JPH01180405A - 傾き検出方法 - Google Patents

傾き検出方法

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JPH01180405A
JPH01180405A JP63005109A JP510988A JPH01180405A JP H01180405 A JPH01180405 A JP H01180405A JP 63005109 A JP63005109 A JP 63005109A JP 510988 A JP510988 A JP 510988A JP H01180405 A JPH01180405 A JP H01180405A
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JP
Japan
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wafer
light
mask
order
diffraction grating
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Application number
JP63005109A
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English (en)
Inventor
Tomoji Sekiya
関谷 智司
Akira Ono
明 小野
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH01180405A publication Critical patent/JPH01180405A/ja
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Image Processing (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) ゛ 本発明は、露光によりマスクパターンをウェハ上に
形成する際のウェハの傾きを検出する傾き検出方法に関
する。
(従来の技術) LSI(大規模集積回路)の製造工程にはウェハの対向
位置にマスクを配置して露光を行ってマスクに形成され
たマスクパターンをウェハ上に転写することが行なわれ
ているが、近年の超LSI製造に伴ってその集積度をよ
り高くするために露光に紫外光が使用されている。
ところで、このようなマスクパターンの転写を行う際、
マスクとウェハとの位置合わせが正iに行なわれること
が必要であり、この位置合わせには露光用の紫外光の波
長とは異なる波長の可視光線が使用されている。これは
位置合わせ用の光でウェハが露光されないようにするた
めである。第5図はかかる位置合わせ装置の構成図であ
って、テーブル1上にはウェハ2が載置されるとともに
このウェハ2の上方には紫外光を照射する照明光学系3
が配置されている。そして、この照明光学系3から照射
された紫外光4はコンデンサレンズ5、レチクル(マス
ク)6及び投影レンズ7を通してウェハ2上に照射され
てマスクパターン転写が行なわれるようになっている。
ここに、レチクル6にはレチクル位置合わせ光学系8が
設けられ、レチクル6に設けられた発光素子からの各光
9がITV(工業用テレビジョン)カメラ10に入射さ
れるようになっている。又、ウェハ位置合わせ光学系1
1が設けられ、このウェハ位置合わせ光学系11はHe
 −N eレーザ発振器12から発振されるレーザ光を
ウェハ2上にそれぞれ配置した顕微鏡13.14.15
を通してウェハ2に照射し、この反射光を各顕微鏡13
,14.15を通してITVカメラ16に送るようにし
ている。
従って、以上のような装置によってマスク6とウェハ2
との位置合わせが行なわれるが、この場合、ウェハ2が
傾いていたり又ウェハ2自身が反ってしたりすると正確
に位置合わせを行ったとしても露光時に正確にパターン
を転写することができなくなる。このため、ウェハ2の
傾きの検出も位置合わせとともに行なわれている。この
ような傾きの検出は第6図に示すように照明装置17及
び光センサ18を使用して例えばウェハ2上の各3ポイ
ント19,20.21における高さを計測して行ってい
る。
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、このような傾きの検出方法では、ウェハ
2の傾きを求めたとしてもその傾き角度はウェハ2の平
均的な傾きとなっているため、ウェハ2に反り等があっ
た場合、ウェハ2上の各チップ部分に照射される露光が
傾いているかは検出できない。又、精度高く傾きを求め
るには1チツプごとにその1チツプ内の3点の高さから
傾きを求め補正することになるが、ウェハ内の各チップ
全てに行うことになるのでウェハ1枚当りの処理時間が
長くなる。! そこで本発明は、ウェハの傾きをインプロセスで短時間
に高精度に検出できる傾き検出方法を提供することを目
的とする。
[発明の構成] (課題を解決するための手段と作用) 本発明は、投影用の第1光線を発光する光源を有しかつ
