JPH01179351A - Plastic-molded semiconductor device and its manufacture - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 76
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 22
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 10
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 101100407060 Caenorhabditis elegans par-6 gene Proteins 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
樹脂封止型半導体装置の構造的改良とその製造方法の改
良とに関し、
樹脂のクラック発生を防止し、耐湿性を低下させること
なく、信軒性の高い樹脂封止型半導体装置とその製造方
法とを提供することを目的とし、複数のサポートバーと
、複数のリードとを有するリードフレームを、リードフ
レーム押さえをもってボンディングステージ上に固定し
、半導体装置チップを前記複数のサポートバーの中間に
載置し、接着材をもって、前記半導体装置チップと前記
サポートバーとを接着し、前記半導体装置チップのパッ
ド端子と前記リードとを、ボンディングワイヤをもって
接合し、前記半導体装置チップと、サポートバーと、リ
ードとを、樹脂をもって一体にモールドし、樹脂封止型
半導体装置を形成するように構成する。[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding the structural improvement of a resin-sealed semiconductor device and the improvement of its manufacturing method, the present invention relates to a structural improvement of a resin-encapsulated semiconductor device and an improvement of its manufacturing method. The purpose of the present invention is to provide a resin-encapsulated semiconductor device and a method for manufacturing the same, in which a lead frame having a plurality of support bars and a plurality of leads is fixed on a bonding stage with a lead frame holder, and a semiconductor device chip is attached. The semiconductor device chip is placed between the plurality of support bars, the semiconductor device chip and the support bar are bonded together using an adhesive, the pad terminals of the semiconductor device chip and the leads are bonded using bonding wires, and the semiconductor device chip is placed between the plurality of support bars. The device chip, the support bar, and the leads are integrally molded with resin to form a resin-sealed semiconductor device.
本発明は、樹脂封止型半導体装置の構造的改良とその製
造方法の改良とに関する。The present invention relates to structural improvements in resin-sealed semiconductor devices and improvements in their manufacturing methods.
従来技術に係る樹脂封止型の半導体装置の構造を第４図
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す。The structure of a resin-sealed semiconductor device according to the prior art is shown in FIGS. 4(a), 4(b), and 4(c).
第４図（ａ）は、樹脂封止型半導体装置１の平面図であ
り、第４図（ｂ）は、第４図（ａ）のＤ−Ｄをもって示
す面をもって切断した断面図であり、第４図（ｃ）は、
第３図（ａ）のＥ−Ｅをもって示す面をもって切断した
断面図である０図において、ｌは樹脂封止型半導体装置
であり、２は半導体装置チップであり、３はリードフレ
ームステージであり、４はリードであり、５は封止用樹
脂であり、１１はボンディングワイヤである。FIG. 4(a) is a plan view of the resin-sealed semiconductor device 1, and FIG. 4(b) is a cross-sectional view taken along the plane indicated by DD in FIG. 4(a). Figure 4(c) is
In Figure 0, which is a cross-sectional view taken along the plane indicated by E-E in Figure 3(a), 1 is a resin-sealed semiconductor device, 2 is a semiconductor device chip, and 3 is a lead frame stage. , 4 is a lead, 5 is a sealing resin, and 11 is a bonding wire.
半導体装置チップ２は金属よりなるリードフレームステ
ージ３上に接着され、半導体装置チップ２のパッド端子
（図示せず）とリード４とがボンディングワイヤ１１を
もって接合され、半導体装置チップ２と、リードフレー
ムステージ３と、リード４とが樹脂５をもって一体にモ
ールドされ、封止されている。The semiconductor device chip 2 is bonded on a lead frame stage 3 made of metal, and the pad terminals (not shown) of the semiconductor device chip 2 and the leads 4 are bonded with bonding wires 11, and the semiconductor device chip 2 and the lead frame stage 3 and leads 4 are integrally molded with resin 5 and sealed.
