JPH01183166A - 高耐圧型整流ダイオード - Google Patents
高耐圧型整流ダイオードInfo
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- JPH01183166A JPH01183166A JP787488A JP787488A JPH01183166A JP H01183166 A JPH01183166 A JP H01183166A JP 787488 A JP787488 A JP 787488A JP 787488 A JP787488 A JP 787488A JP H01183166 A JPH01183166 A JP H01183166A
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- Japan
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- silicon wafer
- diffusion layer
- thickness
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Links
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 title 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 34
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 40
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、高耐圧型整流ダイオードに関する。
（従来の技術）
第３図は従来例の高耐圧型整流ダイオードの構造断面図
である。第３図の高耐圧型整流ダイオードは、低濃度の
シリコンウェハー２と、そのシリコンウェハー２の一面
側におけるそのシリコンウェハーと異なる導電型の第１
の拡散層４と、他面側におけるシリコンウェハー２と同
導電型の高濃度の第２の拡散層６とで構成されている。
である。第３図の高耐圧型整流ダイオードは、低濃度の
シリコンウェハー２と、そのシリコンウェハー２の一面
側におけるそのシリコンウェハーと異なる導電型の第１
の拡散層４と、他面側におけるシリコンウェハー２と同
導電型の高濃度の第２の拡散層６とで構成されている。
８はメサ溝である。
（発明が解決しようとする間“照点）
上記構成の従来例の高耐圧型整流ダイオードで ゝは、
両拡散層の厚みに比べてシリコンウェハーの厚みが不必
要に厚い構造であることから、整流ダイオードの順方向
電圧Ｖｆが大きくなり、しかも厚みが厚い分だけ抵抗値
が高くなっているのでそこでの熱抵抗Ｒｔも大きくなっ
て電気的性能が悪化するという問題がある。
両拡散層の厚みに比べてシリコンウェハーの厚みが不必
要に厚い構造であることから、整流ダイオードの順方向
電圧Ｖｆが大きくなり、しかも厚みが厚い分だけ抵抗値
が高くなっているのでそこでの熱抵抗Ｒｔも大きくなっ
て電気的性能が悪化するという問題がある。
そこで、ＶｆとＲｔとを小さくするために、厚みの薄い
シリコンウェハーを用いると、シリコンウェハーの割れ
が発生しやすくなって機械的強度が劣化するという別の
問題が残る。
シリコンウェハーを用いると、シリコンウェハーの割れ
が発生しやすくなって機械的強度が劣化するという別の
問題が残る。
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、厚みの
厚いシリコンウェハーを用いるとともに、上下の拡散層
間のシリコンウェハーの厚みを部分的に薄くしただけで
順方向電圧と熱抵抗とを小さくして電気的性能と機械的
強度とを向上させることを目的としている。
厚いシリコンウェハーを用いるとともに、上下の拡散層
間のシリコンウェハーの厚みを部分的に薄くしただけで
順方向電圧と熱抵抗とを小さくして電気的性能と機械的
強度とを向上させることを目的としている。
（問題点を解決するための手段）
本発明は前記目的を達成するために、低濃度のシリコン
ウェハーにおけるその一面側にはそのシリコンウェハー
と異なる導電型の第１の拡散層を、その他面側にはシリ
コンウェハーと同導電型の高濃度の第２の拡散層をそれ
ぞれ有する高耐圧型整流ダイオードにおいて、前記第２
の拡散層を、前記第１の拡散層の方向に部分的に近付け
ることで前記両波散層の間のシリコンウェハーの厚みを
部分的に削減したことを特徴としている。
ウェハーにおけるその一面側にはそのシリコンウェハー
と異なる導電型の第１の拡散層を、その他面側にはシリ
