JPH0531493B2 - - Google Patents
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- JPH0531493B2 JPH0531493B2 JP62201948A JP20194887A JPH0531493B2 JP H0531493 B2 JPH0531493 B2 JP H0531493B2 JP 62201948 A JP62201948 A JP 62201948A JP 20194887 A JP20194887 A JP 20194887A JP H0531493 B2 JPH0531493 B2 JP H0531493B2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
- Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment
Landscapes
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基材の表面上に形成された、Cux
Oy基を含む複合酸化物超電導物質からなる皮膜
の熱処理方法に関するものである。 〔従来の技術〕 超電導材料は、既に高エネルギ粒子加速器、医
療診断用MRI−CTおよび物性研究装置などにお
いて、超電導マグネツトの形で実用化されてい
る。このような超電導材料の応用分野は広く、今
後、例えば、発電機、エネルギーの貯蔵や変換、
リニアモーターカー、資源回収用磁気分離装置、
核融合炉、送電ケーブルおよび磁気シールド材等
に対する超電導材料の応用が期待されており、更
には、ジヨセフソン効果を用いた超電導素子は、
超高速度コンピユーター、赤外線検出器、低雑音
の増幅器やミキサー等への応用が期待されてい
る。これらが本格的に実用化されたときの産業的
および社会的インパクトの大きさは計り知れない
ものがある。 これまでに開発された代表的な超電導材料とし
てはNb−Ti合金があり、これは、現在9Tまでの
磁界発生用線材として、広く使用されている。
Nb−Ti合金のTc（超電導状態が存在する臨界温
度）は、9Kである。 このNb−Ti合金よりも格段に高いTcを有する
超電導材料として、化合物系の超電導材料が開発
され、現在、Nb3Sn（Tc：18K）およびV3Ga
（Tc：15K）が線材化され、実用に供されてい
る。 更に、Nb3Geでは、23KのTcが得られている。 このように、長年にわたつて高Tcの超電導材
料を得るための努力がなされてきたが、従来の合
金系および化合物系の超電導材料においては、現
状ではTc23Kが大きな壁になつている。即ち、
Tcが23K以下の超電導材料の冷却には、高価な
液体ヘリウムを必要とするため、これが超電導材
料の広範な応用を阻害している。 このTcの壁を大幅に打破する材料として、
1986年にIBMチユーリツヒ研究所のMuller氏等
が、Ba−La−Cu−Ｏ系の酸化物で超電導の徴候
が認められたことを発表して以来、酸化物系超電
導材料の用途開発競争に拍車がかかつた。即ち、
1986年代の超電導材料のTcが40K級であつたが、
翌年（1987年）の初めには、早くも液体窒素の温
度である77Kを超えるTcを有するＹ−Ba−Cu−
Ｏ系超電導材料が開発され、そのTcは約93Kに
達した。 更に、その後も精力的に超電導材料の開発が続
けられており、最近、安定性等に問題はあるもの
の、室温で超電導現象を示す超電導材料の開発も
報告されている。 上述のように、液体窒素温度（77K）で使用可
能な超電導材料が発見されたことによつて、超電
導材料の前述した応用分野への実用化の期待度
が、一段と高められてきた。 超電導材料の実用化に当つて必要なことは、超
電導材料の線材化、皮膜化等、その加工技術の開
発である。 このような加工技術のうち、超電導材料の皮膜
化に関しては、スパツタリング法、電子ビーム蒸
着法によつて、基材の表面上に複合酸化物超電導
皮膜を形成する方法が試みられており、最近では
レーザ蒸着法またはプラズマ溶射法による皮膜の
形成が研究されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 例えば、プラズマ溶射法は、蒸着法に比して高
能率で皮膜を形成することができ、しかも、
100μmを超える厚さの皮膜を形成し得る利点を有
している。しかしながら、プラズマ溶射法によつ
て形成された皮膜の緻密性は、蒸着法によつて形
成された皮膜よりも劣る。従つて、プラズマ溶射
法によつて形成された皮膜のJc値およびTcは、
蒸着法によつて形成された皮膜よりも低いという
問題がある。 また、蒸着法によつて形成された皮膜も、蒸着
ままの状態では、皮膜の結晶構造および酸素量が
必ずしも適正な状態でないために、目標とする
TcおよびJcが得られない場合が多い。これは、
プラズマ溶射法によつて形成された溶射ままの皮
