JPH01153521A - 超電導材の製造方法 - Google Patents
超電導材の製造方法Info
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- JPH01153521A JPH01153521A JP62309483A JP30948387A JPH01153521A JP H01153521 A JPH01153521 A JP H01153521A JP 62309483 A JP62309483 A JP 62309483A JP 30948387 A JP30948387 A JP 30948387A JP H01153521 A JPH01153521 A JP H01153521A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基材の表面上に超電導物質からなる皮膜が
形成された超電導材の製造方法に関するものである。
形成された超電導材の製造方法に関するものである。
超電導材料は、既に高エネルギ粒子加速器、医療診断用
MHI−CTおよび物性研究装置などにおいて、超電導
マグネットの形で実用化されている。このような超電導
材料の応用分野は広く、今後、例えば、発電機、エネル
ギーの貯蔵や変換、リニアモーターカー、資源回収用磁
気分離装置、核融合炉、送電ケーブルおよび磁気シール
ド材等に対する超電導材料の応用が期待されており、更
に、超高速度コンピューター、赤外線検出器、および、
低雑音の増幅器やミキサー等に対する、ジョセフソン効
果を利用した超電導素子の応用が期待されている。これ
らが本格的に実用化されたときの産業的および社会的イ
ンパクトの大きさは計り知れないものがある。
MHI−CTおよび物性研究装置などにおいて、超電導
マグネットの形で実用化されている。このような超電導
材料の応用分野は広く、今後、例えば、発電機、エネル
ギーの貯蔵や変換、リニアモーターカー、資源回収用磁
気分離装置、核融合炉、送電ケーブルおよび磁気シール
ド材等に対する超電導材料の応用が期待されており、更
に、超高速度コンピューター、赤外線検出器、および、
低雑音の増幅器やミキサー等に対する、ジョセフソン効
果を利用した超電導素子の応用が期待されている。これ
らが本格的に実用化されたときの産業的および社会的イ
ンパクトの大きさは計り知れないものがある。
これまでに開発された代表的な超電導材料としてはNb
−Ti合金があり、これは、現在9Tまでの磁界発生
用線材として、広く使用されている。Nb−Ti合金の
Tc (超電導状態が存在する臨界温度)は、9にであ
る。
−Ti合金があり、これは、現在9Tまでの磁界発生
用線材として、広く使用されている。Nb−Ti合金の
Tc (超電導状態が存在する臨界温度)は、9にであ
る。
このNb −Ti合金よりも格段に高いTcを有する超
電4材料として、化合物系の超電導材料が開発され、現
在、Nb1Sn (Tc : 18K )およびVsG
a (Tc :15K)が線材化され、実用に供されて
いる。更に、Nb、Geによれば、23にのTcが得ら
れている。
電4材料として、化合物系の超電導材料が開発され、現
在、Nb1Sn (Tc : 18K )およびVsG
a (Tc :15K)が線材化され、実用に供されて
いる。更に、Nb、Geによれば、23にのTcが得ら
れている。
このように、長年にわたって高Tcの超電導材料を得る
ための努力がなされてきたが、従来の合金系および化合
物系の超電導材料においては、現状ではTc23Kが大
きな壁になっている。即ち、Tcが23に以下の超電導
材料の冷却には、高価な液体ヘリウムを必要とするため
、これが超電導材料の広範な応用を阻害している。
ための努力がなされてきたが、従来の合金系および化合
物系の超電導材料においては、現状ではTc23Kが大
きな壁になっている。即ち、Tcが23に以下の超電導
材料の冷却には、高価な液体ヘリウムを必要とするため
、これが超電導材料の広範な応用を阻害している。
このTcの壁を大幅に打破する超電導物質に関し、19
86年に18Mチューリッヒ研究所のMuller氏等
が、Ba−La−Cu−0系の複合酸化物で超電導の徴
