JPH01150390A

JPH01150390A - 立体パターン配線構造およびその製造方法

Info

Publication number: JPH01150390A
Application number: JP62310281A
Authority: JP
Inventors: Jun Ariake; 順有明; Takahisa Takubo; 貴久田久保
Original assignee: Mitutoyo Corp; Mitsutoyo Kiko Co Ltd
Current assignee: Mitutoyo Corp; Mitsutoyo Kiko Co Ltd
Priority date: 1987-12-07
Filing date: 1987-12-07
Publication date: 1989-06-13
Anticipated expiration: 2010-03-29
Also published as: JPH0728130B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】〔産業上の利用分野〕本発明は立体パターン配線構造およびその製造方法に係
り、基板に立体パターン配線を有する半導体素子あるい
はセンサ素子等に利用できる。

〔従来の技術〕

従来より、半導体素子やセンサ素子等においては、基板
表面に金属を蒸着させるなどして１膜の電極体を形成し
、この電極体を適宜マスキングしたうえでエツチングす
る等により基板上に所定パターンの回路を形成している
。

また、実装密度を高める必要がある場合、前述のような
パターン配線を２重以上に積層して立体パターン配線と
することがなされている。この場合、立体的に交叉する
各層間には、電気絶縁性および耐環境性の高い二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ□）あるいは窒化ケイ素（Ｓｉ、Ｎ４）等
の絶縁体の保護層を介在させることが不可欠であり、例
えば、基板上に２重の電極体層を用いた立体パターン配
線を形成する場合、第１の電極体層、第１の絶縁体層、
第２の電極体層および第２の絶縁体層という４重の階層
構造を形成する必要があり、上下のパターン配線間の配
線が必要な部分には第１の絶縁体層を貫通するスルーホ
ールを形成して第１および第２の電極体眉間を接続する
ことがなされている。

ところで、前述の電極体としては多様な金属が利用され
ているが、このうちクロム（Ｃｒ）は、電気的特性が良
好で、ガラス基板等との密着性が良いとともに、加工性
に優れ、かつ、通常の環境下で不動態化しやすく、しか
も、その不動態化被膜は緻密で安定した酸化物もしくは
水酸化物であるために耐蝕性が優れているという理由で
多用されている。

しかし、変位検出用のセンサ素子として近年注目されて
いる静電容量型変位検出センサ等においては、ダイヤル
ゲージ、ノギス、マイクロメータ等といつた測長器に組
み込まれて利用されることが多く、工場などの高温多湿
といった悪環境下での使用頻度も高い。このため、高温
高圧下といった悪環境下では１、電極体として用いる場
合にかけられる電圧によって通常は耐蝕性のよいクロム
であっても電蝕が発生することが確認されており、セン
サを構成する電極が腐蝕されて良好な電気的特性が得ら
れなくなるという問題があり、腐蝕の進行に伴って断線
などを生じて動作不能となる可能性があった。

これに対し、パターン配線を形成するにあたって、電極
体層を多段化する必要がなくとも前述の二酸化ケイ素あ
るいは窒化ケイ素等の耐蝕性の絶縁体層を電極体層の表
面に形成し、２重の階層構造として電極体を被覆して保
護することがなされている。

また、電極体の材質を、クロムに代えてもともと腐蝕し
にくい金（Ａｕ）などの貴金属材料とし、あるいは通常
の利用環境では不動態化して腐蝕の進行を阻止しうるタ
ンタル（Ｔａ）等の金属材料とすることが提案されてい
る。

（発明が解決しようとする問題点）しかし、実際問題として、前述のようなケイ素材料によ
る保護層はクラック等を生じ易く、このクラック部分か
ら外部雰囲気中の湿気やイオン等が侵入して電極を腐蝕
することがある。また、基板上の回路を外部と接続する
ためのエツジ部分等の接続部分では電極体を露出させる
ことが不可欠であるため、この部分の電極体を保護層に
よって保護することができず、外気との接触による当該
電極部分の腐蝕および特性の劣化を避けられないという
問題がある。

また、電極体として耐蝕性の金属を用いるとしても、例
えば、金はガラス基板等との密着性が悪く剥離しやすく
、耐久性に問題があるほか、タンタル等は電気抵抗が大
きく　（厚さ３５００人１のタンタルの場合で２００Ω
）、センサ素子等に用いた場合、検出用電極への電荷チ
ャージ量が不充分となって誤動作したり、消費電力が増
加する等といった問題がある。

