JPH01220480A - ホトセンサ - Google Patents
ホトセンサInfo
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- JPH01220480A JPH01220480A JP63045611A JP4561188A JPH01220480A JP H01220480 A JPH01220480 A JP H01220480A JP 63045611 A JP63045611 A JP 63045611A JP 4561188 A JP4561188 A JP 4561188A JP H01220480 A JPH01220480 A JP H01220480A
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- Japan
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- film
- insulating film
- light receiving
- receiving part
- light
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- Pending
Links
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 abstract description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
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- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
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Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はホトセンサに関し、特に半導体基板表面にダ
イオードを形成し、そのダイオード部分に光が照射され
た場合にダイオードに発生するキャリアを電気信号とし
て検知するようにしたものに関するものである。
イオードを形成し、そのダイオード部分に光が照射され
た場合にダイオードに発生するキャリアを電気信号とし
て検知するようにしたものに関するものである。
第３図は従来の遮光膜付きホトダイオードを示す断面図
である。図において、１はｎ゛型半導体基体、２はｐ゛
型半導体領域、３は層間絶縁膜、４は遮光用アルミニウ
ム膜、５は表面保護絶縁膜、６はホトダイオードの陰電
極、７はホトダイオードの陽電極、８は酸化膜からなる
下層絶縁膜である。
である。図において、１はｎ゛型半導体基体、２はｐ゛
型半導体領域、３は層間絶縁膜、４は遮光用アルミニウ
ム膜、５は表面保護絶縁膜、６はホトダイオードの陰電
極、７はホトダイオードの陽電極、８は酸化膜からなる
下層絶縁膜である。
従来のホトセンサでは、受光部以外の部分に入射された
光によって発生するキャリアによる雑音を防ぐため、受
光部を除くフィールド領域にアルミニウムの遮光膜４を
設けており、そのため信号検出用アルミニウム電極６．
７間を絶縁する層間絶縁膜３を配備している。
光によって発生するキャリアによる雑音を防ぐため、受
光部を除くフィールド領域にアルミニウムの遮光膜４を
設けており、そのため信号検出用アルミニウム電極６．
７間を絶縁する層間絶縁膜３を配備している。
通常この層間絶縁膜３は酸化膜あるいは窒化膜が使われ
ている。またチップの表面には表面保護用の絶縁Ｍ５が
形成されており、通常この表面保護膜５には耐湿性に強
い窒化膜が使用されている。
ている。またチップの表面には表面保護用の絶縁Ｍ５が
形成されており、通常この表面保護膜５には耐湿性に強
い窒化膜が使用されている。
従って受光部のダイオード上は下層酸化膜８．Ｎ間絶縁
膜３２表面保護膜５の３層構造になっており、また、各
絶縁膜の屈折率ｎは酸化膜が約１．４５゜窒化膜（プラ
ズマ窒化膜）が約２．０と大きく異なっている。
膜３２表面保護膜５の３層構造になっており、また、各
絶縁膜の屈折率ｎは酸化膜が約１．４５゜窒化膜（プラ
ズマ窒化膜）が約２．０と大きく異なっている。
従来のホトセンサは以上のように受光部表面上には屈折
率の差が大きい絶縁膜が多層に積層されているため、入
射光が単一波長光である場合、絶縁膜の膜厚のバラツキ
により多重反射の強度が変化して、光強度の伝達関数が
バラツクという欠点があった。
率の差が大きい絶縁膜が多層に積層されているため、入
射光が単一波長光である場合、絶縁膜の膜厚のバラツキ
により多重反射の強度が変化して、光強度の伝達関数が
バラツクという欠点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、絶縁膜の膜厚のバラツキによる光強度伝達関
数のバラツキを抑えることができるホトセンサを得るこ
とを目的とする。
たもので、絶縁膜の膜厚のバラツキによる光強度伝達関
数のバラツキを抑えることができるホトセンサを得るこ
とを目的とする。
この発明に係るホトセンサは、表面保護膜の、受光部上
に位置する部分を除去するとともに、受光部上の絶縁膜
構造を屈折率１．４５の酸化膜からなる絶縁膜により構
成したものである。
に位置する部分を除去するとともに、受光部上の絶縁膜
構造を屈折率１．４５の酸化膜からなる絶縁膜により構
成したものである。
この発明においては、受光部上の絶縁膜構造を屈折率の
１．４５の絶縁膜のみから構成したから、受光部上の絶
縁膜が光学的には単一層と同等となり、絶縁膜の膜厚の
バラツキによる光強度伝達関数のバラツキを抑えること
ができる。
１．４５の絶縁膜のみから構成したから、受光部上の絶
縁膜が光学的には単一層と同等となり、絶縁膜の膜厚の
バラツキによる光強度伝達関数のバラツキを抑えること
ができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例によるホトセンサの断面構造
を示し、図において、■はｎ°型半導体基体、２はｐ゛
型半導体領域、３は層間絶縁酸化膜、４はホトダイオー
ドの受光部となる表面領域以外のフィールド領域に形成
された遮光用アルミニウム膜、５は表面保護用窒化膜、
６はホトダイオードの陰電極、７はホトダイオードの陽
電極、８は酸化膜からなる下層絶縁膜である。ここでは
ポンディングパッドの開口の形成と同時にホトセンサの
受光部上の表面保護膜である窒化膜５の除去も行ってお
り、受光部上にある絶縁膜は下層絶縁酸化膜８及び層間
絶縁酸化膜３のみとなっている。
を示し、図において、■はｎ°型半導体基体、２はｐ゛
型半導体領域、３は層間絶縁酸化膜、４はホトダイオー
ドの受光部となる表面領域以外のフィールド領域に形成
された遮光用アルミニウム膜、５は表面保護用窒化膜、
６はホトダイオードの陰電極、７はホトダイオードの陽
電極、８は酸化膜からなる下層絶縁膜である。ここでは
ポンディングパッドの開口の形成と同時にホトセンサの
受光部上の表面保護膜である窒化膜５の除去も行ってお
り、受光部上にある絶縁膜は下層絶縁酸化膜８及び層間
絶縁酸化膜３のみとなっている。
このような本実施例装置では、受光部上の膜構造は、下
層絶縁膜８及び層間絶縁膜３のみからなり、つまり受光
部上の絶縁膜構造を、従来の表面保護膜、または表面保
護膜及び層間絶縁膜の代わりに、屈折率１．４５の酸化
