JPH01173607A - 超電導コイルの製造方法 - Google Patents
超電導コイルの製造方法Info
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- JPH01173607A JPH01173607A JP33109687A JP33109687A JPH01173607A JP H01173607 A JPH01173607 A JP H01173607A JP 33109687 A JP33109687 A JP 33109687A JP 33109687 A JP33109687 A JP 33109687A JP H01173607 A JPH01173607 A JP H01173607A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、超電導コイルの製造方法に関するものであ
る。
る。
超電導物質は、既に高エネルギー粒子加速器、医療診断
用MHI−CT物性研究装置等において、超電導マグネ
ットの形で実用化されている。また、発電機、エネルギ
ーの貯蔵や変換、リニアモーターカー、資源回収用磁気
分離装置、核融合炉、送電ケーブル、磁気シールド材等
への応用、さらには、ジョセフノン効果を用いた超電導
素子は、超高速コンピューター、赤外線検出器、低雑音
の増トの大きさは、未だ測りがたい。
用MHI−CT物性研究装置等において、超電導マグネ
ットの形で実用化されている。また、発電機、エネルギ
ーの貯蔵や変換、リニアモーターカー、資源回収用磁気
分離装置、核融合炉、送電ケーブル、磁気シールド材等
への応用、さらには、ジョセフノン効果を用いた超電導
素子は、超高速コンピューター、赤外線検出器、低雑音
の増トの大きさは、未だ測りがたい。
これまでに開発された超電導物質の代表的なものとして
、Nb −Ti 合金があり、これは、現在9Tまで
の磁界発生用線材として広く使用されている。
、Nb −Ti 合金があり、これは、現在9Tまで
の磁界発生用線材として広く使用されている。
Nb −Ti合金の’rc (超電導状態が存在する臨
界温度)は、9にである。また、Nb−Ti合金よりも
格段に高いTeを有する材料として化合物系超電導物質
が開発され、現在Nbs an (Tc :18 K
)とv、o。
界温度)は、9にである。また、Nb−Ti合金よりも
格段に高いTeを有する材料として化合物系超電導物質
が開発され、現在Nbs an (Tc :18 K
)とv、o。
(Tc:15K)が線材化され実用に供せられている。
さらに、Nb、G、では23にのTcが得られている。
このように長年に亘って高Tc超電導物質を得るための
努力がなされてきたが、従来の合金系および化合物系超
電導物質においては、Tc23Kが大きな壁になってい
る。Tcが23に以下の超電導物質の冷却には、高価な
液体ヘリウムが必要であり、このことが超電導物質の広
範な応用を阻害している。このTeの壁を打破する材料
として、1986年にIBMチューリッヒのMMlle
r氏等が、Bα−La−Cu−0系の酸化物で超電導の
徴候が認められたと発表して以来、酸化物系超電導物質
の開発競争に拍車がかかった。1986年にはTc 4
OKであったものが、1987年の初には、早くも7
7にの液体窒素温度を超えるY −Ba −Cu −0
系超電導物質が開発され、Tcは約93Kに達した。さ
らに、その後も精力的な開発が続けられてお一す、今の
ところ安全性等に問題はあるものの室温で超電導現象を
示す超電導物質の開発も報告されている。
努力がなされてきたが、従来の合金系および化合物系超
電導物質においては、Tc23Kが大きな壁になってい
る。Tcが23に以下の超電導物質の冷却には、高価な
液体ヘリウムが必要であり、このことが超電導物質の広
範な応用を阻害している。このTeの壁を打破する材料
として、1986年にIBMチューリッヒのMMlle
r氏等が、Bα−La−Cu−0系の酸化物で超電導の
徴候が認められたと発表して以来、酸化物系超電導物質
の開発競争に拍車がかかった。1986年にはTc 4
OKであったものが、1987年の初には、早くも7
7にの液体窒素温度を超えるY −Ba −Cu −0
系超電導物質が開発され、Tcは約93Kに達した。さ
