JPH01161456A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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Publication number
JPH01161456A
JPH01161456A JP62322128A JP32212887A JPH01161456A JP H01161456 A JPH01161456 A JP H01161456A JP 62322128 A JP62322128 A JP 62322128A JP 32212887 A JP32212887 A JP 32212887A JP H01161456 A JPH01161456 A JP H01161456A
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JP
Japan
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page table
table entry
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specified
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Pending
Application number
JP62322128A
Other languages
English (en)
Inventor
Toshimitsu Miyake
三宅 俊光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPH01161456A publication Critical patent/JPH01161456A/ja
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  • Memory System Of A Hierarchy Structure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) この発明は、仮想記憶方式における論理アドレスから物
理アドレスへの変換を行う半導体装置に関するものであ
る。
〔従来の技術〕
第2図は従来の半導体装置の概略構成図である。
図において、11はCPU (中央処理装置)、12は
仮想記憶上のアドレスを示す論理アドレスを、実際に主
記憶装置をアクセスする際のアドレスとなる物理アドレ
スに変換するMMU (メモリ管理装置)、13はメモ
リである。14は前記メモリ13に格納されたページテ
ーブルで、アドレス変換に用いられる。15は前記CP
UIIからMMU 12に論理アドレスを送る論理アド
レスバス、16は前記MMU12からメモリ13に物理
アドレスを出力する物理アドレスバス、17は前記CP
UIIとMMU 12を結ぶデータバスである。
第3図は、第2図に示したメモリ13内の論理アドレス
空間と物理アドレス空間との関係を示す図である。
図において、第2図と同一符号は同一または相当部分を
示し、21は論理アドレス空間、22は物理アドレス空
間であり、ページテーブル14により対応づけられてい
る。論理アドレス空間21のページおよび物理アドレス
空間22のページは、例えばIKバイト単位に分割され
ている。論理アドレス空間21はページテーブル14と
それぞれ配列された順番に対応しているが、物理アドレ
ス空間22はページテーブル14の各ページフレームナ
ンバー#0〜4により対応づけらている。
第4図は、第3図に示したページテーブルの概略構成図
である。図において、第3図と同一符号は同一または相
当部分を示し、31は前記論理アドレス空間21の各ペ
ージに対応するページテーブルエントリ、32は前記物
理アドレス空間22においてアクセスされるページがど
のページであるのか指定するPFN (ページフレーム
ナンバ)ビット、33はメモリ領域への書き込み、読み
出し等の許可を示すPL(プロテクションレベル)ビッ
トである。
第5図は従来の半導体装置におけるページテーブル14
の変更動作を示す図である。
図において、第4図と同一符号は同一または相当部分を
示し、14aはアドレス変換時のページテーブル、14
bは前記ページテーブル14aを変更した後のページテ
ーブル、UWは書込み読出し可能状態で、プロテクショ
ンレベル(PL)ビット33の状態がデータの書き込み
および読み出しができる状態にあることを示す。URは
読出し可能状態で、プロテクションレベル(PL)ビッ
ト33の状態がデータの読み出しだけができる状態にあ
ることを示す。なお、n、mは正数である。
次にこれらの図を参照しながら第3図に示したページテ
ーブル14の変更動作について説明する。
まず、論理アドレスから物理アドレスへの変換動作を説
明する。
論理アドレスがCPU11からMMU 12に与えられ
ると、MMU12はメモリ13上にあるページテーブル
14を参照して、論理アドレスを物理アドレスに変換す
る(第5図に示したアドレス変換時のページテーブル1
4aに相当する)。
次に第5図を参照しながらページテーブル14aの記憶
内容をページテーブル14bの記憶内容に変更する動作
を説明する。ページテーブル14aの記憶内容の変更は
、CPU11によってページテーブル14aを書き換え
ることにより行われる。ここではページテーブルエント
リ31のプロテクションレベル(PL)ビット33を、
書込み読出し可能状態UWから読出し可能状態(UR)
に変更するものとする。
第5図に示すように、ページテーブル14aにn個のペ
ージテーブルエントリ31があり、そのうちm個のペー
ジテーブルエントリ31のプロテクションレベル(PL
)ビット33を書き換える場合、CPU11はm回ペー
ジテーブルエントリ31の書き換えを行う。
〔発明が解決しようとする問題点〕
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
ページテーブル14aの記憶内容の変更を行う場合、中
央処理装置11によってページテーブル14aをページ
テーブル14bに書き換える必要があり、その間、中央
処理装置11は他の処理を行うことができないという問
題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ページテーブルを書き換えることなく、す
なわち、中央処理装置での変更動作を行うことなく、ペ
ージテーブルの記憶内容を変更できる半導体装置を得る
ことを目的とする。
(問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体装置は、ページテーブル中の変更
すべきページテーブルエントリを指定する複数のページ
