JPH01186919A - 非線形光学素子 - Google Patents
非線形光学素子Info
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- JPH01186919A JPH01186919A JP963388A JP963388A JPH01186919A JP H01186919 A JPH01186919 A JP H01186919A JP 963388 A JP963388 A JP 963388A JP 963388 A JP963388 A JP 963388A JP H01186919 A JPH01186919 A JP H01186919A
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- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
全反射型の非線形光学素子に関し、
雑音光を低減して高いS/N比の非線形光学素子を提供
することを目的とし、 非線形光学層の屈折率変化を用いて入射光を透過あるい
は全反射する非線形光学素子であって、前記入射光が入
射する位置に該入射光の入射位置での反射による雑音光
を防止する雑音光防止体を設けるように構成する。
することを目的とし、 非線形光学層の屈折率変化を用いて入射光を透過あるい
は全反射する非線形光学素子であって、前記入射光が入
射する位置に該入射光の入射位置での反射による雑音光
を防止する雑音光防止体を設けるように構成する。
本発明は非線形光学素子に関し、特に、全反射型の非線
形光学素子に関する。
形光学素子に関する。
(従来の技術〕
第6図は従来の非線形光学素子の一例を概略的に示す断
面図であり、光制御全反射型非線形光学素子を示すもの
である。同図に示されるように、従来の光制御全反射型
非線形光学素子は、非線形光学物質より成る非線形光学
層101、および、この非線形光学層101に隣接し、
例えば、線形光学物質より成る隣接層102により構成
されている。
面図であり、光制御全反射型非線形光学素子を示すもの
である。同図に示されるように、従来の光制御全反射型
非線形光学素子は、非線形光学物質より成る非線形光学
層101、および、この非線形光学層101に隣接し、
例えば、線形光学物質より成る隣接層102により構成
されている。
この光制御全反射型非線形光学素子は、入射光Iいを臨
界角近くの角度で入射させ、制御光I。
界角近くの角度で入射させ、制御光I。
を照射するか否かにより、入射光■、の透過あるいは全
反射を制御するようになされている。すなわち、制御光
■、を非線形光学素子に照射しないと、臨界角近くの角
度で入射された入射光IINは、隣接層102および非
線形光学層101をそのまま透過し、非線形光学素子か
らは透過光I、が出力される。また、制御光I、を非線
形光学素子に照射すると、非線形光学N101の屈折率
が変化し、入射光11Nは隣接層102と非線形光学層
101 との界面104で全反射され、非線形光学素子
からは反射光■えが出力されることになる。
反射を制御するようになされている。すなわち、制御光
■、を非線形光学素子に照射しないと、臨界角近くの角
度で入射された入射光IINは、隣接層102および非
線形光学層101をそのまま透過し、非線形光学素子か
らは透過光I、が出力される。また、制御光I、を非線
形光学素子に照射すると、非線形光学N101の屈折率
が変化し、入射光11Nは隣接層102と非線形光学層
101 との界面104で全反射され、非線形光学素子
からは反射光■えが出力されることになる。
上述したように、第6図の光制御全反射型非線形光学素
子は、制御光I、を照射するか否かにより、入射光■、
の透過あるいは全反射を制御するようになされている。
子は、制御光I、を照射するか否かにより、入射光■、
の透過あるいは全反射を制御するようになされている。
しかし、この従来の光制御全反射型非線形光学素子は、
隣接層102の表面でも入射光IINの一部の光IH3
が反射されるようになっていた。ところで、この隣接層
102の表面で反射された光I□は、素子から出力され
る反射光1++と同じ反射角で反射される。さらに、隣
接層102の膜厚もそれほど厚くないため、上記の隣接
層102の表面で反射された光INSは、素子から出力
される正規の反射光1.に雑音光として混入することに
なる。この雑音光183は、制御光■。とは無関係に常
に存在しているため、従来の非線形光学素子にはS/N
比の低下という解決すべき課題があった。
隣接層102の表面でも入射光IINの一部の光IH3
が反射されるようになっていた。ところで、この隣接層
102の表面で反射された光I□は、素子から出力され
る反射光1++と同じ反射角で反射される。さらに、隣
接層102の膜厚もそれほど厚くないため、上記の隣接
層102の表面で反射された光INSは、素子から出力
される正規の反射光1.に雑音光として混入することに
なる。この雑音光183は、制御光■。とは無関係に常
に存在しているため、従来の非線形光学素子にはS/N
比の低下という解決すべき課題があった。
本発明は、上述した従来の非線形光学素子が有する課題
に鑑み、雑音光を低減して高いS/N比の非線形光学素
子を提供することを目的とする。
