JPH01179950A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、電子写真感光体に関し、さらに詳しくは、レ
ーザビームプリンタ、を子写真複写機などに用いること
ができる電子写真感光体に関する。

（従来の技術） 従来、光導電性物質を感光材料として利用する電子写真
感光体においては、セレン、酸化亜鉛。

酸化チタン、硫化カドミウムなどの無機系光導電性物質
が主に用いられてきた。しかしこれらは−般に毒性が強
いものが多く廃棄する方法にも問題がある。一方有機光
導電性化合物を使用する感光体は、無機系光導電性物質
を使用する場合に比べ一般に毒性が弱く更に透明性、可
とり性、軽量性。

表面平滑性１価格などの点において有利であることから
、これまで幅広い検討がなされてきた。

その中でも、電荷の発生機能と輸送機能を分離した複合
型感光体は、従来有機光導電性化合物を使用した感光体
の大きな欠点であった感度を大幅に向上させることがで
きるため、近年急速な進歩を遂げつつおる。

（発明が解決しようとする問題点） しかしながら、これらの複合型感光体音１例えば、カー
ルソン法による電子３真装置などに適用して、帯電、露
光、現像、イレーズを繰返して行うと、初期電位が低下
したシ、得られる複写画像にカブリ（本来白地であるべ
き部分の全面に黒点（直径２００μｍ程度）が生ずる現
象）が生じ。

かつ像のコントラストが著しく損なわれたシする等の疲
労現象が発現し長期にわたる実使用に耐えないと言う問
題があった。

このような問題を解決するため従来から、■導電性支持
体と電荷発生層の間に下引き層を設ける方法（特開昭５
８−９５７４４号公報、特開昭６１−２００４９号公報
、特開昭６１−２５８２５８号公報）、■電荷輸送層の
膜厚に対する電荷発生層の膜厚の割合及び電荷発生層中
の結合剤に対する電荷発生材の割合を特定の範囲にする
方法（特開昭５８−１７８３６１号公報）、■電荷輸送
層の結合剤濃度を膜厚方向で変化させる方法（特開昭６
０−７５８４０号公報）、電荷輸送層を電荷の移動が可
能な中間層を介して上下の濁に分割形成する方法（％開
昭６０−８７３３１号公報）。

■電荷発生材料と結合剤及び分散溶媒がら成シゼータ電
位の絶縁値が３０ｍＶ以上の分散塗工液を用いる方法（
％開昭６１−１４３７６２号公報）等が提案されている
がいずれも十分ではなかった。

本発明者らも、前記■の方法に着目し下引き層の検討を
徨々行った。例えば、メラミン樹脂等を使用した体積抵
抗率が比較的高い下引き層を用いると、初期から、感度
の低下、残留電位の増加が著しくなり、カプリのひどい
画像しか得られなかった。また、ポリアミド樹脂等を使
用した体積抵抗率が比較的低い下引き層を用い九場合、
初期から画像濃度が薄くなシ満足な結果は得られなかっ
た。

本発明の目的は、優れた電子写真特性を有し。

繰シ返し使用によっても電子写真特性の低下がない耐久
性に優れた電子写真感光体を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討し、下
引き層、電荷発生層及び電荷輸送層を順次積層してなる
電子写真感光体において、前記各層の体積抵抗率（Ω・
ｃｍ　）が特定の関係を満たすことにより前記目的を達
成できることを見い出し本発明をなすに至った。

即ち０本発明は、導電性支持体上に、下引き層。

電荷発生層及び電荷輸送層を順次積層してなる電子写真
感光体において、下引き層の体積抵抗率ρ。

（Ω・ａｎ）、電荷発生層の体積抵抗率ρＧ（Ω・ｃｍ
）及び電荷輸送層の体積抵抗率ρ〒（Ω・ｃｍ）が。

ρＴ≧ρＧ≧ρＵ の関係式を満足する値である電子写真感光体に関する。

本発明において導電性支持体としては９例えばアルミニ
ウム、アルミニウム合金、鋼、鉄、銅等の金属板、酸化
スズ、酸化インジウム、酸化クロム等の金属化合物板、
導電性粒子（例えば、カーボンブラック、銀粒子など）
を適当なバインダーとともにプラスチックの上に被覆し
た基体。プラスチック、紙、ガラス等に蒸着やスパッタ
リング等で導電性を付与したものを用いることができ。

これらの支持体Ｉ形状は円筒状、シート等とされ。

これらは何ら形状９寸法１表面粗度等に制限されること
はない。

導電性支持体の体積抵抗率は、ｌＸ１０１０Ω・ｃ以下
であることが好ましい。

本発明において下引き層は、結合剤を主成分として、こ
れに必要に応じて可塑剤、流動性付与剤。

硬化剤等の添加剤を加えた成分から形成することができ
る。

本発明の下引き層の体積抵抗率ρＵ（Ω・ｃｍ）は。

ρ丁≧ρＧ≧ρＵ の関係式を満足する値である必要がある。

ρＵが、前記関係式を満足することは、結合剤の種類及
び必要に応じて使用される添加剤の種類と添加量を適宜
選択することにょシ行うことができる。

下引き層に用いられる結合剤としては、塩化ビニル樹脂
、ポリアミド樹脂、フェノール樹脂、セルロース樹脂、
酢酸ビニル樹脂、ポリアセタール樹脂及びこれらの変性
樹脂等があげられる。また熱及び／又は光硬化性樹脂も
使用できる。

