JPH01163742A - 現像液組成物及び現像方法 - Google Patents

現像液組成物及び現像方法

Info

Publication number
JPH01163742A
JPH01163742A JP32136587A JP32136587A JPH01163742A JP H01163742 A JPH01163742 A JP H01163742A JP 32136587 A JP32136587 A JP 32136587A JP 32136587 A JP32136587 A JP 32136587A JP H01163742 A JPH01163742 A JP H01163742A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
developing
aqueous alkaline
alkaline developer
developer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP32136587A
Other languages
English (en)
Inventor
Norihisa Sakaguchi
坂口 徳久
Koji Oe
小江 紘司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DIC Corp
Original Assignee
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd filed Critical Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
Priority to JP32136587A priority Critical patent/JPH01163742A/ja
Publication of JPH01163742A publication Critical patent/JPH01163742A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30Imagewise removal using liquid means
    • G03F7/32Liquid compositions therefor, e.g. developers
    • G03F7/322Aqueous alkaline compositions

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ホログラム画像形成材料として、又、LSI
の製造など微細加工に利用できるネガ型フォトレジスト
の′微細レリーフホログラムの形成に好適な水性アルカ
リ現像液及び現像方法に関する。
〔従来の技術〕
ネガ型フォトレジストを用いたレリーフホログラムの形
成には、まず露光によりて架橋硬膜化した画像部と未露
光部の非画像部を形成し、しかる後に現像処理において
未架橋部分の非画像部を溶解除去することによって行な
われる。この現像操作によって再現性良くレリーフ像を
得る為には、画像部となるべき露光部に充分なる光照射
が必要であり、光照射が不充分な場合には、現像時に未
露光部と共に架橋不充分な画像部も除去されてしまい、
所望のレリーフ像を得ることはできない。
したがって、ネガ型フォトレジストを用いたレリーフホ
ログラムの形成にあたっては、画像部となるべき部分に
、充分な量の光照射が行なわれている。
しかしながら、用途によっては充分な露光量を与えるこ
とができない場合がある。例えば、超LSIのパターン
形成あるいはホログラムの画像形成材料として用いる場
合には、レリーフ像が超微細となり、オーバー露光によ
る線太り等の精度上の問題が出てくる。とりわけ、ホロ
グラムの画像形成材料として用いる場合には、通常のネ
ガフィルムを通しての未露光部と露光部に分けての光照
射とは違い、−活露光である為に、露光量には制限があ
る。かかる制限内の露光量で形成された画像は、現像時
に比較的容易に脱落してしまう。こうした欠点は、Ap
pl、0pt1es、 、 13 、129(1974
)にも述べられており、ネガ型フォトレジストの応用範
囲が制限されたものとなっている原因になっている。
〔本発明が解決しようとする問題点〕
本発明者は、先に、上記欠点を解決する方法として、溶
媒で浸漬処理する第1工程と、水性アルカリ現像液で現
像する第2工程から成る2段階現像方法を提案した。し
かしながら、溶媒を用いるととKよる安全衛生上の問題
点、及び、2回の現像操作を必要とする為に作業が煩わ
しいという問題点があった。
本発明が解決しようとする問題点は、1回の現像操作に
よって、水性アルカリ現像液で現像可能なネガ型フォト