らに、その後も精力的な開発が続けられてお一す、今の
ところ安全性等に問題はあるものの室温で超電導現象を
示す超電導物質の開発も報告されている。
液体窒素温度で使用可能な高温超電導物質の発見は、前
述した応用分野への期待度を増々高めるものであるが、
超電導物質を皮膜化し、これをコイル状に形成して超電
導コイルを容易に製造することができる方法は現在のと
ころ未だ提案されていない。
述した応用分野への期待度を増々高めるものであるが、
超電導物質を皮膜化し、これをコイル状に形成して超電
導コイルを容易に製造することができる方法は現在のと
ころ未だ提案されていない。
従って、この発明の目的は、皮膜化した超電導物質から
なる超電導コイルを容易に製造することにある。
なる超電導コイルを容易に製造することにある。
この発明は、絶縁物からなるリング状基板と対向して、
第1.第2および第3皮膜形成手段を、前記基板の周方
向にそって間隔をあけて設け、前記基板をその中心軸線
を中心として回転させ、前記皮膜形成手段のうち、前記
基板の回転方向上流側の前記第1皮膜形成手段によって
、前記基板の表面上に金属粒子を付着させて、前記基板
の表面上に伝熱皮膜を連続的に形成し、前記第1皮膜形
成手段より下流側の前記第2皮膜形成手段によって、前
記伝熱皮膜の表面上に、Cu工OY基を含む複合酸化物
超電導物質の粒子を付着させて、前記伝熱皮膜の表面上
に超電導皮膜を連続的に形成し、前記第2皮膜形成手段
より下流側の第3皮膜形成手段によって、前記超電導皮
膜の表面上に絶縁物の粒子を付着させて、前記超電導皮
膜の表面上に絶縁皮膜を連続的に形成し、かくして、前
記基板の表面上に、前記伝熱皮膜と前記超電導皮膜と前
記絶縁皮膜とをスパイラル状に積層させることに特徴を
有するものである。
第1.第2および第3皮膜形成手段を、前記基板の周方
向にそって間隔をあけて設け、前記基板をその中心軸線
を中心として回転させ、前記皮膜形成手段のうち、前記
基板の回転方向上流側の前記第1皮膜形成手段によって
、前記基板の表面上に金属粒子を付着させて、前記基板
の表面上に伝熱皮膜を連続的に形成し、前記第1皮膜形
成手段より下流側の前記第2皮膜形成手段によって、前
記伝熱皮膜の表面上に、Cu工OY基を含む複合酸化物
超電導物質の粒子を付着させて、前記伝熱皮膜の表面上
に超電導皮膜を連続的に形成し、前記第2皮膜形成手段
より下流側の第3皮膜形成手段によって、前記超電導皮
膜の表面上に絶縁物の粒子を付着させて、前記超電導皮
膜の表面上に絶縁皮膜を連続的に形成し、かくして、前
記基板の表面上に、前記伝熱皮膜と前記超電導皮膜と前
記絶縁皮膜とをスパイラル状に積層させることに特徴を
有するものである。
次に、この発明の一実施態様の、超電導コイルの製造方
法を図面を参照しながら説明する。
法を図面を参照しながら説明する。
第1図は、この発明の一実施態様の、超電導コイルの製
造方法を示す断面図である。
造方法を示す断面図である。
第1図において、第1.第2および第3皮膜形成手段1
,2.3は、真空容器4内に垂直に設けられたリング状
基板5と対向して、基板5の周方向にそって間隔をあけ
て設けられている。基板5は、A1203 、 Zr
、 YSZ 等の絶縁物からなり、回転手段(図示せ
ず)によって、その中心軸線を中心として回転する。
,2.3は、真空容器4内に垂直に設けられたリング状
基板5と対向して、基板5の周方向にそって間隔をあけ
て設けられている。基板5は、A1203 、 Zr
、 YSZ 等の絶縁物からなり、回転手段(図示せ
ず)によって、その中心軸線を中心として回転する。
第1皮膜形成手段1は、基板5の回転方向上流側に設け
られ、第1溶射ノズル6とこの中に挿入された第1電極
マと、第1溶射ノズル6と第1電極7との間に接続され
た第1電源8とからなっている。第2皮膜形成手段2は
、第1皮膜形成手段lの下流側に設けられ、第2溶射ノ
ズル9とこの中に挿入された第2電極10と、第2溶射
ノズル9と第2電極10との間に接続された第2電源1
1とからなっている。第3皮膜形成手段3は、第3溶射
ノズル12とこの中に挿入された第3電極13と、第3
溶射ノズル12と第3電極13との間に接続された第3
電源14とからなっている。
られ、第1溶射ノズル6とこの中に挿入された第1電極
マと、第1溶射ノズル6と第1電極7との間に接続され
