JPH0116317Y2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0116317Y2
JPH0116317Y2 JP1980127461U JP12746180U JPH0116317Y2 JP H0116317 Y2 JPH0116317 Y2 JP H0116317Y2 JP 1980127461 U JP1980127461 U JP 1980127461U JP 12746180 U JP12746180 U JP 12746180U JP H0116317 Y2 JPH0116317 Y2 JP H0116317Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
charging
voltage
discharge
flash lamp
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP1980127461U
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5750199U (ja
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP1980127461U priority Critical patent/JPH0116317Y2/ja
Publication of JPS5750199U publication Critical patent/JPS5750199U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0116317Y2 publication Critical patent/JPH0116317Y2/ja
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Stroboscope Apparatuses (AREA)
  • Discharge-Lamp Control Circuits And Pulse- Feed Circuits (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、フラツシユランプをパルス発光させ
る回路に係わり、特にパルス幅の広い発光出力を
フラツシユランプの定格入力を超過することなく
かつ高速に繰返して得られるようにしたフラツシ
ユランプ点灯回路に関する。
例えば、フラツシユランプにてレーザロツドを
光励起する場合、フラツシユランプを広パルス幅
で放電させると、入力容量を超過してフラツシユ
ランプの破損を招く危険がある。このため、広パ
ルス幅でフラツシユランプを放電させる場合に
は、フラツシユランプへの主放電印加電圧を低減
してランプの放電電流を制限する必要がある。と
ころが、フラツシユランプの放電電圧を低下させ
ると、フラツシユランプの放電開始電圧に満たな
くなつて放電を行なえなくなる。
そこで、従来先ずフラツシユランプを連続的に
微小放電させて管電圧をシマー電圧まで低下さ
せ、しかるのちこのシマー電圧に相当する電圧を
印加してさらに管電圧を低下させ、この状態で低
レベルの主放電電圧を印加して低レベルでパルス
幅の広い放電波形を得ることが行なわれている。
しかしながら、フラツシユランプによつては、主
放電終了後管電圧が一旦シマー電圧以上に上昇
し、しばらくしてからシマー電圧に復帰する特性
を示すことがある。このため、上記従来の手法に
あつては、フラツシユランプの管電圧がシマー電
圧に復帰するまではシマー電圧に相当する電圧を
印加してもフラツシユランプを放電させることが
できないので、次の主放電を行なうまでに時間が
かかり、これ故高速に繰返してパルス発光を行な
うことができなかつた。
本考案は上記事情に着目してなされたもので、
その目的とするところは、パルス幅の広い発光パ
ルスを、フラツシユランプの定格入力容量を超過
することなくしかも高速に繰返して得ることがで
き、特にレーザ加工装置に適用した場合に高能率
な加工を行ない得るとともに信頼性の高いフラツ
シユランプ点灯回路を提供することにある。
以下、本考案の一実施例を図面を参照して説明
する。第1図は同実施例におけるフラツシユラン
プ点灯回路の概略構成図で、図中1はフラツシユ
ランプ、2は主直流電源、3は補助直流電源、4
はトリガ電源をそれぞれ示している。
トリガ電源4は、フラツシユランプ1の集光鏡
5とフラツシユランプ1のカソードとの間にトリ
ガ電圧を印加してフラツシユランプ1を起動させ
るものである。また、補助直流電源3は、上記フ
ラツシユランプ1の起動後このフラツシユランプ
1を放電安定化抵抗6を介して微小放電させるも
ので、これにより第1の予備放電回路を構成して
いる。
一方、主直流電源2は、フラツシユランプ1を
広パルス幅で放電させた場合にも、フラツシユラ
ンプ1の定格入力容量を超過しない程度の比較的
低い直流電圧を発生するものである。そして、主
直流電源2には第1の充放電コンデンサ7が接続
され、さらにこの第1の充放電コンデンサ7に対
して第1のスイツチング素子としてのサイリスタ
8及びコイル9を介して第2の充放電コンデンサ
10が並列接続されて充電回路が構成されてい
る。なお、この充電回路は、第1の充放電コンデ
ンサ7の充電電圧の略2倍の電圧を第2の充放電
コンデンサ10に充電するもので、この原理を説
明すると電源にコイル、コンデンサ及びスイツチ
の直列回路を接続した場合、スイツチをオンした
ときコイルとコンデンサとの共振作用によりコン
デンサには過渡的に2倍近くの電圧が充電される
ことによる。第1の充放電コンデンサ7の充電電
荷は、ゲートターンオフサイリスタ(GTO)1
1のターンオン時に波形整形コイル12を介して
フラツシユランプ1で放電されるようになつてお
り、これにより主放電回路が構成されている。ま