ウェハ上に形成した回折格子に照射する第1光線の波長
とは異なる波長の位置検出用の第2光線を発光する光源
を有した投影露光装置におけるウェハの第1光線の照射
方向に対する傾きを検出する傾き検出方法において、回
折格子からの少なくとも0次回折光を2次元受光面を有
する2次元位置検出器で受光し、この2次元位置検出器
で検出された2次元位置からウェハの傾きを求めて上記
目的を達成しようとする傾き検出方法である。
(実施例) 以下、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
第1図は傾き検出方法を適用した傾き検出装置の全体構
成図である。ウェハ30は6軸で移動制御するウェハテ
ーブル31上に載置されている。
一方、このウェハテーブル31の上方には露光光源32
が配置されるとともにこの露光光源32の光路上にコン
デンサレンズ33が配置されている。
そして、同露光光源32の光路上に回路パターンが形成
されたマスク34が配置され、さらに同光路上に空間フ
ィルタ35、投影レンズ36が配置されている。従って
、露光光源32から照射された第1光線としての露光E
はコンデンサレンズ33、マスク34及び投影レンズ3
6を通ってウェハ30上に照射されるようになっている
さて、前記ウェハ30の表面には位置合わせ用の第1回
折格子37が形成され、又マスク34にも位置合わせ用
の第2回折格子38が形成されている。一方、39は照
射光学系を構成する位置決め用光源であって、この位置
決め用光源39は露光Eの波長と異なる波長の第2光線
例えばHe −Neレーザ光Qを出力するものである。
そして、このレーザ光Qはハーフミラ−40で分岐され
その一方が空間フィルタ35、投影レンズ36を通って
ウェハ30に形成された第1回折格子37上に照射され
るよう導かれている。ところで、第1回折格子37から
はレーザ光Qの照射によって±n次の回折光が生じ、そ
のうち±1次回折光がマスク34の第2回折格子38上
に照射される。
しかして、マスク34の±1次回折光の照射される位置
付近にはフォトセンサ41が配置されている。このフォ
トセンサ41は第2回折格子38で現われるモアレ縞の
光強度に応じた電圧信号を出力するものである。又、第
1回折格子37からの0次回先光の光路上には全反射ミ
ラー42が配置され、0次回先光を反射させて2次元位
置検出器43に導くようにしている。この2次元位置検
出器43は第2図に示すように2次元受光面44を有し
、基準位置Mからの距離りっまり第3図に示すようにそ
の照射位置(Px、Py)に応じたX軸方向及びy軸方
向の各電圧信号VX、 VFを出力する機能を持ったも
のである。従って、この2次元位置検出器43の各電圧
信号VX、 VFをそれぞれウェハ30のX軸方向及び
y軸方向を各軸とする回転信号としてフィードバックし
てウェハ30の傾きを補正させることができる。
演算回路44はフォトセンサ41からの電圧信号及び2
次元位置検出器43からの電圧信号を取り込んでウェハ
30の平面方向つまりマスク34の平面方向と同一方向
の位置ずれ及び傾き角度を求め、これら位置ずれ及び傾
き角度に応じたテーブル制御信号をテーブルドライバ4
5へ送出する機能を有するものである。具体的には位置
ずれ算出機能と傾き算出機能とを有し、位置ずれ算出機
能はフォトセンサ41からの電圧信号のレベルから第1
回折格子37と第2回折格子38とのずれつまりウェハ
30とマスク34との位置ずれを算出するものであり、
又傾き算出機能は0次回先光の照射された位置に応じた
電圧レベルとウェハ30の傾き角度との関係を示すデー
タを有し、このデータに従って2次元位置検出器43か
らの電圧信号レベルからウェハ30の傾き角度を算出す
る機能を有するものである。
次に上記の如く構成された装置での位置ずれ及び傾きの
検出作用について説明する。
位置決め用光源39からレーザ光Qが出力されると、こ
のレーザ光Qはハーフミラ−40で反射し、空間フィル
タ35及び投影レンズ36を通ってウェハ30の第1回
折格子37上に照射される。
このようにレーザ光Qが照射されると第1回折格子37
から±nn次回先光生じ、このうち0次回先光が投影レ
ンズ36、空間フィルタ35及びハーフミラ−40を通
って全反射ミラー42に到達し、さらにこの全反射ミラ
ー42で反射して2次元位置検出器43に照射される。
又、±nn次回先光うち±1次回折光が投影レンズ36
がら空間フィルタ35を通って第2回折格子38に照射
される。ここで、第1回折格子37と第2回折格子38
とは互いにレーザ光Qに対して投影レンズ36の共役位
置にあるので、各±1次回折光は第2回折格子38上で
重なり合って干渉縞を生じる。これと同時にこの干渉縞
と第2回折格子38との作用によりモアレ縞が現われる
。従って、このモアレ縞の光強度がフォトセンサ41で
検出されてその光強度に応じた電圧レベルの信号が出力
される。つまり、第1と第2回折格子37.38がずれ
るとそのずれ量に応じてモ、    7 L[(7)a
i”<#st6°7゛′”ゞ′t4゛の出力信号は第4
図に示すようにウェハ30とマスク34とのずれ量に応