下引き層に必要に応じて使用される可塑剤としてはハロ
ゲン化パラフィン、ジメチルナフタリン。

ジブチルフタレート等があげられる。流動性付与剤とし
ては、モダフロー（モンサントケミカル社製）、アクロ
ナール４Ｆ（バスフ社製）等があげられ、硬化剤として
は、イミダゾール、トリメリド酸等があげられる。これ
らは、１吏用する場合各々、前記結合剤に対して３０重
量％以下で使用するのが好ましい。

本発明の下引き層の体積抵抗率ρｖ（Ω・ｃｍ）は。

Ｉ　Ｘ　１０ｔｏ〜９　Ｘ　１０１３Ω・ｃｍの範囲の
値であることが好ましい。

本発明において電荷発生層は、光照射によシミ荷を発生
する有機顔料及び結合剤に必要に応じて可塑剤、流動性
付与剤、ピンホール抑制剤等の添加剤を加えた成分から
形成することができる。

本発明において電荷発生層の体積抵抗率ρｑ（Ω・ｃｍ
）は。

ρｉ≧ρＧとρＵ の関係式を満足する値である必要がある。

ρＧが、前記関係式を満足することは、光照射によ）電
荷を発生する有機顔料及び結合剤の種類と使用割合、必
要に応じて使用する添加剤の種類と添加量を適宜選択す
ることにより行うことができる。

電荷発生層に使用される電荷を発生する有機顔料として
は、アゾキシベンゼン系、ジスアゾ系。

トリスアゾ系、ベンゾイミダゾール系、多環キノン系、
インジゴイド系、キナクリドン系、ペリレン系、メチン
系顔料及びα型、β型、γ型、δ型。

ｅ型、Ｘ型などの各種の結晶構造を有する無金属タイプ
や金属タイプのフタロシアニン系顔料など。

光照射により電荷を発生することが知られている顔料が
あげられる。これらの顔料は１例えば特開昭４７−３７
５４３号公報、特開昭４７−３７５４４号公報、特開昭
４７−１８５４３号公報、特開昭４７−１８５４４号公
報、特開昭４８−４３９４２号公報、特開昭４８−７０
５３８号公報、特開昭４９−１２３１号公報、特開昭４
９−１０５５３６号公報、特開昭５０−７５２１４号公
報、特開昭５３−４４０２８号公報、特開昭５４−１７
７３２号公報などに開示されている。

特に長波長（８００ｎｍ付近）にまで感度を有する点で
特開昭５８−１８２６４０号公報及びヨーロッパ特許出
願公開第９２２５５号公報などに開示されているη、η
′、τ及びτ′型型金金属フタロシアニン好適である。

このようなもののほか、光照射によシミ荷担体を発生す
る有機顔料はいずれも使用可能である。

結合剤としては、塩化ビニル樹脂、メラミン樹脂、フェ
ノール樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポ
リアクリルアミド樹脂、セルロース樹脂、酢酸ビニル樹
脂及びこれらの変性樹脂があげられる。また熱及び／又
は光硬化性樹脂も使用できる。電荷発生層中の有機顔料
濃度は、３０〜１００重量％であることが好ましい。電
荷発生層中の有機顔料が３０重量％未満であると感度が
低下する傾向にある。

可塑剤としては、ハロゲン化パラフィン、ジメチルナフ
タリン、ジブチルフタレート等が挙ケラれる。流動性付
与剤としては、モダフロー（モンサンドケミカル社製）
、アクロナール４Ｆ（バス７社製）等が挙げられる。ピ
ンホール抑制剤としテハ、ベンゾイン、ジメチルフタレ
ート等が挙ケられる。これらは、各々、前記有機顔料に
対して５重量係以下で使用するのが好ましい。

本発明の電荷発生層の体積抵抗率ρＧ（Ω・ｃｍ　）は
、ｌＸ１０１ｚ〜２　Ｘ　１０１ＳΩ・国の範囲の値で
あることが好ましい。

本発明において電荷輸送層は、電荷輸送性物質及び結合
剤に必要に応じて可塑剤、流動性付与剤。

ピンホール抑制剤等の添加剤を加えた成分から形成する
ことができる。

本発明において電荷輸送層の体積抵抗率ρ〒（Ω・ｃｍ
）は。

ρ？二二　ρＧ≧　４口 の関係式を満足する値である必要がある。

ρ丁が、前記関係式を満足することは、電荷輸送性物質
及び結合剤の種類と使用割合、必要に応じて使用する添
加剤の種類と添加量を適宜選択することにより行うこと
ができる。

