JPH01165731A - V−a1合金の製造方法 - Google Patents

V−a1合金の製造方法

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JPH01165731A
JPH01165731A JP32466487A JP32466487A JPH01165731A JP H01165731 A JPH01165731 A JP H01165731A JP 32466487 A JP32466487 A JP 32466487A JP 32466487 A JP32466487 A JP 32466487A JP H01165731 A JPH01165731 A JP H01165731A
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JP
Japan
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slag
alloy
yield
reaction
manufacture
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Application number
JP32466487A
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English (en)
Inventor
Toshio Nayuki
利夫 名雪
Toshio Kamaya
釜谷 俊夫
Masahiro Fujiwara
正博 藤原
Tadahiko Nishi
忠彦 西
Chiaki Ouchi
大内 千秋
Naoki Sakata
坂田 直起
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JFE Engineering Corp
Original Assignee
NKK Corp
Nippon Kokan Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明はチタン合金の母合金として使用されるV−A 
I合金の製造方法に関する。
[従来技術] チタン合金用のV−At母合金の製造方法としてはAl
テルミット法と電気炉法が知られているが、工業的には
、一般的にAlテルミット法が実施されている。
Alテルミット法は、テルミット炉に原料である五酸化
バナジウム鉱石(V2O3)とAl粉末(還元剤として
)及び造滓剤を装入し、大気中でテルミット反応させる
方法であり、その反応は、V20g+10/3Al +
 2(Z ・Al  →2 (V+ ・Al (2〕5
 / 3Al203− Q〈ここで、α=0.2〜1.
26> となる。
テルミット反応炉としては、水冷式Cuルツボを使う方
法と、内面にセラミックス・ライニング材を施した鋼製
炉体を使う方法があるが、Cuルツボ法はライニングが
不要で合金へのライニング材汚染がない利点がある反面
、生産規模を大きくすることができず製造コストの低減
が図れない欠点があるため、セラミックス・ライニング
材法が最も一般的に用いられている。
[発明が解決しようとする問題点] ところで、上記したテルミット反応によるV−Al合金
の製造方法においては、合金の清浄度、歩留および純度
について大きな問題があった。
即ち、V−A I合金に対するガスの溶解度は液体と固
体では大きな差があり、液体のほうが大きいため、特に
溶融メタルが凝固する時に大量のガスを放出し、メタル
上面に縦に亀裂が走り、且つ多数の気孔が発生したり、
メタル上面や下面にAl2O3介在物が偏在するなどメ
タルの清浄度が悪化する問題がある。
また、スラグとV2O5との親和力が強いため、V2O
5の[メタル/スラグ]移行比が低下してスラグ中のV
2O5濃度が数%に達し、メタル中の■歩留が低下する
問題がある。
また更に、従来技術においては、造滓剤として石灰を使
用しており、これが不純物混入の原因になっている。石
灰にはSi、Fe等の不純物が含まれているほか、破砕
工程等反応炉に装入するまでの間にCO2が吸収されて
いるので、これらの不純物がメタルに混入して純度を低
下させるという問題もある。
本発明はこのような従来技術の問題点を解決するために
なされたもので、メタルの清浄度と■歩留を向上させ、
更に純度を高めることができるV−A I合金の製造方
法を提供することを目的とする。
[問題点を解決するための手段] 本発明は、五酸化バナジウム鉱石を鉱石サイズ20止以
下で且つ1叩以下が5〜50wt%となるように調整し
これにV−A I合金をテルミット反応で製造した際に
発生したAhO390%〜99.5%の組成を有するス
ラグを造滓剤として配合し、更に還元剤としてAl粉末
を添加し、反応炉において下記に定義するQ値をQ=7
50〜950 kcal/ kgにしてテルミット反応
させることを特徴とするV−A )合金の製造方法であ
る。
[作用] 本発明におけるV−A I合金としてはV−60〜90
%、Al=40〜10%のものを対象とする。
本発明者らの知見によれば、メタル凝固時のガス放出量
とV−Al合金組成との関係において、■が50%から
100%に増加するにつれ、)(2、N2等のガス放出
量が減少する。また1、A 1%が0.5%から50%
に増加するにつれ、スラグ中のV2O5が7%から0.