じて変化する。しかして、この電圧信号は演算回路44
に送られ、この演算回路44の位置ずれ算出機能は電圧
信号のレベルからウェハ30の位置ずれを算出する。
さて、0次回先光は全反射ミラー42で反射して2次元
位置検出器43に照射されるが、このときウェハ30が
角度θで蝦いていたとすると、0次回先光は第1図に示
す如く傾きの無い状態の光路からずれた点線の光路を通
って全反射ミラー42に達し、この全反射ミラー42で
反射して2次元位置検出器43に到達する。従って、2
次元位置検出器43の2次元受光面44の基準位置Mか
ら例えば距離りだけずれた位置に照射される。
これにより2次元位置検出器43からは距離りだけずれ
た位置(Px、Py)に対応した電圧レベルの各X軸方
向及びy軸方向の各信号が出力される。しかして、演算
回路44の傾き角度算出機能は2次元位置検出器43か
ら出力される電圧信号を受けてウェハ30の傾き角度θ
を求める。従って、演算回路44は位置ずれ及び傾き角
度θからウェハ30のマスク34に対する位置ずれ及び
傾き角度θを無くすようなテーブル制御信号を作成して
テーブルドライバ45へ送出する。この結果、ウェハ3
0はマスク34に対して正確に位置決めされる。そして
、この後、露光光源32から露光光32が放射されてマ
スク34に形成された回路パターンがウェハ30に転写
される。
このように上記一実施例においては、位置合わせ用の第
1回折格子37に露光Eの波長とは異なる波長のレーザ
光Qを第1回折格子37上に照射し、この回折格子37
からの0次回先光を2次元位置検出器43で受光してそ
の受光位置からウェハ30の傾きを求めるようにしたの
で、ウェハ30の傾き角度を容易に検出することができ
、しかもその検出時間は1点のみにレーザ光Qを照射し
てその回折光を受光するだけで短時間で行なえる。又、
各チップの形成される部位ごとにレーザ光Qを照射すれ
ば、各チップ部位における反り等も検出できて各チップ
部位に対して露光を正確な方向でできる。
なお、本発明は上記一実施例に限定されるものでなくそ
の主旨を逸脱しない範囲で変形してもよい。例えば、レ
ーザ光Qのウェハ30への照射はマスク34と空間フィ
ルター35との間から行ったが、これに限らずマスク3
4を透過させてウェハ30上に照射するようにしてもよ
い。又、傾き角度を検出す4際に0次回先光を使用して
が、±nn次回先光検出して傾き角度を検出するように
してもよい。
[発明の効果] 以上詳記したように本発明によれば、ウェハの傾きをイ
ンプロセスで短時間に高精度に検出できる傾き検出方法
を提供できる。
【図面の簡単な説明】
第1図乃至第4図は本発明の傾き検出方法を適用した傾
き検出装置の一実施例を説明するための図であって、第
1図は全体構成図、第2図は2次元位置検出器の外観図
、第3図は同検出器の動作を示す図、第4図はフォトセ
ンサの出力変化を示す図、第5図及び第6図は従来技術
を説明するための図である。 30・・・ウェハ、31・・・ウェハテーブル、32・
・・露光光源、33・・・コンデンサレンズ、34・・
・マスク、35・・・空間フィルター、36・・・投影
レンズ、37・・・第1回折格子、38・・・第2回折
格子、39・・・位置決め用光源、40・・・ハーフミ
ラ−141・・・フォトセンサ、42・・・全反射ミラ
ー、43・・・2次元位置検出器、44・・・演算回路
、45・・・テーブルドライバ。、 出願人代理人 弁理士 鈴江武彦 第1図 l3図 ウニへとイ嘆りに4イ札重 第4図 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  投影用の第1光線を発光する光源を有しかつウェハ上
    に形成した回折格子に照射する前記第1光線の波長とは
    異なる波長の位置検出用の第2光線を発光する光源を有
    した投影露光装置における前記ウェハの前記第1光線の
    照射方向に対する傾きを検出する傾き検出方法において
    、前記回折格子からの少なくとも0次回折光を2次元受
    光面を有する2次元位置検出器で受光し、この2次元位
    置検出器で検出された2次元位置から前記ウェハの傾き
    を求めることを特徴とする傾き検出方法。
JP63005109A 1988-01-13 1988-01-13 傾き検出方法 Pending JPH01180405A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007218842A (ja) * 2006-02-20 2007-08-30 Tohoku Univ 3軸角度センサ
JP2009276313A (ja) * 2008-05-19 2009-11-26 Dainippon Printing Co Ltd 基板表裏面パターン位置測定方法及びその方法を用いた測定装置
JP2013029494A (ja) * 2011-07-21 2013-02-07 Axis Ab 画像センサのチルトを求めるための方法

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