電荷輸送性物質としては９例えば、フルオレン。

フルオレノン、２．７−シニトロー９−フルオレノン、
２，４．７−）リートロー９−フルオレノン、４Ｈ−イ
ンデノ（１，２１６）チオフェン−４−オン。

３．７−シニトロージペンゾチオフエンー５−オキシド
、テトラクロル無水フタル酸、２．５−ジクロル−１，
４−ベンゾキノン、スロージクロル−１，４−ペンゾキ
ノン、λス５，６−チトラクロルー１．４−ベンゾキノ
ン、アントラキノン、２−クロルアントラキノン、ｌ、
８−ジクロルアントラキノン。

１．５−ジクロルアントラキノン、１，２，５．８−テ
トラヒドロキシアントラキノン、２−メチルアントラキ
ノン、１．４−ナフトキノン、２．３−ジクロル−１，
４−ナフトキノン、２，３．５−トリクロル−１゜４−
ナフトキノン、ス３−ジクロルー５−ブロム−１，４−
ナフトキノン、２−ニトロ−３−メチル−１，４−ナフ
トキノン、２．３−ジブロム−５−メチル−１，４−ナ
フトキノン、２．３−ジブロム−５−エチル−１，４−
ナフトキノン、テトラシアノエチレン、トリニトロベン
ゼン、テトラシアノキノジメタン。カルバソール、３−
フェニルカルバゾール、２−フェニルインドール、オキ
サジアゾール、１−フェニル−３−（４−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（４−ジエチルアミノフェニル）ヒ
ラソリン、ヒドラゾン、２−７エニルー４−（４−ジエ
チルアミノフェニル）−５−フェニルオキサゾール、ト
リフェニルアミン、イミダゾール等の低分子化合物及び
これらの誘導体、ポＩＪ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポ
リビニルピレン、ポリビニルビラゾリン等の高分子化合
物等があげられる。

可塑剤、流動性付与剤、ピンホール抑制剤等の添加剤は
電荷発生層に使用できるものと同様なものを使用できる
。

結合剤としては１例えば、ポリスチレン樹脂。

ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、アクリロニ
トリル−スチレン樹脂、ポリケトン樹脂。

ポリウレタン樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、エ
ポΦシ樹脂等があげられる。また熱及び／又は光硬化性
樹脂も使用できる。

電荷輸送層中で結合剤は電荷輸送性物質１００重量部に
対して電子写真特性が低下しないように５００重量部以
下が好ましく低分子電荷輸送性物質に対しては、被膜特
性の関係上５０重量部以上が好ましい。その他の添加剤
は、各々電荷輸送性物質に対して５重量部以下が好まし
い。

本発明の電荷輸送層の体積抵抗率ρ〒（Ω・ｃｍ）は、
ｌＸ１０”Ω・印以上の値であることが好ましい。

前記した各層の膜厚は、下引き層の膜厚は０．０１〜５
μｍが好ましく、Ｏ，ＯＳ〜３μｍが特に好ましい。電
荷発生層の膜厚は０．０１〜１０μｍが好ましく、０．
０５〜５μｍが特に好ましい。電荷輸送層は５〜５０μ
ｍが好ましく、８〜３０μｍが特に好ましい。

下引き層の膜厚が０．０１μｍ未満では連続印字により
電電電位が低下し、５ａｍを越えると残留電位が増加す
る傾向にある。電荷発生層の膜厚が０．０１μｍ未満で
は感度が低下する傾向にあシ。

１０μｍｆ越えると帯電性が低下する傾向にある。

また電荷輸送層が５μｍ未満では帯電性が劣る傾向にあ
り、５０μｍｉ越えると感度が低下し残留電位が増加す
る傾向がある。

次に前記した各層の形成法について述べる。

下引き層を形成する方法として、結合剤及び必ｉＥＫ応
じ添加剤をアセトン、メチルエチルケトン。

テトラヒドロフラン、トルエン、キシレン、［化メチレ
ン、メタノール、イソプロピルアルコール。

イソフチルアルコール、ｎ−ブチルアルコール。

トリクロルエタン等の溶剤に均一に溶解し、この溶液を
導電性支持体の上に浸漬コーテング法、ロールコーテン
グ法、アプリケータコーテング法。

スプレーコーティング法、ワイヤーバーコーテング法な
どのコーテング法を用いて塗布し、乾燥して形成するこ
とができる。

電荷発生層を形成する方法としては、有機顔料。

結合剤及び必要に応じ添加剤をアセトン、メチルエチル
ケトン、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、メタノー
ル、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、
ｎ−ブチルアルコール、トリクロルエタン、フロン等の
溶剤に均一に溶解又は分散させた後、前記した下引き層
の上に下引き層を形成する場合と同様のコーテング法を
用いて塗布し乾燥して形成することができる。

電荷輸送層を形成する場合には、電荷輸送性物質、結合
剤及び必要に応じ添加剤を前記の電荷発生層の場合と同
様な溶剤に均一に溶解した後、塗布し乾燥して形成する
ことができる。