膜についても同様である。 従つて、この発明の目的は、基材の表面上に、
溶射法、蒸着法（レーザ蒸着、真空蒸着、スパツ
タリング、イオンプレーテイング等）によつて形
成されたCuxOy基を含む複合酸化物超電導物質か
らなる皮膜の超電導特性を向上させるための熱処
理方法を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明は、基材の表面上に形成されたCuxOy
基を含む複合酸化物超電導物質からなる皮膜の表
面に、レーザビームを、空気または酸素を吹きつ
けながら、前記表面上に照射することにより、前
記皮膜を所定温度まで所定の速度で加熱し、次い
で、前記皮膜をその加熱温度に所定時間保持した
後、所定の速度で冷却することにより、前記皮膜
の超電導特性を向上させることに特徴を有するも
のである。 第１図は、この発明の方法に使用される装置の
一例を示す概略垂直断面図である。第１図に示す
ように、ノズル１内には、図示しないレーザビー
ム発生源からのレーザビームを集光するための集
光レンズ２が設けられている。ノズル１の側壁に
は、酸素または空気をノズル１内に供給し、その
下端の開口３から噴出させるためのガス供給口４
が設けられている。 基板５ａの表面に超電導物質の皮膜５ｂが形成
された超電導材５の皮膜５ｂに対し、ノズル１の
開口３を通してレーザビームを照射する。このと
き、レーザビームが超電導材５よりも上方におい
て集光し、皮膜５ｂ上において集光しないよう
に、ノズル１または超電導材５をそれぞれ位置さ
せる。また、必要に応じ、基板５ａの裏面に、基
板５ａを介して皮膜５ｂを冷却するための、内部
を冷却水が流れる冷却箱６を配置する。 皮膜５ｂは、ノズル１の開口３を通して吹きつ
けられる空気または酸素の雰囲気下において、開
口３を通して照射されるレーザビームにより所定
時間加熱され、次いで、所定の冷却速度によつて
冷却される。 レーザビームによる皮膜５ｂの加熱温度は、
500〜980℃、その加熱速度は2000℃／sec以下、
前記加熱温度での保持時間は0.1〜600秒、そし
て、その室温までの冷却速度は1000℃／sec以下
であることが好ましい。このような条件で、皮膜
５ｂを加熱、保持そして冷却することにより、皮
膜の結晶構造および酸素量を適正化するととも
に、皮膜の緻密性を向上させることができる。 加熱温度が500℃未満では、皮膜の結晶構造お
よび酸素量の適正化、並びに、皮膜の緻密化が不
十分であり、一方、加熱温度が980℃を超えると、
皮膜５ｂの一部が溶解し始め、超電導特性が著し
く劣化する。 加熱速度が2000℃／secを超えると、皮膜中に
大きな熱歪が発生する結果、皮膜に割れの発生す
る危険性が高まる。また、冷却速度が1000℃／
secを超えると、同じく皮膜中に大きな熱歪が発
生する結果、皮膜に割れの発生する危険性が高ま
る。 上述した加熱温度での保持時間が0.1秒未満で
は、皮膜の結晶構造および酸素量の適正化、並び
に、皮膜の緻密化が不十分であり、一方、保持時
間が600秒を超えても、超電導特性の向上は殆ん
ど認められなくなる。 上述の熱処理は、超電導皮膜の組成、厚さおよ
び緻密度等によつて、１回乃至複数回行なう。 上述した加熱温度および加熱速度の制御は、レ
ーザビームの出力および皮膜表面におけるレーザ
パワー密度を調整することによつて行なうことが
でき、そして、加熱温度での保持はレーザ照射時
間により、また、冷却速度はレーザ照射パワーお
よびパワー密度の制御により、それぞれ調整する
ことができる。 第２図は、上述した熱処理のヒートパターンの
一例を示すグラフである。 次に、この発明を実施例により説明する。 〔実施例 １〕 基板としての銅板上に、溶射法によつて、厚さ
100μmのＹ−Ba−Cu−Ｏ系の皮膜が形成された
超電導材の前記皮膜に対し、下記条件でレーザビ
ームを照射することにより、皮膜を、150℃／sec
の昇温速度で900℃まで加熱し、その温度におい
て30秒間保持した後、100℃／secの速度で冷却す
ることからなる熱処理を施した。 (a) レーザビームの種類：炭酸ガスレーザ (b) レーザビームの波長：10.6μm (c) レーザビームの出力：1.5KW (d) 皮膜上におけるレーザビームの照射径：15mm (e) O2ガスの吹付け量：10／min 超電導材の皮膜に対し、上述した熱処理を１回
施した場合、２回施した場合および５回施した場
合における皮膜の組織及び超電導臨界温度（Tc）
を、上述した熱処理を施さない場合と比較して第
１表に示す。
Oy基を含む複合酸化物超電導物質からなる皮膜
の熱処理方法に関するものである。 〔従来の技術〕 超電導材料は、既に高エネルギ粒子加速器、医
療診断用MRI−CTおよび物性研究装置などにお
いて、超電導マグネツトの形で実用化されてい
る。このような超電導材料の応用分野は広く、今
後、例えば、発電機、エネルギーの貯蔵や変換、
リニアモーターカー、資源回収用磁気分離装置、
