JPH0266416A - サーモパイル - Google Patents

サーモパイル

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Publication number
JPH0266416A
JPH0266416A JP21805088A JP21805088A JPH0266416A JP H0266416 A JPH0266416 A JP H0266416A JP 21805088 A JP21805088 A JP 21805088A JP 21805088 A JP21805088 A JP 21805088A JP H0266416 A JPH0266416 A JP H0266416A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
thermopile
junction part
light
infrared rays
cold
Prior art date
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Pending
Application number
JP21805088A
Other languages
English (en)
Inventor
Takao Hattori
隆雄 服部
Mizuya Hoshikawa
星川 水哉
Tatsuya Tsuda
達也 津田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Audio Video Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Audio Video Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP21805088A priority Critical patent/JPH0266416A/ja
Publication of JPH0266416A publication Critical patent/JPH0266416A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01JMEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J5/00Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
    • G01J5/10Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
    • G01J5/12Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using thermoelectric elements, e.g. thermocouples

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的コ (産業上の利用分野) この発明は、例えば赤外線検出器として用いられるサー
モパイルに関する。
(従来の技術) 熱電特性が異なる2種の金属または半導体を接合しこれ
らの接合点に温度差を与えると起電力を生じる結果(3
eebeck効果)を利用したものに、赤外線検出用の
り一モカツプルがある。第9図(a )は、このような
ナーモカツプルを多数直列に接続して大きな起電力を得
るようにしたサーモパイルを示している。
図中12は基板上に形成されたパターン支持薄膜、13
.14はこのパターン支持薄膜12上に例えばフォトエ
ツチングの技術を用いて形成された第1.第2の熱電材
料膜で、図示するように互いに直列となるように接続さ
れている。これら第1、第2の熱電材料膜13.14は
、サーモカップル15を構成している。
以上のようなサーモパイルでは、各サーモカップル15
の温接合部aを入射光によって温め、冷接合部すとの間
に生じた温度差による起電力を測定して赤外線を検出す
るものである。このとき、各サーモカップルの温接合部
aと冷接合部すの温度差を大きくする程、高感度の)ナ
ーモパイルが得られる。このために、サーモパイル素子
は第9図(b)に示すようにキャン16内に取付けられ
て使用される。このキャン16にはサーモパイル素子の
受光部18の真上に当る部分に一定波長以上の赤外線の
みを透過するフィルタ17が設けられている。そしてこ
のフィルタ17を透過した赤外線(同図中の入射光Bi
は基板12上の、赤外線吸収率の大きい受光部18を照
射し、吸収される。この結果受光部18は温度上昇をお
こし、近接して配列した温接合部aを温める。このよう
にして冷接合部すとの温度差を大きくしようとしていた
(発明が解決しようとする課題) ところが従来のサーモパイルにあっては、第9図(b 
)における入射光B′のような赤外光だけであれば温接
合部のみが温められ、冷接合部との温度差が大きくなる
が、実際にはフィルタに対し浅い角度で入射する赤外光
(入射光A′)がある。この光は受光部を照射せず直接
冷接合部を照射し温めてしまうため、結果として温接合
部と冷接合部との温度差を小さくしてしまい、測定感度
を低くしていた。これは従来のサーモパイルが平面構造
を有しているためである。
このような欠点を解決するために、凹面鏡やオプティカ
ルコーン等の鏡面集中器を用いてその焦点部分に受光部
を配置し入射光を出来るだけ受光部に集光させるように
した工夫もなされている(特開昭57−104827号
)。しかし、この場合にあっても入射光の一部が冷接合
部にも入射し温接合部と冷接合部間の温度差をとりにく
いものとしていた。この場合もサーモパイルが平面構造
を有しているためである。このため濡−冷接合部間の温
度差をできるだけ大きくとることができるような改善が
望まれていた。
この発明は上記に鑑みてなされたもので、その目的とし
ては、高感度のサーモパイルを提供することにある [発明の構成] (課題を解決するための手段) 上記目的を達成するため、本発明は、被測定光の入射方
向に断面が向くように配置され、側面に異なる2種の熱
電材料膜が相互に直列結合して形成されている筒状基体
を有し、この熱電材料膜の接合部が筒状基体における被
測定光の入射側端を温接合部として、また筒状基体にお
ける当該入射側端の反対側端を冷接合部としてそれぞれ
形成されているサーモパイルであって、前記筒状基体の
側面外周に冷接合部への赤外線の入射を遮る遮断手段を
具備することを要旨とする。
また、本発明は、被測定光の入射方向に断面が向くよう
に配置され、側面に異なる2種の熱電材料膜が相互に直
列結合して形成されている筒状基体を有し、この熱電材
料膜の接合部が筒状基体における被測定光の入射側端を
温接合部として、また筒状基体における当該入射側端の
反対側端を冷接合部としてそれぞれ形成されているサー
モパイルであって、前記筒状基体の内部に受光部からの
二次輻射赤外線の冷接合部への入射を遮る遮断手段を具
備することを要旨とする。
(作用) 本発明のサーモパイルにあっては、筒状基体における受
光部側から冷接合部への赤外線を遮る遮断手段を該筒状
基体の側面外周あるいは内部に備えることにより、主と
して入射赤外線や受光部からの二次輻射赤外線が冷接合
部に至ることを確実に防止せんとしている。