コンウェハーと同導電型の高濃度の第２の拡散層をそれ
ぞれ有する高耐圧型整流ダイオードにおいて、前記第２
の拡散層を、前記第１の拡散層の方向に部分的に近付け
ることで前記両波散層の間のシリコンウェハーの厚みを
部分的に削減したことを特徴としている。
（作用）
厚みの厚いシリコンウェハーの両面の拡散層の内、第２
の拡散層が部分的に第１の拡散層方向に近付けられるこ
とで両波散層間のシリコンウェハーの厚みが部分的に薄
くされた構成であるから、順方向電圧と熱抵抗とが小さ
くなり、しかもシリコンウェハーの全体の厚みは薄くな
っていないからその機械的強度は大きい。
の拡散層が部分的に第１の拡散層方向に近付けられるこ
とで両波散層間のシリコンウェハーの厚みが部分的に薄
くされた構成であるから、順方向電圧と熱抵抗とが小さ
くなり、しかもシリコンウェハーの全体の厚みは薄くな
っていないからその機械的強度は大きい。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を参照して詳細に説明する
。第１図は本発明の実施例に係る高耐圧型整流ダイオー
ドの構造断面図である。第１図において、従来例に係る
第３図と対応する部分には同一の符号を付している。本
実施例の高耐圧型整流ダイオードは、厚みの厚い低濃度
のシリコンウェハ−２を備える。そのシリコンウェハー
２は、メサ溝８の部分を除くその一面側の平坦部に高濃
度の第１の拡散層４を有し、その他面側の凹部１０の内
周面に高濃度の第２の拡散層６を有している。
。第１図は本発明の実施例に係る高耐圧型整流ダイオー
ドの構造断面図である。第１図において、従来例に係る
第３図と対応する部分には同一の符号を付している。本
実施例の高耐圧型整流ダイオードは、厚みの厚い低濃度
のシリコンウェハ−２を備える。そのシリコンウェハー
２は、メサ溝８の部分を除くその一面側の平坦部に高濃
度の第１の拡散層４を有し、その他面側の凹部１０の内
周面に高濃度の第２の拡散層６を有している。
そして、その第２の拡散層６を有する凹部ｌＯに銀、半
田等の導電体１２が収納され、その導電体１２を含む他
面側の全体に銀などの電極１４が蒸着されている。
田等の導電体１２が収納され、その導電体１２を含む他
面側の全体に銀などの電極１４が蒸着されている。
このような構造を有する本実施例の高耐圧型整流ダイオ
ードは第２図（ａ）に示すように厚みの厚い低濃度のシ
リコンウェハー２の他面側に凹部ＩＯを形成するととも
に両面にシリコンウェハー２と同導電型の高濃度の拡散
層を一旦形成した後で、−面側の拡散層だけを除去する
こと、で他面側に残された拡散層を第２の拡散層６とす
るとともに、上記除去処理された一面側に高濃度の第１
の拡散層４を形成し、次いでメサ溝８を形成して第２図
（ａ）に示すような構造物を作る。そして、シリコンウ
ェハー２の凹部１０の内周面における第２の拡散層６の
ところに、−銀メツキにより導電体１２を成長させて第
２図（ｂ）に示すような構造物を作る。そして、シリコ
ンウェハー２の他面側をラッピングすることで凹部１０
のところの第２の拡散層６部分を除く第２の拡散層６部
分と、導電体１２の突出部分とを除去した後で、他面側
の全体に銀電極１４を蒸着処理する。このようにして、
第１図の高耐圧型整流ダイオードが得られる。
ードは第２図（ａ）に示すように厚みの厚い低濃度のシ
リコンウェハー２の他面側に凹部ＩＯを形成するととも
に両面にシリコンウェハー２と同導電型の高濃度の拡散
層を一旦形成した後で、−面側の拡散層だけを除去する
こと、で他面側に残された拡散層を第２の拡散層６とす
るとともに、上記除去処理された一面側に高濃度の第１
の拡散層４を形成し、次いでメサ溝８を形成して第２図
（ａ）に示すような構造物を作る。そして、シリコンウ
ェハー２の凹部１０の内周面における第２の拡散層６の
ところに、−銀メツキにより導電体１２を成長させて第
２図（ｂ）に示すような構造物を作る。そして、シリコ
ンウェハー２の他面側をラッピングすることで凹部１０
のところの第２の拡散層６部分を除く第２の拡散層６部
分と、導電体１２の突出部分とを除去した後で、他面側
の全体に銀電極１４を蒸着処理する。このようにして、
第１図の高耐圧型整流ダイオードが得られる。
なお、上記の実施例はメサ型の整流ダイオードであった
が、プレーナ型の整流ダイオードにも同様に適用できる
。また、上記の実施例ではシリコンウエハー２の他面側
に凹部１０を形成したが、凹部１０を形成せず、その代
わりに第２の拡散層６の拡散の深さを深くすることで第
２の拡散層６を第１の拡散層４の方向に近付け、これに
よりシリコンウェハー２の厚みを部分的に薄くするよう
にしてもよい。
が、プレーナ型の整流ダイオードにも同様に適用できる
