JPH01186735A - ジャイロトロン発振管 - Google Patents
ジャイロトロン発振管Info
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- JPH01186735A JPH01186735A JP752488A JP752488A JPH01186735A JP H01186735 A JPH01186735 A JP H01186735A JP 752488 A JP752488 A JP 752488A JP 752488 A JP752488 A JP 752488A JP H01186735 A JPH01186735 A JP H01186735A
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- silicon carbide
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- beam tunnel
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Links
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- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 9
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- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
(産業上の利用分野)
本発明は、核融合炉のプラズマなどを加熱する大電力の
ミリ波帯の−FIEai波を発生するジャイロトロン発
振管fこ関する。
ミリ波帯の−FIEai波を発生するジャイロトロン発
振管fこ関する。
(従来の技術〉
近年、核自合炉のプラズマ等を加熱するV)#こ電磁は
を用いる方法が検討されており、この電ffl波を発生
するものとして、ジャイロトロン発振管が開発されてい
る。従来リジャイロトロン発振管の構成を第2図に示す
0図において、1はマグネトロン入射電子銃(MIG)
、2はビームトンネル。
を用いる方法が検討されており、この電ffl波を発生
するものとして、ジャイロトロン発振管が開発されてい
る。従来リジャイロトロン発振管の構成を第2図に示す
0図において、1はマグネトロン入射電子銃(MIG)
、2はビームトンネル。
3は空胴4とテーパ導波管5から構成される高周波1回
路、6はコレクタ、7は出力窓8と出力導波管9から構
成される出力窓部である。tた。10はマグネット、1
1はヒータ1源、12は高圧電源である。MIGlから
出力された電子ビームは。
路、6はコレクタ、7は出力窓8と出力導波管9から構
成される出力窓部である。tた。10はマグネット、1
1はヒータ1源、12は高圧電源である。MIGlから
出力された電子ビームは。
マグネット10で発生されるミラー磁界のもとてサイク
ロトロン運動を行いながら、ビームトンネル2を通過し
て空胴4に入射する。空胴4で、高周波電磁界と相互作
用を行い、電子ビームはエネルギーを失いながらテーパ
導波管5を通してコレクタ6にいたる、このとき、空8
til 4に2いて゛1子ビームと高周波電磁界の相互
作用によって得られた出力は、コレクタ6を通して出力
窓部7にいたり、外部に取出される。また、MIGlに
は、電子ビームを所定のエネルギーIこ加速するための
負電圧が高周波回路3に対して、高圧4源12によりて
印加される。ヒーター源11はMIGIのカソードをv
O熱するためのものである。
ロトロン運動を行いながら、ビームトンネル2を通過し
て空胴4に入射する。空胴4で、高周波電磁界と相互作
用を行い、電子ビームはエネルギーを失いながらテーパ
導波管5を通してコレクタ6にいたる、このとき、空8
til 4に2いて゛1子ビームと高周波電磁界の相互
作用によって得られた出力は、コレクタ6を通して出力
窓部7にいたり、外部に取出される。また、MIGlに
は、電子ビームを所定のエネルギーIこ加速するための
負電圧が高周波回路3に対して、高圧4源12によりて
印加される。ヒーター源11はMIGIのカソードをv
O熱するためのものである。
(発明が解決しようとする課題)
以上、説明したジャイロトロン発振管においては、空胴
4はビームトンネル2測とテーパ導あ管5測に開孔した
円形開孔空胴で、空胴内に励振する発振モードとして円
形導波管内の伝送モードであるTEmnモードの高次モ
ードが使用されている。
4はビームトンネル2測とテーパ導あ管5測に開孔した
円形開孔空胴で、空胴内に励振する発振モードとして円