た、第2の充放電コンデンサ10の充電電荷は、
第2のスイツチング素子としてのサイリスタ13
のターンオンによりコイル14および前記波形整
形コイル12を介してフラツシユランプ1で放電
されるようになつており、これにより第2の予備
放電回路が構成されている。ここで、この第2の
予備放電回路の回路定数は、フラツシユランプ1
の放電インピーダンスをRL、第2の充放電コン
デンサ10の容量をC、波形整形コイル12およ
びコイル14のインダクタンスをそれぞれL1
L2としたとき、 となるように定めてある。ところで、第2の予備
放電回路は上記の如く回路定数を定めることによ
り第2の充放電コンデンサ10を放電させたとき
にこの第2の充放電コンデンサ10を逆方向に充
電するものとなる。つまり、第2の予備放電回路
の等価回路は放電インピーダンスRL、容量C、
インダクタンスL1,L2のコイル及びサイリスタ
13の直列回路となる。しかるに、この回路に直
流電圧を印加したときの電流は上記回路定数の場
合、減衰振動となる。従つて、サイリスタ13は
減衰振動におけるサイリスタ13の逆方向の電流
を阻止するので、第2の充放電コンデンサ10は
充電回路による充電方向とは逆方向に充電され
る。
また、図中15,16に示すターンオン回路
は、基本パルス発生回路17で発生される基本パ
ルスが入力されたときターンオンパルスを発生し
て、それぞれ前記サイリスタ8およびサイリスタ
13をターンオンするものである。さらに、ター
ンオン回路18およびターンオフ回路19は、前
記基本パルスが入力されたときそれぞれターンオ
ンパルスおよびターンオフパルスを発生し、前記
GTO11をターンオンおよびターンオフしてい
る。なお、遅延回路20,21,22は前記基本
パルスの供給を所定時間遅延してサイリスタ13
およびGTO11の各ターンオンおよびターンオ
フタイミングを制御するものである。
次に、第2図を参照しながら、かかる構成の作
用を説明する。なお、第2図aは第2の充放電コ
ンデンサ10の端子間電圧、bはフラツシユラン
プ1の管電圧、cはフラツシユランプ1の放電電
流をそれぞれ示している。
フラツシユランプ1は、トリガ電源4により起
動されたのち、補助直流電源3によつて微小放電
駆動され、管電圧が第2図bのようにシマー電圧
Vssまで低減される。一方、第1の充放電コンデ
ンサ7には主直流電源2から低電圧Vc1が充電さ
れている。
この状態で、時刻t1にて基本パルス発生回路1
7から基本パルスが発生されると、サイリスタ8
がターンオンして第2の充放電コンデンサ10に
主直流電源2の出力電圧VC1の2倍の電圧2VC1
が共振充電される。そして、遅延回路20で遅延
された基本パルスがターンオン回路16に供給さ
れると、サイリスタ13がターンオンして上記第
2の充放電コンデンサ10の充電電荷が第2図c
のようにフラツシユランプ1に放電される。この
放電により、フラツシユランプ1の管電圧は第2
図bに示す如くシマー電圧Vssから略零まで低下
する。そして、この状態でGTO11をターンオ
ンさせるように遅延回路21の遅延量を定めてお
き、時刻t3にてGTO11をターンオンすると、
第1の充放電コンデンサ7の充電電圧が低電圧
(Vc1)であつてもフラツシユランプ1は第2図
cに示す如く放電を開始し、後に時刻t4でGTO
11がターンオフされるまで広パルス幅の主放電
を行なう。このとき、この主放電の放電電流レベ
ルは上記第1の充放電コンデンサ7の低充電電圧
Vc1に応じて低い値であるので、この広パルス幅
の主放電によりフラツシユランプ1の定格入力容
量が超過することはない。
ところで、前記第2の充放電コンデンサ10の
充電回路は、前述したように なる回路定数を有しているため、第2の充放電コ
ンデンサ10の放電電流がフラツシユランプ1を
流れたのち第2図aに示す如く第2の充放電コン
デンサ10に逆方向に充電される。したがつて、
この状態で新たな基本パルスが発生され、サイリ
スタ8がターンオンされると、第2の充放電コン
デンサ10には予め充電してあつた逆方向電圧−
V0の絶対値と主直流電源2の出力電圧(Vc1に相
当)との和の電圧の略2倍の電圧2(Vc1+V0
が共振充電される。そして、この第2の充放電コ
ンデンサ10の充電電圧(2(Vc1+V0))は、サ
イリスタ13のターンオンによりフラツシユラン
プ1に印加される。
このとき、フラツシユランプ1によつては、前
記主放電終了後、管電圧が第2図b中破線○イで示
す如く一旦シマ−電圧Vss以上に上昇することが
ある。しかしながら、上記第2の充放電コンデン
サ10の充電電圧は、シマ−電圧Vssよりも所定
電圧だけ、つまり上記破線○イに示す電圧上昇分以
上に高められているため、フラツシユランプ1は
確実に放電する。そうして、フラツシユランプ1
の管電圧が低下され、その後時刻t3にてGTO1
1がターンオンすると、第1の充放電コンデンサ
7の充電電荷がフラツシユランプ1に放電され
る。そして、GTO11がターンオフするまでの
間、広パルス幅の主放電が行なわれる。
このように本実施例においては、第2の充放電
コンデンサ10に充電回路により充電されたシマ
−電圧より高い電圧を第2の予備放電回路でフラ
ツシユランプ1に供給するとともに第2の充放電
コンデンサを逆方向で充電させ、このとき主放電
回路で第1の充放電コンデンサ7の充電電圧をフ
ラツシユランプ1に供給するようにしたので、第
2の充放電コンデンサ10の充電電圧を高めるた
めに電源等の新たな回路を付加することなく、簡
単な構成で第2の充放電コンデンサ10に高電圧
を充電することができる。この結果、フラツシユ
ランプ1の管電圧が主放電後にシマ−電圧Vssよ
りも上昇することがあつても、確実に予備放電を
行なわせることができる。したがつて、従来のよ
うにフラツシユランプ1の管電圧がシマ−電圧
Vssに復帰するまで予備放電を行なえないといつ
た不具合を解消することができ、パルス放電の高