本発明において各層の体積抵抗率の値を確認する方法と
しては１例えば、下引き層の場合、市販の体積抵抗率測
定器のＹＨＰ４３２９Ａ　　ＨＩＧＨＦＬＥＳＩＳＴＡ
ＮＣＥ　　ＭＥＴＥＲ（横筒ヒユーレット・パラカード
社製）等を用いて、０．１ａｍの厚さのアルミニウム支
持体の上に所定の膜厚（電子写真感光体の作成で、下引
き層、電荷発生層及び電荷輸送層を顆次積層するときの
各層の膜厚）の下引き層を形成し、これを試料片として
「アルミニウム支持体＋下引き層」の抵抗率を測る。こ
の測定値を下引き層の抵抗率とする。アルミニウム支持
体の抵抗率は１０’Ω・口取下でロ勺、一方下引き層の
抵抗値はおよそ１０１０Ω・口であるから、アルミニウ
ム支持体の抵抗率は無視できる。

電荷発生層及び電荷輸送層の体積抵抗率も上記と同様に
してアルミニウム支持体上で測定することができる。

（実施例） 次に実施例により本発明を詳述するが１本発明はこれに
限定されるものではない。

以下の例中に用いる各材料を列記する。

（）内には、その材料の略称を示す。

（１）電荷を発生する有機顔料＝ττ型金金属フタロシ
アニンτ−Ｈ，Ｐｃ） （２）電荷輸送性物質 オキサゾール誘導体：２−（ｐ−ジメチルアミノフェニ
ル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−５−（ｏ
−クロロフェニル）１，３−オキサゾール（ＯＸＺ） （３）結合剤 （Ｎ　下引き１用 １）メラミン樹脂：メラン２０００　（Ｍ２０００　）
（固形分５ｏｎ）（日立化成工業■製〕１１）シリコー
ンワニス：ＫＲ−２１４（ＫＲ２１４）（固形分７０チ
） 〔信越化学工業■製〕 １１１）ブチラール樹脂：デンカブチラール◆ａｏ００
−１（÷３０００−１）（固形分１００多）　　　〔電
気化学工業■製〕ｉｖ）　　ポリアミド樹脂：Ｈ２Ｏ２
（）１１０３）（固型分１　ｏ０％　）（日本リルサン
■製〕■）ポリアミド樹脂：　ＭＸ１８０９（ＭＸＩ８
０９）（固形分１００％）〔日本リルサン■製〕■１）
エチルセルロース樹脂：ＥＣ０５３（ＥＣＯ５３）（固
形分１００％） 〔和光純薬玉業■製〕 ｖｌｏ　　アルキルフェノール樹脂：ヒタノール２４２
０（固形分１００％）（ＰＲ２４２０） 〔日立化成工業■製〕 ｖｌｌｏ　　ポリアミド樹脂：Ｍ１２７６（Ｍ１２７６
）（固形分１００％）〔日本ＩＪ　／レサン■製〕（Ｂ
）　　電荷発生層用 １）シリコーンワニス：ＫＲ，２１４ （ＫＲ２１４）（固形分７０％） 〔信越化学工業■製〕 １１）　　ブチラール樹脂：デンカブチラール÷３００
０−１（固形分１ｏ０１（電気化学工業■製〕１１１）
エチルセルロース樹脂：ＥＣ０ｓ３（ＥＣｏｓ３）（固
形分１００％）〔和光紬薬工業■製〕（Ｃ）電荷輸送層
用 １）ホ’Ｊエステル樹脂：ハイロン２００（Ｖ２Ｏ３）
（固形分１００％） 〔東洋紡績■製〕 １１）　　ポリカーボネート樹脂ニューピロン８−３０
００（ＵＰ３０００）（固形分１００％） 〔三菱ガス化学■製〕 １１１）ポリアミド樹脂：Ｈ２Ｏ２（Ｈ２Ｏ２）（固形
分１００％）〔日本リルサン■製〕、；■）エポキシ樹
脂：エビコート１００４（Ｅｐ１００４）（固型分１０
０％） エポキシ当量：９００〜１０００ 〔シェル化学■製〕 硬化剤：２−エチル−４−メチルイミダゾール（ＥＭＩ
　） 比較例ｌ Ｍ２Ｏ００ａｏｇをキシレン７０９に完全に溶解させた
溶液を調整した。この溶液を導電性支持体であるアルミ
ニウム板（厚さ０．１　ｍｍ　）の上にアプリケータで
塗工し、１４０℃で３０分乾燥して膜厚１μｍの下引き
層を得た。この下引き層の体積抵抗率を測定した（測定
機：商品名ＹＨＰ　４３２９ＡＨＩＧＨＲＥＳＩＳＴＡ
ＮＣＥ　　ＭＥＴＥ几　横動ヒユーレット・パラカード
社製）。体積抵抗率は１．８　Ｘ　１０”Ω”　ｃｍで
あった。