特に、今日においては半導体素子の高集積化あるいはセ
ンサ素子の高分解能化の要請を満たすために回路のパタ
ーン配線を細線化する傾向にあり、電気抵抗の増加ある
いは腐蝕による損傷は僅かであっても影響が大きく、新
たな電極体およびそれを有効利用できる立体パターン配
線の開発が望まれていた。

本発明の目的は、耐環境性および電気的特性がよく、か
つ製造が容易な立体パターン配線構造およびその製造方
法を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、前記問題点に鑑み、性質の異なる金属材料を
層状に形成して電極体とし、各々の特性を相補的に活用
して前記問題点を解決するとともに、このような異なる
金属による層状のパターン配線用電極体を用いて立体パ
ターン配線を行う場合のスルーホール形成時の問題を実
験的に確認してなされたものである。

すなわち、本発明の第１の発明は、基板上に絶縁体層と
交互に積層される電極体層として、前記基板または絶縁
体層の表面に形成されて当該基板および絶縁体層と密着
性のよい金属からなる第１の薄膜層と、この第１の薄膜
層の表面に形成されて電気抵抗が小さく耐蝕性が高い貴
金属からなる第２の薄膜層と、この第２の薄膜層の表面
に形成されて第１の薄膜層の金属と接続性が良好でエツ
チング性の低い金属からなる第３の薄膜層とを積層して
構成される３層構造のパターン配線用電極体を用い、各
電極体層の外部との接続部分を当該電極体層の第２の薄
膜層が露出するように形成するとともに、各々隣合う電
極体層を、上側の電極体層の第１の薄膜層が両電極体層
間に介在する絶縁体層を所定位置において貫通するスル
ーホールを通して下側の電極体層の第３の薄膜層に接触
することにより接続させて立体パターン配線構造を構成
したものである。

また、本発明の第２の発明は、第１の工程により、前記
３層構造のパターン配線用電極体を用いた所定パターン
の第１の電極体層およびこれを被覆する第１の絶縁体層
を形成しておくとともに、第２の工程により、前記第１
の絶縁体層にスルーホールを形成したうえで前記３層構
造のパターン配線用電極体を積層し、スルーホールを介
して第１の電極体層と接続された第２の電極体層を形成
するとともに、第２の電極体層を所定パターンに形成し
たうえで第２の絶縁体層を形成することを繰り返して所
期の段数の階層構造を形成し、さらに、第３の工程とし
て、前記階層構造の表面から所定の電極体層までの切欠
きを形成したのち、この切欠き部分に当該電極体層の第
２の薄膜層を露出させて外部との接続部分を形成し、こ
れにより立体パターン配線の製造方法を構成したもので
ある。

〔作用〕

このように構成された本発明の第１の発明においては、
第１の薄膜層の金属としてクロム（Ｃ「）等を用い、ガ
ラス基板等との密着性や加工性を良好にするとともに、
第２の薄膜層の貴金属として金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、
白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）
等を用い、パターン配線の全体にわたって良好な電気的
特性を得るとともに、表面を覆う保護膜のクラック等か
ら侵入する湿気やイオン等から第１の薄膜層を遮蔽し、
ｇ蝕から保護する。また、接続部分においては露出され
た第２の薄膜層によって接続される外部配線等との接触
抵抗その他の電気的特性の劣化を防止するとともに、外
気との接触による腐蝕を防止する。さらに、スルーホー
ル形成のためのエツチング等の際に、微細なピンホール
からのエツチング液等の侵入により損傷され易い金等の
第２の”１ＲＷｔＪ層を、緻密でピンホールが少なくエ
ツチング耐性のよいクロム等の第３の薄膜層で被覆する
ことにより保護するとともに、例えば、第３の薄膜層と
して第１の薄膜層と同じクロムを用いることによりスル
ーホールで接続される第２の電極体層の第１の薄膜層の
クロムとの接続性を向上するものである。

一方、本発明の第２の発明は、第１ないし第３の工程に
よつて前述のような立体パターン配線構造を製造するも
のであるが、その際、第２の工程においては、エツチン
グ等により第１の絶縁体層の表面にスルーホールを形成
しておき、その上から３層構造のパターン配線用電極体
を積層することにより、第２の電極体層の形成と第１お
よび第２の電極体層の接続を同時に行うことを可能とす
る。また、第１の電極体層の第３のｙＩＨ層における耐
エツチング性により、エツチング時に第１の絶縁体層に
局所的なＩＩＵ厚分布があった場合でもエツチングの終
了時点の判定を厳密にする必要を回避して製造時の作業
を容易かつ確実にする。本発明は、以上により前記目的
を達成するものである。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。

