JPH01166687A - 受光装置 - Google Patents
受光装置Info
- Publication number
- JPH01166687A JPH01166687A JP62324432A JP32443287A JPH01166687A JP H01166687 A JPH01166687 A JP H01166687A JP 62324432 A JP62324432 A JP 62324432A JP 32443287 A JP32443287 A JP 32443287A JP H01166687 A JPH01166687 A JP H01166687A
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- film
- light
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- Pending
Links
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 2
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は受光装置ｆと関し、特にカラーフィルターを
備えた受光装置に関するものである。
備えた受光装置に関するものである。
第２図（ａ）は、従来のカラーフィルターを備えた受光
装置の断面図を示したものである。図において、（１］
は半導体基板の表面に設けられた受光部、（２）は受光
部（１）を直接保護するシリコン酸化膜、（３）はシリ
コン酸化膜（２）上に設けられたアルミニウム配線、（
４）はアルミニウム配線（３）を絶縁するため設けられ
た層間膜Ａ、（５）は層間膜Ａ（４）の上にアルミニウ
ム配線を保護するために設けられ、層間膜Ａ（４）と屈
折率の異なる層間膜Ｂ、（６）は層間膜Ｂ（６）上の受
光部（１）と対応する位置に設けられたカラーフィルタ
ー層、（７）はカラーフィルター層（６）を保護するた
めに設けられた最上層の保護膜である。
装置の断面図を示したものである。図において、（１］
は半導体基板の表面に設けられた受光部、（２）は受光
部（１）を直接保護するシリコン酸化膜、（３）はシリ
コン酸化膜（２）上に設けられたアルミニウム配線、（
４）はアルミニウム配線（３）を絶縁するため設けられ
た層間膜Ａ、（５）は層間膜Ａ（４）の上にアルミニウ
ム配線を保護するために設けられ、層間膜Ａ（４）と屈
折率の異なる層間膜Ｂ、（６）は層間膜Ｂ（６）上の受
光部（１）と対応する位置に設けられたカラーフィルタ
ー層、（７）はカラーフィルター層（６）を保護するた
めに設けられた最上層の保護膜である。
第２図（ｂ）は、第２図（ａ）に示した従来のカラーフ
ィルターを備えた受光装置の分光特性を示したものであ
る。縦軸に光電流、横軸に波長をとっている。
ィルターを備えた受光装置の分光特性を示したものであ
る。縦軸に光電流、横軸に波長をとっている。
第２図（ｃ）は、屈折率の異なる膜Ａと膜Ｂにおける入
射光の進み方を示している。
射光の進み方を示している。
膜ＡとＷＡＢでは、屈折率が異なっているため、第２図
（ｃ）に示すように膜界面で反射が起こり、各膜中で入
射光と膜界面からの反射光ならびに多重反射光が干渉を
起こして、定在波効果をもたらす。
（ｃ）に示すように膜界面で反射が起こり、各膜中で入
射光と膜界面からの反射光ならびに多重反射光が干渉を
起こして、定在波効果をもたらす。
第２図（ａ）に示した従来の受光装置においても、定在
波効果が起こり、その結果第２図（ｂ）に示すように光
電流が波長ｌζより変動を示す。
波効果が起こり、その結果第２図（ｂ）に示すように光
電流が波長ｌζより変動を示す。
従来の受光装置は、例えば層間膜Ａ（４）と層間膜Ｂ（
５）の屈折率が異なっているので層間膜界面に反射が起
こり、各層間中で入射光と層間膜界面からの反射光なら
びに多重反射光が干渉を起こして、定在波効果をもたら
すという問題点があった。このため受光部の感度も波長
によって変動し、バラツキを生じていた。
５）の屈折率が異なっているので層間膜界面に反射が起
こり、各層間中で入射光と層間膜界面からの反射光なら
びに多重反射光が干渉を起こして、定在波効果をもたら
すという問題点があった。このため受光部の感度も波長
によって変動し、バラツキを生じていた。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、定在波効果を軽減し、光感度のバラツキを
なくすことを目的とする。
れたもので、定在波効果を軽減し、光感度のバラツキを
なくすことを目的とする。
この発明は、保護膜表面に凹凸を設けたものである。
この発明は、保護膜表面に設けられた凹凸により、多重
反射光の干渉のため起こる定在波効果が軽減され、分光
特性が波長により変動することがない。
反射光の干渉のため起こる定在波効果が軽減され、分光
特性が波長により変動することがない。
以下、この発明の一実施例について説明する。
第１図（ａ）はこの発明の一実施例となる受光装置の断
面図を示したものである。図中、第２図（ａ）と同一符
号は同一または相当部分を示すものであり説明を省略す
る。図において、（８）は最上部の保護膜（７）の表面
につけた凹凸で、凹部の溝幅は光の波長と同程度から５
倍程度である。凹部の溝幅を光の波長と同程度から５倍
程度より大きくすると、多重反射光が干渉を起こし、定
在波効果が軽減されない。
面図を示したものである。図中、第２図（ａ）と同一符
号は同一または相当部分を示すものであり説明を省略す
る。図において、（８）は最上部の保護膜（７）の表面
につけた凹凸で、凹部の溝幅は光の波長と同程度から５
倍程度である。凹部の溝幅を光の波長と同程度から５倍
程度より大きくすると、多重反射光が干渉を起こし、定
在波効果が軽減されない。
第１図（ｆｉ）は、第１図（ａ）に示したこの発明によ
る最上部の保護膜（７）に凹凸（８）をつけたカラーフ
ィルターを備えた受光装置の分光特性を示したものであ
る。縦軸に光電流、横軸に波長をとっである。
る最上部の保護膜（７）に凹凸（８）をつけたカラーフ
ィルターを備えた受光装置の分光特性を示したものであ
る。縦軸に光電流、横軸に波長をとっである。
第１図（ｃ）は表面に凹凸をつけた膜Ｂと膜Ｂと屈折率
の異なる膜Ａにおける入射光の進み方を示している。膜
Ｂの表面に凹凸をつけることにより、第１図（ｃ）に示
すように膜への入射光が拡散され、さらに光路長が平均
化されるために第２図（Ｃ）の（ような多重反射光の干
渉が起こらず、定在波効果が軽減される。
の異なる膜Ａにおける入射光の進み方を示している。膜
Ｂの表面に凹凸をつけることにより、第１図（ｃ）に示
すように膜への入射光が拡散され、さらに光路長が平均
化されるために第２図（Ｃ）の（ような多重反射光の干
渉が起こらず、定在波効果が軽減される。
同様に第１図（ａ）の受光装置においても、層間膜の最
