JPH01165176A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH01165176A JPH01165176A JP32478387A JP32478387A JPH01165176A JP H01165176 A JPH01165176 A JP H01165176A JP 32478387 A JP32478387 A JP 32478387A JP 32478387 A JP32478387 A JP 32478387A JP H01165176 A JPH01165176 A JP H01165176A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- type region
- diode
- type
- current
- junction
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 5
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、プレーナダイオードに関するものである。
第2図は従来のプレーナダイオードを示す断面図であり
、(1)はN形半導体基板であり、(2)はこのN形半
導体基板(1)に選択的に拡散されたP影領域、(3)
はN形半導体基板(1)の裏面全体に拡散されたより高
精度のN影領域、(4)は5i02、(51、(6)は
電極である。
、(1)はN形半導体基板であり、(2)はこのN形半
導体基板(1)に選択的に拡散されたP影領域、(3)
はN形半導体基板(1)の裏面全体に拡散されたより高
精度のN影領域、(4)は5i02、(51、(6)は
電極である。
次に動作について説明する。電極(5)に正の電圧、電
極(6)に負の電圧を印加することによりN形基板(υ
中の電子がP影領域(2)へ注入され、電流がP領域(
2)から電極〔6)へ同かつて第2図の矢印に示すよう
に流れる。
極(6)に負の電圧を印加することによりN形基板(υ
中の電子がP影領域(2)へ注入され、電流がP領域(
2)から電極〔6)へ同かつて第2図の矢印に示すよう
に流れる。
(υ従来技術の問題点の説明
従来のプレーナダイオードは以上のように構成されてい
るので、カソード(P影領域](5)からアノード(N
影領域ン(6)に流れる電流の一部は第2図の矢印で示
すようにPN接合と5i02との界面に集中し、素子が
破壊されサージ電流耐量が小さいという問題点があった
。
るので、カソード(P影領域](5)からアノード(N
影領域ン(6)に流れる電流の一部は第2図の矢印で示
すようにPN接合と5i02との界面に集中し、素子が
破壊されサージ電流耐量が小さいという問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、大きなサージ電流耐量を有するプレーナダイ
オードを得ることを目的とする。
たもので、大きなサージ電流耐量を有するプレーナダイ
オードを得ることを目的とする。
この発明に係るプレーナダイオードは、裏面のn+層を
選択的に拡散したものである。
選択的に拡散したものである。
この発明における裏面に選択的に拡散されたn+領領域
3)は、P影領域(2)とn領域(3)間の電流密度を
大きくし、PN接合部とSiO2界面へ集中する電流密
度を減少させる。
3)は、P影領域(2)とn領域(3)間の電流密度を
大きくし、PN接合部とSiO2界面へ集中する電流密
度を減少させる。
以下、この発明の一実施例を第1図について説明する。
第1図において、(1目よN形半導体基板であり・(2
)はこのN形半導体基板(1)に選択的に拡散されtこ
P影領域、(3)はN形半導体基板(υの裏面に選択的
に拡散されたより高濃度のN影領域、(4)はSiO□
、(5) 、 +61はこのブレーナダイオードのNt
!ij+である。
)はこのN形半導体基板(1)に選択的に拡散されtこ
P影領域、(3)はN形半導体基板(υの裏面に選択的
に拡散されたより高濃度のN影領域、(4)はSiO□
、(5) 、 +61はこのブレーナダイオードのNt
!ij+である。
次に動作について説明する。カソード側の電極(5)に
正の電圧、アノード側の電極(6)に負の電圧を印加す
ることにより、N形基板(1)中の電子がP影領域(2
)へ注入され、図1の矢印で表されるようにP影領域(
2)と?領域(3)間の電流密度が大きくなるように電
流が流れPN接合とSiO2界面の間に流れる電流密度
が小さくなる。
正の電圧、アノード側の電極(6)に負の電圧を印加す
ることにより、N形基板(1)中の電子がP影領域(2
)へ注入され、図1の矢印で表されるようにP影領域(
2)と?領域(3)間の電流密度が大きくなるように電
流が流れPN接合とSiO2界面の間に流れる電流密度
が小さくなる。
また、上記実施例ではブレーナダイオードの場合につい
て説明したが、トランジスタであってもよく、上記実施
例と同様の効果を奏する。
て説明したが、トランジスタであってもよく、上記実施
例と同様の効果を奏する。
以上のように、この発明によれば裏面にn+領領域選択
的に拡散したので、高いサージ電流耐愈を有するブレー
ナダイオードが得られる効果がある。
的に拡散したので、高いサージ電流耐愈を有するブレー
ナダイオードが得られる効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるブレーナダイオード
を示す断面図、第2図は従来のブレーナダイオードを示
す断面図である。 (υはN形半導体基板、(2)はP影領域、(3)はN
+領領域(4)はSiO2、(51、(6)はIt &
。 図中、同一符号は同一まtこは相当部分を示す。
を示す断面図、第2図は従来のブレーナダイオードを示
す断面図である。 (υはN形半導体基板、(2)はP影領域、(3)はN
+領領域(4)はSiO2、(51、(6)はIt &
。 図中、同一符号は同一まtこは相当部分を示す。
Claims (1)
- PN接合を有するプレーナダイオードにおいて、裏面
から選択的にN^+領域を拡散したことを特徴とする半
導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32478387A JPH01165176A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32478387A JPH01165176A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01165176A true JPH01165176A (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=18169625
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32478387A Pending JPH01165176A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01165176A (ja) |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP32478387A patent/JPH01165176A/ja active Pending
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