JPH01175714A - 薄膜誘電体コンデンサ - Google Patents

薄膜誘電体コンデンサ

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JPH01175714A
JPH01175714A JP33449687A JP33449687A JPH01175714A JP H01175714 A JPH01175714 A JP H01175714A JP 33449687 A JP33449687 A JP 33449687A JP 33449687 A JP33449687 A JP 33449687A JP H01175714 A JPH01175714 A JP H01175714A
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JP
Japan
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dielectric
film
thickness
solvent
capacitor
Prior art date
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Pending
Application number
JP33449687A
Other languages
English (en)
Inventor
Mikio Haga
羽賀 幹夫
Yoshinobu Tsujimoto
辻本 好伸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は薄膜誘電体を用いたコンデンサに関するもので
あり、フィルムコンデンサの小形、軽量、低コスト化を
目的とする。
従来の技術 機器の小形・軽量化志向、高集積回路の採用による電子
回路の高密度化あるいは、自動挿入の普及などに伴い、
電子部品に対する小形化の要請がますます強くなってき
ている。その中にあって、フィルムコンデンサも同様に
小形化へと種々の開発が試みられている。コンデンサの
単位体積当たりの静電容量は、誘電体の誘電率に比例し
、誘電体の厚さの自乗に反比例する。従って、従来のフ
ィルムコンデンサの小形化を図るためには、誘電体の誘
電率を大きくするか、または誘電体の厚さを薄くするこ
とが必要である。特に、誘電体の厚さを薄くすることに
より大幅な小形化が可能となる。
発明が解決しようとする問題点 一般に、フィルムコンデンサの誘電体材料としテハ、ポ
リエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリスチ
レン、ポリカーボネートなどからなるフィルムが使用さ
れている。これらのフィルムの厚さは3〜6μmが普通
であるが、近年市場の要請に応じて厚さ1.6μmのポ
リエチレンテレフタレートフィルムも上布されている。
しかしながら、厚さ1.6μmのフィルムを工業的規模
で生産する場合には、そのフィルムの薄さから生じる多
くの技術的問題点がある。したがって、厚さが薄いフィ
ルムを安価に量産することはきわめてむずかしく、その
ためフィルムの厚み1.5μm程度が工業生産の限界と
考えられている。
又、フィルムコンデンサの誘電体材料として、誘電体の
薄膜化を図るために、ポリカーボネートなどからなるコ
ーティング薄膜も一部使用されている。しかしながら、
コーティング薄膜についてもその厚さが薄くなると、コ
ーティング時に生ずるピンホールにより耐電圧特性が大
幅に低下するため、コーティング薄膜の厚みは1μm程
度が限界と考えられている。
本発明は上記コンデンサにおける誘電体膜厚の限界を打
破し、コンデンサの大幅な小形、軽量、低コスト化を図
らんとするものである。
問題点を解決するための手段 本発明の薄膜誘電体コンデンサは、上記問題点の解決し
たもので、無溶剤製膜工法にて形成され、その膜厚が0
.06〜0.5μmである誘電体薄膜をコンデンサの誘
電体として用いている。
作用 上記構成により、コンデンサの大幅な小形、軽量、低コ
スト化が可能なことを確認した。
蒸着、スパフタリング、プラズマCVDなどの無溶剤製
膜工法により形成される誘電体11ノは、極めて緻密で
、ピンホールなどが少ないことから優れた耐電圧特性を
有しており、また一般に誘電体薄膜の膜厚が減少するに
つれて単位厚み当たりの耐電圧が向上する事から、従来
の誘電体験に比べて、耐電圧を維持しつつ大幅な薄膜化
が可能となることが明らかとなった。
しかしながら、各種の無溶剤製膜工法による緻密な誘電
体薄膜においても、ピンホールなどの欠陥部がないにも
かかわらず、その膜厚が0.06 ttmに満たない場
合には、コンデンサ用として十分な耐電圧が得られない
。また、無溶剤製膜工法による製膜速度が十分でないこ
とから、コンデンサ用としての応用を考えると、その膜
厚はQ、511m程度以下であることが必要であると考
えられる。
実施例 以下に本発明の実施例を示し、図を参照して具体的に説
明する。
(以下余 白) なお、誘電体の耐電圧試験は図に示すような構造を有す
る試料を作製して行った。対向電極面積は10−とし、
これにo、tsV/sθCにて電圧を負荷し、1 mム
の電流が流れた時の電圧を耐電圧とした。
」−表の結果から明らかなように、無溶剤製膜工法にて
形成された誘電体薄膜は0.06μm以上の膜厚を有す
るときには優れた耐電圧特性を示す。
これに対して、溶剤を用いた製膜法であるコーティング
法にて形成された誘電体薄膜は0.5μmの膜厚を有す
るにもかかわらず、1ov程度の低い耐電圧しか示さな
かった。
発明の効果 以上のように、本発明によれば誘電体の大幅な薄膜化が
可能となり、フィルムコンデンサの小形、軽量、低コス
ト化を図ることができ、その産業性は大なるものである
【図面の簡単な説明】
図は本発明の薄膜誘電体コンデンサに用いられる誘電体
の耐電圧試験用試料の断面図である。 1・・・・・・ガラス基板、2・・・・・・下部電極、
3・・・・・・誘電体層、4・・・・・・上部電極。

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)無溶剤製膜工法にて形成される誘電体を用い、そ
    の膜厚が0.05〜0.5μmであることを特徴とする
    薄膜誘電体コンデンサ。
  2. (2)無溶剤製膜工法が、蒸着法、スパッタリング法、
    又はプラズマCVD法のいずれかである特許請求の範囲
    第1項記載の薄膜誘電体コンデンサ。
  3. (3)誘電体が有機高分子材料であるポリイミド、ポリ
    アミド、ポリユリア、ポリウレタンのうちのいずれかで
    ある特許請求の範囲第1項または第2項記載の薄膜誘電
    体コンデンサ。
  4. (4)誘電体が無機強誘電体材料であるチタン酸バリウ
    ム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸鉛のうちのいず
    れかである特許請求の範囲第1項または第2項記載の薄
    膜誘電体コンデンサ。
JP33449687A 1987-12-29 1987-12-29 薄膜誘電体コンデンサ Pending JPH01175714A (ja)

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Cited By (2)

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