ところで、樹脂封止された半導体装置は、封止樹脂内部
に金属よりなるリードフレームステージ３を内在するた
め、熱衝撃が加わった場合、金属と樹脂との熱膨張率の
差によって、樹脂５とリードフレームステージ３とが剥
離する。特に、リードフレームステージ３の角の部分に
は、応力が集中してクラックが発生し、そのクラックが
外面にまで成長して割れとなり、耐湿性を悪くし、半導
体装置の信鯨性を低下させる。By the way, since a resin-sealed semiconductor device includes a lead frame stage 3 made of metal inside the sealing resin, when a thermal shock is applied, the difference in thermal expansion coefficient between the metal and the resin causes the resin 5 to The lead frame stage 3 separates. In particular, stress concentrates on the corner portions of the lead frame stage 3, causing cracks, which grow to the outer surface and become cracks, impairing moisture resistance and reducing reliability of the semiconductor device. .
本発明の目的は、この欠点を解消することにあり、樹脂
のクラック発生を防止し、耐湿性を低下させることなく
、信幀性の高い樹脂封止型半導体装置とその製造方法と
を提供することにある。An object of the present invention is to eliminate this drawback, and to provide a highly reliable resin-encapsulated semiconductor device that prevents the occurrence of cracks in the resin and does not reduce moisture resistance, and a method for manufacturing the same. There is a particular thing.
上記の目的は、複数のサポートバー（６）と、複数のリ
ード（４）とを有するリードフレーム（７）を、リード
フレーム押さえ（８）をもってボンデインダステージ（
９）上に固定し、半導体装置チップ（２）を前記複数の
サポートバー（６）の中間に載置し、接着材（１０）を
もって、前記半導体装置チップ（２）と前記サポートバ
ー（６）とを接着し、
前記半導体装置チップ（２）のパッド端子（２ａ）と前
記リード（４）とを、ボンディングワイヤ（１１）をも
って接合し、
前記半導体装置チップ（２）と、サポートバー（６）と
、リード（４）とを、樹脂（５）をもって一体にモール
ドし、樹脂封止型半導体装置を形成することによって達
成される。The above purpose is to hold a lead frame (7) having a plurality of support bars (6) and a plurality of leads (4) on a bonder stage (with a lead frame holder (8)).
9) Place the semiconductor device chip (2) between the plurality of support bars (6), and hold the adhesive (10) between the semiconductor device chip (2) and the support bars (6). bonding the pad terminal (2a) of the semiconductor device chip (2) and the lead (4) with a bonding wire (11); and bonding the semiconductor device chip (2) and the support bar (6). This is achieved by integrally molding the lead (4) and the resin (5) to form a resin-sealed semiconductor device.
本発明に係る樹脂封止型半導体装置にあっては、半導体
装置チップ２を載置するための金属よりなるリードフレ
ームステージ３を使用せず、半導体装１チツプ２は、そ
の側面の少なくとも二つがサポートパー６に接着される
ことによって固定される。したがって、樹脂封止型半導
体装置の対土用樹脂の内部には、金属が内在しないので
、金属と樹脂との熱膨張率の差にもとづくクラックの発
生がなく、樹脂封止型半導体装置の信頼性が向上する。In the resin-sealed semiconductor device according to the present invention, the lead frame stage 3 made of metal on which the semiconductor device chip 2 is placed is not used, and the semiconductor device 1 chip 2 has at least two side surfaces. It is fixed by being glued to the support par 6. Therefore, since there is no metal inside the soil-containing resin of the resin-sealed semiconductor device, cracks do not occur due to the difference in coefficient of thermal expansion between the metal and the resin, and the resin-sealed semiconductor device is reliable. Improves sex.