候が認められたことを発表して以来、複合酸化物超電導
物質の開発競争に拍車がかかった。即ち、1986年代
の超電導物質のTcは40に級であったが、翌年(19
87年)の初めには、早くも液体窒素の温度である77
Kを超えるTcを有するY−Ba−Cu−0系のCu、
O,基を含む複合酸化物超電導物質が開発され、そのT
cは約93Kに達した。
86年に18Mチューリッヒ研究所のMuller氏等
が、Ba−La−Cu−0系の複合酸化物で超電導の徴
候が認められたことを発表して以来、複合酸化物超電導
物質の開発競争に拍車がかかった。即ち、1986年代
の超電導物質のTcは40に級であったが、翌年(19
87年)の初めには、早くも液体窒素の温度である77
Kを超えるTcを有するY−Ba−Cu−0系のCu、
O,基を含む複合酸化物超電導物質が開発され、そのT
cは約93Kに達した。
更に、その後も精力的に超電導物質の開発が続けられて
おり、最近、安定性等に問題はあるものの、室温で超電
導現象を示す超電導物質の開発も報告されている。
おり、最近、安定性等に問題はあるものの、室温で超電
導現象を示す超電導物質の開発も報告されている。
上述のように、液体窒素温度(77K)で使用可能な、
CugOy基を含む複合酸化物超電導物質が開発された
ことによって、超電導材料の前述した応用分野への実用
化の期待度が、−段と高められてきた。
CugOy基を含む複合酸化物超電導物質が開発された
ことによって、超電導材料の前述した応用分野への実用
化の期待度が、−段と高められてきた。
超電導材料の実用化に当って必要なことは、超電導物質
の線材化、皮膜化等、その加工技術の開発である。
の線材化、皮膜化等、その加工技術の開発である。
このような加工技術のうち、超電導材料の皮膜化に関し
ては、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法によって、
基材の表面上に複合酸化物超電導皮膜を形成する方法が
試みられており、最近ではレーザ蒸着法またはプラズマ
溶射法による皮膜の形成が研究されている。
ては、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法によって、
基材の表面上に複合酸化物超電導皮膜を形成する方法が
試みられており、最近ではレーザ蒸着法またはプラズマ
溶射法による皮膜の形成が研究されている。
しかしながら、レーザ蒸着法またはプラズマ溶射法によ
って、基材の表面上にCu工Oy基を含む複合酸化物超
電導物質の皮膜を形成した場合に、レーザ蒸着まま、ま
たは、プラズマ溶射ままでは、皮膜成分中の酸素量が不
足し、所望の超電導特性を存する皮膜を形成することが
できない問題がある。
って、基材の表面上にCu工Oy基を含む複合酸化物超
電導物質の皮膜を形成した場合に、レーザ蒸着まま、ま
たは、プラズマ溶射ままでは、皮膜成分中の酸素量が不
足し、所望の超電導特性を存する皮膜を形成することが
できない問題がある。
そこで、レーザ蒸着法またはプラズマ溶射法によって、
基材の表面上にCu、O,基を含む複合酸化物超電導物
質の皮膜を形成し、このようにして得られたレーザ蒸着
まま、またはプラズマ溶射ままの超電導素材に対し、酸
素含有雰囲気中において、所定温度まで加熱した後、そ
の温度で所定時間保持し次いで所定速度で冷却すること
からなる熱処理を施し、これによって、前記皮膜に所望
の超電導特性を付与する試みがなされている。
基材の表面上にCu、O,基を含む複合酸化物超電導物
質の皮膜を形成し、このようにして得られたレーザ蒸着
まま、またはプラズマ溶射ままの超電導素材に対し、酸
素含有雰囲気中において、所定温度まで加熱した後、そ
の温度で所定時間保持し次いで所定速度で冷却すること
からなる熱処理を施し、これによって、前記皮膜に所望
の超電導特性を付与する試みがなされている。
しかしながら、超電導素材に、上述した加熱。
保持、冷却からなる熱処理を施すためには、大規模な設
備が必要である上、高温の加熱によって皮膜に割れや溶
損が生じたり、基板に歪が発生する等の問題があった。
備が必要である上、高温の加熱によって皮膜に割れや溶