第１図および第２図に示すように、本実施例は本発明の
パターン配線用電極体を変位検出手段としてダイヤルゲ
ージ１０内に組み込まれた静電容量型変位検出センサ２
０の電極基板に適用したものである。

この静電容量型変位検出センサ２０は、ダイヤルゲージ
ｌＯのケース１１側に取付けられたグリッド２１と、ス
ピンドル１２側に取付けられたスケール２２という２枚
の電Ｉｆｉ基槻を有し、これらグリッド２１およびスケ
ール２２を互いに僅かな間隔で対向配置するとともに、
各々の対向する側の表面に所定パターンの電極を形成し
て両者の相対移動に伴って相互の静電容量が変化するよ
うに構成されており、これらグリッド２１とスケール２
２との静電容量変化をダイヤルゲージ１０内に設けられ
た処理回路１３において所定演算処理し、ケース１１と
スピンドル１２との相対変位としてダイヤルゲージ１０
の表面に配置された表示回路１４に表示するものである
。

すなわち、グリッド２１のスケール２２と対向する面に
は、スケール２２との相対移動方向に沿って多数の送信
電極２３が形成されるとともに、この送信電極２３の列
に沿って帯状の受信電極２４が形成されており、この受
信電極２４は配線２４Ａにより処理回路１３に接続され
ているとともに、送信電極２３は電極リード２３Ａを介
して立体配線された並列８線式の平行配線２５に８個毎
にまとめられ、平行配線２５から引き出された入力リー
ド２５Ａの先端の入力端子２５Ｂに接続されたフレキシ
ブル配線２６を介して処理回路１３に接続されている。

一方、スケール２２のグリッド２１と対向する面には、
送信電極２３と受信電極４とを同時に覆うような大きさ
の結合電極２７およびアース電極２８がグリッド２１と
の相対移動方向に交互に配列され、それぞれは送信電極
２３の組数（８個を一組とした組数）と同数設けられて
おり、このうちアース電極２８は各々前記配列に沿った
アース配線２８Ａに接続され、アース端子２８Ｂを７介
してケース１１に接地されている。

このため、グリッド２１の各送信電極２３にフレキシブ
ル配線２６を介して位相の異なる交流電圧（ここでは各
組の電掻数に対応した８相の電圧）を印加した場合、送
信電極２３に対向するアース電極２日は接地されている
ため誘導電圧は発生しないが、交互に配置された結合電
極２７には誘導電圧が発生し、この結合電極２７は対向
する受信電極２４に送信電極２３の電圧信号に応した電
圧信号を誘起させるように構成されている。従って、以
上のようなグリッド２１およびスケール２２を有する静
電容量型変位検出センサ２０は、スケール２２がグリッ
ド２１に対して相対変位した際に受信電極２４にスケー
ル２２の変位量に応じた静電容量信号を誘起され、その
信号を処理回路１３で演算処理して送信電極２３に印加
した電圧信号の基準位相と比較することによりグリッド
２１とスケール２２との相対変位量を検出可能である。

ここで、グリッド２１の送信電極２３、受信電極２４お
よび平行配線２５等は本発明の第２の発明である３層構
造のパターン配線用電極体を用いた４重の階層構造の立
体パターン配線３０により形成されている。

第３図および第４図に示すように、グリッド２１として
用いられるガラス基板３１の表面には３層構造のパター
ン配線用電極体を用いた第１の電極体層３２が形成され
、この電極体［３２はガラス基板３１との密着性の良い
金属であるクロム（Ｃｒ）による第１の薄膜Ｎ３２Ａと
、電気抵抗が小さく耐蝕性が高い貴金属である金（Ａｕ
）による第２の薄膜層３２Ｂと、第１の薄膜層の金属と
接続性が良好でエツチング性の低い金属であるクロム（
Ｃ「）による第３のＦｉｌｌｌｌＩ層３２Ｃと１６層し
て構成されている。このような第１の電極体層３２によ
り送信電極２３、受信電極２４、電極リード２３Ａ、入
力リード２５Ａおよび入力端子２５Ｂが形成され、これ
らは二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）からなる第１の絶縁体層
３３によって被覆されている。

