JP2661901B2 - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JP2661901B2 JP2661901B2 JP61230402A JP23040286A JP2661901B2 JP 2661901 B2 JP2661901 B2 JP 2661901B2 JP 61230402 A JP61230402 A JP 61230402A JP 23040286 A JP23040286 A JP 23040286A JP 2661901 B2 JP2661901 B2 JP 2661901B2
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- JP
- Japan
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- film
- region
- impurity region
- semiconductor device
- optical semiconductor
- Prior art date
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、光検出波長感度を安定に保ち、高感度，高
信頼性を有する光半導体装置に関する。 従来の技術 従来は、光半導体装置の表面保護膜としては、CVD法
を用いた、SiO2膜やシリコンナイトライド膜等が用いら
れていた。ところが第２図に示すようにシリコンナイト
ライド薄膜１による反射防止膜を有する光半導体装置の
場合、受光領域２上に表面保護膜３を多重に形成する
と、干渉を生じ光検出波長感度が不安定になる。このた
め半導体レーザー等の単色光に近い光の検出等には、光
感度の低下ならびにバラツキが生じるという欠点があっ
た。 発明が解決しようとする問題点 光半導体装置では、信頼性を有し、光検出波長感度特
性に安定に保つ構造が必要となる。 問題点を解決するための手段 本発明の光半導体装置は、一導電型の半導体基板の表
面領域に形成された逆導電型の第１の不純物領域と、前
記第１の不純物領域上に形成された反射防止膜と、前記
半導体基板と前記第１の不純物領域との表面接合部上に
形成された絶縁膜と、前記反射防止膜と前記絶縁膜との
上に形成され、前記第１の不純物領域上で空き領域を有
する透光性の表面保護膜とを設けたものである。 作用 受光面での反射防止効果は、性能を保持したままで、
しかも、Ｐ−Ｎ接合から光電変換部の周辺部に表面保護
効果を所持する透光性薄膜が形成されており、高感度で
高信頼性を有した光電変換素子を容易に得ることができ
る。 実施例 次に図面を用いて本発明を説明する。第１図は本発明
の一実施例を示すところのフォトダイオードの断面図で
ある。N+型シリコン基板８上に高抵抗なＮ型エピタキシ
ャルによる高抵抗層９を形成し、P+型の不純物領域をも
つ受光領域２を形成し、N+型の不純物領域７がフォトダ
イオードの周辺部に形成されている。受光領域２の上に
はシリコンナイトライドによる反射防止膜１が、入射す
る光の波長に対し最適な効果を現出させる膜厚で形成さ
れている。また受光領域２のPN接合部が表面に露出する
領域から高抵抗層９が表面に露出する領域およびN+型の
不純物領域７に渡ってフィールド酸化膜としての熱酸化
膜10が形成されている。さらにＰ−Ｎ接合部が表面に露
呈する領域から高抵抗層９が表面に露呈する領域および
N+不純物領域７にわたって、CVD法によるSiO2膜５とそ
の上にシリコンナイトライド膜６による表面保護膜６が
形成されている。 このように受光領域上には表面保護のための、シリコ
ンナイロライド膜は形成されておらず、反射防止膜の効
果は最大に作用させ、シリコンナイトライド膜による、
不純物による表面汚染を防ぎ、リーク電流の劣化を防止
する作用をあわせもたせた、フォトダイオードを得るこ
とができる。 なお、上記において説明した表面保護のためのシリコ
ンナイトライド膜は、感光性のポリイミド系の樹脂等で
も同等の効果を得ることはいうまでもない。 発明の効果 以上のように、光電変換部の周辺部に透光性薄膜を形
成することで、高抵抗な半導体表面の表面保護を行なう
ことができ、受光部への光学的影響を及ぼすことなく、
高感度で、高信頼性を有した、光半導体装置を容易に得
ることができる。特に、半導体レーザー等を光源に用い
る場合の光電変換素子として、高信頼性を保ったまま、
受光感度にバラツキの非常に少ないものを実現できる。
信頼性を有する光半導体装置に関する。 従来の技術 従来は、光半導体装置の表面保護膜としては、CVD法
を用いた、SiO2膜やシリコンナイトライド膜等が用いら
れていた。ところが第２図に示すようにシリコンナイト
ライド薄膜１による反射防止膜を有する光半導体装置の
場合、受光領域２上に表面保護膜３を多重に形成する
と、干渉を生じ光検出波長感度が不安定になる。このた
め半導体レーザー等の単色光に近い光の検出等には、光
感度の低下ならびにバラツキが生じるという欠点があっ
た。 発明が解決しようとする問題点 光半導体装置では、信頼性を有し、光検出波長感度特
性に安定に保つ構造が必要となる。 問題点を解決するための手段 本発明の光半導体装置は、一導電型の半導体基板の表
面領域に形成された逆導電型の第１の不純物領域と、前
記第１の不純物領域上に形成された反射防止膜と、前記
半導体基板と前記第１の不純物領域との表面接合部上に
形成された絶縁膜と、前記反射防止膜と前記絶縁膜との
上に形成され、前記第１の不純物領域上で空き領域を有
する透光性の表面保護膜とを設けたものである。 作用 受光面での反射防止効果は、性能を保持したままで、
しかも、Ｐ−Ｎ接合から光電変換部の周辺部に表面保護
効果を所持する透光性薄膜が形成されており、高感度で
高信頼性を有した光電変換素子を容易に得ることができ
る。 実施例 次に図面を用いて本発明を説明する。第１図は本発明
の一実施例を示すところのフォトダイオードの断面図で