損が生じたり、基板に歪が発生する等の問題があった。
従って、この発明の目的は、基材の表面上にCu、O,
基を含む複合酸化物超電導物質の皮膜が形成された超電
導材を製造するに当り、皮膜成分中の不足する酸素を、
皮膜に割れ等が生ずることなく効率的に補給し、かくし
て、超電導特性の優れた皮膜を有する超電導材を製造す
るための方法を提供することにある。
基を含む複合酸化物超電導物質の皮膜が形成された超電
導材を製造するに当り、皮膜成分中の不足する酸素を、
皮膜に割れ等が生ずることなく効率的に補給し、かくし
て、超電導特性の優れた皮膜を有する超電導材を製造す
るための方法を提供することにある。
この発明は、基材の表面上に、CuxOy基を含む複合
酸化物超電導物質の皮膜を形成し、次いで、このように
して得られた超電導素材を容器内に収容し、前記容器内
を1OTorr以下の圧力の酸素含有雰囲気に保ち、前
記超電導素材の皮膜から所定間隔をあけ、前記超電導素
材と平行に電極を配置し、前記電極と前記超電導素材と
の間に高周波放電を行なわせることにより、高周波放電
域内に存在する酸素を励起させて、前記酸素を前記超電
導素材の前記皮膜中に浸透させ、かくして、皮膜成分中
に酸素を補給し、前記皮膜に優れた超電導特性を付与す
ることに特徴を有するものである。
酸化物超電導物質の皮膜を形成し、次いで、このように
して得られた超電導素材を容器内に収容し、前記容器内
を1OTorr以下の圧力の酸素含有雰囲気に保ち、前
記超電導素材の皮膜から所定間隔をあけ、前記超電導素
材と平行に電極を配置し、前記電極と前記超電導素材と
の間に高周波放電を行なわせることにより、高周波放電
域内に存在する酸素を励起させて、前記酸素を前記超電
導素材の前記皮膜中に浸透させ、かくして、皮膜成分中
に酸素を補給し、前記皮膜に優れた超電導特性を付与す
ることに特徴を有するものである。
この発明における超電導素材は、例えば、第2図に示す
レーザ蒸着装置または第3図に示すプラズマ溶射装置に
よって調製される。
レーザ蒸着装置または第3図に示すプラズマ溶射装置に
よって調製される。
第2図に示すレーザ蒸着装置は、真空容器4と、真空容
器4内に設けられた蒸着源5と、蒸着源5に向けてレー
ザaを発射させるためのレーザ発生装置(図示せず)と
からなっている。6は基材2の加熱用ヒータである。蒸
着源5としてCu、0.基を含む複合酸化物焼結体を使
用し、蒸着源5の上方に基材2を配置する。次いで、真
空容器4内を所定の真空度に減圧し、そして、レーザa
を蒸着源5に照射して、蒸着源5から蒸発した粒子を、
ヒータ6で加熱されている基材2の表面上に付着させる
。かくして、基材2の表面上にCuイO2基を含む複合
酸化物超電導物質の皮膜3が形成された超電導素材1が
調製される。
器4内に設けられた蒸着源5と、蒸着源5に向けてレー
ザaを発射させるためのレーザ発生装置(図示せず)と
からなっている。6は基材2の加熱用ヒータである。蒸
着源5としてCu、0.基を含む複合酸化物焼結体を使
用し、蒸着源5の上方に基材2を配置する。次いで、真
空容器4内を所定の真空度に減圧し、そして、レーザa
を蒸着源5に照射して、蒸着源5から蒸発した粒子を、
ヒータ6で加熱されている基材2の表面上に付着させる
。かくして、基材2の表面上にCuイO2基を含む複合
酸化物超電導物質の皮膜3が形成された超電導素材1が
調製される。
第3図に示すプラズマ溶射装置は、真空容器4と、真空
容器4内に設けられた溶射ノズル7と、溶射ノズル7に
設けられたタングステン電極8と、溶射ノズル7とタン
グステン電極8との間に接続された電源9とからなって
いる。真空容器4内に溶射ノズル7と対向して基材2を
配置する。次いで、真空容器4内を所定の真空度に減圧
し、溶射ノズル7内に、アルゴン、ヘリウム等の作動ガ
スおよびCuX0y基を含む複合酸化物超電導物質の粉
末をそれぞれ供給し、そして、電源9を作動させて、溶
射ノズル7からタングステン電極8に向けてプラズマジ
ェットを発生させる。かくして、基材2の表面上にCu
*0ア基を含む複合酸化物超電導物質の皮膜3が形成さ
れた超電導素材1が調製される。
容器4内に設けられた溶射ノズル7と、溶射ノズル7に