に鑑み、雑音光を低減して高いS/N比の非線形光学素
子を提供することを目的とする。
第1図は本発明に係る非線形光学素子の原理を示すブロ
ック図である。
ック図である。
本発明によれば、非線形光学層1の屈折率変化を用いて
入射光を透過あるいは全反射する非線形光学素子であっ
て、前記入射光が入射する位置に該入射光の入射位置で
の反射による雑音光を防止する雑音光防止体2を設けた
ことを特徴とする非線形光学素子が提供される。
入射光を透過あるいは全反射する非線形光学素子であっ
て、前記入射光が入射する位置に該入射光の入射位置で
の反射による雑音光を防止する雑音光防止体2を設けた
ことを特徴とする非線形光学素子が提供される。
上述した構成を有する本発明の非線形光学素子によれば
、入射光が入射する位置に雑音光防止体2が設けられる
。この雑音光防止体2によって、入射光が非線形光学素
子に入射する場合に生じる反射光は、非線形光学素子か
ら出力される正規の反射光に混入しないことになる。こ
れにより、本発明の非線形光学素子は、雑音光を低減し
てS/N比を向上させることができる。
、入射光が入射する位置に雑音光防止体2が設けられる
。この雑音光防止体2によって、入射光が非線形光学素
子に入射する場合に生じる反射光は、非線形光学素子か
ら出力される正規の反射光に混入しないことになる。こ
れにより、本発明の非線形光学素子は、雑音光を低減し
てS/N比を向上させることができる。
以下、図面を参照して本発明に係る非線形光学素子の実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
第2図は本発明の非線形光学素子の実施例としての光制
御全反射型非線形光学素子を概略的に示す断面図であり
、第3図は第2図の光制御全反射型非線形光学素子の一
例を示す図である。
御全反射型非線形光学素子を概略的に示す断面図であり
、第3図は第2図の光制御全反射型非線形光学素子の一
例を示す図である。
第2図(a)および第3図に示されるように、光制御全
反射型非線形光学素子は三次の非線形光学特性を利用す
る全反射型非線形光学素子であり、非線形光学物質より
成る非線形光学層1、および、この非線形光学層1に隣
接し、例えば、線形光学物質で形成された断面が半円形
状(例えば、シリンドリカルレンズ形状)の雑音光防止
体2により構成されている。
反射型非線形光学素子は三次の非線形光学特性を利用す
る全反射型非線形光学素子であり、非線形光学物質より
成る非線形光学層1、および、この非線形光学層1に隣
接し、例えば、線形光学物質で形成された断面が半円形
状(例えば、シリンドリカルレンズ形状)の雑音光防止
体2により構成されている。
この光制御全反射型非線形光学素子は、入射光IIMを
臨界角近(の角度で入射さす、制御光ICを照射するか
否かにより、入射光IINの透過あるいは全反射を制御
するようになされている。すなわち、制御光■。を非線
形光学素子に照射しないと、臨界角近くの角度で入射さ
れた入射光IINは、雑音光防止体2および非線形光学
層lをそのまま透過し、非線形光学素子からは透過光■
アが出力される。また、制御光Icを非線形光学素子に
照射すると、非線形光学層lの屈折率が制御光I。
臨界角近(の角度で入射さす、制御光ICを照射するか
否かにより、入射光IINの透過あるいは全反射を制御
するようになされている。すなわち、制御光■。を非線
形光学素子に照射しないと、臨界角近くの角度で入射さ
れた入射光IINは、雑音光防止体2および非線形光学
層lをそのまま透過し、非線形光学素子からは透過光■
アが出力される。また、制御光Icを非線形光学素子に
照射すると、非線形光学層lの屈折率が制御光I。
の強度に比例して変化し、入射光118は雑音光防止体
2と非線形光学層1との界面4で反射され、非線形光学
素子からは反射光I、Iが出力されることになる。
2と非線形光学層1との界面4で反射され、非線形光学
素子からは反射光I、Iが出力されることになる。
ところで、雑音光防止体2の断面は半円形状とされてい
るため、素子に入射する入射光■1,4は雑音光防止体
2の入射面に対して直角に入射することになる。従って
、入射光IINが雑音光防止体2の入射面で反射された
光は、素子から出力される正規の反射光IRに混入する
ことがない。これにより、本実施例の非線形光学素子は
、雑音光を低減してS/N比を向上させることができる
。
るため、素子に入射する入射光■1,4は雑音光防止体
2の入射面に対して直角に入射することになる。従って
、入射光IINが雑音光防止体2の入射面で反射された
光は、素子から出力される正規の反射光IRに混入する
ことがない。これにより、本実施例の非線形光学素子は
、雑音光を低減してS/N比を向上させることができる
。
第2図(b)の非線形光学素子は、上述した同図(a)
の非線形光学素子における雑音光防止体2をプリズム形
状にしたものである。また、第2図(c)の非線形光学
素子は、同図(a)の非線形光学素子において、非線形
光学層1と雑音光防止体2との間に隣接層3が形成され
たものである。この隣接層3は、例えば、雑音光防止体
2を構成する物質と同じ線形光学物質で構成されている
。
の非線形光学素子における雑音光防止体2をプリズム形
状にしたものである。また、第2図(c)の非線形光学