た第1電源8とからなっている。第2皮膜形成手段2は
、第1皮膜形成手段lの下流側に設けられ、第2溶射ノ
ズル9とこの中に挿入された第2電極10と、第2溶射
ノズル9と第2電極10との間に接続された第2電源1
1とからなっている。第3皮膜形成手段3は、第3溶射
ノズル12とこの中に挿入された第3電極13と、第3
溶射ノズル12と第3電極13との間に接続された第3
電源14とからなっている。
第1皮膜形成手段1は、回転する基板5の表面上にCu
の粒子を付着させて、前記基板5の表面上に伝熱皮膜1
5を連続的に形成する。第2皮膜形成手段2は、回転す
る伝熱皮膜15の表面上に、CuxOy基を含む複合酸
化物超電導物質の粒子を付着させて、伝熱皮膜15の表
面上に超電導皮膜16を形成する。第3皮膜形成手段3
は、回転する超電導皮膜160表面上に、Al2O,、
Zr 、 YSZ等の絶縁物の粒子を付着させて、超電
導皮膜16の表面上に絶縁皮膜17を連続的に形成する
。
の粒子を付着させて、前記基板5の表面上に伝熱皮膜1
5を連続的に形成する。第2皮膜形成手段2は、回転す
る伝熱皮膜15の表面上に、CuxOy基を含む複合酸
化物超電導物質の粒子を付着させて、伝熱皮膜15の表
面上に超電導皮膜16を形成する。第3皮膜形成手段3
は、回転する超電導皮膜160表面上に、Al2O,、
Zr 、 YSZ等の絶縁物の粒子を付着させて、超電
導皮膜16の表面上に絶縁皮膜17を連続的に形成する
。
真空容器4内を減圧し、基板5を一方向に回転させなが
ら、第1.第2.第3溶射ノズル6.9゜12の後端部
内に、アルゴン、ヘリウム等の作動ガスを供給し、第1
溶射ノズル6の先端部内に、Cu の粒子を供給し、
第2溶射ノズル9の先端部内に、CuxOy基を含む複
合酸化物超電導物質の粒子を供給し、第3溶射ノズル1
2の先端部内に、A1203 、 Zr 、 YSZ等
の絶縁物質の粒子を供給する。
ら、第1.第2.第3溶射ノズル6.9゜12の後端部
内に、アルゴン、ヘリウム等の作動ガスを供給し、第1
溶射ノズル6の先端部内に、Cu の粒子を供給し、
第2溶射ノズル9の先端部内に、CuxOy基を含む複
合酸化物超電導物質の粒子を供給し、第3溶射ノズル1
2の先端部内に、A1203 、 Zr 、 YSZ等
の絶縁物質の粒子を供給する。
そして、第1.第2.第3電源8,11.14を作動さ
せて、第1溶射ノズル6から第1電極7、第2溶射ノズ
ル9から第2電極10、第3溶射ノズル12から第3電
極13に向けてそれぞれプラズマジェットを発生させる
。これによって、基板5の表面上には、伝熱皮膜15、
超電導皮膜16、絶縁皮膜17がスパイラル状に積層さ
れる。
せて、第1溶射ノズル6から第1電極7、第2溶射ノズ
ル9から第2電極10、第3溶射ノズル12から第3電
極13に向けてそれぞれプラズマジェットを発生させる
。これによって、基板5の表面上には、伝熱皮膜15、
超電導皮膜16、絶縁皮膜17がスパイラル状に積層さ
れる。
次に、この発明の他の実施態様の、超電導コイルの製造
方法を図面を参照しながら説明する。
方法を図面を参照しながら説明する。
第2図は、この発明の他の実施態様の超電導コイルの製
造方法を示す一部切欠き斜視図である。
造方法を示す一部切欠き斜視図である。
第2図において、第1皮膜形成手段lは、真空容器4内
に設けられた第1蒸着源18と、第1蒸着源18にレー
ザを照射するための第2レーザ光源21とからなってい
る。第1蒸着源1日は、Cuからなっている。第2皮膜
形成手段2は、真空容器4内に設けられた第2蒸着源2
oと、第2蒸着源20にレーザを照射するだめの第2レ
ーザ光源21とからなっている。第2蒸着源2oは、C
uxOy基を含む複合酸化物超電導物質からなっている
。
に設けられた第1蒸着源18と、第1蒸着源18にレー
ザを照射するための第2レーザ光源21とからなってい
る。第1蒸着源1日は、Cuからなっている。第2皮膜
形成手段2は、真空容器4内に設けられた第2蒸着源2
oと、第2蒸着源20にレーザを照射するだめの第2レ
ーザ光源21とからなっている。第2蒸着源2oは、C
uxOy基を含む複合酸化物超電導物質からなっている
。
第3皮膜形成手段3は、真空容器4内に設けられた第3
蒸着源22と、第2蒸着源22にレーザを照射するため
の第3レーザ光源23とからなっている。第1.第2.