設けられたタングステン電極8と、溶射ノズル7とタン
グステン電極8との間に接続された電源9とからなって
いる。真空容器4内に溶射ノズル7と対向して基材2を
配置する。次いで、真空容器4内を所定の真空度に減圧
し、溶射ノズル7内に、アルゴン、ヘリウム等の作動ガ
スおよびCuX0y基を含む複合酸化物超電導物質の粉
末をそれぞれ供給し、そして、電源9を作動させて、溶
射ノズル7からタングステン電極8に向けてプラズマジ
ェットを発生させる。かくして、基材2の表面上にCu
*0ア基を含む複合酸化物超電導物質の皮膜3が形成さ
れた超電導素材1が調製される。
次いで、上述のようにして調製された超電導素材1を、
第1図に示す容器10内に収容する。そして、第1図に
示すように、超電導素材1の皮膜3から所定間隔をあけ
、超電導素材lと平行に電極11を配設する。超電導素
材1と電極11との間に導線12を接続し、導線12の
途中に高周波電源13を設ける。
第1図に示す容器10内に収容する。そして、第1図に
示すように、超電導素材1の皮膜3から所定間隔をあけ
、超電導素材lと平行に電極11を配設する。超電導素
材1と電極11との間に導線12を接続し、導線12の
途中に高周波電源13を設ける。
容器10内を10Torr以下の圧力の酸素含有雰囲気
に保持し、この状態で高周波電源13を作動させる。こ
の結果、電極11と超電導素材lとの間において高周波
放電が行なわれる。容器10内はその圧力が10Tor
r以下の真空または真空に近い状態であるから、電極1
1と超電導素材Iとの間には、低温プラズマが発生する
。
に保持し、この状態で高周波電源13を作動させる。こ
の結果、電極11と超電導素材lとの間において高周波
放電が行なわれる。容器10内はその圧力が10Tor
r以下の真空または真空に近い状態であるから、電極1
1と超電導素材Iとの間には、低温プラズマが発生する
。
従って、高周波放電域内に存在する雰囲気中の酸素は、
励起されたラジカルな状態になり、超電導素材1の皮膜
3中に浸透する。かくして、皮膜3の成分中に不足する
酸素が補給され、基材2の表面上に超電導特性の優れた
CuxOy基を含む複合酸化物超電導物質の皮11i3
が形成された超電導材が製造される。
励起されたラジカルな状態になり、超電導素材1の皮膜
3中に浸透する。かくして、皮膜3の成分中に不足する
酸素が補給され、基材2の表面上に超電導特性の優れた
CuxOy基を含む複合酸化物超電導物質の皮11i3
が形成された超電導材が製造される。
超電導素材1がある程度以上の幅を有している場合には
、電極11を超電導素材1の幅方向に移動させながら放
電させる。かくすることにより、超電導素材1の皮膜3
の全面にわたり、均一に酸素の補給が行なわれる。
、電極11を超電導素材1の幅方向に移動させながら放
電させる。かくすることにより、超電導素材1の皮膜3
の全面にわたり、均一に酸素の補給が行なわれる。
なお、超電導素材lの皮膜3の表面上に、その長さ方向
にわたって電極(図示せず)を配置し、この電極と、超
電導素材1から所定間隔をあけて配置された前述の電極
11との間に高周波放電を行なわせるようにしてもよい
。
にわたって電極(図示せず)を配置し、この電極と、超
電導素材1から所定間隔をあけて配置された前述の電極
11との間に高周波放電を行なわせるようにしてもよい
。
次に、この発明を実施例により説明する。
蒸着源としての複合酸化物焼結体として、Y+、 tB
ao、 bcuoxの成分組成を有する、直径20龍、
厚さIonの円盤状の複合酸化物焼結体を使用し、被蒸
着体としての基材として、1辺の長さが151重で厚さ
が1額の、イツトリウム安定化ジルコニア(YSZ)か
らなる四角形状の仮を使用し、第2図に示したレーザ蒸
着装置により下記条件で基材の表面上に超電導物質の皮
膜を形成した。
ao、 bcuoxの成分組成を有する、直径20龍、
厚さIonの円盤状の複合酸化物焼結体を使用し、被蒸
着体としての基材として、1辺の長さが151重で厚さ
が1額の、イツトリウム安定化ジルコニア(YSZ)か
らなる四角形状の仮を使用し、第2図に示したレーザ蒸
着装置により下記条件で基材の表面上に超電導物質の皮
膜を形成した。
