JPH01166564A - 大電力用電界効果トランジスタ - Google Patents
大電力用電界効果トランジスタInfo
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- JPH01166564A JPH01166564A JP32648687A JP32648687A JPH01166564A JP H01166564 A JPH01166564 A JP H01166564A JP 32648687 A JP32648687 A JP 32648687A JP 32648687 A JP32648687 A JP 32648687A JP H01166564 A JPH01166564 A JP H01166564A
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- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims description 29
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 claims description 12
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 10
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
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- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置分野に利用される。
本発明は、大電力用電界効果トランジスタに関し、特に
単一の動作領域内に複数のトランジスタ動作を行う電界
効果トランジスタ素子を有する大電力用電界効果トラン
ジスタに関する。
単一の動作領域内に複数のトランジスタ動作を行う電界
効果トランジスタ素子を有する大電力用電界効果トラン
ジスタに関する。
本発明は、同一動作領域内に形成され、各ゲート電極が
ゲート引出し電極部を介してゲート接続部に接続された
複数の電界効果トランジスタ素子を有する大電力用電界
効果トランジスタにおいて、前記各ゲート電極と前記ゲ
ート引出し電極部との間に、前記ゲート接続部と前記各
ゲート電極間の距離に応じて小となる抵抗値を有する安
定化抵抗をそれぞれ接続することにより、 特性の向上と動作の安定化を図ったものである。
ゲート引出し電極部を介してゲート接続部に接続された
複数の電界効果トランジスタ素子を有する大電力用電界
効果トランジスタにおいて、前記各ゲート電極と前記ゲ
ート引出し電極部との間に、前記ゲート接続部と前記各
ゲート電極間の距離に応じて小となる抵抗値を有する安
定化抵抗をそれぞれ接続することにより、 特性の向上と動作の安定化を図ったものである。
第３図は従来の大電力用電界効果トランジスタの一例の
要部を示す電極のパターン図である。第３図において、
１は電界効果トランジスタ素子のゲート電極、２はゲー
ト引出し電極部および３はゲート接続部としてのゲート
ポンディングパッドである。この従来例は、ゲート電極
１がＧｌ−Ｇ、。
要部を示す電極のパターン図である。第３図において、
１は電界効果トランジスタ素子のゲート電極、２はゲー
ト引出し電極部および３はゲート接続部としてのゲート
ポンディングパッドである。この従来例は、ゲート電極
１がＧｌ−Ｇ、。
のｎ個がゲート引出し電極部２に接続された様子を示し
、同様にして各ゲート電極１間に挟まれた（ｎ−１）個
のゲート電極が図外の図の右側に設けられたゲート引出
し部に接続される。
、同様にして各ゲート電極１間に挟まれた（ｎ−１）個
のゲート電極が図外の図の右側に設けられたゲート引出
し部に接続される。
図から明らかなように、従来のこの種の大電力用電界効
果トランジスタは、ゲート抵抗を低減するための安定化
抵抗は入っていなかった。
果トランジスタは、ゲート抵抗を低減するための安定化
抵抗は入っていなかった。
前述した従来の大電力用電界効果トランジスタは、単一
の動作領域内に複数のトランジスタ動作を行う電界効果
トランジスタ素子があり、各電界効果トランジスタ素子
のゲート電極１からゲートポンディングパッド３までの
距離が一定でないため、各々の配線経路で生じる抵抗値
が異る。このため各電界効果トランジスタ素子でのゲー
ト抵抗が一定でなくなり、動作が不均一になり、全体の
特性が低下したり動作が不安定になる欠点があった。
の動作領域内に複数のトランジスタ動作を行う電界効果
トランジスタ素子があり、各電界効果トランジスタ素子
のゲート電極１からゲートポンディングパッド３までの
距離が一定でないため、各々の配線経路で生じる抵抗値
が異る。このため各電界効果トランジスタ素子でのゲー
ト抵抗が一定でなくなり、動作が不均一になり、全体の
特性が低下したり動作が不安定になる欠点があった。
本発明の目的は、前記の欠点を除去することにより、各
電界効果トランジスタ素子の動作を均一化させ、特性の
向上と動作の安定化を図った大電力用電界効果トランジ
スタを提供することにある。
電界効果トランジスタ素子の動作を均一化させ、特性の
向上と動作の安定化を図った大電力用電界効果トランジ
スタを提供することにある。
本発明は、同一動作領域内に形成され、各ゲート電極が
ゲート引出し電極部を介してゲート接続部に接続された
複数の電界効果トランジスタ素子を有する大電力用電界
効果トランジスタにおいて、前記各ゲート電極と前記ゲ
ート引出し電極部との間に、前記ゲート接続部と前記各
ゲート電極間の距離に応じて小となる抵抗値を有する安
定化抵抗がそれぞれ接続されたことを特徴とする。
ゲート引出し電極部を介してゲート接続部に接続された
複数の電界効果トランジスタ素子を有する大電力用電界
効果トランジスタにおいて、前記各ゲート電極と前記ゲ
ート引出し電極部との間に、前記ゲート接続部と前記各
ゲート電極間の距離に応じて小となる抵抗値を有する安
定化抵抗がそれぞれ接続されたことを特徴とする。
各電界効果トランジスタ素子の各ゲート電極とゲート引
出し電極部との間にそれぞれ接続された安定化抵抗は、
それぞれ各ゲート電極とゲート接続部間の距離が大にな
るに従い小となる抵抗値を有している。
出し電極部との間にそれぞれ接続された安定化抵抗は、
それぞれ各ゲート電極とゲート接続部間の距離が大にな
るに従い小となる抵抗値を有している。
従って、各電界効果トランジスタ素子の各ゲート電極と