膜により構成したので、両絶縁膜８．３とも屈折率は同
じであるため光学的には単層膜と同等となり、従来の欠
点であった多層膜境界面における光の多重反射の強度変
化による光強度伝達関数のバラツキを小さ（抑えること
ができる。
層絶縁膜８及び層間絶縁膜３のみからなり、つまり受光
部上の絶縁膜構造を、従来の表面保護膜、または表面保
護膜及び層間絶縁膜の代わりに、屈折率１．４５の酸化
膜により構成したので、両絶縁膜８．３とも屈折率は同
じであるため光学的には単層膜と同等となり、従来の欠
点であった多層膜境界面における光の多重反射の強度変
化による光強度伝達関数のバラツキを小さ（抑えること
ができる。
なお上記実施例では層間絶縁膜３として酸化膜を用いた
場合を示したが、これは第２図に示すようにプラズマ窒
化膜を用いてもよい。第２図ζおいて、９はプラズマ窒
化膜であり他の同一符号は第１図と同一部分を示す。こ
の場合、層間窒化膜と表面保護窒化膜とを除去して受光
部上の絶縁膜を酸化膜の単層とすれば、上記実施例と同
様の効果を奏する。
場合を示したが、これは第２図に示すようにプラズマ窒
化膜を用いてもよい。第２図ζおいて、９はプラズマ窒
化膜であり他の同一符号は第１図と同一部分を示す。こ
の場合、層間窒化膜と表面保護窒化膜とを除去して受光
部上の絶縁膜を酸化膜の単層とすれば、上記実施例と同
様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば、表面保護膜の、受光
部上に位置する部分を除去するとともに、受光部上の絶
縁膜構造を所定の屈折率の材料からなる絶縁膜により構
成したので、多重反射の強度変化による光強度の伝達関
数のバラツキを小さく抑えることができるホトセンサを
得ることができる。
部上に位置する部分を除去するとともに、受光部上の絶
縁膜構造を所定の屈折率の材料からなる絶縁膜により構
成したので、多重反射の強度変化による光強度の伝達関
数のバラツキを小さく抑えることができるホトセンサを
得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例によるホトセンサの断面構
造を示す図、第２図はこの発明の他の実施例によるホト
センサの断面構造を示す図、第３図は従来のホトセンサ
の断面構造を示す断面図である。 １・・・ｎ゛型半導体基体、２・・・ｐ゛型半導体領域
、３・・・層間酸化膜、４・・・遮光用アルミニウム、
５・・・表面保護用窒化膜、６・・・ホトダイオードの
陰電極、７・・・ホトダイオードの陽電極、８・・・酸
化膜、９・・・層間窒化膜。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
造を示す図、第２図はこの発明の他の実施例によるホト
センサの断面構造を示す図、第３図は従来のホトセンサ
の断面構造を示す断面図である。 １・・・ｎ゛型半導体基体、２・・・ｐ゛型半導体領域
、３・・・層間酸化膜、４・・・遮光用アルミニウム、
５・・・表面保護用窒化膜、６・・・ホトダイオードの
陰電極、７・・・ホトダイオードの陽電極、８・・・酸
化膜、９・・・層間窒化膜。 なお、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体基板表面に半導体領域からなるホトダイオ
ードを、該半導体基板上に下層絶縁膜を形成し、このホ
トダイオードの受光部となる表面領域を除く全面に、層
間絶縁膜を介して遮光膜を被覆し、その上に表面保護膜
を形成してなるホトセンサにおいて、 上記表面保護膜の、上記受光部上に位置する部分を除去
するとともに、 上記受光部上の絶縁膜を所定の屈折率の材料からなる絶
縁膜により構成したことを特徴とするホトセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045611A JPH01220480A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | ホトセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63045611A JPH01220480A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | ホトセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01220480A true JPH01220480A (ja) | 1989-09-04 |
Family
ID=12724168
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63045611A Pending JPH01220480A (ja) | 1988-02-26 | 1988-02-26 | ホトセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01220480A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101997054A (zh) * | 2009-08-24 | 2011-03-30 | 夏普株式会社 | 半导体光电探测器元件和半导体装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389A (en) * | 1976-06-24 | 1978-01-05 | Sony Corp | Solid photo electric conversion element |
| JPS6161457A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-03-29 | Canon Inc | 光センサおよびその製造方法 |
| JPS62226659A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Canon Inc | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-02-26 JP JP63045611A patent/JPH01220480A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5389A (en) * | 1976-06-24 | 1978-01-05 | Sony Corp | Solid photo electric conversion element |
| JPS6161457A (ja) * | 1984-09-01 | 1986-03-29 | Canon Inc | 光センサおよびその製造方法 |
| JPS62226659A (ja) * | 1986-03-28 | 1987-10-05 | Canon Inc | 半導体装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101997054A (zh) * | 2009-08-24 | 2011-03-30 | 夏普株式会社 | 半导体光电探测器元件和半导体装置 |
| JP2011071484A (ja) * | 2009-08-24 | 2011-04-07 | Sharp Corp | 半導体光検出素子および半導体装置 |
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