JPH01164051A - 半導体類のパッケージ成形方法 - Google Patents
半導体類のパッケージ成形方法Info
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- JPH01164051A JPH01164051A JP32307887A JP32307887A JPH01164051A JP H01164051 A JPH01164051 A JP H01164051A JP 32307887 A JP32307887 A JP 32307887A JP 32307887 A JP32307887 A JP 32307887A JP H01164051 A JPH01164051 A JP H01164051A
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明はキャビティ構造を有する半導体類のパッケージ
成形方法に関する。
成形方法に関する。
(従来技術とその問題点)
現在、ダイオードやトランジスタのような半導体素子や
これら半導体の集積回路(以下半導体類という)のパッ
ケージは、安価なエポキシ樹脂を用いたプラスチックパ
ッケージが主流となっている。
これら半導体の集積回路(以下半導体類という)のパッ
ケージは、安価なエポキシ樹脂を用いたプラスチックパ
ッケージが主流となっている。
ところでこのプラスチックパッケージは、ダイレクトモ
ールドで成形されるため、樹脂と半導体類との熱膨張係
数の違いにより、半導体類にアルミ配線のずれや断線を
生ずる等の問題がある。
ールドで成形されるため、樹脂と半導体類との熱膨張係
数の違いにより、半導体類にアルミ配線のずれや断線を
生ずる等の問題がある。
そこで、特公昭58−185号では、上記問題点を解決
するため、熱可塑性樹脂を用いたキャビティ構造を有す
る半導体類のパッケージが提案されている。
するため、熱可塑性樹脂を用いたキャビティ構造を有す
る半導体類のパッケージが提案されている。
また、最近では、Q Fp (Quad 「lat P
ackage )、PLCC(Plastic Lea
ded Chip Carrier )等の表面実装に
適したパッケージは多ピン化、薄型化されてきている。
ackage )、PLCC(Plastic Lea
ded Chip Carrier )等の表面実装に
適したパッケージは多ピン化、薄型化されてきている。
一方、従来の実装方法では、リードフレームのみが加熱
されていたのに対して、表面実装でのりフロ一方式では
パッケージ全体が加熱される。
されていたのに対して、表面実装でのりフロ一方式では
パッケージ全体が加熱される。
ところで、熱可塑性樹脂を用いた中空パッケージでは、
上記の如くリフロー時にパッケージ全体が加熱されるた
め、樹脂によってはパッケージにクラックや脹れが発生
するとともに、耐湿性にも劣る等の問題がめった。
上記の如くリフロー時にパッケージ全体が加熱されるた
め、樹脂によってはパッケージにクラックや脹れが発生
するとともに、耐湿性にも劣る等の問題がめった。
そこで、耐熱性を向上させるために熱硬化性樹脂を使用
することが考えられるが、熱硬化性樹脂を用いたダイレ
クトモールド成形では、キャビティパッケージは直接作
れない。
することが考えられるが、熱硬化性樹脂を用いたダイレ
クトモールド成形では、キャビティパッケージは直接作
れない。
その他、接着剤を用いてキャビティパッケージを作る方
法も考えられるが、簡便でなく、接着剤の長期信頼性に
も疑問がある。
法も考えられるが、簡便でなく、接着剤の長期信頼性に
も疑問がある。
(発明の目的)
本発明は上記問題点に鑑み、パッケージ内部において、
半導体類にアルミ配線のずれや断線等の発生するおそれ
がなく、かつリフロー時にパッケージクラックや脹れの
発生しない、しかも耐湿性にも優れたキャビティ構造を
有する半導体類のパッケージ成形方法を提供することを
目的とする。
半導体類にアルミ配線のずれや断線等の発生するおそれ
がなく、かつリフロー時にパッケージクラックや脹れの
発生しない、しかも耐湿性にも優れたキャビティ構造を
有する半導体類のパッケージ成形方法を提供することを
目的とする。
(問題点を解決するための手段)
本発明は、少なくとも一側にキャビティ構造を有する一
対の樹脂成形品を、リードフレームを介して嵌合合体さ
せ、さらに樹脂成形品の周囲の全部または一部を熱硬化