[al 真空容器の真空度: 10−”Torr (
酸素雰囲気)(b) 基材の加熱温度ニア00℃ FC+ レーザビームの種類:炭酸ガスレーザ+dl
レーザビームの化カニ3oow+141 レーザ
ビームの照射時間:5分かくして、基材の表面上に、Y
6.3B86.6cc++o*からなる成分組成を有す
る厚さ2μmの皮膜が形成された超電導素材を調製した
。
酸素雰囲気)(b) 基材の加熱温度ニア00℃ FC+ レーザビームの種類:炭酸ガスレーザ+dl
レーザビームの化カニ3oow+141 レーザ
ビームの照射時間:5分かくして、基材の表面上に、Y
6.3B86.6cc++o*からなる成分組成を有す
る厚さ2μmの皮膜が形成された超電導素材を調製した
。
次いで、この超電導素材に対し、第1図に示した装置に
より下記条件で高周波放電を施してその皮膜成分中に酸
素を補給し、本発明超電導材を製造した。
より下記条件で高周波放電を施してその皮膜成分中に酸
素を補給し、本発明超電導材を製造した。
(al 容器内の雰囲気:0□:100%tb+
容器内の圧カニ ITorr ’tct 高周波電
源の周波数: 13.56 MHzfdl 高周波電
源の化カニsoow(a) 高周波放電時間:100
時間上記により製造された本発明超電導材、および、比
較のための上述した蒸着ままの超電導素材について、各
々のTc (超電導臨界温度)および77KにおけるJ
c (臨界電流密度)を、四端子抵抗測定法によって
調べた。
容器内の圧カニ ITorr ’tct 高周波電
源の周波数: 13.56 MHzfdl 高周波電
源の化カニsoow(a) 高周波放電時間:100
時間上記により製造された本発明超電導材、および、比
較のための上述した蒸着ままの超電導素材について、各
々のTc (超電導臨界温度)および77KにおけるJ
c (臨界電流密度)を、四端子抵抗測定法によって
調べた。
その結果を、第1表に示す。
第 1 表
に、77KにおけるJcは、超電導素材の場合には得ら
れないのに対し、本発明超電導材の場合には高い値を示
した。また、本発明超電導材の場合には77にでマイス
ナー効果が確認された。
れないのに対し、本発明超電導材の場合には高い値を示
した。また、本発明超電導材の場合には77にでマイス
ナー効果が確認された。
、〔発明の効果〕
以上述べたように、この発明によれば、基材の表面上に
Cu、Oy基を含む複合酸化物超電導物質の皮膜が形成
された超電導材を製造するに当り、皮膜成分中に不足す
る酸素が、皮膜に割れや溶損が生ずることのない低温状
態において効率的に補給され、かくして、超電導特性の
優れた皮膜を有する超電導材を製造することができる工
業上有用な効果がもたらされる。
Cu、Oy基を含む複合酸化物超電導物質の皮膜が形成
された超電導材を製造するに当り、皮膜成分中に不足す
る酸素が、皮膜に割れや溶損が生ずることのない低温状
態において効率的に補給され、かくして、超電導特性の
優れた皮膜を有する超電導材を製造することができる工
業上有用な効果がもたらされる。
第1図はこの発明の方法によって超電導素材の皮膜成分
中に酸素を補給する一実施態様を示す概略断面図、第2
図はこの発明の方法に使用される超電導素材を製造する
ためのレーザ蒸着装置を示す概略断面図、第3図は同じ
く超電導素材を製造するためのプラズマ溶射装置を示す
概略断面図である。図面において、 1・・・超電導素材、 2・・・基材、3・・・皮
膜、 4・・・真空容器、5・・・蒸着源、
6・・・ヒータ、7・・・溶射ノズル、
8・・・タングステン電極、9・・・電源、
10・・・容器、11・・・電極、 12
・・・導線13・・・高周波電源。 第1図
中に酸素を補給する一実施態様を示す概略断面図、第2
図はこの発明の方法に使用される超電導素材を製造する
ためのレーザ蒸着装置を示す概略断面図、第3図は同じ
く超電導素材を製造するためのプラズマ溶射装置を示す
概略断面図である。図面において、 1・・・超電導素材、 2・・・基材、3・・・皮
膜、 4・・・真空容器、5・・・蒸着源、
6・・・ヒータ、7・・・溶射ノズル、
8・・・タングステン電極、9・・・電源、
10・・・容器、11・・・電極、 12
