JPH0432527B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0432527B2 JPH0432527B2 JP5051987A JP5051987A JPH0432527B2 JP H0432527 B2 JPH0432527 B2 JP H0432527B2 JP 5051987 A JP5051987 A JP 5051987A JP 5051987 A JP5051987 A JP 5051987A JP H0432527 B2 JPH0432527 B2 JP H0432527B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- film
- plastic film
- metallized plastic
- sides
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 15
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 14
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 claims description 12
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 10
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011104 metalized film Substances 0.000 claims description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 10
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 8
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子機器、情報機器等の電気回路に
使用する金属化プラスチツクフイルムコンデンサ
に関するものである。
使用する金属化プラスチツクフイルムコンデンサ
に関するものである。
従来の技術
近年、電子機器等の軽薄短小化、高性能化が進
む中で、電子部品の小形化、高性能への要望が高
まつてきており、金属化プラスチツクフイルムコ
ンデンサにおいてもこれらへの取組が急務となり
つつある。
む中で、電子部品の小形化、高性能への要望が高
まつてきており、金属化プラスチツクフイルムコ
ンデンサにおいてもこれらへの取組が急務となり
つつある。
以下に従来の金属化プラスチツクフイルムコン
デンサについて説明を行う。
デンサについて説明を行う。
図は金属化プラスチツクフイルムコンデンサの
一例の構造を示す断面図である。図において、１
は誘電体フイルム、２は誘電体フイルムの両面に
真空蒸着によつて形成された電極、３は上記両面
金属化フイルムの両面に電極引き出し部を幅方向
の両側に残して形成した薄膜誘電体塗工層であ
り、これにより一枚の複合金属化フイルムをな
す。この複合金属化フイルムを積層した後、両端
面部にメタリコン電極４を形成することによりコ
ンデンサ素子が得られる。
一例の構造を示す断面図である。図において、１
は誘電体フイルム、２は誘電体フイルムの両面に
真空蒸着によつて形成された電極、３は上記両面
金属化フイルムの両面に電極引き出し部を幅方向
の両側に残して形成した薄膜誘電体塗工層であ
り、これにより一枚の複合金属化フイルムをな
す。この複合金属化フイルムを積層した後、両端
面部にメタリコン電極４を形成することによりコ
ンデンサ素子が得られる。
従来の金属化プラスチツクフイルムコンデンサ
において、誘電体フイルムとして、主としてポリ
エチレンテレフタレートが、塗工誘電体として、
主としてポリカーボネートが用いられている。こ
れらの材料は優れた電気特性を有しているが、そ
の誘電率は高々３程度であり、又フイルム、塗工
膜共すでに1μｍ程度まで薄膜化されている。
において、誘電体フイルムとして、主としてポリ
エチレンテレフタレートが、塗工誘電体として、
主としてポリカーボネートが用いられている。こ
れらの材料は優れた電気特性を有しているが、そ
の誘電率は高々３程度であり、又フイルム、塗工
膜共すでに1μｍ程度まで薄膜化されている。
発明が解決しようとする問題点
コンデンサの静電容量は誘電体の誘電率と電極
の面積に比例し、電極間の距離に反比例すること
が知られている。従つて、小形化、即ち単位体積
当たりの静電容量を大きくするためには、高誘電
率の誘電体を用いるか、又は、誘電体の薄膜化を
図ることが必要となる。
の面積に比例し、電極間の距離に反比例すること
が知られている。従つて、小形化、即ち単位体積
当たりの静電容量を大きくするためには、高誘電
率の誘電体を用いるか、又は、誘電体の薄膜化を
図ることが必要となる。
しかしながら、誘電体の薄膜化については、上
記のとおりフイルム、塗工膜ともにすでに1μｍ
程度まで薄膜化されており、これ以上の薄膜化は
電気特性の劣化、作業性の低下を招くため困難な
状況にある。
記のとおりフイルム、塗工膜ともにすでに1μｍ
程度まで薄膜化されており、これ以上の薄膜化は
電気特性の劣化、作業性の低下を招くため困難な
状況にある。
従つて、本発明においては、塗工誘電体材料の
高誘電率化によりコンデンサの小形化を図ること
を目的とするものである。
高誘電率化によりコンデンサの小形化を図ること
を目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明の金属化プラスチツクフイルムコンデン
サは、両面金属化プラスチツクフイルムの両面又
は片面に、電極引き出し部を幅方向の両側に残し
て薄膜誘電体塗工層を形成し、これを積層又は巻
回して前記両側にメタリコン電極を形成した構造
において、前記薄膜誘電体塗工層の材料としてポ
リフエニレンオキサイドと微粉末セラミツク誘電