次ニｒ　−Ｈ，Ｐｃ　２．Ｏｇ、　ＫＲ２１４２，Ｏｇ
及びメタノール８０９の混合液をボールミル（日本化学
陶業製３寸ポンドミル）を用いて８時間混練し分散液を
得た。この分散液をアプリケータにより前記下引き層の
上に塗工し１００℃で１時間乾燥して、膜厚１．０μｍ
の電荷発生層を形成した。また、別途この分散液をアル
ミニウム板（厚さ０．１ｍｍ）の上にアプリケータで塗
工し、風乾し、再度塗工し、この工程を〈シ返し９合計
で１ｏ回塗工し、最後に１００℃で１時間乾燥して厚さ
８μｍの電荷発生層を形成した。この電荷発生層の体積
抵抗率を上記と同様の測定機で測定した。体積抵抗率は
３．２Ｘ１０１３Ω・ｃｍであった。

次にＯＸＺ　１０ｇ及びＵＰ−３０００１０９ｅジクｑ
ロメタンとジクロロエタンの１対５（重量比）混合溶媒
８０９に完全に溶解させ九溶液を調整した。この溶液を
アプリケータにより前記の下引き層の上に設けた電荷発
生層の上に塗工し９０℃で２０分乾燥して膜厚１５μｍ
の電荷輸送層を形成し電子写真感光体を作成した。また
この溶液をアルミニウム板（厚さ０．１　ｍｍ　）の上
にアプリケータで塗工し９０℃で２０分乾燥して膜厚１
５μｍの電荷輸送層を形成した。この電荷輸送層の体積
抵抗率を上記と同様の測定機で測定した。体積抵抗率は
ａ８Ｘ１０”Ω・口であった。

比較例２ ＫＲ２１４２５９をＴＨＦ　７５９に完全に溶解させた
溶液を調整した。この溶液を導電性支持体であるアルミ
ニウム板（厚さ０．１　ｍ　）の上にアプリケータで塗
工し１２０℃で３０分乾燥して膜厚０、５μｍの下引き
層を得た。この下引き層の体積抵抗率を比較例１と同様
にして測定した。体積抵抗率は７．８Ｘ１０１ｓΩ・口
であった。

次にτ−Ｈ２Ｐ　Ｃ３，０ｇ　＋　す３０００−１　７
．０９及びメタノール９０９の混合液をボールミルを用
いて８時間混練し分散液を得た。この分散液をアプリケ
ータによシ前記下引き層の上に塗工し１３０℃で１時間
乾燥して膜厚２μｍの電荷発生層を形成した。また、別
途この分散液をアルミニウム板（厚さ０．１　ａｎ　）
の上にアプリケータで塗工し１３０℃で１時間乾燥して
厚さ５μｍの電荷発生層を形成した。この電荷発生層の
体積抵抗率を比較例１と同様にして測定した。体積抵抗
率は４，５　Ｘ　１０１３Ω”　ｃｍであった。

次に０ＸＺ１０９及びＨ２Ｏ２１５９をジクロロメタン
とメタノールの８対２（を量比）混合溶媒９０９に完全
に溶解させた。この溶液をアプリケータによシ前記の下
引き層を有する電荷発生層の上に塗工し７０℃で２０分
乾燥して厚さ１８μｍの電荷輸送層を形成し電子写真感
光体を作成した。

また、別途この溶液をアルミニウム板（厚さ０．１ｍｍ
）の上にアプリケータで塗工し７０℃で２０分乾燥して
厚さ１８μｍの′電荷輸送層を形成した。

この電荷輸送層の体積抵抗率を比較例１と同様にして測
定した。体積抵抗率は１．３　Ｘ　ｌ　０１１Ω・ｃｍ
でめった。

比較例３ す３０００−１　１０９．ＥＰ１００４　　ｓｇ及びＥ
ＭＩｏ、５９をメタノールとテトラヒドロフラン８対２
（重量比）の混合溶媒９０９に完全に溶解させた溶液を
調整した。この溶液を導電性支持体であるアルミニウム
板（厚さ０．１　ｍｍ　）の上にアプリケータで塗工し
１３０℃で１時間乾燥して膜厚２μｍの下引き層金得た
。この下引き膚の体積抵抗率を比較例１と同様にして測
定した。体積抵抗率は７．３　Ｘ　１０１４Ω”Ｃｍで
あった。次にｒ　−Ｈ２Ｐｃ８．０９．　ＥＣ０５３２
０９及びＴ）（Ｆ　７０９の混合液をボールミルを用い
て８時間混練した分散液を得た。この分散液をアプリケ
ータにより前記下引き層の上に塗工し１００℃で１時間
乾燥して膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。また
、別途この分散液をアルミニウム板（０，１ａｎ　）の
上にアプリケータで塗工し１００℃で１時間乾燥して厚
さ８μｍの電荷発生層を形成した。この電荷発生層の体
積抵抗率を比較例１と同様にして測定した。

体積抵抗率は１．２ｘ１０１ｓΩ・印であった。

次にＯＸＺ　　１０９．ＥＰ１００４　１ｏｇ及びＥＭ
Ｉｏ、５ｓｅテトラヒドロフラン８０９に完全に溶解さ
せた溶液を調整した。この溶液をアプリケータにより前
記の下引き層を有する電荷発生層の上に塗工し１１０℃
で１時間乾燥して膜厚１５μｍの電荷輸送層を形成し電
子写真感光体を形成した。また、別途この溶液をアルミ
ニウム板の上にアプリケータで塗工し１１０℃で１時間
乾燥して膜厚ｌＯμｍの電荷輸送層を形成した。この電
荷輸送層の体積抵抗率を比較例１と同様にして測定した
。体積抵抗率は２．．５×１０１ｓΩ・印であった。