速繰返しが可能となる。また、このパルス放電は
広パルス幅であつても低レベルなので、フラツシ
ユランプ1の定格入力容量を超過することはな
く、この結果フラツシユランプ1の破損や性能劣
化を招かない。
次に、第3図を参照しながら本考案の他の実施
例を説明する。なお、前記第1図と同一部分には
同一符号を付して詳しい説明は省略する。本実施
例の前記実施例と異なるところは、GTO11の
代わりにサイリスタ31とこのサイリスタ31を
ターンオフするための転流サイリスタ32および
転流コンデンサ33を設けた点である。
すなわち、転流コンデンサ33には第4図b示
す如く主直流電源2の出力電圧よりも大きい補助
直流電源3の出力電圧を充電しておき、サイリス
タ31をターンオンしてフラツシユランプ1に主
放電させたのち転流サイリスタ32をターンオン
して上記転流コンデンサ33の充電電荷を放電さ
せ、これにより上記サイリスタ31をターンオフ
して主放電を停止せしめている。なお、本実施例
であつても、第2の充放電コンデンサ10の放電
回路(第2の予備放電回路)の回路定数は、転流
コンデンサ33の容量をC3、波形整形コイル1
2のイングクタンスをLとしたとき、 に定めることは当然である。
このような構成によれば、前記実施例と全く同
様の効果を得ることができるばかりでなく、第4
図dに示す如く主放電波形の立下がり部にピーク
値の極めて高い波形を形成することができる。こ
のような波形を用いてレーザロードを光励起し、
例えばレーザ穴明け加工等を行なうと、主放電波
形により十分加熱溶融した金属を最後のピーク波
形により飛散させることができ、非常に高品質お
よび高能率な加工を行ない得る利点がある。
なお、本考案は上記各実施例に限定されるもの
ではない。例えば、第5図に示す如く第2の充放
電コンデンサ10の両端に直流電源34を接続し
て第2の充放電コンデンサ10に予め前記−V0
に相当する逆方向電圧を充電するようにしてもよ
い。このようにすれば、たとえ1発目の予備放電
パルスであつても2発目以降の各パルスと同様に
2(Vc1+V0)なる高電圧を放電したものとする
ことができ、予備放電パルスとはいえすべての波
形を同一にすることができる。この結果、この波
形によりレーザロツドを光励起してレーザ加工を
行なう場合に、第1発目のパルスからすべて同一
波形のパルスレーザを被加工物に照射することが
できるので、均一な加工結果が得られ、レーザ加
工にあつて非常に有用である。その他、第2の充
放電コンデンサ10の数や波形整形コイル12の
数、回路定数の設定範囲等についても本考案の要
旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施できる。
以上詳述したように本考案によれば、パルス幅
の広い発光パルスを、フラツシユランプの定格入
力容量を超過することなくしかも高速に繰返して
得ることができ、特にレーザ加工装置に適用した
場合に高能率な加工を行ない得るとともに信頼性
の高いフラツシユランプ点灯回路を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の一実施例におけるフラツシユ
ランプ点灯回路の概略構成図、第2図a〜cは同
回路の作用説明に用いるための波形図、第3図は
本考案の他の実施例におけるフラツシユランプ点
灯回路の概略構成図、第4図a〜dは同回路の作
用説明に用いるための波形図、第5図は本考案の
別の実施例を示す要部構成図である。 1……フラツシユランプ、2……主直流電源、
3……補助直流電源、4……トリガ電源、7……
第1の充放電コンデンサ、8,13,31,32
……サイリスタ、9,12,14……コイル、1
0……第2の充放電コンデンサ、11……ゲート
ターンオフサイリスタ(GTO)、15,16,1
8,23……ターンオン回路、17……基本パル
ス発生回路、19……ターンオフ回路、20,2
1,22……遅延回路、33……転流コンデン
サ、34……直流電源。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. フラツシユランプと、このフラツシユランプを
    トリガ起動により微小放電させてこのフラツシユ
    ランプの管電圧をシマー電圧まで低下させる第1
    の予備放電回路と、低電圧の直流電源に接続され
    た第1の充放電コンデンサと、この第1の充放電
    コンデンサに対して第1のスイツチング素子及び
    コイルを介して第2の充放電コンデンサを並列接
    続し前記第1の充放電コンデンサの充電電圧の略
    2倍で前記シマー電圧以上の電圧を前記第2の充
    放電コンデンサに共振充電する充電回路と、前記
    第2の充放電コンデンサに対して第2のスイツチ
    ング素子及びコイルを介して前記フラツシユラン
    プに接続し前記第2の充放電コンデンサの充電電
    圧を前記フラツシユランプに供給するとともに前
    記第2の充放電コンデンサを逆方向に共振充電し
    かつ前記第2のスイツチング素子は前記第1のス
    イツチング素子のオン状態時にオフ状態となる第
    2の充放電回路と、この第2の充放電回路による
    放電の後の前記フラツシユランプの管電圧が前記
    シマー電圧以下に低下しているときに前記第1の
    充放電コンデンサからの低電圧を前記フラツシユ
    ランプにパルス幅の広い放電波形で放電させる主
    放電回路とを具備したことを特徴とするフラツシ
    ユランプ点灯回路。
JP1980127461U 1980-09-08 1980-09-08 Expired JPH0116317Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1980127461U JPH0116317Y2 (ja) 1980-09-08 1980-09-08