5%に減少する。
このような知見に基づき、ガス放出量がメタルの清浄度
をおとさない範囲であり、且つスラグ中のV2O5を低
減できるV−A I合金組成を選び、V=60〜90%
、Al=40〜10%合金を対象としたものである。
また、別の研究によれば、テルミット反応で副生ずるス
ラグ中の組成をAl20390〜99.5%になるよう
に装入原料の組成を調節すると、メタルの上面、下面に
偏在していたAl2O3介在物がなくなるという知見も
得ている。このようなスラグの組成を得るために、造滓
剤として、V−Al合金をテルミット反応で製造した際
に発生したAhO390%〜99.5%の組成を有する
スラグ(以下の説明においてはV−Alスラグと略称す
る)を使用する。造滓剤として上記のごとき組成のV−
A lスラグが使用されるので、造滓剤に由来する不純
物の量が減少する。
次に、反応炉に装入する原料の粒径について説明する。
第1図は五酸化バナジウム鉱石の粒径分布と■歩留との
関係を示す図である。第1図において、粒径は細かいほ
ど還元剤との接触面積が拡大し、テルミット反応が迅速
に起こり、未反応による原料ロスを少なくすることがで
き、■歩留を向上させる。しかし、粒径20龍以下で且
つ粒径1■以下のものが50%を超える粒径分布になる
と■歩留の向上は飽和しはじめるので、あまり粒径を細
かくすると、製造コストが高くなる。このため、本発明
においては、■歩留がほぼ90%以上を確保できる粒度
分布として、20mm以下で且つ1市以下が5〜50w
t%の範囲を定めた。
また造滓剤として配合するV−A lスラグは5市以下
の粒径に調整するのが望ましい、更に本発明においては
、■歩留を向上させるために、テルミット反応に際して
下記のごとく定義するQ値が750〜950 k c 
a I / k gになるように原料の配合を調整する
Q値を上記の範囲にすれば、反応熱量が最適の範囲に選
ばれて爆発的なテルミット反応が抑制され、原料と生成
物の飛散ロスによるV歩留の低下を防ぐことができる。
このQ値と■歩留との関係を第2図に示す、この図で明
らかなように、Q値を750〜950kcal/kgに
すれば、はぼ90%以上の高いV歩留が得られることが
わかる。
なお、テルミット反応炉のコーテイング材としては種々
のものが使用されるが、前記のV−A lスラグを用い
ると、他のコーテイング材を使用した場合に比べ、コー
テイング材と反応メタルとの分離がよく、また両者の間
の反応も抑制され、■歩留が向上する。第1表はコーテ
イング材の種類と製品になるメタルの歩留との関係を調
べた結果である。
第1表 [発明の実施例] 以下、本発明の実施例について説明する。
(実施例1) 第2表に示す原料を、V−Alスラグをラコーティング
した反応炉に装入し、Q値=850kcal/kgでテ
ルミット反応させ、65V−35Al合金を製造した。
その結果得られた生成物であるメタルとスラグの組成を
第3表に示す。第3表のごとく、■歩留は99.1%で
あり、極めて高い値であった。また、メタルの表面性状
も良好であった。
(実施例2) 第4表に示す原料を実施例1と同じ反応炉に装。
入し、Q値= 870 kcal/ kgでテルミット
反応すせ、85V−15Al合金を製造した。得られた
生成物であるメタルとスラグの組成を第5表に示す、第
5表のごとく、■歩留は98.4%であり、極めて高い
値であった。また、メタルの表面性状も良好であった。
[発明の効果コ 本発明によれば、原料の粒径およびQ値を適正に調整し
てテルミット反応させると共に、造滓剤としてはV−A
lスラグを使用するので、メタルの清浄度がよく、■歩
留が極めて高く、更に純度の高いV−A I合金を製造
することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は五酸化バナジウム鉱石の粒径とV歩留との関係
を示す図、第2図はQ値と■歩留との関係を示す図であ
る。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 五酸化バナジウム鉱石を鉱石サイズ20mm以下で且つ
    1mm以下が5〜50wt%となるように調整し、これ
    にV−Al合金をテルミット反応で製造した際に発生し
    たAl_2O_390%〜99.5%の組成を有するス
    ラグを造滓剤として配合し、更に還元剤としてAl粉末
    を添加し、反応炉において下記に定義するQ値をQ=7
    50〜950kcal/kgにしてテルミット反応させ
    ることを特徴とするV−Al合金の製造方法。 Q=テルミット反応熱(kcal)/(五酸化バナジウ
    ム鉱石+Al粉末+造滓剤)の重量(kg)
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