第3蒸着源1B、20.22は、真空容器4内に水平に
設けられたリング状基板5と対向して、基板5の回転方
向上流側から順次、基板5の周方向にそって間隔をあけ
て設けられている。基板5は、u、o、 、 Zr 、
YSZ 等の絶縁物からなり、回転手段(図示せず
)によって、その中心軸線を中心として一方向に回転す
る。
蒸着源22と、第2蒸着源22にレーザを照射するため
の第3レーザ光源23とからなっている。第1.第2.
第3蒸着源1B、20.22は、真空容器4内に水平に
設けられたリング状基板5と対向して、基板5の回転方
向上流側から順次、基板5の周方向にそって間隔をあけ
て設けられている。基板5は、u、o、 、 Zr 、
YSZ 等の絶縁物からなり、回転手段(図示せず
)によって、その中心軸線を中心として一方向に回転す
る。
第1皮膜形成手段lは、回転する基板5の表面上にCu
の粒子を付着させて、前記基板5の表面上に伝熱皮膜1
5を連続的に形成する。第2皮膜形成手段2は、回転す
る伝熱皮膜15の表面上に、CuxOy基を含む複合酸
化物超電導物質の粒子を付着させて、伝熱皮膜15の表
面上に超電導皮膜16を形成する。第3皮膜形成手段3
は、回転する超電導皮膜16の表面上に、Affi20
3 、 Zr 、 YSZ等の絶縁物の粒子を付着さ
せて、超電導皮膜160表面上に絶縁皮膜17を連続的
に形成する。
の粒子を付着させて、前記基板5の表面上に伝熱皮膜1
5を連続的に形成する。第2皮膜形成手段2は、回転す
る伝熱皮膜15の表面上に、CuxOy基を含む複合酸
化物超電導物質の粒子を付着させて、伝熱皮膜15の表
面上に超電導皮膜16を形成する。第3皮膜形成手段3
は、回転する超電導皮膜16の表面上に、Affi20
3 、 Zr 、 YSZ等の絶縁物の粒子を付着さ
せて、超電導皮膜160表面上に絶縁皮膜17を連続的
に形成する。
真空容器4内を減圧し、基板5を一方向に回転させなが
ら、第1.第2.第3レーザ光源9.21゜23からレ
ーザ光線を第1.第2.第3蒸着源1B。
ら、第1.第2.第3レーザ光源9.21゜23からレ
ーザ光線を第1.第2.第3蒸着源1B。
20.22に照射する。これによって、基板5の表面上
に、伝熱皮膜15、超電導皮膜16、絶縁皮膜17がス
パイラル状に積層される。
に、伝熱皮膜15、超電導皮膜16、絶縁皮膜17がス
パイラル状に積層される。
なお、伝熱皮膜15によって通電時の発熱量が低減され
、絶縁皮膜17によってコイル間の絶縁性が高くなる。
、絶縁皮膜17によってコイル間の絶縁性が高くなる。
次に、この発明の実症例について説明する。
第1図に示す真空容器3内の回転手段に、内径30m、
外径50喘、厚み2mのAt203 13リング状基板
5をセットし、基板5を1分間当り戎回転させ、第1.