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1980127461U JPH0116317Y2 (ja) 1980-09-08 1980-09-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5750199U JPS5750199U (ja) 1982-03-20
JPH0116317Y2 true JPH0116317Y2 (ja) 1989-05-15

Family

ID=29487872

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1980127461U Expired JPH0116317Y2 (ja) 1980-09-08 1980-09-08

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0116317Y2 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6052247A (ja) * 1983-08-31 1985-03-25 Hitachi Zosen Corp 鋼材の研掃装置
CA1260717A (en) * 1984-08-29 1989-09-26 Clarence I. Steinback Abrasive surfacing machine

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5427277A (en) * 1977-07-30 1979-03-01 Toshiba Corp Lighting device for discharge lamp

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5427277A (en) * 1977-07-30 1979-03-01 Toshiba Corp Lighting device for discharge lamp

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5750199U (ja) 1982-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3764231B2 (ja) パルス電圧列の発生回路装置
US6184662B1 (en) Pulsed power supply device
US5852358A (en) Capactive power circuit
JPH0116317Y2 (ja)
US4394764A (en) Laser processing apparatus
JPS5933957B2 (ja) 放電灯点灯装置
JP2606269Y2 (ja) レーザ電源装置
JPH0716053B2 (ja) パルスレ−ザ装置
JP2001274492A (ja) パルスレーザ電源
JP2721887B2 (ja) レーザ加工装置
JPS6235871B2 (ja)
JPS5830717B2 (ja) 放電灯点灯装置
JPH05327077A (ja) 固体レーザ用電源装置
JPS62221Y2 (ja)
SU1460774A1 (ru) Импульсное осветительное устройство
JPS6138213Y2 (ja)
JPS5849647Y2 (ja) レ−ザ発振装置
JPS58212188A (ja) フラツシユランプ励起レ−ザ電源装置
JPH10223952A (ja) 放電励起ガスレーザー装置
JPS60759B2 (ja) 放電灯点灯装置
JPH0555669A (ja) 固体レーザ装置
RU1253397C (ru) Импульсный лазер на парах веществ
JP3477351B2 (ja) サイラトロン駆動回路
JPS5916720B2 (ja) パルスレ−ザ制御電源回路
JP2691430B2 (ja) 放電灯点灯装置