JPH01191492A - 配線基板のリードパターン形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は配線基板のリードパターンの形成方法に係り、
特に半導体集積回路素子などを主要部としたフラットパ
ッケージ型素子（以下ＦＰ素子と略称）の実装用配線基
板のリードパターン形成方法に関する。

（従来の技術） ＦＰ素子や抵抗体などを、例えばセラミックス配線基板
の所定領域に実装して成る高密度実装回路は電子機器類
の小型化などに伴なって広く実用化されている。ところ
でこの種高密度実装回路板を形成するセラミックス配線
基板の表面には回路パターンないしリードパターンが形
設されており、前記ＦＰ素子の端子リードを対応するリ
ードパターンに半田付けし、電気的に接続した実装構成
を採っている。しかしてこの種高密度実装回路において
は複数個のＦＰ索子を実装する場合が多くこのためこれ
らＦＰ素子の各端子リードに対応するリードパターンを
当然形成具備しており、このリードパターンの形成は一
般に次の如く行なわれている。すなわちセラミックス基
板面にフォトレジスト層を被着形成し、このフォトレジ
スト層上に、実装する（複数の）ＦＰ素子の端子リード
のパターンに対応した各リードパターンを備えたマスク
を載せ露光、現像処理を施して所要のり−ドパターンを
形成する。しかる後、前記フォトレジストをマスクとし
金属層を蒸着形成してからフォトレジストおよびそのレ
ジスト層上の蒸着金属層を剥離除点に所要の金属層パタ
ーンを残している。

（発明が解決しようとする課題） しかし、上記のようにセラミックス基板上に所要の金属
パターンを形成した場合、次のような不都合が往々認め
られる。すなわちセラミックス基板が比較的大型の場合
には形成した各ＦＰ素子の端子リード群に対応する金属
パターンないしリードパターンが精度よく所定の位置に
形成され難い。つまりマスクを介して露光した場合、基
板やマスクが熱的に伸縮すること、全体的に垂直方向か
ら露光することが実際に難しいことなどに伴ない位置ず
れを招来し易く、その後の現像処理と相まってリードパ
ターンの位置誤差を生ずる。

従って本発明はセラミックス基板が比較的大きい場合で
も、ＦＰ素子の端子リードにそれぞれ対応するリードパ
ターンを所定位置に精度よく形成しうる方法を提供する
ものである。

［発明の構成コ （課題を解決するための手段） 本発明は、フォトレジスト層を表面に設けた例えばセラ
ミックス基板に予め基準点を設定しておき、この基準点
を基準にＦＰ素子の端子リードに対応するリードパター
ン群もしくはＦＰ素子の一辺に突設されせ端子リードに
対応するリードパターン群毎に相当するマスクを介して
順次露光を施した後、現像処理を施す工程を具備したこ
とを特徴とする。

（作　用） 本発明によれば、予め設定した基準点を常に基準とし、
各リードパターン群毎に二次元的な所定の位置、つまり
Ｘ方向およびＹ方向の距離が選択され、所要の露光が順
次行なわれる。すなわち−括的にリードパターンの露光
を行なわず各リードパターン群毎にその都度所定位置合
せを行ないマスキングして部分的に露光処理がなされて
いるため垂直方向など常に略一定方向（角度）から露光
され、まなこの露光がマスクなどの熱的伸縮の影響も受
は難くなることになり、露光の位置ずれは全面的に抑止
される。

（実施例） 以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。

先ず表面にフォトレジスト層を被着形成したセラミック
ス基板を用意し、第１図に示す如く基板上の所定位置例
えばコーナ部に基準点０を設定する０次いでこのセラミ
ックス基板１を露光用の載置台、例えばＸＹテーブル上
に載置する。一方予め用意した所定のＦＰ素子２の位置
１個分のリードパターン群３を単位としたフォトマスク
を前記セラミックス基板のフォトマスク層上に配置する
。

このフォトマスクの配置においては、所要のリードパタ
ーン群３を形成すべき位置を、前記基準点０を基準にし
て決める。つまり所要の位置をなす基準点Ｏからの距１
１１Ｘ＋、Ｙ＋をＸＹ子テーブルいしＸＹステージによ
って正確に求めながら所定のフォトマスクを配置する。

かくしてフォトマスクを配置した後露光を行ないその露
光が終った時点で次のＦＰ素子１個分のリードパターン
群３について順次同様の繰作を行なう。すなわちＦＰ素
子１毎のり−、ドパターン群３につき基準点０からの距
離Ｘ２、Ｘ！・・・、Ｙ２、Ｙ３・・・と順次位置をづ
らしてフォトマスクを配置し、所要の露光を行なう、こ
うしてセラミックス基板上に実装ないし配設する各ＦＰ
素子のリードパターンに対応する露光か終了した後、フ
ォトレジスト層について現像処理を施し、例えばリード
パターン群３の位置を露出させて、その露出面に所要の
金属層を蒸着などによって被着形成して所望のリードパ
ターン群３にそれぞれ形成する。セラミックス基板面に
予め金属層を被着形成したものを用いた場合には逆パタ
ーンにフォトレジストを残し不要部分を選択エツチング
除去して所望のリードパターン群３を作りつる。

なお上記実施例ではＦＰ素子１．１個のリードパターン
群を一度に露光した例を示したが１個のＦＰ素子の一つ
の辺に対応するリードパターン群３毎に行なってもよい
、また基板はセラミックスに限らず例えばガラスメタル
コア絶縁基板、樹脂系基板であってもよい。

［発明の効果コ 本発明によれば上記実施例から明らかなように露光法を
利用して基板の所定面に形成する複数個のＦＰ素子に対
応するリードパターン群の形成に当り一括露光によらず
ＦＰ素子毎に区分した形で露光することを基本としてい
る。従って露光に際してフォトマスクや基板などの熱的
伸縮などの影響や斜め方向からの露光も抑制されるため
位置づれないし誤差の発生もなくなり、常にかつ容易に
位置精度の高いリードパターン群を形成しうる。

【図面の簡単な説明】

図は本発明方法を説明するための説明図である。 １・・・・・・基板 ２・・・・・・フラットパッケージ型素子（ＦＰ素子）
の位置 ３・・・・・・リード端子列

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板面上に、複数のフラットパッケージ型素子用のリー
   ドパターンを形成するに当り、フラットパッケージ型素
   子１個分の少なくとも一つの辺のリードパターン群を単
   位とし、前記基板の基準点からの距離を基準としてレジ
   スト層を有する基板上の所定位置に前記単位毎に順次フ
   ラットパッケージ型素子用のリードパターンを露光させ
   て所定りリードパターンを形成する手段を含むことを特
   徴とする配線基板のリードパターン形成方法。