。また、上記の実施例ではシリコンウエハー２の他面側
に凹部１０を形成したが、凹部１０を形成せず、その代
わりに第２の拡散層６の拡散の深さを深くすることで第
２の拡散層６を第１の拡散層４の方向に近付け、これに
よりシリコンウェハー２の厚みを部分的に薄くするよう
にしてもよい。
（効果）
以上説明したことから明らかなように本発明によれば、
厚みの厚いシリコンウェハーの両面の拡散層の内、第２
の拡散層が部分的に第１の拡散層方向に近付けられるこ
とで両波散層間のシリコンウェハーの厚みが部分的に薄
くされた構成であるから、順方向電圧と熱抵抗とが小さ
くなり、しかもシリコンウェハーの全体の厚みは薄くな
っていないからその機械的強度は大きくなる。
厚みの厚いシリコンウェハーの両面の拡散層の内、第２
の拡散層が部分的に第１の拡散層方向に近付けられるこ
とで両波散層間のシリコンウェハーの厚みが部分的に薄
くされた構成であるから、順方向電圧と熱抵抗とが小さ
くなり、しかもシリコンウェハーの全体の厚みは薄くな
っていないからその機械的強度は大きくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は本発明の実施例に係り、第１図は
同実施例の構造断面図、第２図（ａ）（ｂ）は同実施例
の整流ダイオードの製造要領の説明に供する構造断面図
である。 第３図は従来例の整流ダイオードの構造断面図である。 ２・・・シリコンウェハー、４・・・第１の拡散層、６
・・第２の拡散層、８ メサ溝、１０置凹部、１２・・
導電体、１４・・・電極。
同実施例の構造断面図、第２図（ａ）（ｂ）は同実施例
の整流ダイオードの製造要領の説明に供する構造断面図
である。 第３図は従来例の整流ダイオードの構造断面図である。 ２・・・シリコンウェハー、４・・・第１の拡散層、６
・・第２の拡散層、８ メサ溝、１０置凹部、１２・・
導電体、１４・・・電極。
Claims (1)
- （１）低濃度のシリコンウェハーにおけるその一面側に
はそのシリコンウェハーと異なる導電型の第１の拡散層
を、その他面側にはシリコンウェハーと同導電型の高濃
度の第２の拡散層をそれぞれ有する高耐圧型整流ダイオ
ードにおいて、 前記第２の拡散層を、前記第１の拡散層の方向に部分的
に近付けることで前記両拡散層の間のシリコンウェハー
の厚みを部分的に削減したことを特徴とする高耐圧型整
流ダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP787488A JPH01183166A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 高耐圧型整流ダイオード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP787488A JPH01183166A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 高耐圧型整流ダイオード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01183166A true JPH01183166A (ja) | 1989-07-20 |
Family
ID=11677769
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP787488A Pending JPH01183166A (ja) | 1988-01-18 | 1988-01-18 | 高耐圧型整流ダイオード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01183166A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053830B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-11-08 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
-
1988
- 1988-01-18 JP JP787488A patent/JPH01183166A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8053830B2 (en) | 2007-09-26 | 2011-11-08 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
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