テーブルエントリ指定手段と、このページテーブルエン
トリ指定手段で指定されたページテーブルエントリの変
更箇所を指定する変更箇所指定手段と、この変更箇所指
定手段で指定した変更箇所の変更内容を格納する変更内
容格納手段と、この変更内容格納手段に格納されている
変更内容をページテーブルエントリの指定された内容に
代えて出力する出力制御手段とを設けたものである。
(作用) この発明においては、複数のページテーブルエントリ指
定手段がページテーブル中の変更すべきページテーブル
エントリを指定し、変更箇所指定手段がページテーブル
エントリ指定手段で指定されたページテーブルエントリ
の変更箇所を指定し、変更内容格納手段が変更箇所指定
手段で指定した変更箇所の変更内容を格納し、出力制御
手段が変更内容格納手段に格納されている変更内容を、
ページテーブルエントリの指定された内容に代えて出力
する。
(実施例) 以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図において、第5図と同一符号は同一または相当部
分を示し、1はこの発明による複数のページテーブルエ
ントリ指定手段となるレジスタ群で、ページテーブル1
4a中の変更すべきページテーブルエントリ31を指定
する。このレジスタ群1のレジスタ数は、ページテーブ
ル14aのサイズに比例する。2はこの発明による変更
箇所指定手段となる変更ビット指定レジスタで、ページ
テーブルエントリ31と同じビット長を有し、レジスタ
群1で指定されたページテーブルエントリ31の変更す
べきビットを指定する。3はこの発明による変更内容格
納手段となる変更値格納レジスタで、変更ビット指定レ
ジスタ2と同様にページテーブルエントリ31と同じビ
ット長を有し、変更ビット指定レジスタ2で指定した変
更すべきビットの変更内容(変更値)を格納する。また
、メモリ管理装置(MMU)12は、この発明による出
力制御手段を兼ねており、変更値格納レジスタ3に格納
されている変更内容を、ページテーブルエントリ31の
指定された内容に代えて出力する。
次に上記実施例の動作を説明する。従来例と同様にペー
ジテーブル14aのプロテクションレベル(PL)ビッ
ト33を、ユーザモードで書込み読出し可能状態UWか
ら読出し可能状態URに変更する例を示す。
まず、変更ビット指定レジスタ2に変更したいビットを
レジスタのビットのONで指定し、そのビットに入れる
べき値を変更値格納レジスタ3の指定ビットにセットす
る。次にページテーブルエントリ31を指定するレジス
タ群1に、変更すべきページテーブルエントリ31に対
応するビットをセットすることにより、ページテーブル
エントリ31を指定する。これによりメモリ管理装置(
MMU)12は、アドレス変換の際ページテーブル14
a中の特定ページテーブルエントリ31に対し、その特
定ビットを変更値格納レジスタ3にセットされた値とし
て認識してアドレス変換を行い、ページテーブルを書き
換えたことと同様の効果を得る。
なお、上記各手段はメモリ管理装置(MMU)12の外
部に設けられてもかまわない。
〔発明の効果〕
以上説明したようにこの発明は、ページテーブル中の変
更すべきページテーブルエントリを指定する複数のペー
ジテーブルエントリ指定手段と、このページテーブルエ
ントリ指定手段で指定されたページテーブルエントリの
変更箇所を指定する変更箇所指定手段と、この変更箇所
指定手段で指定した変更箇所の変更内容を格納する変更
内容格納手段と、この変更内容格納手段に格納されてい
る変更内容をページテーブルエントリの指定された内容
に代えて出力する出力制御手段とを設けたので、ページ
テーブルを変更するという作業を自由度を持って代用す
ることを可能とし、中央処理装置の負荷を軽減できる効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例を示す半導体装置の構成図
、第2図は従来の半導体装置の概略構成図、第3図は論
理アドレスと物理アドレスの関係を示す図、第4図はペ
ージテーブルの概略構成図、第5図は従来の半導体装置
におけるページテ−プルの変更動作を示す図。 図において、1はレジスタ群、2は変更ビット指定レジ
スタ、3は変更値格納レジスタ、12はメモリ管理装置
(MMU)、14はページテーブル、31はページテー
ブルエントリである。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄    (外2名)第2図 第3図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 論理アドレスと物理アドレスとを対応させる複数のペー
    ジテーブルエントリから構成されるページテーブルを有
    する半導体装置であって、前記ページテーブル中の変更
    すべきページテーブルエントリを指定する複数のページ
    テーブルエントリ指定手段と、このページテーブルエン
    トリ指定手段で指定されたページテーブルエントリの変
    更箇所を指定する変更箇所指定手段と、この変更箇所指
    定手段で指定した変更箇所の変更内容を格納する変更内
    容格納手段と、この変更内容格納手段に格納されている
    変更内容を前記ページテーブルエントリの指定された内
    容に代えて出力する出力制御手段とを具備したことを特
    徴とする半導体装置。
JP62322128A 1987-12-17 1987-12-17 半導体装置 Pending JPH01161456A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62322128A JPH01161456A (ja) 1987-12-17 1987-12-17 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62322128A JPH01161456A (ja) 1987-12-17 1987-12-17 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01161456A true JPH01161456A (ja) 1989-06-26

Family

ID=18140239

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP62322128A Pending JPH01161456A (ja) 1987-12-17 1987-12-17 半導体装置

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JP (1) JPH01161456A (ja)

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