性樹脂により被覆することを特徴とする半導体類のパッ
ケージ成形方法に関する。
対の樹脂成形品を、リードフレームを介して嵌合合体さ
せ、さらに樹脂成形品の周囲の全部または一部を熱硬化
性樹脂により被覆することを特徴とする半導体類のパッ
ケージ成形方法に関する。
次に、本発明を図面を参照しながらSOP(Small
0utline Package )を例にとって説
明する。
0utline Package )を例にとって説
明する。
第1図は本発明によって得られる半導体類のパッケージ
の平面図、第2図は第1図の■−■線断面図、第3図は
第1図の■−■線断面図である。
の平面図、第2図は第1図の■−■線断面図、第3図は
第1図の■−■線断面図である。
1.1′は、一対の樹脂成形品で、樹脂成形品1側には
キャビティ6が設けられているとともに、樹脂成形品1
′側にはタブ9を介して半導体類4が載置固定されてい
る。
キャビティ6が設けられているとともに、樹脂成形品1
′側にはタブ9を介して半導体類4が載置固定されてい
る。
また、3,3は上記樹脂成形品1,1′間に介挿された
一対のリードフレームで、半導体類4とはボンディング
ワイヤ5,5を介して接続されている。
一対のリードフレームで、半導体類4とはボンディング
ワイヤ5,5を介して接続されている。
また第3図に示す如く、上記キャビティ構造を有する一
側の樹脂成形品1の両側部には突起7゜7が設けられて
いるとともに、他側の樹脂成形品1′側には、上記突起
7に嵌合する突起嵌合部8゜8が設けられ、上記突起7
および突起嵌合部8を介して上記一対の樹脂成形品1,
1−は一体的に嵌合合体されるように構成されている。
側の樹脂成形品1の両側部には突起7゜7が設けられて
いるとともに、他側の樹脂成形品1′側には、上記突起
7に嵌合する突起嵌合部8゜8が設けられ、上記突起7
および突起嵌合部8を介して上記一対の樹脂成形品1,
1−は一体的に嵌合合体されるように構成されている。
2は、上記樹脂成形品1,1−を仝周にわたって被覆し
ている熱硬化性樹脂である。
ている熱硬化性樹脂である。
ここで、上記の如き構成よりなる半導体類のパッケージ
を得るには、まず一対の樹脂成形品1゜1−を突起7お
よび突起嵌合部8を介して嵌合−体化させた後、上記熱
硬化性樹脂で、その全面を被覆すればよい。
を得るには、まず一対の樹脂成形品1゜1−を突起7お
よび突起嵌合部8を介して嵌合−体化させた後、上記熱
硬化性樹脂で、その全面を被覆すればよい。
本発明において使用する樹脂成形品1,1−は、熱可塑
性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれであってもよいが、それ
ぞれの半導体類のパッケージに対する要求特性に応じて
適宜選択され、特に高い耐熱性と低い吸水性、および一
定水準以上の電気特性、機械特性に加えて成形性にも優
れていることが必要である。
性樹脂、熱硬化性樹脂のいずれであってもよいが、それ
ぞれの半導体類のパッケージに対する要求特性に応じて
適宜選択され、特に高い耐熱性と低い吸水性、および一
定水準以上の電気特性、機械特性に加えて成形性にも優
れていることが必要である。
例えば熱可塑性樹脂としては、ポリフェニレンオキサイ
ド、ポリエーテルサルフオン、ポリエーテルイミド、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリスルフォン、フェノキ
シ樹脂、ポリアセタール等のエーテル系樹脂、ポリ再ヂ
レンテレフタレート、ポリブチレンチレフクレート、ボ
リアリレート等のエステル系樹脂、ポリカーボネイト等
の炭酸エステル系樹脂、ポリアミド系樹脂の中でも吸水
率の低い樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の樹脂お
よびこれらの樹脂の一種または二種以上と、ガラス繊維
を中心とした各種充填剤との混合物を使用できる。
ド、ポリエーテルサルフオン、ポリエーテルイミド、ポ
リエーテルエーテルケトン、ポリスルフォン、フェノキ
シ樹脂、ポリアセタール等のエーテル系樹脂、ポリ再ヂ
レンテレフタレート、ポリブチレンチレフクレート、ボ
リアリレート等のエステル系樹脂、ポリカーボネイト等
の炭酸エステル系樹脂、ポリアミド系樹脂の中でも吸水
率の低い樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の樹脂お