・・・導線13・・・高周波電源。 第1図
Claims (1)
- 基材の表面上に、Cu_xO_y基を含む複合酸化物
超電導物質の皮膜を形成し、次いで、このようにして得
られた超電導素材を容器内に収容し、前記容器内を10
Torr以下の圧力の酸素含有雰囲気に保ち、前記超電
導素材の皮膜から所定間隔をあけ、前記超電導素材と平
行に電極を配置し、前記電極と前記超電導素材との間に
高周波放電を行なわせることにより、高周波放電域内に
存在する酸素を励起させて、前記酸素を前記超電導素材
の前記皮膜中に浸透させ、かくして、皮膜成分中に酸素
を補給し、前記皮膜に優れた超電導特性を付与すること
を特徴とする、超電導材の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62309483A JPH01153521A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 超電導材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62309483A JPH01153521A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 超電導材の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01153521A true JPH01153521A (ja) | 1989-06-15 |
Family
ID=17993531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62309483A Pending JPH01153521A (ja) | 1987-12-09 | 1987-12-09 | 超電導材の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01153521A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014073564A1 (ja) | 2012-11-08 | 2014-05-15 | サクラファインテックジャパン株式会社 | 薄切片作製方法及び薄切片作製装置 |
US8768099B2 (en) | 2005-06-08 | 2014-07-01 | Thomson Licensing | Method, apparatus and system for alternate image/video insertion |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6451326A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Production of superconducting material |
-
1987
- 1987-12-09 JP JP62309483A patent/JPH01153521A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6451326A (en) * | 1987-08-21 | 1989-02-27 | Toa Nenryo Kogyo Kk | Production of superconducting material |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8768099B2 (en) | 2005-06-08 | 2014-07-01 | Thomson Licensing | Method, apparatus and system for alternate image/video insertion |
WO2014073564A1 (ja) | 2012-11-08 | 2014-05-15 | サクラファインテックジャパン株式会社 | 薄切片作製方法及び薄切片作製装置 |
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