ある。N+型シリコン基板８上に高抵抗なＮ型エピタキシ
ャルによる高抵抗層９を形成し、P+型の不純物領域をも
つ受光領域２を形成し、N+型の不純物領域７がフォトダ
イオードの周辺部に形成されている。受光領域２の上に
はシリコンナイトライドによる反射防止膜１が、入射す
る光の波長に対し最適な効果を現出させる膜厚で形成さ
れている。また受光領域２のPN接合部が表面に露出する
領域から高抵抗層９が表面に露出する領域およびN+型の
不純物領域７に渡ってフィールド酸化膜としての熱酸化
膜10が形成されている。さらにＰ−Ｎ接合部が表面に露
呈する領域から高抵抗層９が表面に露呈する領域および
N+不純物領域７にわたって、CVD法によるSiO2膜５とそ
の上にシリコンナイトライド膜６による表面保護膜６が
形成されている。 このように受光領域上には表面保護のための、シリコ
ンナイロライド膜は形成されておらず、反射防止膜の効
果は最大に作用させ、シリコンナイトライド膜による、
不純物による表面汚染を防ぎ、リーク電流の劣化を防止
する作用をあわせもたせた、フォトダイオードを得るこ
とができる。 なお、上記において説明した表面保護のためのシリコ
ンナイトライド膜は、感光性のポリイミド系の樹脂等で
も同等の効果を得ることはいうまでもない。 発明の効果 以上のように、光電変換部の周辺部に透光性薄膜を形
成することで、高抵抗な半導体表面の表面保護を行なう
ことができ、受光部への光学的影響を及ぼすことなく、
高感度で、高信頼性を有した、光半導体装置を容易に得
ることができる。特に、半導体レーザー等を光源に用い
る場合の光電変換素子として、高信頼性を保ったまま、
受光感度にバラツキの非常に少ないものを実現できる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による一実施例を示す断面図、第２図は
従来装置によるところの断面図を示すものである。 １……反射防止膜、２……受光領域、３……表面保護
膜、４……表面電極、５……SiO2膜、６……シリコンナ
イトライド膜、７……N+不純物領域、８……N+型シリコ
ン基板、９……高抵抗層。
従来装置によるところの断面図を示すものである。 １……反射防止膜、２……受光領域、３……表面保護
膜、４……表面電極、５……SiO2膜、６……シリコンナ
イトライド膜、７……N+不純物領域、８……N+型シリコ
ン基板、９……高抵抗層。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．一導電型の半導体基板の表面領域に形成された逆導
電型の第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域上に
形成された反射防止膜と、前記半導体基板と前記第１の
不純物領域との表面接合部上に形成された絶縁膜と、前
記反射防止膜と前記絶縁膜との上に形成され、前記第１
の不純物領域上で空き領域を有する透光性の表面保護膜
とを設けた光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230402A JP2661901B2 (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61230402A JP2661901B2 (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 光半導体装置 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7318772A Division JPH08228019A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 光半導体装置 |
| JP7318771A Division JPH08213647A (ja) | 1995-12-07 | 1995-12-07 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6384169A JPS6384169A (ja) | 1988-04-14 |
| JP2661901B2 true JP2661901B2 (ja) | 1997-10-08 |
Family
ID=16907318
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61230402A Expired - Lifetime JP2661901B2 (ja) | 1986-09-29 | 1986-09-29 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2661901B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08288261A (ja) * | 1995-04-20 | 1996-11-01 | Nec Corp | フォトダイオードの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55154784A (en) * | 1979-05-22 | 1980-12-02 | Nec Corp | Photoreceptor |
| JPS57155785A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 | Toshiba Corp | Semiconductor photo-receiving element photodetector |
-
1986
- 1986-09-29 JP JP61230402A patent/JP2661901B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6384169A (ja) | 1988-04-14 |
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