また、第１の絶縁体層３３の表面には、第１の電極体層
３２と同様な３層構造のパターン配線用電極体を用いた
第２の電極体層３４が形成され、クロム（Ｃｒ）／金（
Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）を用いた第１、第２および第３
の薄膜層３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃが積層されている。こ
の第２の電極体層３４により電極リード２３Ａおよび入
カリ−゛ド２５Ａと立体的に交叉する平行配線２５が形
成されており、その表面は第１の絶縁体層３３と同様な
二酸化ケイ素（ＳＩＯ，）による第２の絶縁体層３５に
より被覆されている。

この第２の電極体層３４は、第１の絶縁体層３３を貫通
するスルーホール３６を通して第１の電ｍ体Ｎ３２に接
続され、このスルーホール３６においては第２の電極体
層３４の第１の薄膜層３４Ａと対向する第１の電極体層
３２の第３の薄膜層３２Ｃとが接触されており、これに
より平行配線２５と電極リード２３Ａおよび入力リード
２５Ａとが接続されている。

なお、入力端子２５Ｂ部分には表面の第２の絶縁体層３
５から第１の電極体層３２の第２の薄膜層３２Ｂにおよ
ぶ切欠き３７によって第２の薄膜層３２Ｂの金（Ａｕ）
が露出され、フレキシブル配線２６は第２の薄膜層３２
Ｂに直接接触されるように構成され、以上によりグリッ
ド２１の表面には４重の階層構造の立体パターン配線３
０が構成されている。

このように構成された本実施例は、以下に示す第１ない
し第３の工程により形成される。

すなわち、第１の工程として、第５図（Ａ）に示すよう
に、ガラス基板３１の表面にクロム／金／クロムを順次
スパッタ蒸着して第１、第２および第３の薄膜層３２Ａ
、３２Ｂ、３２Ｃを積層して第１の電極体層３２を形成
する。

次に、第５図（Ｂ）に示すように、第１の電掘体ｊｉ！
３２を所定パターンにエツチングして電極２３．２４等
を形成し、第５図（Ｃ）に示すように、その表面に第１
の絶縁体層３３として二酸化ケイ素をスパッタ蒸着して
おく。

続いて、第２の工程として、第５図（Ｄ）に示すように
、第１の絶縁体層３３にエツチングを行ってスルーホー
ル３６を形成して第１の電極体層３２の第３の薄膜層３
２Ｃを露出させておき、第５図（Ｅ）に示すように、第
１の絶縁体層３３の表面およびスルーホール３６上にク
ロム／金／クロムを順次スパッタ蒸着して第１、第２お
よび第３の薄膜層３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｃを積層し、第
２の電極体層３４を形成するとともに、スルーホール３
６において第１の電極体層３２の第３の薄膜層３２Ｃと
第２の電極体層３４の第１の薄ｌｌｉ層３４Ａとを互い
に接触させる。

この後、第５図（Ｆ）に示すように、第２の電極体層３
４を所定パターンにエツチングして平行配線２５を形成
し、第５図（Ｇ）に示すように、その表面に第２の絶縁
体層３５として二酸化ケイ素をスパッタ蒸着する。

さらに、第３の工程として、第５図（Ｈ）に示すように
、入力端子２５Ｂ部分の第１および第２の絶縁体層３３
．３５をエツチングして切欠き３７を形成して第１の電
極体層３２を露出させ、第５図（１）に示すように、第
３の薄膜層３２Ｃをエツチングして第２の薄膜層３２Ｂ
を露出させて接続部分である入力端子２５Ｂを形成する
。

このような本実施例によれば、以下に示すような効果を
得ることができる。

すなわち、グリッド２１の立体パターン配線３０におい
ては、第１の薄膜層３２Ａのクロムによりガラス基板３
１との密着性を高めることができ、経時変化によって剥
離等を生じることがないため長期間にわたって安定した
検出を行うことができる。

また、第２の薄膜層３２Ｂ、３４Ｂの金により、パター
ン全体にわたって電気抵抗を低く抑えて信号の導通性を
高めることができ、電極２３．２４等における電荷チャ
ージ量を大きくすることができ、静電容量型変位センサ
２０の精度を向上できるとともに、電荷チャージ効率の
向上にともなって入力信号を供給するアンプ等に余裕を
もたせることができる。