形導波管内の伝送モードであるTEmnモードの高次モ
ードが使用されている。
例えば、60GHzの周波数を発振するジャイロトロン
発振管では、TEQ2モードが100GHz以上で10
0〜200kW程度の発振出力をもつジャイロトロン発
振管では、TEO3またはTEO4モードが使用されて
いる。iた。100GHz以上の周波数で500〜10
00kWの発振出力が得られるジャイロトロン発振管に
は、TE12,2や’f’E15,2などのウィスパリ
ングギヤラリ−モードの使用が有望視されている。これ
らの発振モードに対して、望胴4のビームトンネル画の
開孔部は遮断条件を満足するように構成されているが、
空胴4のテーパ部やテーパ4彼□d 5などでモード変
換によって生じた@損モードよりも低次のモードはこの
開孔部で遮断条件を満たさないため、ビームトンネル2
側に漏れ出る。この漏れ電磁波はビームトンネルを伝ば
んし、MIGlに入射し、MIGIOカソードを加熱す
る0通常、ジャイロトロン発振管のカソードは温度制御
領域で動作するため、aれ電磁波による加熱によって、
出射電子ビームのビーム電流は不安定になり、長パルス
動作や連続動作が困難になる。そこで、従来のジャイロ
トロン発振管では、第3図に示すように、ビームトンネ
ル2にリング状の高周波損失の大きいセラミックス13
を装荷し、空胴4からの漏れ電磁波を吸収するようにし
ている。ところが、セラミックス13は熱伝導性が悪い
ため、ウィスパリングギヤラリ−そ−ドを使用する大電
力のジャイロトロン発振管では、漏れ′!!磁波の吸収
電力によりて、セラミックス13が熱的に51!l!さ
れる間咀が生じる。
発振管では、TEQ2モードが100GHz以上で10
0〜200kW程度の発振出力をもつジャイロトロン発
振管では、TEO3またはTEO4モードが使用されて
いる。iた。100GHz以上の周波数で500〜10
00kWの発振出力が得られるジャイロトロン発振管に
は、TE12,2や’f’E15,2などのウィスパリ
ングギヤラリ−モードの使用が有望視されている。これ
らの発振モードに対して、望胴4のビームトンネル画の
開孔部は遮断条件を満足するように構成されているが、
空胴4のテーパ部やテーパ4彼□d 5などでモード変
換によって生じた@損モードよりも低次のモードはこの
開孔部で遮断条件を満たさないため、ビームトンネル2
側に漏れ出る。この漏れ電磁波はビームトンネルを伝ば
んし、MIGlに入射し、MIGIOカソードを加熱す
る0通常、ジャイロトロン発振管のカソードは温度制御
領域で動作するため、aれ電磁波による加熱によって、
出射電子ビームのビーム電流は不安定になり、長パルス
動作や連続動作が困難になる。そこで、従来のジャイロ
トロン発振管では、第3図に示すように、ビームトンネ
ル2にリング状の高周波損失の大きいセラミックス13
を装荷し、空胴4からの漏れ電磁波を吸収するようにし
ている。ところが、セラミックス13は熱伝導性が悪い
ため、ウィスパリングギヤラリ−そ−ドを使用する大電
力のジャイロトロン発振管では、漏れ′!!磁波の吸収
電力によりて、セラミックス13が熱的に51!l!さ
れる間咀が生じる。
この発明は、上述した欠点を改良するもので。
空胴からの湿れ電磁波を十分に吸収し、MIGに入射す
る電磁波電力を減衰してカソードの加熱を防ぎ、以て、
長パルス吻作、連続動作を容易に行なえるジャイロトロ
ン発振管を提供することにある。
る電磁波電力を減衰してカソードの加熱を防ぎ、以て、
長パルス吻作、連続動作を容易に行なえるジャイロトロ
ン発振管を提供することにある。
(課題を解決するための手段)
この発明の要点は、ビームトンネルに、金属やカーボン
などの熱伝導性の良い材質0円筒の内面に炭化珪素をコ
ーティングした円形導波管を装荷することiこある。
などの熱伝導性の良い材質0円筒の内面に炭化珪素をコ
ーティングした円形導波管を装荷することiこある。
(作用)
このように構成されたジャイロトロン発振管においては
、空胴から漏れ出た電磁波は高周波損失の大きい炭化珪
素のコーティング層で吸収される。
、空胴から漏れ出た電磁波は高周波損失の大きい炭化珪
素のコーティング層で吸収される。
このコーティング層は薄いため、吸収によりて発生する
熱は母材の金属等に速やかに拡散する。したがりて、こ
の母材を冷却することで、大きな漏れ電磁波電力に対し
ても、十分に吸収することが可能になる。また、コーテ
ィング層の膜厚を変えることによりて、電磁波の吸収率
を容易に制御できるため、ジャイロトロン発弧・Sの発
振モードに合わせて、ビームトンネルを自山蛋こ構成で
きる利点もある。
熱は母材の金属等に速やかに拡散する。したがりて、こ
の母材を冷却することで、大きな漏れ電磁波電力に対し
ても、十分に吸収することが可能になる。また、コーテ