(実施例) 以下、この発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図(a )は、本発明の一実施例に係るサーモパイ
ルの実装断面構造を示す図であり、第1図(b)はサー
モパイル素子の斜視図である。まず、第1図(b)中、
1は円筒の形状を有した基体4上に形成したパターン支
持薄膜である。2はこのパターン支持7Ii膜1上に形
成された第1の熱電材料膜であり、3は同様に形成され
た第2の熱電材料膜である。これら第1および第2の熱
電材料膜2および3は、例えば3iおよびsbなどをそ
れぞれ材料とし、メタルマスク法またはフォトマスク法
と組合せた真空蒸着、スパッタリング法などで形成され
る。このようにして形成される第1および第2の熱電材
料膜2および3を用いて基体4の長手方向に互いに延設
形成され、それぞれの接合部が基体4の両端に位置する
ように形成して、入射光側の温接合部aとして働き、反
対側は冷接合部すとして働くようにサーモカップルパタ
ーンを形成したものである。5は黒化処理を施した良熱
伝導性キャップを円筒状基体4の上部にかしめて接合し
、入射した赤外光を受光する受光部である。6はボンデ
ィングワイヤであり、リード線ターミナル7を介し発生
した熱起電力を外部へ取り出すものである。
以上のような構成を有するサーモパイル素子をステム1
8上に配備し入射光を制限するためのキャン10内に第
1図(a )に示すように取り付けて使用に供する。こ
のキャン10は円筒状の形状を有し、サーモパイル素子
の受光部真上にあたる部分にはカットオン波長6.0μ
mのフィルタ11を設けである。また、基体4の略中央
側面の外周には、片面がアルミニウム(A1)で蒸着さ
れた遮断手段を構成する高分子フィルム8が設けられて
いる。
第1図(a )においてサーモパイルに照射された入射
光のうち6.0μm以上の赤外光がフィルタ11を透過
し、受光部5に吸収されて熱に変換される。これにより
受光部5側に配置されたサーモカップルの温接合部aの
温度を上昇させる。
一方、冷接合部すについては、受光部5より隔てられた
ところに配置されているため温度上昇は原則として無い
はずであるが、実際には、受光部5の温度上昇に伴う二
次輻射赤外線(第1図(a)における符号Wで表示)や
入射角度の浅い一次赤外線(第1図(a )における符
号りで表示)に晒されるおそれがある。しかし、高分子
フィルム8の存在により、これらの赤外線が冷接合部す
に至らずに遮られるため、冷接合部すの温度上昇はない
したがって上記本実施例では、温接合部aと冷接合部す
どの間に十分な温度差が生じ、サーモパイル全体として
安定した大きな熱起電力が得られる。
なお、本実施例では、遮断手段として高分子フィルム8
を用いているが、これに限定されず、他に例えば第2図
および第3図に示す如く、基体4の側面周囲とキャン1
0との間にそれぞれ100メツシユ程度以下の酸化アル
ミニウム粉21を充填したり、パターン支持薄膜1の外
壁面の径よりも0.11m程度大きな内径を有する酸化
アルミニウムまたはアクリル樹NFjのバイブ23を設
置するようにしてもよい。ここでパイプ23を設置する
場合、パイプの内径が円筒状のパターン支持薄膜1の外
径と等しく両者が密着するようにしてもよい。
第1表は、第1図(a )に示したサーモパイルにおい
て高分子フィルム8が無い場合を比較例とし°て、第1
図(a )の場合(実施例A)、第2図の場合(実施例
B)、第3図においてパターン支持膜1より大きい内径
を有する酸化アルミニウムのパイプを用いた場合(実施
例C)、第3図においてアクリル樹脂製のバイブを用い
た場合(実施例D)、第3図においてパターン支持膜1
の外径と等しい酸化アルミニウムのバイブを用いた場合
(実施例E)の赤外線源温度50℃における実測値を示
したものである。
(以下余白) この表から明らかなように、実施例A乃至実施例Eはい
ずれも比較例に比べて温接合部aと冷接合部すとの間の
温度差を大きく取れることがわかる。特に、実施例Eに
おいてはパターン支持薄膜1に空気よりも熱伝導率の高
い材料を密着させているのにもかかわらず温−冷接合部
間の温度差を比較例よりも大きく取れるのは、受光部5
からの二次輻射および入射角度の浅い一次入射赤外線の
冷接合部すへの到達を遮ることの重要性を示唆するもの
である。
次に、第4図乃至第7図は本発明の第2の実施例に係る
サーモパイルの実装断面構造を示す図である。これらの
サーモパイルの特徴としては、受光部5の温度上昇に伴
なう基体4内側に発生する二次輻射赤外線が冷接合部す
に至るのを防止するべく基体4の内部に赤外線の遮断手
段を設けたことにある。
すなわち、第4図のサーモパイルにあっては、基体4の
内側路中央付近に片面がアルミニウム(A1)で蒸着さ
れた高分子フィルム25を受光部5と平行に設けている
(実施例G)。第5図および第6図のサーモパイルにあ
っては、基体4の内壁面に肉厚1.0mll1程度のそ
れぞれアクリルパイプ26および酸化アルミニウムパイ
プ27を密着固定したものである(実施例Hおよび1)
。第7図のサーモパイルにあっては、基体4内部を10
0メツシユ程度以下の酸化アルミニウム粉28を充填し
たものである(実施例J)。
なお、基体4の内部に遮断手段を設けずに、例えばパタ
ーン支持pA1を第8図に示す如く渦巻状とし、その最
外面のみに熱電材膜パターンを形成してもよい(実施例
K)。
したがって、本実施例にあっても温接合部aと冷接合部
すとの間に十分な温度差が生じ、サーモパイル全体とし
て安定した大きな熱起電力が得られる。
第2表は、第4図に示したサーモパイルにおいて高分子
フィルム25が無い場合を比較例として、赤外線m温度
50℃における上述した実施例G乃至実施例にの実測値
を示したものである。
この表から明らかなように、いずれの実施例も受光部5
から放射される二次輻射赤外線が冷接合部すに直接到達
するのを妨げることにより、比較例よりも温−冷接合部
間の温度差を大きくとれることを示している。特に、実
施例11〜Jにおいてはパターン支持薄膜1に空気より
も熱伝導率の大きい材料を密着させているのにもかかわ
らず渇−冷接合部間の温度差を比較例よりも大きく取る
ことができるのは、受光部5からの二次輻射の冷接合部
すへの入射を遮ぎることの重要性を示唆するものである
なお、前述した各実施例における遮断手段の構成、材料
等はこれに限定されるものではないことはもちろんであ
る。
[発明の効果1 以上説明したように、本発明によれば、筒状基体におけ
る受光部側から冷接合部への赤外線を遮る遮断手段を該
筒状基体の側面外周あるいは内部に備えることにより、
主として入射赤外線や受光部からの二次輻射赤外線が冷
接合部に至ることを確実に防止せんとしたので、高感度
のサーモパイルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示す図、第2図乃至第
3図は第1の実施例の変形例を示す図、第4図乃至第7
図は本発明の第2の実施例を示す図、第8図は第2の実
施例の変形例を示す図、第9図は従来例を示1図である
。 1・・・パターン支持薄膜 2・・・第1の熱電材料膜
3・・・第2の熱電材料膜 4・・・基体5・・・受光
部      6・・・ボンディングワイヤ7・・・リ
ード線ターミナル 8・・・高分子フィルム  10・・・キャン11・・
・フィルタ 21・・・酸化アルミニウム粉 23・・・パイプ     25・・・高分子フィルム
26・・・アクリルパイプ 27・・・酸化アルミニウムパイプ 28・・・酸化アルミニウム粉