さらに、第２の薄膜層３２Ｂ、３４Ｂの金は、印加電圧
の如何に拘らず電蝕を発生しにくいとともに、表面を覆
う絶縁体層３５にクラック等が生じた際等に絶縁体層３
５を通して侵入する湿気やイオン等に対する耐蝕性が高
いため長期間にわたって安定した電導性を維持すること
ができる。

また、入力端子２５Ｂ等の接続部分においては、露出さ
れた第２の薄膜層３２Ｂに配線等を直接接触させて接続
抵抗を低く抑えることができるとともに、金の耐蝕性に
より、導電性を阻害して十分な出力信号が得られなくな
るような酸化物等が発生することがないため信号の減衰
も少なく、時間経過に伴う酸化等による機能低下を防止
して長期間にわたって安定した接続を維持することがで
きる。

一方、グリッド２１の立体パターン配線３０においては
、スルーホール３６の上から３層構造のパターン配線用
電極体を積層することにより、第２の電極体層３４を形
成すると同時に第１の電極体層３２との接続が形成でき
、製造を容易にすることができる。

また、スルーホール３６における接続にあたっては、第
１の電極体層３２と第２のｉｔ掻体層３４とが互いに接
触しあう各々の第３の薄膜層３２Ｃおよび第１の薄膜層
３４Ａをともにクロムとしたため接触性を高めることが
できるとともに、クロムの耐エツチング性により第１の
絶縁体層３３を貫通するスルーホール３６を形成する際
に、エツチング液の浸透による第２の薄膜層３２Ｂの金
の剥離あるいは損傷を防止することができる。

さらに、第３の薄膜層３２Ｃのクロムを厚く形成してお
くことにより、スルーホール３６形成時に一部が侵食さ
れてもそれ自身ないしは第２の薄膜層３２Ｂまでは侵食
が及ばないようにし、第１の絶縁体層３３の厚みの不均
一に伴う各スルーホール３６のエツチング終了時間のば
らつきを許容し、これによりエツチング終了判定の厳密
さを緩和することができ、製造作業を容易にできるとと
もに、製品の完成品率（いわゆる歩留り）を向上するこ
とができる。

なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
以下に示すような変形をも含むものである。

すなわち、立体パターン配線３０を形成する基板として
は、ガラス基板３１に限らず、他の材質あるいは形状な
どであってもよく、例えばエポキシ等の樹脂材料による
硬質基板あるいはフレキシブル基板等を用いてもよい。

また、第１の薄膜層３２Ａ、３４Ａに用いる金属として
はクロム（Ｃ「）に限らず、立体パターン配線３０を形
成する基板との密着性がよい金属であれば他の金属であ
ってもよく、実施にあたって適宜選択してよい。

さらに、第２の薄膜層３２Ｂ、３４Ｂに用いる貴金属と
しては金（Ａｕ）に限らず、実施に当たって、銀（Ａｇ
）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐ
ｄ）等を用いてもよい。

また、第３の薄膜ｒ！３２Ｃ，３４Ｃに用いる金属とし
てはクロム（Ｃｒ）に限らず、エツチングレートが小さ
く、かつ第１の薄膜層の金属と接続性のよい金属であれ
ば他の金属であってもよく、実施にあたって適宜選択し
てよいが、第１の薄膜層の金属と同じとすれば接続性を
良好にできるため、第１および第３の薄膜層の双方に各
々の条件を満足するクロム等を用いて一致させることが
望ましい。

さらに、絶縁体層３３．３５等に用いる材質としては二
酸化ケイ素（Ｓｉｆｔ）に限らず、電気絶縁性および耐
環境性の高い材料であればよく、例えば、窒化ケイ素（
Ｓ　ｉｚ　Ｎ＜　）等が、利用できる。

また、以上の各電極体層、薄膜層あるいは絶縁体層など
を形成するにあたっては、前記実施例のようなスパッタ
蒸着に限らず、他の手段により形成してもよく、かつ電
極体層を所定パターンに形成する際のエツチングの種類
も特に限定されるものではなく、あるいはエンチング以
外の手段によるとしてもよい。

一方、前記実施例では、グリッド２１に送信電極２３お
よび受信電極２４を、スケール２２に結合電極２７およ
びアース電極２８を形成したが、これらは逆でもよく、
要するにそのパターン形状等は測定器などの形態や機能
に応じて決定すればよい。