比較例４ ＥＣＯ５３１０９をＴＨＦ　９０９に完全に溶解させた
溶液を調整した。この溶液を導電性支持体であるアルミ
ニウム板（厚さ０．１　ｏｎ　）の上にアプリケータで
塗工し１００℃で３０分間乾燥して膜厚１μｍの下引き
層を得た。仁の下引き層の体積抵抗率は４．３　Ｘ　１
０１３Ω・ｃｍであった。

次ニｒ　−Ｈ，Ｐｃ　ＬＯｇ、　Ｖ２Ｏ０１，０９及び
Ｔ）ｉＦ　８５９の混合液をボールミル全周いて８時間
混練し分散液を得た。この分散液をアプリケータによシ
前記下引き層の上に塗工し６０℃で１時間乾燥して膜厚
１μｍの電荷発生層を形成した。

また、別途仁の分散液をアルミニウム板（厚さ０．１０
）の上にアプリケータで塗工し、風乾し、再度塗工し、
この工程を１０回くシ返し合計で１０回塗工し、最後に
６０℃で１時間乾燥して厚さ７μｍの電荷発生層を形成
した。この電荷発生層の体積抵抗率を比較例１と同様に
して測定した。体積抵抗率は１．４Ｘ１０ｔｓΩ・工で
あった。

次に比較例２と同様にして前記の下引き層の上に設けた
電荷発生層の上に膜厚１５μｍの電荷輸送層を形成し電
子写真感光体を形成した。

比較例５ ｒ−Ｈ，ｐｃ　　２．５　ｇ、ＫＲ２１４Ｚ５　ｇ及び
メタノール８５９の混合液をボールミル（日本化学陶業
製３寸ボットミル）を用いて８時間混練し分散液ケｖ／
４整した。この分散液を用いてアプリケータによシ、導
電性支持体であるアルミニウム板（厚さ０．１　ｍｍ　
）の上にアプリケータで塗工し１００℃で１時間乾燥し
て膜厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。また、この
分散液をアルミニウム板の上にアプリケータで塗工し、
風乾し、再度塗工し。

この工程をくり返し１合計で１０回塗工し、最後に１０
０℃で１時間乾燥して厚さ６μｍの電荷発生層を形成し
た。この電荷発生層の体積抵抗率を比較例１と同様にし
て測定した。体積抵抗率はλ２　Ｘ　１０１３Ω・■で
あった。

次に０ＸＺ１０９及びＵＰ３０００　１５９をジクロロ
メタンとジクロロエタンの１対５（重量比）混合溶媒８
０９に完全に溶解させた溶液１ｒ調整した。この溶液を
アプリケータにより、前記の電荷発生層の上に塗工し９
０℃で２０分間乾燥して膜厚１５μｍの電荷輸送１を形
成し下引き壜のない電子写真感光体を作成した。また、
別途この溶液全アルミニウム板の上にアプリケータで塗
工し９０℃で２０分間乾燥して膜厚１５μｍの電荷輸送
層を形成した。この電荷輸送層の体積抵抗率を比較例１
と同様にして測定した。体積抵抗率は１．９Ｘ１０１５
ΩｌＩｃｍであった。

比較例６ ＭＸ１８０９　８ｇ’に塩化メチレンとインプロパツー
ルの３対７の混合溶液９２９に完全に溶解させた溶液を
調整した。この溶液を導電性支持体でろるアルミニウム
板（厚さＱ、　１　ｍ　）の上にアプリケータで塗工し
１００℃で３０分間乾燥して膜厚０．５μｍの下引き層
を得た。この下引き層の体積抵抗率を比較例１と同様に
して測定した。体積抵抗率は５．ｌＸ１０”Ω・国でめ
った。

次に比較例３と同様にして前記の下引き層の上に膜厚０
．５μｍの電荷発生層を形成した。次に比較例１と同様
にして前記下引き層を有する電荷発生層の上に膜厚１５
μｍの電荷輸送層を形成し電子写真感光体全形成した。

比較例７ 比較例３と同様にして導電性支持体であるアルミニウム
板（厚さ０．１　ａｎ　）上に膜厚１．０μｍの下引き
層を形成した。

次に比較例４と同様にして前記下引き層の上に膜厚１．
０μｍの電荷発生層を形成した。

次に比較例１と同様にして前記の下引き層を有する電荷
発生層の上に膜厚１５μｍの電荷輸送層を形成し電子写
真感光体を形成した。

実施例ｌ ＥＣ０５３５９を塩化メチレン９５９に完全に溶解させ
た溶液を調整した。この溶液を導電性支持体であるアル
ミニウム板（淳さ０．１　ｍｍ　）の上にアプリケータ
で塗工し１００℃で３０分間乾燥して膜厚０．２μｍの
下引き膚を得た。この下引き層の体積抵抗率を比較例１
と同様にして測定した。