（実施例〕
以下、図面を参照しつ一１本発明の二つの実施例に係る
樹脂封止型半導体装置について説明する。(Embodiments) Hereinafter, resin-sealed semiconductor devices according to two embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
１上斑
第２図（ａ）、（ｂ）参照
第２図（ａ）は平面図であり、第２図（ｂ）は第２図（
ａ）のＣ−Ｃをもって示す面をもって切断した断面図で
ある。1. See Figures 2(a) and (b). Figure 2(a) is a plan view, and Figure 2(b) is a top view of Figure 2(b).
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along the plane shown along line CC in a).
複数のサポートパー６と、複数のり−ド４とを有するリ
ードフレーム７を、リードフレーム押さえ８をもってボ
ンディングステージ９上に固定する。A lead frame 7 having a plurality of support pads 6 and a plurality of glueds 4 is fixed on a bonding stage 9 with a lead frame presser 8.
半導体装置チップ２を、複数のサポートパー６の間に載
置し、接着剤１０をもってサポートパー６に接着する。A semiconductor device chip 2 is placed between a plurality of support pads 6 and adhered to the support pads 6 with an adhesive 10.
ボンデインダステージ９を加熱しつ−、半導体装置チッ
プ２のバッド端子２ａとリード４を、ボンディングワイ
ヤ１１をもって接合する。なお、接合時の加熱によって
、前記半導体装置チップ２とサポートパー６とを接着す
る接着剤１０が硬化する。While heating the bonder stage 9, the pad terminals 2a of the semiconductor device chip 2 and the leads 4 are bonded using the bonding wires 11. Note that the adhesive 10 for bonding the semiconductor device chip 2 and the support pad 6 is cured by heating during bonding.
第１図（ａ）、（ｂ）、（ｃ）参照
半導体装置チップ２、サポートパー６、および、リード
４を、樹脂５をもって一体にモールドし、樹脂封止する
。なお、第１図（ａ）は平面図を、第１図（ｂ）はＡ−
Ａ断面図を、第１図（ｃ）はＢ−Ｂ断面図を示す。Refer to FIGS. 1(a), (b), and (c). The semiconductor device chip 2, the support part 6, and the leads 4 are integrally molded with a resin 5 and sealed with the resin. In addition, FIG. 1(a) is a plan view, and FIG. 1(b) is an A-
A sectional view is shown, and FIG. 1(c) is a BB sectional view.
員ｌ拠
第３図（ａ）、（ｂ）参照
第３図（ａ）は、半導体装置チップ２がサポートパー６
に接着固定された部分を示す平面図であり、第３図（ｂ
）は、半導体装置チップ２がサポートパー６に接着固定
された部分を示す側面図である。Refer to FIGS. 3(a) and 3(b). In FIG. 3(a), the semiconductor device chip 2 is placed on the support part 6.
FIG. 3 is a plan view showing a portion adhesively fixed to the
) is a side view showing a portion where the semiconductor device chip 2 is adhesively fixed to the supporter 6.
第１例と相違する点は、半導体装置チップ２とサポート
パー６とを接着する工程を、以下のとおり変更する点で
ある。The difference from the first example is that the process of bonding the semiconductor device chip 2 and the support pad 6 is changed as follows.
サポートパー６の先端部に、平面図が梯形状のポリイミ
ドテープ１２を接着し、半導体装置チップ２の側面の少
なくとも二つ（本例においては二つの対向する側面）が
、それぞれ前記ポリイミドテープ１２上に位置するよう
に載置し、接着材１０をもって半導体装置チップ２と、
ポリイミドテープ１２と、サポートパー６とを接着する
。A polyimide tape 12 having a ladder-like plan view is adhered to the tip of the support par 6, and at least two of the side surfaces (in this example, two opposing sides) of the semiconductor device chip 2 are bonded onto the polyimide tape 12, respectively. the semiconductor device chip 2 and the adhesive 10.
The polyimide tape 12 and the support par 6 are bonded together.
