JPH01189151A - 面実装型半導体装置の外部リード - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、面実装型半導体装置の外部リードの構造に関
するものである。

（従来の技術） 従来、面実装形半導体装置には、大別すると、以下に示
すようなものがあった。

第７図はかかる従来の面実装型半導体装置の外観斜視図
である。

外部リードの先端が外側に延びた形状を有するものとし
て、第７図（ａ）に示す、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ　０ｕＬ
−１ｉｎｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）　、第７図（ｂ）のＦＰ
（Ｆｌａｔ　Ｐａｃｋａｇｅ）がある、外部リードの先
端が内側に曲げられた形状を有するものとして、第７図
（ｃ）に示す、ＰＬＣＣ（Ｐｌａｓｔｉｃ　Ｌｅａｄｅ
ｄ　Ｃｈｉｐ　Ｃａｒｒｉｅｒ）　、第７図（ｄ）のＳ
ＯＪ（Ｓｍａｌｌ　０ｕｔｌｉｎｅ　Ｊ−ｂｅｎｄ　Ｐ
ａｃｋａｇｅ）等がある。

このように、第７図（ａ）及び第７図（ｂ）のパッケー
ジのり一ド（端子）１の形状は、第８図（ａ）に示すよ
うに、Ｇｕｌｌ−Ｗｉｎｇタイプとなっており、第７図
（ｃ）及び第７図（ｄ）のパッケージのリード（端子）
２の形状は、第８図（ｂ）に示すように、Ｊ−ｂｅｎｄ
タイプになっている。

これらの面実装型半導体装置の基板実装例を第９図を用
いて説明する。

まず、第９図（ａ）に示すように、ガラスエポキシ等の
基板１１上に銅又は銅・半田バット１２を形成する。次
に、そのパット１２の上面に、第９図（ｂ）に示すよう
に、半田ペースト１３を印刷する。その上から、面実装
型半導体装置１４の外部リード１５を押さえつけ、第９
図（ｃ）に示すように、搭載する。

この部分の拡大図が第９図（Ｃ′）に示される。この状
態で全体を２００℃以上の温度になるように、赤外線、
熱風、蒸気等の熱源を用いて加熱後、冷却すると、第９
図（ｄ）に示すように、半田ペースト１３が融解して半
田フィレソ目６ができる。このままでは、半田ペースト
１３中のフラックス１７が半田フィレット１６の表面に
付着しているので、これをフレオン又はトリクロロエチ
レン等の溶剤で洗浄すると、第９図（ｅ）に示すように
、半田付けが完了する。

また、Ｇｕｌｆ−Ｗｉｎｇタイプ〔第８図（ａ）参照〕
の場合も同様である。

以上のようにして、半田付けされた半田フィレットの部
分の拡大断面図を第１０図（ａ）及び第１０図（ｂ）に
示す。第１Ｏ図（ａ）は、前述のＧｕｌｌ−Ｗｉｎｇタ
イプのリード形状のものであり、第１０図（ｂ）は、Ｊ
−ｂｅｎｄタイプのリード形状のものである。

（発明が解決しようとする課題） しかしながら、上記の面実装型半導体装置では、第１１
図に示すように、外部リード１５を上方に引っ張り上げ
ることによるリード引っ張り強度を測定すると、初期に
は、１ｋｇ／本程度しか、リード引っ張り強度がない。

更に、第１２図に示すように、−６５℃（３０分）〜常
温（５分）〜１５０°Ｃ（３０分）の温度サイクル試験
後に上記のリード引っ張り強度を測定すると、Ｊ−ｂｅ
ｎｄタイプにおいては、線すに示すように、３００サイ
クル、Ｇｕｌｌ−Ｗｉｎｇタイプにおいては、線ａに示
すように、５００サイクル付近の早い時期に急激にリー
ド引っ張り強度が低下するという問題点があった。なお
、切断される場合には、上記いずれの場合も、第１３図
に示すように、半田フイシン！−１６，１６’と半導体
装置の外部リード１５．１５’の間で剥離する。

本発明は、以上述べた初期リード引っ張り強度が低いと
いう問題点と、温度サイクルにより少ないサイクル数で
急激にリード引っ張り強度が低下するという問題点を除
去し、リード引っ張り強度が高く、かつ、温度サイクル
に耐え得る面実装型半導体装置の外部リードを提供する
ことを目的とする。

（課題を解決するための手段） 本発明は、上記問題点を解決するために、基板に外部リ
ードが半田付けにより実装される面実装型半導体装置の
外部リードにおいて、前記外部リードの半田付けされる
部分に凹凸を形成するようにしたものである。