核融合炉、送電ケーブルおよび磁気シールド材等
に対する超電導材料の応用が期待されており、更
には、ジヨセフソン効果を用いた超電導素子は、
超高速度コンピユーター、赤外線検出器、低雑音
の増幅器やミキサー等への応用が期待されてい
る。これらが本格的に実用化されたときの産業的
および社会的インパクトの大きさは計り知れない
ものがある。 これまでに開発された代表的な超電導材料とし
てはNb−Ti合金があり、これは、現在9Tまでの
磁界発生用線材として、広く使用されている。
Nb−Ti合金のTc（超電導状態が存在する臨界温
度）は、9Kである。 このNb−Ti合金よりも格段に高いTcを有する
超電導材料として、化合物系の超電導材料が開発
され、現在、Nb3Sn（Tc：18K）およびV3Ga
（Tc：15K）が線材化され、実用に供されてい
る。 更に、Nb3Geでは、23KのTcが得られている。 このように、長年にわたつて高Tcの超電導材
料を得るための努力がなされてきたが、従来の合
金系および化合物系の超電導材料においては、現
状ではTc23Kが大きな壁になつている。即ち、
Tcが23K以下の超電導材料の冷却には、高価な
液体ヘリウムを必要とするため、これが超電導材
料の広範な応用を阻害している。 このTcの壁を大幅に打破する材料として、
1986年にIBMチユーリツヒ研究所のMuller氏等
が、Ba−La−Cu−Ｏ系の酸化物で超電導の徴候
が認められたことを発表して以来、酸化物系超電
導材料の用途開発競争に拍車がかかつた。即ち、
1986年代の超電導材料のTcが40K級であつたが、
翌年（1987年）の初めには、早くも液体窒素の温
度である77Kを超えるTcを有するＹ−Ba−Cu−
Ｏ系超電導材料が開発され、そのTcは約93Kに
達した。 更に、その後も精力的に超電導材料の開発が続
けられており、最近、安定性等に問題はあるもの
の、室温で超電導現象を示す超電導材料の開発も
報告されている。 上述のように、液体窒素温度（77K）で使用可
能な超電導材料が発見されたことによつて、超電
導材料の前述した応用分野への実用化の期待度
が、一段と高められてきた。 超電導材料の実用化に当つて必要なことは、超
電導材料の線材化、皮膜化等、その加工技術の開
発である。 このような加工技術のうち、超電導材料の皮膜
化に関しては、スパツタリング法、電子ビーム蒸
着法によつて、基材の表面上に複合酸化物超電導
皮膜を形成する方法が試みられており、最近では
レーザ蒸着法またはプラズマ溶射法による皮膜の
形成が研究されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 例えば、プラズマ溶射法は、蒸着法に比して高
能率で皮膜を形成することができ、しかも、
100μmを超える厚さの皮膜を形成し得る利点を有
している。しかしながら、プラズマ溶射法によつ
て形成された皮膜の緻密性は、蒸着法によつて形
成された皮膜よりも劣る。従つて、プラズマ溶射
法によつて形成された皮膜のJc値およびTcは、
蒸着法によつて形成された皮膜よりも低いという
問題がある。 また、蒸着法によつて形成された皮膜も、蒸着
ままの状態では、皮膜の結晶構造および酸素量が
必ずしも適正な状態でないために、目標とする
TcおよびJcが得られない場合が多い。これは、
プラズマ溶射法によつて形成された溶射ままの皮
膜についても同様である。 従つて、この発明の目的は、基材の表面上に、
溶射法、蒸着法（レーザ蒸着、真空蒸着、スパツ
タリング、イオンプレーテイング等）によつて形
成されたCuxOy基を含む複合酸化物超電導物質か
らなる皮膜の超電導特性を向上させるための熱処
理方法を提供することにある。 〔問題点を解決するための手段〕 この発明は、基材の表面上に形成されたCuxOy
基を含む複合酸化物超電導物質からなる皮膜の表
面に、レーザビームを、空気または酸素を吹きつ
けながら、前記表面上に照射することにより、前
記皮膜を所定温度まで所定の速度で加熱し、次い
で、前記皮膜をその加熱温度に所定時間保持した
後、所定の速度で冷却することにより、前記皮膜
の超電導特性を向上させることに特徴を有するも
のである。 第１図は、この発明の方法に使用される装置の
一例を示す概略垂直断面図である。第１図に示す
ように、ノズル１内には、図示しないレーザビー
ム発生源からのレーザビームを集光するための集
光レンズ２が設けられている。ノズル１の側壁に
は、酸素または空気をノズル１内に供給し、その
下端の開口３から噴出させるためのガス供給口４
が設けられている。 基板５ａの表面に超電導物質の皮膜５ｂが形成
された超電導材５の皮膜５ｂに対し、ノズル１の
開口３を通してレーザビームを照射する。このと
き、レーザビームが超電導材５よりも上方におい
て集光し、皮膜５ｂ上において集光しないよう
に、ノズル１または超電導材５をそれぞれ位置さ
せる。また、必要に応じ、基板５ａの裏面に、基