レジストから、低露光量でも剥離のない微細レリーフホ
ログラムを簡便に作製できる水性アルカリ現像液を提供
することにある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は上記問題点を解決するために、(1)アニオン
型界面活性剤2〜35重量%、(2)アルカリ性化剤0
.01〜1重量%及び(3)水64〜97重量%から成
る水性アルカリ現像液、及び基板上に形成された水性ア
ルカリ現像液で現像可能なネガ型フォトレジスト層にツ
クターンを露光した後、(1)アニオン型界面活性剤2
〜3st−11(2)アルカリ性化剤0.01〜1重量
%及び(3)水64〜97重量%から成る水性アルカリ
現像液で処理して微細なレリーフホログラムを形成する
現像方法を提供する。
本発明で用いるアニオン型界面活性剤としては、例えば
、ラウリルアルコールサルフェートのナトリウム塩又は
アンモニウム塩、オクチルアルコールサルフェートのナ
トリウム塩などの高級アルコール硫酸エステル塩類;セ
チルアルコールリン酸エステルのナトリウム塩などの脂
肪族アルコールリン酸エステルの塩類;ドデシルベンゼ
ンスルホン酸のナトリウム塩、イソプロピルナフタレン
スルホン酸のナトリウム塩、ジナフタレンスルホン酸の
ナトリウム塩、メタニトロベンゼンスルホン酸のナトリ
ウム塩などのアルキルアリールスルホン酸の塩類;スル
ホコハク酸ジオクチルナトリウム、スルホコハク酸ジヘ
キシルナトリウムなどのスルホン酸基含有二塩基性脂肪
酸エステルの塩類;アルキルアミドのスルホン酸の塩類
等が挙げられる。
アニオン型界面活性剤の現像液中における含有率は、2
〜351flfkパーセントが好ましぐ、3〜20重量
%が特に好ましい。2Iii!にチより少ない含有率で
は、現像効果が低下し、未露光部を溶解除去する効率が
悪くなる傾向にあるので好ましくない。また、35重量
%より多い含有率では、現像効果が強くなりすぎて、露
光部まで浸食する傾向にあり、精度の高いレリーフホロ
グラムが得られなくなる傾向にあるので好ましくない。
3〜20重量%の含有率が最も好適であり、現像性及び
超微細レリーフホログラムの形成にバランスのとれた性
能を示した。
通常の水性アルカリ現像液と比較すると、2〜35重量
%のアニオン型界面活性剤の含有率は、極めて高いもの
となっているが、その結果として。
微細々レリーフホログラムを損傷させること々く、該レ
リーフホログラムからネガ型フォトレジスト中の有色光
増感剤を効率的に抽出できることが判明した。その結果
、漂白操作をしなくても、1回の現像操作によって、無
色透明なレリーフホログラムを形成でき、ホログラム画
像形成材料として利用した場合には、高い回折効率が得
られる。
本発明で用いるアルカリ性化剤としては、例えば、ケイ
酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、水酸化ナトリウム、水
酸化カリウム、水酸化リチウム、第ニリン酸ナトリウム
、第三リン酸ナトリウム。
第ニリン酸アンモニウム、第三リン酸ア/モニウ。
ム、メタケイ酸ナトリウム、炭酸ナトリウム、アンモニ
ア等の無機アルカリ化剤;モノ、ジ、又はトリメチルア
ミン、モノ、ジ、又はトリエチルアミン、モノ又はジイ
ソプロピルアミン、n−ブチルアミン、モノ、ジ、又は
トリエタノールアミン、モノ、ジ、又はトリイソグロノ
9ノールアミン、エチレンイミン、エチレンジイミン等
の有機アミン化合物等が挙げられる。
アルカリ性化剤の現像液中における含有率は、0.00
1〜4重量%が好ましく、0.01〜1重量%が特に好
ましい。0.001重量%より少ない含有率では、現像
効果が低下し、未露光部を溶解除去する効率が悪くなる
ので好ましくない。また;4重−!に%より多い含有率
では、レリーフホログラムの基板に対する密着性に悪影
響を及ぼし、微細レリーフホログラムが基板から脱落す
る可能性が高くなるので好ましくない。
本発明の現像液には、本発明の効果を妨げない程度に、
アルコールの如き水性溶媒、安定化剤及び消泡剤等を添
加することもできる。
水性アルカリ現像液で現像可能なネガ型フォトレジスト
としては、例えば、フェニレンジアクリレート基及び/
又はケイ皮醸基を主鎖もしくは側鎖に含有する重合体を
主成分とする感光性樹脂が挙げられる。このような感光
性樹脂としては、例えば、特開昭60−165646号
公報、特開昭61−15860号公報及び特開昭61−
55643号公報等に記載されており、ps版用の感光
材料として一部実用化されている。
本発明の現像液は、公害性、臭気、労働衛生等の作業環
境上の問題、輸送及び保管上の危険性の問題を解決した
ものであり、簡単な現像操作により、水性アルカリ現像
