを厚みが
略3μm以下の保持層に複数個配設しかつ前記センサエ
レメントどうしの間隔を略300μm以上とした赤外線
センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8026397A JPH09218086A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 赤外線センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8026397A JPH09218086A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 赤外線センサ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09218086A true JPH09218086A (ja) | 1997-08-19 |
Family
ID=12192429
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8026397A Pending JPH09218086A (ja) | 1996-02-14 | 1996-02-14 | 赤外線センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09218086A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6717228B2 (en) * | 2000-04-26 | 2004-04-06 | Denso Corporation | Infrared image sensor with temperature compensation element |
JP2007127496A (ja) * | 2005-11-02 | 2007-05-24 | Nec Corp | 熱型赤外線検知器 |
JP2007526472A (ja) * | 2004-03-04 | 2007-09-13 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | アクティブ・マイクロボロメータおよびパッシブ・マイクロボロメータを備える放射の熱検出用装置の製造方法 |
JP2011163780A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Seiko Instruments Inc | 輻射センサ |
-
1996
- 1996-02-14 JP JP8026397A patent/JPH09218086A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6717228B2 (en) * | 2000-04-26 | 2004-04-06 | Denso Corporation | Infrared image sensor with temperature compensation element |
JP2007526472A (ja) * | 2004-03-04 | 2007-09-13 | コミサリア、ア、レネルジ、アトミク | アクティブ・マイクロボロメータおよびパッシブ・マイクロボロメータを備える放射の熱検出用装置の製造方法 |
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JP2011163780A (ja) * | 2010-02-04 | 2011-08-25 | Seiko Instruments Inc | 輻射センサ |
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A521 | Written amendment |
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