板５ａを介して皮膜５ｂを冷却するための、内部
を冷却水が流れる冷却箱６を配置する。 皮膜５ｂは、ノズル１の開口３を通して吹きつ
けられる空気または酸素の雰囲気下において、開
口３を通して照射されるレーザビームにより所定
時間加熱され、次いで、所定の冷却速度によつて
冷却される。 レーザビームによる皮膜５ｂの加熱温度は、
500〜980℃、その加熱速度は2000℃／sec以下、
前記加熱温度での保持時間は0.1〜600秒、そし
て、その室温までの冷却速度は1000℃／sec以下
であることが好ましい。このような条件で、皮膜
５ｂを加熱、保持そして冷却することにより、皮
膜の結晶構造および酸素量を適正化するととも
に、皮膜の緻密性を向上させることができる。 加熱温度が500℃未満では、皮膜の結晶構造お
よび酸素量の適正化、並びに、皮膜の緻密化が不
十分であり、一方、加熱温度が980℃を超えると、
皮膜５ｂの一部が溶解し始め、超電導特性が著し
く劣化する。 加熱速度が2000℃／secを超えると、皮膜中に
大きな熱歪が発生する結果、皮膜に割れの発生す
る危険性が高まる。また、冷却速度が1000℃／
secを超えると、同じく皮膜中に大きな熱歪が発
生する結果、皮膜に割れの発生する危険性が高ま
る。 上述した加熱温度での保持時間が0.1秒未満で
は、皮膜の結晶構造および酸素量の適正化、並び
に、皮膜の緻密化が不十分であり、一方、保持時
間が600秒を超えても、超電導特性の向上は殆ん
ど認められなくなる。 上述の熱処理は、超電導皮膜の組成、厚さおよ
び緻密度等によつて、１回乃至複数回行なう。 上述した加熱温度および加熱速度の制御は、レ
ーザビームの出力および皮膜表面におけるレーザ
パワー密度を調整することによつて行なうことが
でき、そして、加熱温度での保持はレーザ照射時
間により、また、冷却速度はレーザ照射パワーお
よびパワー密度の制御により、それぞれ調整する
ことができる。 第２図は、上述した熱処理のヒートパターンの
一例を示すグラフである。 次に、この発明を実施例により説明する。 〔実施例 １〕 基板としての銅板上に、溶射法によつて、厚さ
100μmのＹ−Ba−Cu−Ｏ系の皮膜が形成された
超電導材の前記皮膜に対し、下記条件でレーザビ
ームを照射することにより、皮膜を、150℃／sec
の昇温速度で900℃まで加熱し、その温度におい
て30秒間保持した後、100℃／secの速度で冷却す
ることからなる熱処理を施した。 (a) レーザビームの種類：炭酸ガスレーザ (b) レーザビームの波長：10.6μm (c) レーザビームの出力：1.5KW (d) 皮膜上におけるレーザビームの照射径：15mm (e) O2ガスの吹付け量：10／min 超電導材の皮膜に対し、上述した熱処理を１回
施した場合、２回施した場合および５回施した場
合における皮膜の組織及び超電導臨界温度（Tc）
を、上述した熱処理を施さない場合と比較して第
１表に示す。
基板としての銅板上に、レーザ真空蒸着法によ
つて、厚さ5μmのＹ−Ba−Cu−Ｏ系の皮膜が形
成された超電導材の前記皮膜に対し、レーザビー
ムの照射径を18mmになした以外は実施例１と同じ
条件でレーザビームを照射することにより、皮
膜、120℃／secの昇温速度で800℃まで加熱し、
その温度において20秒間保持した後、80℃／sec
の速度で冷却することからなる熱処理を施した。 上述した熱処理を１回施した場合、２回施した
場合および５回施した場合における皮膜の組織及
び超電導臨界速度（Tc）を、上述した熱処理を
施さない場合と比較して第２表に示す。
つて、厚さ5μmのＹ−Ba−Cu−Ｏ系の皮膜が形
成された超電導材の前記皮膜に対し、レーザビー
ムの照射径を18mmになした以外は実施例１と同じ
条件でレーザビームを照射することにより、皮
膜、120℃／secの昇温速度で800℃まで加熱し、
その温度において20秒間保持した後、80℃／sec
の速度で冷却することからなる熱処理を施した。 上述した熱処理を１回施した場合、２回施した
場合および５回施した場合における皮膜の組織及
び超電導臨界速度（Tc）を、上述した熱処理を
施さない場合と比較して第２表に示す。
以上述べたように、この発明によれば、基材の
表面上に、溶射法、蒸着法等によつて形成された
Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系等のCuxOy基を含む複合酸化
物の超電導物質からなる皮膜の超電導特性を向上
させることができ、これによつて、90K級の超電
導特性を有する超電導材が得られる工業上優れた
効果がもたらされる。
表面上に、溶射法、蒸着法等によつて形成された
Ｙ−Ba−Cu−Ｏ系等のCuxOy基を含む複合酸化
物の超電導物質からなる皮膜の超電導特性を向上
させることができ、これによつて、90K級の超電
導特性を有する超電導材が得られる工業上優れた
効果がもたらされる。
第１図はこの発明の方法に使用される装置の一
