JPH01176341A - 光ディスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は光ディスクに関するものである。

従来の技術 光ディスクは近年目覚ましい発展を遂げつつあり、市場
の拡大に伴い多種多様な目的、用途に利用されることに
なって行（ことが予想される。光ディスクは大きく分け
ると二種類に分けられる。

即ち、再生専用ディスクと書き込み可能なディスクであ
り、前者はあらかじめ情報が記録されたスタンパを用い
、成形によってスタンパ上の情報を転写した透明基板上
にアルミニウムを１着することで、同一情報のディスク
を数万枚以上製造するものであり、音楽用のコンパクト
ディスクのように、メーカーが大量生産することで高価
なスタンパを用いても比較的安価に生産できる。

しかしながら、この方式は小規模生産、特に個人用情報
ファイルや個人用音楽ディスク等への適用は、コストパ
フォーマンスの面で不可能であった。

スタンパを用いずに信号を記録する方法として連記型光
ディスクがある。レーザ光の発振を記録する情報の信号
で変調し、レーザ光を記録層に照射して幾何学的凹凸や
、空隙、変色等の形で信号を記録する方法がある。

発明が解決しようとする問題点 空隙形成による信号の記録の場合、空隙形成に伴う体積
変化を吸収する変形しやすい高分子層が記録層上に必要
であが、高温環境下においであるいは退色時に受ける熱
によって変形しやすい高分子層が熱的に変形し、空隙を
埋めてしまうため本来の信号を忠実に再現することが困
難であった。

本発明は空隙形成による信号記録において、高温環境下
でもあるいは退色を行っても空隙の熱変形を抑制するこ
とを可能ならしめるものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するために、本発明の光ディスクは透
明基板上に記録層を有し、その上に耐熱性の高分子層を
有し、その上に変形しやすい高分子層を有し、さらにそ
の上に反射層を有することにより解決するものである。

作用 記録層に記録層が吸収する波長のレーザ光を照射すると
、記録層は発熱、分解し、空隙を形成する。記録層の熱
は耐熱性高分子層を通して変形しやすい高分子層に伝わ
り、変形しやすい高分子層は軟化する。空隙が生じると
きの圧力が耐熱性高分子層を変形させると同時に軟化し
た変形しやすい高分子層をも変形させる。しかし−度空
隙が生じると熱をカロえても変形しやすい高分子層は軟
化するが耐熱性高分子層により空隙が変形することはな
い。

実施例 以下に本発明の一実施例について、図面を用いて説明す
る。　本発明の光ディスクは図に示されるごと＜、透明
基板１上に記録層２を有し、その上に熱変形しにくい耐
熱性高分子層３を有し、その上に記！３層における空隙
の形成に伴う耐熱性高分子層の変形を吸収し得る変形し
やすい高分子層４を有し、さらにその上に反射層を有し
た構造を成している。

さらに表面の損傷を防ぐために変形しやすい高分子層４
上に保Ｓｉ膜等を設けることも可能である。

耐熱性高分子層はポリカーボネートや、ポリメタクリル
酸メチル、ポリアクリロニトリル、ポリスチレン等軟化
点が８０〜１００℃以上であることが望ましく、また、
空隙形成時には変形し易いように出来るだけ薄膜である
ことが望ましい。また、耐熱性高分子層に色素を分散さ
せて記！３感度を上げることも可能である。変形しやす
い高分子層には軟化点が低い樹脂が望ましく、スチレン
ブタジェンゴム、ポリイソプレン、ポリイソブチレン。

ポリウレタン等のゴム類、もしくはヒドロキシエチルセ
ルロース等のセルロースや、ポリビニルピロリドン、ポ
リビニルアルコール、ポリエチレンテレフタレート、ナ
イロン等が通している。　以下、本発明の一実施例につ
いて具体的に説明する。

実施例１ ポリカーボネート製透明基板に構成式（１）で示される
シニアン色素２０■／　のジクロロエクン溶’Ｉ＆’；
ｃ　１０００　ｒｐｍの回転数でスピンコードして記録
層を作製し、その上にポリスチレンの５■／四塩化炭素
溶液を２００Ｏｒｐｍの回転数でスピンコードして耐熱
性高分子層を形成し、さらにオキシエチルセルロースの
２０　ｍｇ／　　ｙｋｊｔ８？＆ヲ２００Ｏｒｐｍ回転
数でスピンコードして変形しやすい高分子層を形成した
。

波長８３０ｎｍの半導体レーザ、ＮＡｏ、５の対物レン
ズを持つ光学系の記録装置で５００ＫＩＩｚ　　のｉ　
−信号を記録レーザパワー７１、線速１．３ｍ／ｓで記
録した。このときのＣ／Ｎ比は４７ｄＢであった。