第2.第3皮膜成形手段1,2.3の作動ガスとして、
アルゴンガスとヘリウムガスとの混合ガス(Ar :
20t/m1n 、 He : 40t/min )を
使用し、第1溶射ノズル6に粒径10〜100μmのC
uの粒子を供給し、第2溶射ノズル9に粒径lO〜10
0μmのYo、3 BZ&0.7 Cu l o3−y
からなる超電導物質の粒子を供給し、そして、第3溶射
ノズル12に粒径10〜100μmのM、0.からなる
絶縁物質の粒子をそれぞれ連続的に供給し、第1.第2
.第3電源8,11.14から15Kvの電力を供給し
、そして、真空容器4内の気圧を80ミリバールに減圧
して、回転する基板5の表面上に厚み50μmの伝熱皮
膜15、厚み50μmの超電導皮膜16、厚み20μm
の絶縁皮膜17をスパイラル状に50タ一ン積層させた
。
外径50喘、厚み2mのAt203 13リング状基板
5をセットし、基板5を1分間当り戎回転させ、第1.
第2.第3皮膜成形手段1,2.3の作動ガスとして、
アルゴンガスとヘリウムガスとの混合ガス(Ar :
20t/m1n 、 He : 40t/min )を
使用し、第1溶射ノズル6に粒径10〜100μmのC
uの粒子を供給し、第2溶射ノズル9に粒径lO〜10
0μmのYo、3 BZ&0.7 Cu l o3−y
からなる超電導物質の粒子を供給し、そして、第3溶射
ノズル12に粒径10〜100μmのM、0.からなる
絶縁物質の粒子をそれぞれ連続的に供給し、第1.第2
.第3電源8,11.14から15Kvの電力を供給し
、そして、真空容器4内の気圧を80ミリバールに減圧
して、回転する基板5の表面上に厚み50μmの伝熱皮
膜15、厚み50μmの超電導皮膜16、厚み20μm
の絶縁皮膜17をスパイラル状に50タ一ン積層させた
。
このようにして製造した超電導コイルの臨界温度Tcお
よび臨界電流密度J’eを四端子抵抗測定法によって調
べた。この結果、TCは87に、Jcは300A/−で
あり、発熱量も少なく、しかも、コイル間の絶縁性も高
かった。
よび臨界電流密度J’eを四端子抵抗測定法によって調
べた。この結果、TCは87に、Jcは300A/−で
あり、発熱量も少なく、しかも、コイル間の絶縁性も高
かった。
次に、この発明の他の実施例について説明する。
第2図に示す真空容器4内の回転手段に、内径20vr
m、外径40+m、厚み2mのM、0.製リング状基板
5をセットし、真空容器4を1O−1)−ルの酸素雰囲
気に減圧し、基板5を6分間で1回転させ、第1.第2
.第3レーザ光源19,21.23からCO□レーザを
Cuからなる第1蒸着源18、Yo、3Bao、y C
ul 03−Yからなる第2蒸着源20 、 AI!、
O,からなる第3蒸着源22に同時に照射して、回転す
る基板50表面上に厚みがそれぞれ5μmの伝熱皮膜1
5、超電導皮膜16、絶縁皮膜17をスパイラル状に5
00タ一ン積層させた。
m、外径40+m、厚み2mのM、0.製リング状基板
5をセットし、真空容器4を1O−1)−ルの酸素雰囲
気に減圧し、基板5を6分間で1回転させ、第1.第2
.第3レーザ光源19,21.23からCO□レーザを
Cuからなる第1蒸着源18、Yo、3Bao、y C
ul 03−Yからなる第2蒸着源20 、 AI!、
O,からなる第3蒸着源22に同時に照射して、回転す
る基板50表面上に厚みがそれぞれ5μmの伝熱皮膜1
5、超電導皮膜16、絶縁皮膜17をスパイラル状に5
00タ一ン積層させた。
このようにして製造した超電導コイルの臨界温度Tcお
よび臨界電流密度Jcを四端子抵抗測定法によって調べ
だ。この結果、Tcは83に、Jc は10.00
OA/l−111であり、発熱量もきわめて少なく、し
かも、コイル間の絶縁性も高かった。
よび臨界電流密度Jcを四端子抵抗測定法によって調べ
だ。この結果、Tcは83に、Jc は10.00
OA/l−111であり、発熱量もきわめて少なく、し
かも、コイル間の絶縁性も高かった。
以上説明したように、この発明によれば、超電導コイル
を容易に製造することができ、しかも、絶縁皮膜と超電
導皮膜と伝熱皮膜とが交互に積層されているので、通電
時の発熱量を低減でき、しかも、コイル間の絶縁性を高
くできるというきわめて有用な効果がもたらされる。
を容易に製造することができ、しかも、絶縁皮膜と超電