液で現像可能なネガ型フォトレゾストから解像度の高い
レリーフホログラムを形成することができる。特に、本
発明の現像液は、超微細なレリーフホログラムを製造す
るホロダラム分野では、有用であ抄、本発明の現像液を
用いると、水性アルカリ現像液で現像可能なネガ型フォ
トレジストから高回折効率のレリーフホログラムを容易
に作製することができる。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
〔水性アルカリ現像液で現像可能なネガ型フォトレジス
トの製造〕 p−フェニレンジアクリレ−)E1!ジエチル54.8
9C0,2モル)トビスフエノールA(1モル)ノエチ
レンオキサイド(6,2モル)付加体133.2J(0
,266モル)を、触媒(ジプチル錫オキサイドeoo
rR9)、禁止剤(フェノチアジン5ob)と共に攪拌
装置、窒素ガス導入管、温度計および留出管を備えた反
応器に仕込み、窒素ガス雰囲気下で攪拌しつつ190℃
に加温して反応を開始した。その後3時間半に亘って加
熱、攪拌を続け、反応により生成するエタノールを完全
に留去させ、水酸基価46.5の線状ポリエステル樹脂
を得た。
上記線状ポリエステル樹脂100gを140℃に加温、
攪拌し、ピロメリット酸二無水物9.0Iを仕込み、窒
素雰囲気下、常圧で20分間、攪拌を続けた後、酸価4
3.5の側鎖カルブキシル基含有感光性ポリエステル樹
脂を得た。
実施例1 [ペレックスNBL J      12重量部(花王
アトラス(株)製のtart−ブチルナフタレンスルホ
ン酸ナトリウム系アニオン型界面活性剤)トリエタノー
ルアミン   0.05ff量部水         
  87.05重量部上記の組成の水性アルカリ現像液
を調製し、バットに貯蔵して液温を20℃に保った。
次に、前記側鎖カルブキシル基含有感光性ポリエステル
樹脂701I及び光増感剤としてケトクマリン2gをシ
クロヘキサノン92811に溶解し、不揮発分7−の7
オトレジスト溶液を調製し、スピンナーを用いて(60
0rpm/30秒間)この溶液をガラス板上に塗布し、
110℃で20分間熱処理して、フォトレジスト層の厚
さ0.45μmのレジスト乾板を得た。
空冷式アルゴンレーザーを出力光源とし、物体光:参照
光を1:2の比率に分割し、交差角30°、トータル出
カフ 61tW/cm2となるよう光学系を組み立てた
前記レジスト乾板を乾板ホルダーにセットし、物体光と
参照光による干渉パターンを一定時間照射して、露光済
乾板を得た。
前記露光済乾板を実施例1で得た現像液中に浸漬し、4
分間軽くバットを振盪しながら現像処理した。次いで、
この乾板を流水で30秒間洗った後、ドライヤーで乾燥
した。
照射fl 5 mJ7cm2の乾板からはレインゲー的
に輝くレリーフホログラムが得られ、その回折効率は2
7、5 %を示した。このレリーフホログラムを顕微鏡
で解析した結果、最大解像度で線@0.5μmのレリー
フホログラムが観測された。
実施例2 ラウリル硫酸ナトリウム      6重量部水酸化ナ
トリウム         0.5重量部水     
         94.5重量部上記の組成の水性ア
ルカリ現像液を調製し、パ、トに貯蔵して液温を25℃
に保った。
実施例1と同様にして得た露光済乾板を、実施例2で得
た現像液中に浸漬し、2分間軽くバットを振盪しながら
現像処理した。次いでこの乾板を流水で30秒間洗りた
後、ドライヤーで乾燥した。
照射量6 rnJ々の乾板からは、レインが一的に輝く
レリーフホログラムが得られ、その回折効率は26.3
%を示した。このレリーフホログラムを顕微鏡で解析し
た結果、ピッチ巾0.5μmの規則正しいレリーフホロ
グラムが観測され、非画像部が完全に除去されているこ
とがわかった。
実施例3 ラウリル硫酸ナトリウム       5重量部r d
レジスト乾板 J           5重量部水酸
化ナトリウム         0.2重量部水   
              89,8重量部上記の組
成の水性アルカリ現像液を調製し、バラ4トに貯蔵して
液温を20℃に保った。
実施例1で用いたフォトレジスト溶液を、&10ノzf
  :j−1’  を用’l”て、デリエステルスイル
ム(大日本インキ化学工業(株)製r DICルミラー
T」、250 μm厚)上に、塗布し、120℃で10
分間熱処理してレジスト乾板を得た。
次に、このレジスト乾板に実施例1と同様に干渉ノ4タ
ーンを照射して、露光済乾板を得た。
前記露光済乾板を実施例3で得た現像液中に浸漬し、5
分間軽くバットを振盪しながら現像処理した。次いで、
この乾板を流水で30秒間洗った後、ドライヤーで乾燥
した。
照射量6 m37cmの乾板からは、レインが−的に輝
くレリーフホログラムが得られ、その回折効率は28.