ィング層の膜厚を変えることによりて、電磁波の吸収率
を容易に制御できるため、ジャイロトロン発弧・Sの発
振モードに合わせて、ビームトンネルを自山蛋こ構成で
きる利点もある。
(実施例)
以下、本発明の実施例を詳細に説明する。なお、従来装
置とその構成が同一の部分については、同一符号をつけ
てその説明を省略する。第1図は本発明のジャイロトロ
ン発振管のビームトンネルの構成を示す、ビームトンネ
ル2には、内面に炭化珪素をコーティングしたモリブデ
ンの円形導波管14が銅でできたハウジング15にロー
付けされて配置されている。また、ノ)ウジング14の
外側は冷却水で冷やされている。空$44から漏れ出た
電磁波は炭化珪素のコーティング層で吸収されるため、
ビームトンネルを通過して電子銃(MIG)に入射しな
い、また、炭化珪素のコーティング層で発生した熱はモ
リブデンとノ・ウジングを通して冷却水によって除去さ
れる。いま、空胴4■発振モードとしてウィスパリング
ギヤラリ−モード装置L、2を考えると、100GHz
程度の周波数で500 kVVの発振出力に対して、低
次モードのTEII、1モードが50W程度ビームトン
ネル2−に漏れ出る0通常、電子銃のヒータ加熱電力は
100〜200kWであるので、この漏れ電力を十分に
減衰させる必要がある。炭化珪素のコーティング層の厚
みを300μm程度とると、直径25mm程度のコーテ
ィング導波管において約257mの減衰率が得られるこ
とになり、第1図に示した構造のビームトンネルによっ
て、電子銃への入射電力をIW以下にすることが可能で
ある。また、ノ1ウジング14を十分に冷却することに
よりて、連続動作にも容易に耐えられるビームトンネル
を構成することができる。なお、上記の実施例では。
置とその構成が同一の部分については、同一符号をつけ
てその説明を省略する。第1図は本発明のジャイロトロ
ン発振管のビームトンネルの構成を示す、ビームトンネ
ル2には、内面に炭化珪素をコーティングしたモリブデ
ンの円形導波管14が銅でできたハウジング15にロー
付けされて配置されている。また、ノ)ウジング14の
外側は冷却水で冷やされている。空$44から漏れ出た
電磁波は炭化珪素のコーティング層で吸収されるため、
ビームトンネルを通過して電子銃(MIG)に入射しな
い、また、炭化珪素のコーティング層で発生した熱はモ
リブデンとノ・ウジングを通して冷却水によって除去さ
れる。いま、空胴4■発振モードとしてウィスパリング
ギヤラリ−モード装置L、2を考えると、100GHz
程度の周波数で500 kVVの発振出力に対して、低
次モードのTEII、1モードが50W程度ビームトン
ネル2−に漏れ出る0通常、電子銃のヒータ加熱電力は
100〜200kWであるので、この漏れ電力を十分に
減衰させる必要がある。炭化珪素のコーティング層の厚
みを300μm程度とると、直径25mm程度のコーテ
ィング導波管において約257mの減衰率が得られるこ
とになり、第1図に示した構造のビームトンネルによっ
て、電子銃への入射電力をIW以下にすることが可能で
ある。また、ノ1ウジング14を十分に冷却することに
よりて、連続動作にも容易に耐えられるビームトンネル
を構成することができる。なお、上記の実施例では。
炭化珪素をコーティングする母材としてモリブデンをあ
げたが、熱伝導性の良い材質ならば何でもよ(1例えば
、無酸素鋼やカーボンでも同効果が得られることは言う
までもない。
げたが、熱伝導性の良い材質ならば何でもよ(1例えば
、無酸素鋼やカーボンでも同効果が得られることは言う
までもない。
以上述べたように、T−発明によれば、高周改損失の大
きい炭化珪素のコーティング層と熱伝導性の良い母材と
の組合わせによりて、大きな漏れ電磁波電力に対しても
、十分な吸収特性が得られるビームトンネルを構成でき
1MIGに入射する戒磁反電力を減衰してカソードの加
熱を防ぎ、以て。
きい炭化珪素のコーティング層と熱伝導性の良い母材と
の組合わせによりて、大きな漏れ電磁波電力に対しても
、十分な吸収特性が得られるビームトンネルを構成でき
1MIGに入射する戒磁反電力を減衰してカソードの加
熱を防ぎ、以て。
長パルス動作、連続動作を容易に行なえるジャイロトロ
ン発振管を提供することができる。
ン発振管を提供することができる。
第1図は1本発明のジャイロトロン発振管のビームトン
ネルを示す構造図、第2図はジャイロトロン発振管の構
成図、第31は従来のジャイロトロン伯振管のビームト
ンネルの構造図である。 1・・・MIG、2・・・ビームトンネル、3・・・高
周波回路、4・・・空胴、5・・・テーパ導波管、6・
・・コレクタ、7・・・出力窓部、8・・・出力窓、9
・・・出力導波管。 10・・・マグネット、11・・・ヒータ電源、12・