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被測定光の入射方向に断面が向くように配置され
    、側面に異なる2種の熱電材料膜が相互に直列結合して
    形成されている筒状基体を有し、この熱電材料膜の接合
    部が筒状基体における被測定光の入射側端を温接合部と
    して、また筒状基体における当該入射側端の反対側端を
    冷接合部としてそれぞれ形成されているサーモパイルで
    あつて、前記筒状基体の側面外周に冷接合部への赤外線
    の入射を遮る遮断手段を具備することを特徴とするサー
    モパイル。
  2. (2)被測定光の入射方向に断面が向くように配置され
    、側面に異なる2種の熱電材料膜が相互に直列結合して
    形成されている筒状基体を有し、この熱電材料膜の接合
    部が筒状基体における被測定光の入射側端を温接合部と
    して、また筒状基体における当該入射側端の反対側端を
    冷接合部としてそれぞれ形成されているサーモパイルで
    あって、前記筒状基体の内部に受光部からの二次輻射赤
    外線の冷接合部への入射を遮る遮断手段を具備すること
    を特徴とするサーモパイル。
JP21805088A 1988-08-31 1988-08-31 サーモパイル Pending JPH0266416A (ja)

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JP21805088A JPH0266416A (ja) 1988-08-31 1988-08-31 サーモパイル

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JP21805088A JPH0266416A (ja) 1988-08-31 1988-08-31 サーモパイル

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JP21805088A Pending JPH0266416A (ja) 1988-08-31 1988-08-31 サーモパイル

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