2 %を示した。このレリーフホログラムを顕微鏡で解
析した結果、最大解像度で線幅0,5μmのレリーフホ
ログラムが観測された。
実施例4 [−(レックスNBL J           7重
量部ラウリル硫酸ナトリウム         3重量
部モノエタノールアミン       0.3重量部水
                       89
.7重号部上記の組成の水性アルカリ現像液を調製し、
バットに貯蔵して液温を25℃に保った。
光学系の組立を変更し、物体光としてサイコロ及びゴム
製人形からの反射拡散光を利用したフレネルホログラム
の光学系を組み立てた。
実施例3で用いたレゾスト乾板を乾板ホルダーにセット
し、6 m37cmの露光を行なった。
前記露光済乾板を実施例4で得た現像液中に浸漬し、4
分間軽くバットを振盪しながら現像処理した。次いで、
この乾板を流水で30秒間洗った後、ドライヤーで乾燥
した。
透明なポリエステルフィルム基板上に、無色透明なレジ
ストパターンが形成されており、参照光を照射すること
により、鮮明で明るい3次元画像としてのサイコロ及び
ゴム製人形の再生像が観測できた。
〔発明の効果〕
本発明の水性アルカリ現像液を用いると、水性アルカリ
現儂液で現像可能なネガ型フォトレジストから、1回の
現像操作によって、低露光量でも剥離のない微細レリー
フホログラムを形成でき、また、ホログラムに不可欠な
特性である回折効率に関して、充分に満足な結果を得る
ことができる。
代理人 弁理士 高 橋 勝 利 手続補正書(自発) 昭和63年3月2日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 ■、事件の表示 昭和62年特許願第321365号 2、発明の名称 現像液組成物及び現像方法 3、補正をする者 事件との関係  特許出願人 〒174東京都板橋区坂下三丁目35番58号(288
)大日本インキ化学工業株式会社代表者 用  村  
茂  邦 4、代理人 〒103東京都中央区日本橋三丁目7番20号5、補正
の対象 明細書の特許請求の範囲の欄及び発明の詳細6、補正の
内容 (1)  特許請求の範囲を別紙のとおり補正する。
(2)  明細書第2頁第4行目から第7行目目におけ
る 「本発明は、・・・・・に関する。」をr本発明は、ホ
ログラム又はLSI等の微細レリーフパターンの形成材
料として好適なネガ型フォトレジストの現像に用いる水
性アルカリ現像液に関する。」に 補正する。
(2)明細書第2頁第9行目から第10行目及び同頁筒
19行目から第20行目における 「レリーフホログラム」を 「レリーフホログラム等の微細レリーフパターン1に 各々補正する。
(3)明細書第4頁第9行目及び同第8頁第18行目に
おける 「レリーフホログラム」を 「レリーフパターン」に 補正する。
(4)  明細書第4頁第13行目から第14行目、同
頁第18行目から第19行目、同第6頁第20行i及び
同第7頁第13行目における 「アルカリ性化剤」を rアルカリ剤1に 各々補正する。
(5)明細書第7頁第6行目における 「無機アルカリ化剤」を r無機アルカリ剤jに 補正する。
(6)  明細書第8頁第20行目における「レリーフ
ホログラム」を rレリーフパターン又はレリーフ画像Jに補正する。
(7)  明細書第10頁第8行目におけるro、05
重量部」を 「0.5重量部jに 補正する。
(8)明細書第10頁第9行目におけるr87.05重
量部」を r87.5重量部」に 補正する。
(9)  明細書第14頁第20行目における「微細レ
リーフホログラム」を rレリーフホログラム等の微細レリーフパターン1に 補正する。
以上 別紙 特許請求の範囲 1、(1)  アニオン型界面活性剤2〜35重量%、
(2)ヱ土互ユ五0.01〜1重量%及び(3)水64
〜97重量% から成る水性アルカリ現像液で現像可能なネガ型フォト
レジストの現像に用いる水性アルカリ現像液。
2、 基板上に形成された水性アルカリ現像液で現像可
能なネガ型フォトレジスト層にパターンを露光した後、
現像液で処理して微細なレリーフパターンを形成する現
像方法において、現像液として、 (1)アニオン型界面活性剤2〜35重量%、(2)ヱ
土互1剋0.01〜1重景%及び(3)水64〜97重
量% から成る水性アルカリ現像液を用いることを特徴とする
水性アルカリ現像液で現像可能なネガ型フォトレジスト
の現像方法。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、(1)アニオン型界面活性剤2〜35重量%、(2
    )アルカリ性化剤0.01〜1重量%及び(3)水64
    〜97重量% から成る水性アルカリ現像液で現像可能なネガ型フォト
    レジストの現像に用いる水性アルカリ現像液。 2、基板上に形成された水性アルカリ現像液で現像可能
    なネガ型フォトレジスト層にパターンを露光した後、現
    像液で処理して微細なレリーフホログラムを形成する現
    像方法において、現像液として、 (1)アニオン型界面活性剤2〜35重量%、(2)ア
    ルカリ性化剤0.01〜1重量%及び(3)水64〜9
    7重量% から成る水性アルカリ現像液を用いることを特徴とする
    水性アルカリ現像液で現像可能なネガ型フォトレジスト
    の現像方法。