例を示す概略垂直断面図、第２図はこの発明の熱
処理のヒートパターンの一例を示すグラフであ
る。 図面において、１……ノズル、２……集光レン
ズ、３……開口、４……ガス供給口、５……超電
導材、５ａ……基板、５ｂ……皮膜、６……冷却
箱。
例を示す概略垂直断面図、第２図はこの発明の熱
処理のヒートパターンの一例を示すグラフであ
る。 図面において、１……ノズル、２……集光レン
ズ、３……開口、４……ガス供給口、５……超電
導材、５ａ……基板、５ｂ……皮膜、６……冷却
箱。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基材の表面上に形成されたCuxOy基を含む複
合酸化物超電導物質からなる皮膜の表面に、レー
ザビームを、空気または酸素を吹きつけながら、
前記表面上に照射することにより、前記皮膜を所
定温度まで所定の速度で加熱し、次いで、前記皮
膜をその加熱温度に所定時間保持した後、所定の
速度で冷却することにより、前記皮膜の超電導特
性を向上させることを特徴とする、超電導皮膜の
熱処理方法。 ２ 前記皮膜の加熱温度を500〜980℃、その加熱
速度を2000℃／sec以下、前記加熱温度での保持
時間を0.1〜600秒となし、そして、その冷却速度
を1000℃／sec以下とすることを特徴とする、特
許請求の範囲第１項に記載の超電導皮膜の熱処理
方法。 ３ 前記基材の表面上の前記超電導物質からなる
皮膜を、溶射によつて形成することを特徴とす
る、特許請求の範囲第１項または第２項に記載の
超電導皮膜の熱処理方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62201948A JPS6445023A (en) | 1987-08-14 | 1987-08-14 | Heat treatment method for superconductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62201948A JPS6445023A (en) | 1987-08-14 | 1987-08-14 | Heat treatment method for superconductive film |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6445023A JPS6445023A (en) | 1989-02-17 |
| JPH0531493B2 true JPH0531493B2 (ja) | 1993-05-12 |
Family
ID=16449431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62201948A Granted JPS6445023A (en) | 1987-08-14 | 1987-08-14 | Heat treatment method for superconductive film |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6445023A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0816024B2 (ja) * | 1987-08-28 | 1996-02-21 | 住友電気工業株式会社 | 超電導材料の製造方法 |
| JPS6465715A (en) * | 1987-09-04 | 1989-03-13 | Furukawa Electric Co Ltd | Manufacture of superconductor molding |
| JP2616781B2 (ja) * | 1987-10-29 | 1997-06-04 | 株式会社豊田中央研究所 | 薄膜超伝導体の製造方法 |
| JPH07106900B2 (ja) * | 1989-02-22 | 1995-11-15 | 澁谷工業株式会社 | 超伝導薄膜の製造方法 |
| JPH05254964A (ja) * | 1991-02-27 | 1993-10-05 | Yokohama Kokuritsu Univ | 固体試料の表面処理方法 |
| CA3076636C (en) | 2017-09-22 | 2021-10-12 | Sharkninja Operating Llc | Hand-held surface cleaning device |
-
1987
- 1987-08-14 JP JP62201948A patent/JPS6445023A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6445023A (en) | 1989-02-17 |
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