よびこれらの樹脂の一種または二種以上と、ガラス繊維
を中心とした各種充填剤との混合物を使用できる。
また、熱硬化性樹脂としては、エポキシ系樹脂、フェノ
ール系樹脂、シリコン系樹脂、およびこれらの樹脂の一
種または二種以上と各種充填剤との混合物を使用できる
。
ール系樹脂、シリコン系樹脂、およびこれらの樹脂の一
種または二種以上と各種充填剤との混合物を使用できる
。
本発明は上記のように、一対の樹脂成形品1゜1′によ
ってキャビティ6が構成されるので、内部半導体類4を
はじめ、これと接続するワイヤ5への悪影響がなく、ざ
らに熱硬化性樹脂2により外周を被覆されているので、
リフロー時の耐熱性を向上させることができる。
ってキャビティ6が構成されるので、内部半導体類4を
はじめ、これと接続するワイヤ5への悪影響がなく、ざ
らに熱硬化性樹脂2により外周を被覆されているので、
リフロー時の耐熱性を向上させることができる。
(実施例の説明)
次に、本発明を実施例に基づいて説明する。
実施例
まず、熱変形温度(ASTM D648 18゜6K
(j/Cmvi重)が260℃以上である熱可塑性樹脂
ポリフェニレンサルファイド(PPS)を用いて、樹脂
成形品1.1′を射出成形によって得る。
(j/Cmvi重)が260℃以上である熱可塑性樹脂
ポリフェニレンサルファイド(PPS)を用いて、樹脂
成形品1.1′を射出成形によって得る。
そして、突起7を有する樹脂成形品1と、突起嵌合部8
を有する樹脂成形品1′とをリードフレーム3を介して
嵌合合体させる。
を有する樹脂成形品1′とをリードフレーム3を介して
嵌合合体させる。
この場合、上記樹脂成形品1,1−には、リードフレー
ム3用の介挿溝(第2図で3′)を予め設けておくとよ
い。
ム3用の介挿溝(第2図で3′)を予め設けておくとよ
い。
次に熱硬化性樹脂(エポキシ樹脂CEL−F−757P
H1日立化成製)2により樹脂成形品1゜1′の全面を
被覆するようトランスファー成形を行なって一体化させ
た。
H1日立化成製)2により樹脂成形品1゜1′の全面を
被覆するようトランスファー成形を行なって一体化させ
た。
上記の如くして得られたSOPを、−55〜150℃の
条件下で、500回の冷熱サイクル試験に供したが、封
止性の低下は認められず、MIL−8TD−750Cで
規定されている封止性を評価するGriss Leak
(G/ L )試験におイテも異常は認められなかっ
た。
条件下で、500回の冷熱サイクル試験に供したが、封
止性の低下は認められず、MIL−8TD−750Cで
規定されている封止性を評価するGriss Leak
(G/ L )試験におイテも異常は認められなかっ
た。
ざらに基板に実装するために、クリームハンダで仮止め
して、赤外線リフローによりハンダ付けを行なった後に
おいても、パッケージにクラックが発生する等の問題は
生じなかった。
して、赤外線リフローによりハンダ付けを行なった後に
おいても、パッケージにクラックが発生する等の問題は
生じなかった。
比較例
第4図は、比較例を示すパッケージの断面図であるが、
上記実施例と同一材料の熱可塑性樹脂を用いて、樹脂成
形品1.1′を射出成形によって得た後、リードフレー
ム3を介して成形品1,1−を熱風により加熱溶融させ
、加圧することにより上記実施例と同様なSOPを得た
。
上記実施例と同一材料の熱可塑性樹脂を用いて、樹脂成
形品1.1′を射出成形によって得た後、リードフレー
ム3を介して成形品1,1−を熱風により加熱溶融させ
、加圧することにより上記実施例と同様なSOPを得た
。
上記の如くして得られたSOPを、−55〜150℃の
条件下で500回の冷熱サイクル試験に供したが、封止
性の低下は認められなかった。
条件下で500回の冷熱サイクル試験に供したが、封止
性の低下は認められなかった。
しかしながら、基板に実装するため、赤外線リフローに
よりハンダ付けを行なった後、パッケージ外壁に脹れが
発生するものが見られた。
よりハンダ付けを行なった後、パッケージ外壁に脹れが
発生するものが見られた。
(発明の効果)
本発明は上記の如く、一対の樹脂成形品を嵌合合体させ
、ざらにこの樹脂成形品の周囲の全部または一部を熱硬
化性樹脂により被覆することにより、キャビティ構造を
有するパッケージを得るので、パッケージ内部において
半導体類にアルミ配線のずれや断線等の問題が生ずるお
それがないとともに、リフロー時にパッケージクラック
や脹れの発生しない、しかも耐湿性にも優れたキャビテ