また、前記実施例では、本発明のパターン配線用電極体
をダイヤルゲージ１０に組み込まれた静電容量型変位検
出センサ２０に適用したが、ダイヤルゲージ１０に限ら
ずノギスやマイクロメータなどの測長器に組み込まれる
ものであってもよく、あるいは静電容量型変位検出セン
サ２０に限らず、電子回路を形成するプリント配線基板
あるいは接続コネクタ等の電極としても応用できる。

〔発明の効果〕

以上に述べたように、本発明の立体パターン配線構造お
よびその製造方法によれば、耐環境性および電気的特性
が良好で安定した立体パターン配線を簡単かつ安価に製
造することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す分解斜視図、第２図は
前記第１図の断面図、第３図は前記実施例の要部を示す
上面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線による断面図、
第５図（Ａ）〜（１）は各々前記実施例の製造手順を示
す前記第４図相当の断面図である。１０・・・ダイヤルゲージ、１１・・・ケース、１２・
・・スピンドル、２０・・・静電容量型変位検出センサ
、２１・・・グリッド、２２・・・スケール、２３・・
・送信電極、２４・・・受信電極、２５・・・平行配線
、２５Ａ・・・接続部分である入力端子、２７・・・結
合電極、２８・・・アース電極、３０・・・立体パター
ン配線、３１・・・ガラス基板、３２．３４・・・３層
構造のパターン配線用電極体からなる第１および第２の
電極体、３３．３５・・・第１および第２の絶縁体層、
３６・・・スルーホール、３７・・・接続部分の切欠き
。７０・・ダイｉ’　ＩＬ／ゲージ２１・・・グリッ　ドｎ・・・スケール２３・・・送信電極２５Ａ・・・穫績ｌル介てあう入力務壬１・・・結合電
極２８・・・アース電極

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板上に交互に積層された所定パターンの電極体
層および絶縁体層を備えて階層構造の回路を形成する立
体パターン配線構造において、前記電極体層は、前記基
板または絶縁体層の表面に形成されて当該基板および絶
縁体層と密着性のよい金属からなる第１の薄膜層と、こ
の第１の薄膜層の表面に形成されて電気抵抗が小さく耐
蝕性が高い貴金属からなる第２の薄膜層と、この第２の
薄膜層の表面に形成されて第１の薄膜層の金属と接続性
が良好でエッチング性の低い金属からなる第３の薄膜層
とを積層して構成される３層構造のパターン配線用電極
体により形成され、各電極体層の外部との接続部分は当
該電極体層の第２の薄膜層を露出されているとともに、
各々隣合う電極体層は、上側の電極体層の第１の薄膜層
を両電極体層間に介在する絶縁体層を所定位置において
貫通するスルーホールを通して下側の電極体層の第３の
薄膜層に接触させることにより接続されていることを特
徴とする立体パターン配線構造。
（２）基板上に交互に積層された所定パターンの電極体
層および絶縁体層を備えて階層構造の回路を形成する立
体パターン配線の製造方法において、前記基板の表面に
形成されて当該基板および絶縁体層と密着性のよい金属
からなる第１の薄膜層と、この第１の薄膜層の表面に形
成されて電気抵抗が小さく耐蝕性が高い貴金属からなる
第２の薄膜層と、この第２の薄膜層の表面に形成されて
第１の薄膜層の金属と接続性が良好でエッチング性の低
い金属からなる第３の薄膜層とを積層して構成される３
層構造のパターン配線用電極体により第１の電極体層を
形成し、この第１の電極体層を所定パターンに加工した
のち、この第１の電極体層の表面を第１の絶縁体層で被
覆する第１の工程と、前記第１の絶縁体層の所定部分を除去して当該部分に第
１の電極体層の第３の薄膜層が露出するようにスルーホ
ールを形成し、前記第１の絶縁体層およびスルーホール
の表面に前記第１の電極体層と同様な３層構造のパター
ン配線用電極体を積層することにより第１の薄膜層がス
ルーホールを通して第１の電極体層に接触する第２の電
極体層を形成し、この第２の電極体層を所定パターンに
加工したのち、前記第２の電極体層の表面を第２の絶縁
体層で被覆することの繰り返しにより所期の段数の階層
構造を形成する第２の工程と、前記階層構造の一部を表
面から所定の電極体層まで除去して切欠きを形成したの
ち、この切欠き部分の当該電極体層の第３の薄膜層を除
去して第２の薄膜層を露出させることにより外部との接
続部分を形成する第３の工程と、を含んで構成されたことを特徴とする立体パターン配線
の製造方法。