素子は、同図(a)の非線形光学素子において、非線形
光学層1と雑音光防止体2との間に隣接層3が形成され
たものである。この隣接層3は、例えば、雑音光防止体
2を構成する物質と同じ線形光学物質で構成されている
。
以上において、雑音光防止体2の形状は、シリンドリカ
ルレンズ、球面レンズ、非球面レンズまたはプリズム等
の形状に形成することができる。
ルレンズ、球面レンズ、非球面レンズまたはプリズム等
の形状に形成することができる。
第4図は本発明の非線形光学素子の実施例としての電圧
制御全反射型非線形光学素子の一例を示す図である。同
図に示されるように、本実施例の全反射型非線形光学素
子は二次の非線形光学特性を利用する全反射型非線形光
学素子であり、非線形光学物質より成る非線形光学層1
、および、この非線形光学層1に電極5aを介して設け
られ、例えば、線形光学物質より成るシリンドリカルレ
ンズ形状の雑音光防止体2を備えている。また、電極5
aに対応する非線形光学層1の反対側の位置には電極5
bが設けられている。ここで、電極5aおよび5bは、
例えば、I T O(InzOz:Sn)等の透明電極
により形成されている。
制御全反射型非線形光学素子の一例を示す図である。同
図に示されるように、本実施例の全反射型非線形光学素
子は二次の非線形光学特性を利用する全反射型非線形光
学素子であり、非線形光学物質より成る非線形光学層1
、および、この非線形光学層1に電極5aを介して設け
られ、例えば、線形光学物質より成るシリンドリカルレ
ンズ形状の雑音光防止体2を備えている。また、電極5
aに対応する非線形光学層1の反対側の位置には電極5
bが設けられている。ここで、電極5aおよび5bは、
例えば、I T O(InzOz:Sn)等の透明電極
により形成されている。
本実施例の電気制御全反射型非線形光学素子は、入射光
IIMを臨界角近くの角度で入射させ、電圧Eを電極5
aおよび電極5bに印加するか否かにより、入射光II
Nの透過あるいは全反射を制御するようになされている
。すなわち、電圧Eを電極5aおよび電極5bに印加し
ないと、臨界角近くの角度で入射された入射光118は
、雑音光防止体2、電極5aおよび非線形光学層1をそ
のまま透過し、非線形光学素子からは透過光I、が出力
される。また、電圧Eを電極5aおよび電極5bに印加
すると、電極5aと電極5bとに挟まれた非線形光学層
1の屈折率が電圧Eの大きさに応じて変化し、入射光I
INは電極5aおよび非線形光学層1の界面4で全反射
され、非線形光学素子からは反射光I、lが出力される
ことになる。ここで、雑音光防止体2はシリンドリカル
レンズ形状とされているので、入射光118が雑音光防
止体2の入射面で反射された光は、正規の反射光I、l
に混入することがなく、本実施例の電気制御全反射型非
線形光学素子も雑音光を低減してS/N比を向上させる
ことができる。
IIMを臨界角近くの角度で入射させ、電圧Eを電極5
aおよび電極5bに印加するか否かにより、入射光II
Nの透過あるいは全反射を制御するようになされている
。すなわち、電圧Eを電極5aおよび電極5bに印加し
ないと、臨界角近くの角度で入射された入射光118は
、雑音光防止体2、電極5aおよび非線形光学層1をそ
のまま透過し、非線形光学素子からは透過光I、が出力
される。また、電圧Eを電極5aおよび電極5bに印加
すると、電極5aと電極5bとに挟まれた非線形光学層
1の屈折率が電圧Eの大きさに応じて変化し、入射光I
INは電極5aおよび非線形光学層1の界面4で全反射
され、非線形光学素子からは反射光I、lが出力される
ことになる。ここで、雑音光防止体2はシリンドリカル
レンズ形状とされているので、入射光118が雑音光防
止体2の入射面で反射された光は、正規の反射光I、l
に混入することがなく、本実施例の電気制御全反射型非
線形光学素子も雑音光を低減してS/N比を向上させる
ことができる。
第5図は本発明の非線形光学素子の実施例としての電圧
制御全反射型非線形光学素子の他の例を示す図である。
制御全反射型非線形光学素子の他の例を示す図である。
同図の電圧制御全反射型非線形光学素子は、第4図の電
圧制御全反射型非線形光学素子において、電極5aおよ
び電極5bをシリンドリカルレンズ形状の雑音光防止体
2と非線形光学N1との間に形成したものである。そし
て、本実施例の電気制御全反射型非線形光学素子は、入
射光118を臨界角近くの角度で入射させ、電圧Eを電
極5aおよび電極5bに印加するか否かによって、電極
5aと電極5bとの間の非線形光学層1の屈折率を変化
させ、入射光IINの透過あるいは全反射を制御するも
のである。ここで、本実施例の電気制御全反射型非線形
光学素子においても、雑音光防止体2の形状は、シリン
ドリカルレンズ形状以外に、球面レンズ、非球面レンズ
またはプリズム等の形状に形成することができるのはも
ちろんである。
圧制御全反射型非線形光学素子において、電極5aおよ
び電極5bをシリンドリカルレンズ形状の雑音光防止体
2と非線形光学N1との間に形成したものである。そし
て、本実施例の電気制御全反射型非線形光学素子は、入
射光118を臨界角近くの角度で入射させ、電圧Eを電
極5aおよび電極5bに印加するか否かによって、電極
5aと電極5bとの間の非線形光学層1の屈折率を変化
させ、入射光IINの透過あるいは全反射を制御するも