なお、サポートパー６の先端部およびポリイミドテープ
１２の形状は、第２図および第３図に示す形状に限定さ
れるものではなく、半導体装置チップと良好に接着し得
る形状であればよい。Note that the shapes of the tip of the support par 6 and the polyimide tape 12 are not limited to the shapes shown in FIGS. 2 and 3, but may be any shape that can be well bonded to the semiconductor device chip.
以上説明せるとおり、本発明に係る樹脂封止型半導体装
置、およびその製造方法においては、半導体装置チップ
は、その側面の少なくとも二つがサポートパーに接着さ
れ固定されるので、半導体装置チップ下部に半導体装置
チップを載置する、金属よりなるリードフレームステー
ジを必要としない。As explained above, in the resin-sealed semiconductor device and the manufacturing method thereof according to the present invention, at least two of the side surfaces of the semiconductor device chip are bonded and fixed to the supporter, so that the semiconductor device chip is attached to the bottom of the semiconductor device chip. There is no need for a metal lead frame stage on which the device chip is placed.
樹脂封止型半導体装置の封止樹脂内部に金属が内在しな
いため、金属と樹脂との熱膨張率の差に起因する樹脂の
クラック発生がなく、したがって、耐湿性が低下せず、
借問性が向上する。Since there is no metal inside the sealing resin of the resin-sealed semiconductor device, there is no cracking of the resin due to the difference in thermal expansion coefficient between the metal and the resin, and therefore the moisture resistance does not deteriorate.
Improves borrowability.
第１図（ａ）は、本発明の第１実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の平面図である。
第１図（ｂ）は、第１図（ａ）のＡ−Ａをもって示す面
をもって切断した断面図である。
第１図（ｃ）は、第１図（ａ）のＢ−Ｂをもッテ示す面
をもって切断した断面図である。
第２図（ａ）は、本発明の第１実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の工程を示す平面図である。
第２図（ｂ）は、第２図（ａ）のＣ−Ｃをもッテ示す面
をもって切断した断面図である。
第３図（ａ）は、本発明の第２実施例に係る樹脂、封止
型半導体装置の半導体装置チップとサポートバーとの接
着部の構造を示す平面図である。
第３図（ｂ）は、本発明の第２実施例に係る樹脂封止型
半導体装置の半導体装置チップとサポートバーとの接着
部の構造を示す側面図である。
第４図（ａ）は、従来技術に係る樹脂封止型半導体装置
の外形図である。
第４図（ｂ）は、第４図（ａ）のＤ−Ｄをもって示す面
をもって切断した断面図である。
第４図（ｃ）は、第４図（ａ）のＥ−Ｅをもッテ示す面
をもって切断した断面図である。
１・・・・樹脂封止型半導体装置、
２・・・・半導体装置チップ、
２ａ・・・半導体装置チップのパッド端子、３・・・・
リードフレームステージ、
４ ・ ・ ・ ・ リード、
５・・・・樹脂、
６・・・・サポートバー、
７・ ・ ・・リードフレーム、
８・・・・リードフレーム押さえ、
９・・・・ボンデインダステージ、
１０・・・・接着剤、
１１・・・・ボンディングワイヤ、
１２・・・・ポリイミドテープ。FIG. 1(a) is a plan view of a resin-sealed semiconductor device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1(b) is a sectional view taken along the plane indicated by A--A in FIG. 1(a). FIG. 1(c) is a sectional view taken along line BB in FIG. 1(a). FIG. 2(a) is a plan view showing the steps of the resin-sealed semiconductor device according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2(b) is a sectional view taken along the line CC in FIG. 2(a). FIG. 3(a) is a plan view showing the structure of a bonded portion between a semiconductor device chip and a support bar of a resin-sealed semiconductor device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 3(b) is a side view showing the structure of the adhesive portion between the semiconductor device chip and the support bar of the resin-sealed semiconductor device according to the second embodiment of the present invention. FIG. 4(a) is an outline diagram of a resin-sealed semiconductor device according to the prior art. FIG. 4(b) is a sectional view taken along the plane indicated by line DD in FIG. 4(a). FIG. 4(c) is a sectional view taken along the line EE in FIG. 4(a). 1... Resin-sealed semiconductor device, 2... Semiconductor device chip, 2a... Pad terminal of semiconductor device chip, 3...