・・高圧電源、13・・・セラミックス、14・・・炭
化珪素コーティング導波管、15・・・/Sウジング。 代理人 弁理士 則 近 雁 佑 同 松山光之 リ 1
ネルを示す構造図、第2図はジャイロトロン発振管の構
成図、第31は従来のジャイロトロン伯振管のビームト
ンネルの構造図である。 1・・・MIG、2・・・ビームトンネル、3・・・高
周波回路、4・・・空胴、5・・・テーパ導波管、6・
・・コレクタ、7・・・出力窓部、8・・・出力窓、9
・・・出力導波管。 10・・・マグネット、11・・・ヒータ電源、12・
・・高圧電源、13・・・セラミックス、14・・・炭
化珪素コーティング導波管、15・・・/Sウジング。 代理人 弁理士 則 近 雁 佑 同 松山光之 リ 1
Claims (4)
- (1)中空の螺旋運動を行う電子ビームを形成し出射す
る電子銃と、この中空電子ビームに沿って円形テーパ導
波管と円筒空胴を含む高周波回路と、電子銃と高周波回
路を接続し中空電子ビームを高周波回路に導くためのビ
ームトンネルと、中空電子ビームを補促するコレクタが
配置され、このコレクタの先には出力窓とそれを支持す
る出力導波管が取付けられたジャイロトロン発振管にお
いて、前記ビームトンネルに炭化珪素を内面にコーティ
ングした導波管を装荷したことを特徴とするジャイロト
ロン発振管。 - (2)前記ビームトンネルに炭化珪素を内面にコーティ
ングした導波管を構成する材質として、無酸素銅を用い
たことを特徴とする請求項1記載のジャイロトロン発振
管。 - (3)前記ビームトンネルに炭化珪素を内面にコーティ
ングした導波管を構成する材質として、モリブデンを用
いたことを特徴とする請求項1記載のジャイロトロン発
振管。 - (4)前記ビームトンネルに炭化珪素を内面にコーティ
ングした導波管を構成する材質として、カーボンを用い
たことを特徴とする請求項1記載のジャイロトロン発振
管。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP752488A JPH01186735A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | ジャイロトロン発振管 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP752488A JPH01186735A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | ジャイロトロン発振管 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01186735A true JPH01186735A (ja) | 1989-07-26 |
Family
ID=11668164
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP752488A Pending JPH01186735A (ja) | 1988-01-19 | 1988-01-19 | ジャイロトロン発振管 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01186735A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03192633A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Toshiba Corp | ジャイロトロン発振管 |
KR100714222B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2007-05-02 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 장치 및 그것에 이용하는 형광체의제조 방법 |
-
1988
- 1988-01-19 JP JP752488A patent/JPH01186735A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH03192633A (ja) * | 1989-12-21 | 1991-08-22 | Toshiba Corp | ジャイロトロン発振管 |
KR100714222B1 (ko) * | 2003-09-26 | 2007-05-02 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 플라즈마 디스플레이 장치 및 그것에 이용하는 형광체의제조 방법 |
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