体とから成る複合誘電体を用いたことを特徴とす
る。
サは、両面金属化プラスチツクフイルムの両面又
は片面に、電極引き出し部を幅方向の両側に残し
て薄膜誘電体塗工層を形成し、これを積層又は巻
回して前記両側にメタリコン電極を形成した構造
において、前記薄膜誘電体塗工層の材料としてポ
リフエニレンオキサイドと微粉末セラミツク誘電
体とから成る複合誘電体を用いたことを特徴とす
る。
作 用
本発明の特徴は前述のように、金属化プラスチ
ツクフイルムコンデンサの一方の誘電体である薄
膜誘電体塗工層の材料としてポリフエニレンオキ
サイドと微粉末セラミツク誘電体とからなる複合
誘電体を用いたことにある。
ツクフイルムコンデンサの一方の誘電体である薄
膜誘電体塗工層の材料としてポリフエニレンオキ
サイドと微粉末セラミツク誘電体とからなる複合
誘電体を用いたことにある。
すなわち、薄膜誘電体塗工層の材料として、優
れた電気特性、耐熱性等を有するポリフエニレン
オキサイドの誘電率は約2.6であるが、これに微
粉末のセラミツク誘電体を分散、配合することに
より、大幅な電気特性の低下を招くことなく、複
合誘電体の大幅な高誘電率化を実現することを得
たものである。
れた電気特性、耐熱性等を有するポリフエニレン
オキサイドの誘電率は約2.6であるが、これに微
粉末のセラミツク誘電体を分散、配合することに
より、大幅な電気特性の低下を招くことなく、複
合誘電体の大幅な高誘電率化を実現することを得
たものである。
微粉末セラミツク誘電体としては、フイルムコ
ンデンサ特有の高性能を維持するため、電気特性
の良好なルチル型の酸化チタンを用いることが必
要である。これは高誘電率のチタン酸バリウムを
加えることにより誘電率の向上が可能であるが、
その添加量が複合誘電体の総量の５重量％を越え
ると電気特性、特に温度特性が低下し、好ましく
ない。
ンデンサ特有の高性能を維持するため、電気特性
の良好なルチル型の酸化チタンを用いることが必
要である。これは高誘電率のチタン酸バリウムを
加えることにより誘電率の向上が可能であるが、
その添加量が複合誘電体の総量の５重量％を越え
ると電気特性、特に温度特性が低下し、好ましく
ない。
微粉末セラミツク誘電体の添加量としては、複
合誘電体の総量の80重量％以下、好ましくは70〜
50重量％であることが必要である。80重量％を越
えると複合誘電体塗工膜の膜質が劣化するため、
好しくない。
合誘電体の総量の80重量％以下、好ましくは70〜
50重量％であることが必要である。80重量％を越
えると複合誘電体塗工膜の膜質が劣化するため、
好しくない。
実施例
以下、本発明を実施例および比較例により説明
する。
する。
実施例 １
ポリフエニレンオキサイドの粉末40ｇをトリク
レン400ｇに均一に溶解した後、平均粒径0.2μｍ
のルチル型の酸化チタン60ｇを添加し、撹拌混合
した後、更にボールミルにて4Hr.処理し、塗工
液を得た。
レン400ｇに均一に溶解した後、平均粒径0.2μｍ
のルチル型の酸化チタン60ｇを添加し、撹拌混合
した後、更にボールミルにて4Hr.処理し、塗工
液を得た。
この塗工液をグラビアコーターを用いて、金属
化ポリエチレンテレフタレートフイルム上に塗工
し、膜厚1.0μｍの複合誘電体膜を得た。
化ポリエチレンテレフタレートフイルム上に塗工
し、膜厚1.0μｍの複合誘電体膜を得た。
この複合誘電体膜の誘電率は8.2であつた。
実施例 ２
ポリフエニレンオキサイドの粉末40ｇをトリク
レン400ｇに均一に溶解した後、平均粒径0.2μｍ
のルチル型の酸化チタン56ｇ、平均粒径0.15μｍ
のチタン酸バリウム４ｇを添加し、撹拌混合した
後、更にボールミルにて4Hr.処理し、塗工液を
得た。
レン400ｇに均一に溶解した後、平均粒径0.2μｍ
のルチル型の酸化チタン56ｇ、平均粒径0.15μｍ
のチタン酸バリウム４ｇを添加し、撹拌混合した
後、更にボールミルにて4Hr.処理し、塗工液を
得た。
この塗工液をグラビアコーターを用いて、金属
化ポリエチレンテレフタレートフイルム上に塗工
し、膜厚1.0μｍの複合誘電体膜を得た。
化ポリエチレンテレフタレートフイルム上に塗工
し、膜厚1.0μｍの複合誘電体膜を得た。
この複合誘電体膜の誘電率は18.9であつた。
比較例
ポリフエニレンオキサイドの粉末50ｇをトリク
レン400ｇに均一に溶解し、塗工液を得た。
レン400ｇに均一に溶解し、塗工液を得た。
この塗工液をグラビアコーターを用いて、金属
化ポリエチレンテレフタレートフイルム上に塗工
し、膜厚1.0μｍのポリフエニレンオキサイドの誘
電体膜を得た。
化ポリエチレンテレフタレートフイルム上に塗工
し、膜厚1.0μｍのポリフエニレンオキサイドの誘
電体膜を得た。
この誘電体膜の誘電率は2.6であつた。
発明の効果
以上の結果から明らかなように、薄膜誘電体塗
工層の材料として、ポリフエニレンオキサイドと
微粉末セラミツク誘電体とからなる複合誘電体を
用いることにより塗工誘電体膜を高誘電率化が可
能となり、コンデンサの小形化、即ち単位体積当
たりの静電容量の増大を図ることが出来る。
工層の材料として、ポリフエニレンオキサイドと
微粉末セラミツク誘電体とからなる複合誘電体を
用いることにより塗工誘電体膜を高誘電率化が可
能となり、コンデンサの小形化、即ち単位体積当
たりの静電容量の増大を図ることが出来る。
図は本発明の適用される金属化プラスチツクフ
イルムコンデンサの一例の構造を示す断面図であ
る。 １……誘電体フイルム、２……蒸着金属電極、
３……薄膜誘電体塗工層、４……メタリコン電
極。
イルムコンデンサの一例の構造を示す断面図であ
る。 １……誘電体フイルム、２……蒸着金属電極、
３……薄膜誘電体塗工層、４……メタリコン電
極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 両面金属化プラスチツクフイルムの両面又は
片面に、電極引き出し部を幅方向の両側に残して
薄膜誘電体塗工層を形成し、これを積層又は巻回