上部表面に凹凸をつけたので多重反射光の干渉が起こら
ず定在波効果が軽減される。そのため、第１図（ｂ）に
見られるように、分光特性が波長により変動せず、光感
度のバラツキがなくなる。
上部表面に凹凸をつけたので多重反射光の干渉が起こら
ず定在波効果が軽減される。そのため、第１図（ｂ）に
見られるように、分光特性が波長により変動せず、光感
度のバラツキがなくなる。
以上のように、受光部上に形成された保護膜の表面に凹
凸を設けたので、多重反射光が干渉して起こる定在波効
果を軽減するという効果がある。
凸を設けたので、多重反射光が干渉して起こる定在波効
果を軽減するという効果がある。
第１図（ａ）は、この発明の一実施例になる受光装置の
断面図、第１図（ｂ）は＠１図（ａ）の構造をもつカラ
ーフィルターを備えた受光装置の分光特性曲線図、第１
図（ｃ）は表面に凹凸をつけた膜Ｂと膜Ｂと屈折率の異
なる膜Ａにおける入射光の進み方を示した説明図、第２
図（ａ）は、従来の受光装置の断面図、第２図（ｂ）は
、第２図（ａ）の構造をもつ受光装置の分光特性曲線図
、第２図（ｃ）は屈折率の異なる膜Ａと膜Ｂにおける入
射光の進み方を示した説明図でゐる。 図ニオｔ、Ｎて、（１）は受光部、（２）はシリコン酸
化ＩＩＩ、（３月よアルミニウム配線、（４）は層間膜
Ａ、（５）は層間＃Ｂ、（６）はカラーフィルター層、
（７）は保護膜である。 図中同一符号は同一または相当部分を示す。
断面図、第１図（ｂ）は＠１図（ａ）の構造をもつカラ
ーフィルターを備えた受光装置の分光特性曲線図、第１
図（ｃ）は表面に凹凸をつけた膜Ｂと膜Ｂと屈折率の異
なる膜Ａにおける入射光の進み方を示した説明図、第２
図（ａ）は、従来の受光装置の断面図、第２図（ｂ）は
、第２図（ａ）の構造をもつ受光装置の分光特性曲線図
、第２図（ｃ）は屈折率の異なる膜Ａと膜Ｂにおける入
射光の進み方を示した説明図でゐる。 図ニオｔ、Ｎて、（１）は受光部、（２）はシリコン酸
化ＩＩＩ、（３月よアルミニウム配線、（４）は層間膜
Ａ、（５）は層間＃Ｂ、（６）はカラーフィルター層、
（７）は保護膜である。 図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）受光部上に１層以上の絶縁膜あるいは層間膜を設
け、この絶縁膜あるいは層間膜表面に凹凸を備えたこと
を特徴とする受光装置。 - （２）凹凸の凹部の溝幅は光の波長と同等から５倍程度
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の
受光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324432A JPH01166687A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 受光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62324432A JPH01166687A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 受光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166687A true JPH01166687A (ja) | 1989-06-30 |
Family
ID=18165738
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62324432A Pending JPH01166687A (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 受光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01166687A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006032913A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-02-02 | Pentax Corp | 固体撮像素子 |
| KR100838952B1 (ko) * | 2002-07-06 | 2008-06-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 제조 방법 |
| JP2009238942A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| JP2010141358A (ja) * | 2010-03-15 | 2010-06-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP62324432A patent/JPH01166687A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100838952B1 (ko) * | 2002-07-06 | 2008-06-16 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이미지센서 제조 방법 |
| JP2006032913A (ja) * | 2004-06-17 | 2006-02-02 | Pentax Corp | 固体撮像素子 |
| JP2009238942A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Sony Corp | 固体撮像素子及びその製造方法 |
| US7791011B2 (en) | 2008-03-26 | 2010-09-07 | Sony Corporation | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof and electronic apparatus and manufacturing method thereof |
| JP4702384B2 (ja) * | 2008-03-26 | 2011-06-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
| JP2010141358A (ja) * | 2010-03-15 | 2010-06-24 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JP4702484B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2011-06-15 | ソニー株式会社 | 固体撮像素子 |
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