（作用） 本発明によれば、面実装型半導体装置の外部リードの半
田付けを行う部分に、凹凸を設けるようにしたので、基
板に前記半導体装置の実装（半田付け）を行った場合、
前記凹凸に半田がくい込み充分なリード引っ張り強度が
得られ、かつ温度サイクル試験を行ってもリード引っ張
り強度は十分に保持できる。

（実施例） 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら詳細
に説明する。

第１図は本発明の一実施例を示す面実装型半導体装置の
外部リード形状を示す図、第２図はその外部リードの凹
凸の寸法例を示す図である。

この実施例では外部リード形状はＧｕｌｌＷｉｎｇタイ
プのものであって、半導体装置２０から導出される外部
リード２１の半田付けされる部分に凹凸２２を形成して
いる。この凹凸２２は、例えば、第２図に示すように、
外部リード２１の板厚Ｗ、を０，２１−とした場合、幅
Ｗｚ　Ｏ，２ｔｍ、深さｗ３０．０５冒ｌの溝２３を形
成し、その溝２３のピッチＷ４を０．４　＊−とする。

第３図は本発明の他の実施例を示す面実装半導体装置の
外部リード形状を示す図である。

この実施例では外部リード形状はＪ−ｂｅｎｄタイプの
ものであって、半導体装置３０から導出される外部リー
ド３１の半田付けされる部分に凹凸３２を形成している
。なお、３３は溝であり、この凹凸の寸法は、外部リー
ドが湾曲している点を除くと、例えば、第２図に示すも
のと同様である。

これらの第１図及び第３図に示すリード形状を有する面
実装型半導体装置を基板に実装（半田付け）したものを
第４図及び第５図に示す。

これらの図に示すように、いずれの場合も、半田フィレ
ット２４．３４の半田が外部リード２１．３１の凹凸２
２．３２にくい込んでいる。このために初期のリード引
っ張り強度はＧｕｌｆ−Ｗｉｎｇタイプ、Ｊ−ｂｅｎｄ
タイプとも１．５ｋｇ　／零付近になり、リード引っ張
り強度は増加する。また、温度サイクル試験（条件は前
記参照）後のリード引っ張り強度のデーターを第６図に
示す。この第６図と第１２図との比較によって明らかな
ように、リード引っ張り強度の急激な低下が始まる温度
サイクル数は２倍程度に向上していることがわかる。

なお、前記した外部リードの凹凸は、エツチング法によ
りハーフエッチするか、ポンチ等で打ち込むことにより
形成する。

また、上記した外部リードへの凹凸は外部リードの側面
に設けるようにしてもよい。この場合は、引っ張り強度
は、上述のものよりやや低下するが、外部リードフレー
ムの形成は、−度に行えるため形成プロセスの低減、ひ
いてはスルーブツトの向上を図ることができる。

また、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これ
らを本発明の範囲から排除するものではない。

（発明の効果） 以上、詳細に説明したように、本発明によれば、面実装
型半導体装置の外部リードの半田付けされる部分に、凹
凸を設けるようにしたので、基板実装（半田付け）を行
った後、充分なリード引っ張り強度が得られ、かつ温度
サイクル試験を行ってもリード引っ張り強度は充分に保
持できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す面実装型半導体装置の
外部リード形状を示す図、第２図はその外部リード形状
の寸法を示す図、第３図は本発明の他の実施例を示す面
実装型半導体装置の外部リード形状を示す図、第４図及
び第５図は本発明の面実装型半導体装置の実装状態を示
す図、第６図は本発明の面実装型半導体装置の実装試験
の結果を示す図、第７図は従来の面実装型半導体装置の
斜視図、第８図は従来の面実装型半導体装置の外部リー
ド形状を示す図、第９図は従来の面実装型半導体装置の
実装工程図、第１０図は従来の面実装型半導体装置の実
装状態を示す図、第１１図は従来の面実装型半導体装置
の外部リードの引っ張り強度測定状態を示す図、第１２
図は従来の面実装型半導体装置の実ｖｔ試験の結果を示
す図、第１３図は従来の面実装型半導体装置の外部リー
ド部での切断・状態を示す図である。 ２０、３０・・・半導体装置、２１．３１・・・外部リ
ード、２２゜３２・・・凹凸、２３．３３・・・溝、２
４．３４・・・半田フィレット。 特許出願人　沖電気工業株式会社

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 基板に外部リードが半田付けにより実装される面実装型
   半導体装置の外部リードにおいて、前記外部リードの半
   田付けされる部分に凹凸を設けるようにしたことを特徴
   とする面実装型半導体装置の外部リード。