のである。ここで、本実施例の電気制御全反射型非線形
光学素子においても、雑音光防止体2の形状は、シリン
ドリカルレンズ形状以外に、球面レンズ、非球面レンズ
またはプリズム等の形状に形成することができるのはも
ちろんである。
以上、詳述したように、本発明に係る非線形光学素子は
、入射光が入射する位置に雑音光防止体を設けることに
よって、雑音光を低減してS/N比を向上させることが
できる。
、入射光が入射する位置に雑音光防止体を設けることに
よって、雑音光を低減してS/N比を向上させることが
できる。
第1図は本発明に係る非線形光学素子の原理を示すブロ
ック図、 第2図は本発明の非線形光学素子の実施例としての光制
御全反射型非線形光学素子を概略的に示す断面図、 第3図は第2図の光制御全反射型非線形光学素子の一例
を示す図、 第4図は本発明の非線形光学素子の実施例としての電圧
制御全反射型非線形光学素子の一例を示す図、 第5図は本発明の非線形光学素子の実施例としての電圧
制御全反射型非線形光学素子の他の例を示す図、 第6図は従来の非線形光学素子の一例を概略的に示す断
面図である。 (符号の説明) 1・・・非線形光学層、 2・・・雑音光防止体、 3・・・隣接層、 4・・・界面、 5a、5b・・・電極、 ■、・・・制御光、 ■、・・・入射光、 ■よ・・・反射光、 I7・・・透過光。
ック図、 第2図は本発明の非線形光学素子の実施例としての光制
御全反射型非線形光学素子を概略的に示す断面図、 第3図は第2図の光制御全反射型非線形光学素子の一例
を示す図、 第4図は本発明の非線形光学素子の実施例としての電圧
制御全反射型非線形光学素子の一例を示す図、 第5図は本発明の非線形光学素子の実施例としての電圧
制御全反射型非線形光学素子の他の例を示す図、 第6図は従来の非線形光学素子の一例を概略的に示す断
面図である。 (符号の説明) 1・・・非線形光学層、 2・・・雑音光防止体、 3・・・隣接層、 4・・・界面、 5a、5b・・・電極、 ■、・・・制御光、 ■、・・・入射光、 ■よ・・・反射光、 I7・・・透過光。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、非線形光学層(1)の屈折率変化を用いて入射光を
透過あるいは全反射する非線形光学素子であって、 前記入射光が入射する位置に該入射光の入射位置での反
射による雑音光を防止する雑音光防止体(2)を設けた
ことを特徴とする非線形光学素子。 2、前記雑音光防止体は、シリンドリカルレンズ、球面
レンズ、非球面レンズまたはプリズム形状に形成されて
いる特許請求の範囲第1項に記載の素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP963388A JPH01186919A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 非線形光学素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP963388A JPH01186919A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 非線形光学素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01186919A true JPH01186919A (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=11725641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP963388A Pending JPH01186919A (ja) | 1988-01-21 | 1988-01-21 | 非線形光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01186919A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008156118A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Nec Corporation | 光スイッチ |
-
1988
- 1988-01-21 JP JP963388A patent/JPH01186919A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008156118A1 (ja) * | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Nec Corporation | 光スイッチ |
US8400703B2 (en) | 2007-06-19 | 2013-03-19 | Nec Corporation | Optical switch |
JP5240195B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2013-07-17 | 日本電気株式会社 | 光スイッチ |
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