導皮膜と伝熱皮膜とが交互に積層されているので、通電
時の発熱量を低減でき、しかも、コイル間の絶縁性を高
くできるというきわめて有用な効果がもたらされる。
第1図は、この発明の一実施態様を示す断面図、第2図
は、この発明の他の実施態様を示す一部切欠き斜視図で
ある。図面において、 1・・・第1皮膜形成手段、2・・・第2皮膜形成手段
、3・・・第3皮膜形成手段、4・・・真空容器、5・
・・基板、 6・・・第1溶射ノズル。 7・・・第1電極、 8・・・第1電源、9・・
・第2浴射ノズル、 10・・・第2電極、11・・・
第2電源、 12・・・第3溶射ノズル、13・
・・第3電極、 14・・・第3電源、15・・
・伝熱皮膜、 16・・・超電導皮膜、17・・
・絶縁皮膜、 18・・・第1蒸着源、19・・
・第2レーザ光源、 20・・・第2蒸着源、21・・
・第2レーザ光源、 22・・・第3蒸着源、23・・
・第3レーザ光源。
は、この発明の他の実施態様を示す一部切欠き斜視図で
ある。図面において、 1・・・第1皮膜形成手段、2・・・第2皮膜形成手段
、3・・・第3皮膜形成手段、4・・・真空容器、5・
・・基板、 6・・・第1溶射ノズル。 7・・・第1電極、 8・・・第1電源、9・・
・第2浴射ノズル、 10・・・第2電極、11・・・
第2電源、 12・・・第3溶射ノズル、13・
・・第3電極、 14・・・第3電源、15・・
・伝熱皮膜、 16・・・超電導皮膜、17・・
・絶縁皮膜、 18・・・第1蒸着源、19・・
・第2レーザ光源、 20・・・第2蒸着源、21・・
・第2レーザ光源、 22・・・第3蒸着源、23・・
・第3レーザ光源。
Claims (1)
- 絶縁物からなるリング状基板と対向して、第1,第2お
よび第3皮膜形成手段を、前記基板の周方向にそつて間
隔をあけて設け、前記基板をその中心軸線を中心として
回転させ、前記皮膜形成手段のうち、前記基板の回転方
向上流側の前記第1皮膜形成手段によつて、前記基板の
表面上に金属粒子を付着させて、前記基板の表面上に伝
熱皮膜を連続的に形成し、前記第1皮膜形成手段より下
流側の前記第2皮膜形成手段によつて、前記伝熱皮膜の
表面上に、CuxOy基を含む複合酸化物超電導物質の
粒子を付着させて、前記伝熱皮膜の表面上に超電導皮膜
を連続的に形成し、前記第2皮膜形成手段より下流側の
第3皮膜形成手段によって、前記超電導皮膜の表面上に
絶縁物の粒子を付着させて、前記超電導皮膜の表面上に
絶縁皮膜を連続的に形成し、かくして、前記基板の表面
上に、前記伝熱皮膜と前記超電導皮膜と前記絶縁皮膜と
をスパイラル状に積層させることを特徴とする、超電導
コイルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33109687A JPH01173607A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 超電導コイルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP33109687A JPH01173607A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 超電導コイルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01173607A true JPH01173607A (ja) | 1989-07-10 |
Family
ID=18239810
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33109687A Pending JPH01173607A (ja) | 1987-12-26 | 1987-12-26 | 超電導コイルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01173607A (ja) |
-
1987
- 1987-12-26 JP JP33109687A patent/JPH01173607A/ja active Pending
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