ゲート接続部間の距離の差によるゲート抵抗値の差は補
償され、各電界効果トランジスタ素子の動作は均一化さ
れ、全体の特性の向上と動作の安定化が図られる。
ゲート接続部間の距離の差によるゲート抵抗値の差は補
償され、各電界効果トランジスタ素子の動作は均一化さ
れ、全体の特性の向上と動作の安定化が図られる。
以下、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図は本発明の第一実施例の要部を示す電極のパター
ン図である。本第二実施例は同一動作領域内に形成され
、各ゲート電極（Ｇ１．〜Ｇ、、）１がゲート引出し電
極部２を介してゲート接続部としてのゲートポンディン
グパッド３に接続された（２ｎ−１）個（ｎは正の整数
）の電界効果トランジスタ素子を有する大電力用電界効
果トランジスタにおいて、 各ゲート電極１とゲート引出し電極部２との間に、ゲー
トポンディングパッド３と各ゲー、ト電極１間の距離に
応じて小となる抵抗値を有する安定化抵抗（Ｒ，〜Ｒ，
，）４をそれぞれ接続したものである。なお、第１図は
、（２ｎ−１）個の電界効果トランジスタ素子のうち、
ゲート電極（Ｇ１−Ｇ１）１を有するｎ個の素子につい
て示したもので、ＧＩ−Ｇｈのゲート電極１に挟まれた
（ｎ−１）個のゲート電極は同様にして右側に設けられ
た図外のゲート引出し電極部を介しゲートポンディング
パッドに接続される。
ン図である。本第二実施例は同一動作領域内に形成され
、各ゲート電極（Ｇ１．〜Ｇ、、）１がゲート引出し電
極部２を介してゲート接続部としてのゲートポンディン
グパッド３に接続された（２ｎ−１）個（ｎは正の整数
）の電界効果トランジスタ素子を有する大電力用電界効
果トランジスタにおいて、 各ゲート電極１とゲート引出し電極部２との間に、ゲー
トポンディングパッド３と各ゲー、ト電極１間の距離に
応じて小となる抵抗値を有する安定化抵抗（Ｒ，〜Ｒ，
，）４をそれぞれ接続したものである。なお、第１図は
、（２ｎ−１）個の電界効果トランジスタ素子のうち、
ゲート電極（Ｇ１−Ｇ１）１を有するｎ個の素子につい
て示したもので、ＧＩ−Ｇｈのゲート電極１に挟まれた
（ｎ−１）個のゲート電極は同様にして右側に設けられ
た図外のゲート引出し電極部を介しゲートポンディング
パッドに接続される。
ここで、安定化抵抗４の長さは、ゲートポンディングパ
ッド３から遠い位置にあるほど短くなっており、その結
果抵抗値は小さくなる。従って、ゲートポンディングパ
ッド３から各ゲート電極１までの抵抗値がほぼ等しくな
り、均一動作が可能になる。
ッド３から遠い位置にあるほど短くなっており、その結
果抵抗値は小さくなる。従って、ゲートポンディングパ
ッド３から各ゲート電極１までの抵抗値がほぼ等しくな
り、均一動作が可能になる。
第２図は本発明の第二実施例の要部を示す電極のパター
ン図である。本第二実施例は第１図の第一実施例におい
て、各安定化抵抗（Ｒ＋ ’＝Ｒ１，）４の幅をゲート
ポンディングパッド３から遠い位置にあるほど大きくす
ることで、各安定化抵抗４の抵抗値を変えたもので、第
一実施例と同様の効果が得られる。さらに、本第二実施
例では、電界効果トランジスタ素子部の形状が長方形ま
たは正方形となるため、マスク設計が容易になるという
利点がある。
ン図である。本第二実施例は第１図の第一実施例におい
て、各安定化抵抗（Ｒ＋ ’＝Ｒ１，）４の幅をゲート
ポンディングパッド３から遠い位置にあるほど大きくす
ることで、各安定化抵抗４の抵抗値を変えたもので、第
一実施例と同様の効果が得られる。さらに、本第二実施
例では、電界効果トランジスタ素子部の形状が長方形ま
たは正方形となるため、マスク設計が容易になるという
利点がある。
本発明の特徴は、第１図および第２図において、安定化
抵抗４を設けたことにある。
抵抗４を設けたことにある。
以上説明したように、本発明は、ゲート引出し電極部と
電界効果トランジスタ素子のゲート電極との間に安定化
抵抗を挿入し、かつ、ゲート接続部と各ゲート電極間の
距離に応じて安定化抵抗の抵抗値を小さくすることによ
り、各電界効果トランジスタ素子の動作を均一化でき、
全体の特性の向上および動作の安定化を図ることができ
る効果がある。
電界効果トランジスタ素子のゲート電極との間に安定化
抵抗を挿入し、かつ、ゲート接続部と各ゲート電極間の
距離に応じて安定化抵抗の抵抗値を小さくすることによ
り、各電界効果トランジスタ素子の動作を均一化でき、
全体の特性の向上および動作の安定化を図ることができ
る効果がある。
第１図は本発明の第一実施例の要部を示す電極のパター
ン図。 第２図は本発明の第二実施例の要部を示す電極のパター
ン図。 第３図は従来例の要部を示す電極のノくターン図。 １・・・ゲート電極（Ｇ、〜Ｇ、、）、２・・・ゲート
引出し電極部、３・・・ゲートポンデイングツ櫂ツド、
４・・・安定化抵抗（Ｒ，〜Ｒ，，）。 特許出願人 日本電気株式会社２１．Ｔ、、代理人
弁理士 井 出 直 孝 爪−夫′ｇ１例の撮丘 、￥１１ 口 第二夫交例／）講丘 第 ２ 口
ン図。 第２図は本発明の第二実施例の要部を示す電極のパター
ン図。 第３図は従来例の要部を示す電極のノくターン図。 １・・・ゲート電極（Ｇ、〜Ｇ、、）、２・・・ゲート
引出し電極部、３・・・ゲートポンデイングツ櫂ツド、
４・・・安定化抵抗（Ｒ，〜Ｒ，，）。 特許出願人 日本電気株式会社２１．Ｔ、、代理人
弁理士 井 出 直 孝 爪−夫′ｇ１例の撮丘 、￥１１ 口 第二夫交例／）講丘 第 ２ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 〔１〕同一動作領域内に形成され、各ゲート電極（１）
がゲート引出し電極部（２）を介してゲート接続部（３
）に接続された複数の電界効果トランジスタ素子を有す
る大電力用電界効果トランジスタにおいて、 前記各ゲート電極と前記ゲート引出し電極部との間に、
前記ゲート接続部と前記各ゲート電極間の距離に応じて
小となる抵抗値を有する安定化抵抗（４）がそれぞれ接
続された ことを特徴とする大電力用電界効果トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32648687A JPH0687505B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 大電力用電界効果トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32648687A JPH0687505B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 大電力用電界効果トランジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01166564A true JPH01166564A (ja) | 1989-06-30 |