体積抵抗率は４．３　Ｘ　１０”Ω・国でおった。次に
比較例４と同様にして上記で得た下引き層の上にアプリ
ケータで塗工し６０℃で１時間乾燥して膜厚０．５μｍ
の電荷発生層を形成した。

次に比較例１と同様にして膜厚１５μｍの電荷輸送層全
形成した。

実施例２ 比較例４と同様にして導電性支持体で多るアルミニウム
板（厚さｏ、　１ａｎ　）上に膜厚１μｍの下引き層を
形成した。

次に比較例２と同様にして上記で得た下引き層の上に膜
厚２μｍの電荷発生層を形成した。

次に比較例１と同様にして上記電荷発生層の上に膜厚１
５μｍの電荷輸送層を形成した。

実施例３ φ３０００−１　２０　ｇ、Ｅｐ１００４　１９及びＥ
ＭＩｏ、１ｇｔ−メタノールとテトラヒドロフラン８対
２（重量比）の混合溶媒８５ｇに完全に溶解させた溶液
を調整した。この溶液を導電性支持体であるアルミニウ
ム板（厚さ０．１　ｍｍ　）の上にアプリケータで塗工
し１１０℃で１時間乾燥して膜厚１．５μｍの下引き層
を得た。この下引き層の体積抵抗率を比較例１と同様に
して測定した。体積抵抗率は６．６　Ｘ　１０”Ω−■
であった。

次に比較例１と同様にして上記で得た下引き層の上に膜
厚１．０μｍの電荷発生層を形成した。

次に比較例１と同様にして前記電荷発生層の上に膜厚１
５μｍの電荷輸送層を形成し電子写真感光体を作成した
。

実施例４ Ｈ２Ｏ２５ｇｉジクロルメタンとメタノールの１対１（
重量比）混合溶媒９０９に完全に溶解させた溶液を調整
した。この溶液金アルミニウム板の上にアプリケータで
塗工し１１０℃で３０分間乾燥して膜厚０．５μｍの下
引き層を得た。この下引き層の体積抵抗重金比較例１と
同様にして測定した。体積抵抗率は７．８Ｘ１０”Ω・
口でおった。

次に比較例１と同様にして上記で得た下引き層の上に膜
厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。

次に比較例１と同様にして、膜厚１５μｍの電荷輸送層
を形成し電子写真感光体を作成した。

実施例５ ８１０３　１０９をジクロルメタンとメタノールの１対
１（重量比）混合溶媒９０９に完全に溶解させた溶液を
調整した。この溶液を導電性支持体でおるアルミニウム
板（厚さ０．１　ｍｍ　）の上にアプリケータで塗工し
１１０℃で３０分間乾燥して膜厚１．５μｍの下引き１
ｆｉＩ：形成した。

次に比較例３と同様にして上記で得た下引き層の上に膜
厚０．５μｍの電荷発生層を形成した。

＆ＫＯＸＺ　３　ｇ、　Ｖ２００　１０　Ｇ　’ｃテ）
ラヒトロフラン８７９に完全に溶解させた溶液を調整し
た。この溶液をアプリケータにより前記の下引き層金有
する電荷発生層の上べ塗工し６５℃で１時間乾燥して膜
厚２０μｍの電荷輸送層を形成し複合型電子写真感光体
を形成した。また、別途この溶液をアルミニウム板の上
にアプリケータで塗工し１１０℃で１時間乾燥して膜厚
１５μｍの電荷輸送層を形成した。この電荷輸送層の体
積抵抗率は６．２　ｘ　１０１５Ω・印であった。

実施例６ ＰＲ２４２０１０９をＴＨＦ　９０９に完全に溶解させ
た溶液を調整した。この溶液を導電性支持体であるアル
ミニウム板（厚さ０．１　ｍ　）の上にアプリケータで
塗工し１４０℃で３０分間乾燥して膜厚０．３μｍの下
引き１會形成し九。この下引き層の体積抵抗率を比較例
１と同様にして測定し九。

体積抵抗率は７．ＯＸ　１０ｉｌΩ・国であった。次に
比較例３と同様にして上記で得た下引き層の上に１００
℃で１時間乾燥して膜厚０．５μｍの電荷発生層全形成
した。次に比較例１と同様にして前記電荷発生層の上に
膜厚１５μｍの電荷輸送層全形威し電子写真感光体を作
成した。

実施例７ 実施例６と同様にして導電性支持体であるアルミニウム
板（厚さ０．１　ａｎ　）上に膜厚２０μｍの下引き層
を形成した。

次にτ−Ｈ１Ｐｃ　２０　ｇ及び１，１．２−）リクロ
ロ−１゜２．２−）リクロロエタン８．Ｏｇの混合液を
超音波を用いて１５時間分散処理し分散液？：調整した
。この分散液をアプリケータにより前記下引き層の上に
塗工し１１０℃で１時間乾燥して膜厚０．５μｍのτ−
Ｈ，Ｐｃのみからなる電荷発生層を形成した。