して前記両側にメタリコン電極を形成することに
より構成され、かつ前記薄膜誘電体塗工層の材料
として、ポリフエニレンオキサイドと微粉末セラ
ミツク誘電体とから成る複合誘電体を用いたこと
を特徴とする金属化プラスチツクフイルムコンデ
ンサ。 ２ 微粉末セラミツク誘電体がルチル型の酸化チ
タンである特許請求の範囲第１項記載の金属化プ
ラスチツクフイルムコンデンサ。 ３ 微粉末セラミツク誘電体がルチル型の酸化チ
タンとチタン酸バリウムとの混合物である特許請
求の範囲第１項記載の金属化プラスチツクフイル
ムコンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5051987A JPS63216323A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 金属化プラスチツクフイルムコンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5051987A JPS63216323A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 金属化プラスチツクフイルムコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216323A JPS63216323A (ja) | 1988-09-08 |
| JPH0432527B2 true JPH0432527B2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=12861222
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5051987A Granted JPS63216323A (ja) | 1987-03-05 | 1987-03-05 | 金属化プラスチツクフイルムコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63216323A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797525B2 (ja) * | 1989-09-29 | 1998-09-17 | 東レ株式会社 | コンデンサ |
| JP2786298B2 (ja) * | 1990-03-02 | 1998-08-13 | 株式会社日立製作所 | フイルムコンデンサ及びその製造方法 |
| CN112885601B (zh) * | 2020-12-28 | 2022-04-22 | 苏州创浩新材料科技有限公司 | 一种mlcc电容器的制备方法 |
-
1987
- 1987-03-05 JP JP5051987A patent/JPS63216323A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63216323A (ja) | 1988-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7567426B2 (en) | Polymer-ceramic dielectric composition, embedded capacitor using the dielectric composition and printed circuit board having the capacitor embedded therein | |
| US5757610A (en) | Dielectric ceramic and monolithic ceramic electronic part using the same | |
| US20100259865A1 (en) | Film capacitors with improved dielectric strength breakdown | |
| US11784001B2 (en) | Multilayer ceramic electronic component | |
| JP5743689B2 (ja) | コンデンサ | |
| US4190878A (en) | Self-healing electrical capacitor | |
| JPH0432527B2 (ja) | ||
| JPH03116706A (ja) | 金属化フィルムコンデンサ | |
| JP2010192787A (ja) | フィルムコンデンサ | |
| JPS63224313A (ja) | 金属化プラスチツクフイルムコンデンサ | |
| JPS6159714A (ja) | 複合誘電体コンデンサ | |
| JPH0312909A (ja) | フィルムコンデンサ | |
| JP2003077753A (ja) | 金属化フィルムコンデンサ | |
| JPH04243110A (ja) | 金属化プラスチックフィルムコンデンサ | |
| JPS6094716A (ja) | 薄膜コンデンサ | |
| JPH01300511A (ja) | フィルムコンデンサ | |
| JPH0533524B2 (ja) | ||
| JPH0113206B2 (ja) | ||
| JPS59158512A (ja) | 高誘電体薄膜コンデンサ | |
| JPH0557852A (ja) | 電気用積層板 | |
| JPS596524A (ja) | 油浸コンデンサ | |
| US20180211785A1 (en) | Electronic component and substrate including electronic component | |
| JPH02121319A (ja) | プラスチックフィルムコンデンサ | |
| JPH02305422A (ja) | 金属化プラスチックフィルムコンデンサ | |
| JPS59149016A (ja) | 金属化フイルムコンデンサ |