JPH01162245U - - Google Patents

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JPH01162245U
JPH01162245U JP5579988U JP5579988U JPH01162245U JP H01162245 U JPH01162245 U JP H01162245U JP 5579988 U JP5579988 U JP 5579988U JP 5579988 U JP5579988 U JP 5579988U JP H01162245 U JPH01162245 U JP H01162245U
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glass
lid
insulating base
glass layer
semiconductor device
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JP5579988U
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Description

【図面の簡単な説明】
第1図は本考案のガラス封止形半導体素子収納
用パツケージの一実施例を示す分解斜視図、第2
図は第1図に示したパツケージにおける封止前の
状態を示す拡大断面図、第3図は第1図に示した
パツケージにおける封止後の状態を示す拡大断面
図、第4図は従来のガラス封止形半導体素子収納
用パツケージの一例を示す分解斜視図、第5図は
第4図に示したパツケージの封止後の状態を示す
拡大断面図である。 1……絶縁基体、2……蓋体、3……絶縁容器
、4……外部リード端子、60a,60b……ガ
ラス層、6a,6b……ガラス層の薄層領域。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 相対向する主面にガラス層を被着形成した
    矩形形状の絶縁基体と蓋体とで外部リード端子を
    挾持し、前記ガラス層を溶融一体化することによ
    り半導体素子を内部に気密封止するガラス封止形
    半導体素子収納用パツケージにおいて、前記絶縁
    基体及び蓋体の主面に被着させるガラス層を、該
    基体及び蓋体の主面各角部より長辺側距離をL、
    短辺 側距離をWとしたとき、 L≦34A、W≦12B ただしAは絶縁基体及び蓋体の主面角部から半
    導体素子を取着する部位までの長辺側長さ、 Bは絶縁基体及び蓋体の主面角部から短辺中央
    部までの長さ を満足する領域において、他の領域より薄く形
    成したことを特徴とするガラス封止形半導体素子
    収納用パツケージ。 (2) 前記ガラス層の薄層領域における層厚が他
    の領域の厚みに対し50%以下の厚みであること
    を特徴とする実用新案登録請求の範囲第1項記載
    のガラス封止形半導体素子収納用パツケージ。
JP5579988U 1988-04-25 1988-04-25 Pending JPH01162245U (ja)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59124146A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Nec Corp 硝子封止半導体装置の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59124146A (ja) * 1982-12-29 1984-07-18 Nec Corp 硝子封止半導体装置の製造方法

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