τ−Ｆ（１Ｐｃの体積抵抗率をτ−ＨｇＰｃをペレット
状にして測定した（測定機：商品名ＥＴＡ−８４１０Ｌ
理学電機株式会社製）。体積抵抗率は７．９　Ｘ　１０
”Ω・口であった。

次に実施例５と同様にして膜厚１５μｍの電荷輸送層を
形成し電子写真感光体を作成した。

実施例８ Ｍ１２７６　１０９を塩化メチレンとエタノールの１対
１（重量比）の混合溶液９０９に完全に溶解させた溶液
を調整した。この溶液を導電性支持体であるアルミニウ
ム板（厚さ０．１　ｍｍ　）の上にアプリケータで塗工
し１００℃で３０分乾燥して膜厚１μｍの下引き層を得
た。この下引き層の体積抵抗率を比較例１と同様にして
測定した。体積抵抗率は３．６Ｘ１０１３Ω・口であっ
た。

次に比較例１と同様にして、前記の下引き層の上に膜厚
０．５μｍの電荷発生層を形成した。

次に比較例１と同様にして前記下引き層の上に設けた電
荷発生層の上に膜厚１５μｍの電荷輸送層を形成し電子
写真感光体全形成した。

上記で得られた電子写真感光体の電子写真特性の連続安
定性を静電記録試験装置（川口電機製５Ｐ−４２８）”
ｋ用いて測定した。結果を第１表に示した。

なお９表中の電位Ｖｏ（−Ｖ）は、ダイナミック測定で
一５ｋＶのコロナ′ｔ−１０秒間放電したときの帯電電
位を示し、暗減衰（Ｖに）はその後暗所において３０秒
間放置し之ときの電位（Ｖ２Ｏ）から求めた電位保持率
［（Ｖｓｏ／Ｖｏ）ＸＩ　００％　）を示し、半減露光
量（Ｅｓ。）は１０１！Ｘの白色光で照射し、電位が半
分になるまでの光量値を示す。また、残留電位Ｖ翼は１
０／ｕｘの白色光を３０秒間照射した後の表面電位金示
す。繰力返し特性は、帯電１０秒−露光５秒の工程を３
００回繰り返した後の初期電位の低下率を示す。

更に比較例１〜７及び実施例１〜８の電子写真感光体を
画像評価機を用いて印刷を行い画質の評価を行った結果
を第１表に示した。

比較例１〜３の感光体は、下引き層の体積抵抗率が電荷
発生層の体積抵抗率よりも大きな値を示すが、このもの
は電子写真特性の低下、すなわちＥＳＯ及びＶＩＩの増
大が著しく初期からカプリが発生した。

比較例４及び５の感光体ｔｉＥｓｏ及びｖｌの増大はな
いが、帯電〜露光を繰夛返すと初期電位が３８〜４０チ
と大きく低下するという問題があり、またカプリも発生
した。比較例６．７の感光体は初期特性は良好でろう、
帯電〜露光を繰り返した場合、初期電位の低下も比較的
少ないがカプリが発生した。

一方、実施例１〜８に示した導電性支持体側の層から体
積抵抗率が順次高くなるように各Ｎを設けた本発明の範
囲の電子写真感光体は、初期において、（１）帯電性が
優れており（初期電位ｖｏが比較例２〜４に比べて２６
０■以上増加）　、　（２１感度が優れており（Ｅｓｏ
が比較例１〜３に比べて７．６１！Ｘ・３以上向上）、
（３１残留電位が低く良好であり（Ｖｍが比較例１〜３
に比べて５０ｖ以上低下）、（４１繰り返し使用時の初
期電位の低下が少なく（比較例４が３８％に対して実施
例は全て２０％以上）。

（５）繰り返し使用時の画質低下が少ない（比較例６゜
７に比べて実施例＃′１ｌｏｏ００頁印刷してもガブリ
全発生せず画質が優れる）点で優れている。

県下余白 （発明の効果） 本発明の電子写真感光体は、優れた電子写真特性を有し
繰り返し使用によっても電子写真特性の低下がない耐久
性に優れたものである。

代理人　弁理士　若　林　邦　彦

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性支持体上に、下引き層、電荷発生層及び電荷
   輸送層を順次積層してなる電子写真感光体において、下
   引き層の体積抵抗率ρ＿Ｕ（Ω・ｃｍ）、電荷発生層の
   体積抵抗率ρ＿Ｇ（Ω・ｃｍ）及び電荷輸送層の体積抵
   抗率ρ＿Ｔ（Ω・ｃｍ）が、 ρ＿Ｔ≧ρ＿Ｇ≧ρ＿Ｕ の関係式を満足する値である電子写真感光体。 ２、ρ＿Ｕが１×１０＾１＾０〜９×１０＾１＾３Ω・
   ｃｍの範囲の値であり、ρ＿Ｇが１×１０＾１＾２〜２
   ×１０＾１＾５Ω・ｃｍの範囲の値であり、ρ＿Ｔが１
   ×１０＾１＾５Ω・ｃｍ以上の値である第１項記載の電
   子写真感 光体。