JP32136587A 1987-12-21 1987-12-21 現像液組成物及び現像方法 Pending JPH01163742A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32136587A JPH01163742A (ja) 1987-12-21 1987-12-21 現像液組成物及び現像方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP32136587A JPH01163742A (ja) 1987-12-21 1987-12-21 現像液組成物及び現像方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01163742A true JPH01163742A (ja) 1989-06-28

Family

ID=18131754

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP32136587A Pending JPH01163742A (ja) 1987-12-21 1987-12-21 現像液組成物及び現像方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01163742A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007033601A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Konica Minolta Photo Imaging Inc 光学デバイス、映像表示装置およびヘッドマウントディスプレイ
JP2008008498A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Mikuni Corp 加湿器

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007033601A (ja) * 2005-07-25 2007-02-08 Konica Minolta Photo Imaging Inc 光学デバイス、映像表示装置およびヘッドマウントディスプレイ
US7835050B2 (en) 2005-07-25 2010-11-16 Konica Minolta Photo Imaging, Inc. Optical holographic device with a hologram optical element on an area smaller than an irradiation area, holographic image display device and head mounted display with a hologram optical element on an area smaller than an irradiation area
JP2008008498A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Mikuni Corp 加湿器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5272042A (en) Positive photoresist system for near-UV to visible imaging
JP2714378B2 (ja) レジスト組成物およびその使用
JP3277114B2 (ja) 陰画調レジスト像の作製方法
TWI295412B (en) Positive-working photoimageable bottom antireflective coating
US5366851A (en) Device fabrication process
JPH0219847A (ja) ポジチブ及びネガチブ処理感放射線混合物及びレリーフパターンの作製方法
JPH05289322A (ja) パタン形成材料及びそれを用いたパタン形成方法
US7989155B2 (en) Lithographic method
JPS5692536A (en) Pattern formation method
JPH04251850A (ja) 半導体素子の製造方法
JPH0262544A (ja) フォトレジスト組成物
KR0179718B1 (ko) 전자부품의 패턴형성방법
JPH01163742A (ja) 現像液組成物及び現像方法
JP2005003863A (ja) ネガ型レジスト組成物、及びそれを用いたレジストパターン形成方法
US6280901B1 (en) High sensitivity, photo-active polymer and developers for high resolution resist applications
US5667942A (en) Resist pattern forming method
KR100300935B1 (ko) 방사선 감수성 레지스트 조성물
JPH04215662A (ja) 放射線感受性混合物
US20100173249A1 (en) Method for Manufacturing a Semiconductor Device
JPH11352677A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH02118655A (ja) パターン形成用コンストラストエンハンスト材料
JPS63147163A (ja) ネガ型フオトレジストの現像方法
JPS63153575A (ja) レリ−フホログラムの作製方法
JPH02269350A (ja) ポジ型レジスト及びレジストパターン形成方法
WO1997014079A1 (en) Water-processable, chemically amplified resist compositions and processes