ィ構造を有する半導体類のパッケージを得ることができ
る等の効果を有する。
、ざらにこの樹脂成形品の周囲の全部または一部を熱硬
化性樹脂により被覆することにより、キャビティ構造を
有するパッケージを得るので、パッケージ内部において
半導体類にアルミ配線のずれや断線等の問題が生ずるお
それがないとともに、リフロー時にパッケージクラック
や脹れの発生しない、しかも耐湿性にも優れたキャビテ
ィ構造を有する半導体類のパッケージを得ることができ
る等の効果を有する。
第1図は本発明によって得られた半導体類のパッケージ
の平面図、第2図は第1図の■−■線断面図、第3図は
第1図の■−■線断面図、第4図は比較例によって得ら
れた半導体類のパッケージの断面図である。 1.1−・・・樹脂成形品 2・・・熱硬化性樹脂 3・・・リードフレーム 4・・・半導体類 5・・・ワイヤ 6・・・キャビティ 7・・・突起 8・・・突起嵌合部 9・・・タブ 10・・・パッケージ
の平面図、第2図は第1図の■−■線断面図、第3図は
第1図の■−■線断面図、第4図は比較例によって得ら
れた半導体類のパッケージの断面図である。 1.1−・・・樹脂成形品 2・・・熱硬化性樹脂 3・・・リードフレーム 4・・・半導体類 5・・・ワイヤ 6・・・キャビティ 7・・・突起 8・・・突起嵌合部 9・・・タブ 10・・・パッケージ
Claims (1)
- (1)少なくとも一側にキャビティ構造を有する一対の
樹脂成形品を、リードフレームを介して嵌合合体させ、
さらに樹脂成形品の周囲の全部または一部を熱硬化性樹
脂により被覆することを特徴とする半導体類のパッケー
ジ成形方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32307887A JPH01164051A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体類のパッケージ成形方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP32307887A JPH01164051A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体類のパッケージ成形方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01164051A true JPH01164051A (ja) | 1989-06-28 |
Family
ID=18150840
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP32307887A Pending JPH01164051A (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 | 半導体類のパッケージ成形方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01164051A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5783426A (en) * | 1994-08-18 | 1998-07-21 | Nec Corporation | Semiconductor device having semiconductor chip mounted in package having cavity and method for fabricating the same |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP32307887A patent/JPH01164051A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5783426A (en) * | 1994-08-18 | 1998-07-21 | Nec Corporation | Semiconductor device having semiconductor chip mounted in package having cavity and method for fabricating the same |
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