この光ディスクを７０℃の乾燥器に８時間放面したがＣ
／Ｎ比は４５ｄＢでほとんど変化はみられなかった。

比較例１ 実施例１においてポリスチレンの耐熱性高分子層を作製
しない光ディスクに対して、同じ記録条件で記録したと
き、Ｃ／Ｎ比は４９ｄＢであった。

この光ディスクを７０℃の乾燥器に８時間放置したとこ
ろＣ／Ｎ比は２８ｄＢとなった。

実施例２ 実施例においてポリカーボネートをクロロホルムと四塩
化炭素の混合溶媒に５■／−溶かした溶液を２００Ｏｒ
ｐｍの回転数でスピンコードして耐熱性高分子層を形成
したときＣ／Ｎ比は４５ｄＢであった。この光ディスク
を７０℃の乾燥器に８時間放置したがＣ／Ｎ比は４５ｄ
Ｂでほとんど変化はみられなかった。

実施例３ 実施例１においてポリメチルメタクリル酸メチルをクロ
ロホルムと四塩化炭素の混合溶媒に８ｍｇ／ｍｌ溶かし
た？８液を２００Ｏｒｐｍの回転数でスピンコートシて
耐熱性高分子層を形成したときＣ／Ｎ比は４４ｄＢであ
った。この光ディスクを７０℃の乾燥器に８時間放置し
たがＣ／Ｎ比は４４ｄＢでほとんど変化はみられなかっ
た。

実施例４ 実施例１においてポリイソプレンの７０■／−トルエン
？８液を２００Ｏｒｐｍの回転数でスピンコードして変
形しやすい高分子層を形成したときＣ／Ｎ比は４８ｄＢ
であった。この光ディスクを７０℃の乾燥器に８時間放
置したがＣ／Ｎ比は４２ｄＢでほとんど変化はみられな
かった。

実施例５ 実施例１においてポリカーボネートをクロロホルムと四
塩化炭素の混合溶媒に５■／−溶かした溶液を２０００
ｒｐｍの回転数でスピンコードして耐熱性高分子層を形
成したときＣ／Ｎ比は４５ｄＢであった。この光ディス
クを７０℃の乾燥器に８時間放置したがＣ／Ｎ比は４３
ｄＢでほとんど変化はみられなかった。

実施例６ 実施例１において水溶性ナイロンの３０■／−溶液を２
０００ｒｐｍの回転数でスピンコードして変形しやすい
高分子層を形成したときＣ／Ｎ比は４２ｄＢであった。

この光ディスクを７０℃の乾燥器に８時間放置したがＣ
／Ｎ比は４１ｄＢでほとんど変化はみられなかった。

実施例７ ポリカーボネート製透明基板に構造式Ｉで示さレルシア
ニン色素２０■／ｄのジクロロエタン溶液を１０００ｒ
ｐＩＩの回転数でスピンコードして記録層を作製し、そ
の上にポリスチレンとシニアン色素を四塩化炭素とジク
ロロエタン混合溶媒に溶かした溶液を２００Ｏｒｐｍの
回転数でスピンコードして耐熱性高分子層を形成し、さ
らにポリビニルピロリドンの２００■／　ｍｌ水）容液
を２Ｃ）ＯＯｒｐｍの回転数でスピンコードして変形し
やすい高分子層を形成した。波長８３０ｎｍの半導体レ
ーザ、Ｎｉ２．５の対物レンズを持つ光学系の記録装置
で５００　Ｋ　Ｉｌｚの単一信号を記録レーザパワー６
．５ｍｗ、、線速１．３ｍ／ｓで記録した。このときの
Ｃ／Ｎ比は４８ｄＢであった。この光ディスクを７０℃
の乾燥器に８時間放置したがＣ／Ｎ比は４５ｄＢでほと
んど変化はみられなかった。

発明の効果 以上のように本発明は耐熱性高分子層を設けることによ
り高温環境下においても空隙の変形を抑制することが出
来た。

【図面の簡単な説明】

図は本発明の光ディスクの断面図である。 ｌ・・・・・・透明基板、２・・・・・・記録層、３・
・・・・・耐熱性高分子層、４・・・・・・変形しやす
い高分子層、５・・・・・・反射層。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. （１）透明基板上に記録層を有し、その上に耐熱性の高
   分子層を有し、その上に変形しやすい高分子層を有し、
   さらにその上に反射層を有することを特徴とする光ディ
   スク。
2. （２）記録用レーザ光の照射により記録層が分解し、耐
   熱性高分子層と透明基板との間に空隙を形成することを
   特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光ディスク
   。
3. （３）記録時の空隙の形成にともなって耐熱性高分子層
   が変形することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
   記載の光ディスク。
4. （４）耐熱性高分子層に記録層と同じ波長域に吸収を持
   つ色素を分散させたことを特徴とする特許請求の範囲第
   （１）項記載の光ディスク。
5. （５）記録層を退色することにより、記録層が再生光に
   対して透明な状態にすることを特徴とする特許請求の範
   囲第（１）項記載の光ディスク。
6. （６）再生光として記録層による吸収がない波長領域の
   光を用いることにより、記録層が再生光に対して透明な
   状態にすることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
   記載の光ディスク。