Lead frame stage, 4... Lead, 5... Resin, 6... Support bar, 7... Lead frame, 8... Lead frame holder, 9... Bonder. Stage, 10... Adhesive, 11... Bonding wire, 12... Polyimide tape.
Claims (1)
止されてなる樹脂封止型半導体装置（１）において、 前記半導体装置チップ（２）は、その側面の少なくとも
二つがサポートバー（６）に接着固定されている ことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。 ［２］前記少なくとも二つのサポートバー（６）と複数
のリード（４）とを有するリードフレーム（７）を、リ
ードフレーム押さえ（８）をもってボンディングステー
ジ（９）上に固定し、 半導体装置チップ（２）を前記少なくとも二つのサポー
トバー（６）の中間に載置し、 接着材（１０）をもって、前記半導体装置チップ（２）
の側面の少なくとも二つと前記サポートバー（６）とを
接着し、 前記半導体装置チップ（２）のパッド端子（２ａ）と前
記リード（４）とを、ボンディングワイヤ（１１）をも
って接合し、前記サポートバー（６）が前記半導体装置
チップ（２）に接着され、前記ボンディングワイヤ（１
１）が前記半導体装置チップ（２）のパッド端子（２ａ
）に接続されている結合体をボンディングステージ（９
）から離し、前記半導体装置チップ（２）と、サポート
バー（６）と、リード（４）とを、樹脂（５）をもって
一体にモールドし、樹脂封止型半導体装置を形成する 工程を有することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の
製造方法。 ［３］前記サポートバー（６）には、その先端部にポリ
イミドテープ（１２）が接着されてなり、前記半導体装
置チップ（２）の側面と、前記サポートバー（６）と、
前記ポリイミドテープ（１２）とを接着材（１０）をも
って接着し、固定することを特徴とする特許請求の範囲
第２項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。[Claims] [1] In a resin-sealed semiconductor device (1) in which a semiconductor device chip (2) is sealed with a resin (5), the semiconductor device chip (2) has at least one side surface thereof. A resin-sealed semiconductor device characterized in that two parts are adhesively fixed to a support bar (6). [2] The lead frame (7) having the at least two support bars (6) and a plurality of leads (4) is fixed on the bonding stage (9) with the lead frame holder (8), and the semiconductor device chip ( 2) is placed between the at least two support bars (6), and the semiconductor device chip (2) is held with the adhesive (10).
and the support bar (6), bonding the pad terminal (2a) of the semiconductor device chip (2) and the lead (4) with a bonding wire (11), A bar (6) is bonded to the semiconductor device chip (2) and the bonding wire (1) is bonded to the semiconductor device chip (2).
1) is a pad terminal (2a) of the semiconductor device chip (2).
) to the bonding stage (9
) and molding the semiconductor device chip (2), the support bar (6), and the leads (4) together with a resin (5) to form a resin-sealed semiconductor device. A method for manufacturing a resin-sealed semiconductor device, characterized by: [3] A polyimide tape (12) is adhered to the tip of the support bar (6), and the side surface of the semiconductor device chip (2), the support bar (6),
3. The method of manufacturing a resin-sealed semiconductor device according to claim 2, wherein the polyimide tape (12) is bonded and fixed with an adhesive (10).
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62335722A JP2589520B2 (en) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device |
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|---|---|
| JPH01179351A true JPH01179351A (en) | 1989-07-17 |
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| JP62335722A Expired - Lifetime JP2589520B2 (en) | 1987-12-30 | 1987-12-30 | Method for manufacturing resin-encapsulated semiconductor device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2589520B2 (en) | 1997-03-12 |
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