| JPH0687505B2 JPH0687505B2 (ja) | 1994-11-02 |
Family
ID=18188358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32648687A Expired - Fee Related JPH0687505B2 (ja) | 1987-12-22 | 1987-12-22 | 大電力用電界効果トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0687505B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002083964A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体素子及びこれを用いた半導体装置と変換器 |
| US6738032B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-05-18 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel having pads of different length |
| DE19823069B4 (de) * | 1997-09-29 | 2007-03-08 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiterbauelement |
| JP2008294301A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| JP2012009615A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| US10068848B2 (en) | 2013-08-19 | 2018-09-04 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor chip with integrated series resistances |
| EP3619738A4 (en) * | 2017-05-05 | 2021-01-13 | Cree, Inc. | HIGH POWER MMIC DEVICES WITH DERIVED GRID TRANSISTORS |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015178050A1 (ja) | 2014-05-21 | 2015-11-26 | シャープ株式会社 | 電界効果トランジスタ |
-
1987
- 1987-12-22 JP JP32648687A patent/JPH0687505B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19823069B4 (de) * | 1997-09-29 | 2007-03-08 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiterbauelement |
| DE19823069B8 (de) * | 1997-09-29 | 2007-06-06 | Mitsubishi Denki K.K. | Halbleiterbauelement |
| US6738032B1 (en) | 1999-11-24 | 2004-05-18 | Lg Electronics Inc. | Plasma display panel having pads of different length |
| JP2002083964A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体素子及びこれを用いた半導体装置と変換器 |
| JP2008294301A (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
| US9484444B2 (en) | 2007-05-25 | 2016-11-01 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device with a resistance element in a trench |
| JP2012009615A (ja) * | 2010-06-24 | 2012-01-12 | Fujitsu Ltd | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| US10068848B2 (en) | 2013-08-19 | 2018-09-04 | Infineon Technologies Austria Ag | Semiconductor chip with integrated series resistances |
| DE102014111279B4 (de) | 2013-08-19 | 2024-02-08 | Infineon Technologies Austria Ag | Halbleiterchip mit integrierten Serienwiderständen und Verfahren zur Herstellung desselben |
| EP3619738A4 (en) * | 2017-05-05 | 2021-01-13 | Cree, Inc. | HIGH POWER MMIC DEVICES WITH DERIVED GRID TRANSISTORS |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0687505B2 (ja) | 1994-11-02 |
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Legal Events
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