JPH01150383A

JPH01150383A - パターン配線用電極体

Info

Publication number: JPH01150383A
Application number: JP62310280A
Authority: JP
Inventors: Jun Ariake; 順有明; Takahisa Takubo; 貴久田久保
Original assignee: Mitutoyo Corp; Mitsutoyo Kiko Co Ltd
Current assignee: Mitutoyo Corp; Mitsutoyo Kiko Co Ltd
Priority date: 1987-12-07
Filing date: 1987-12-07
Publication date: 1989-06-13

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】［産業上の利用分野〕本発明はパターン配線用電極体に係り、半導体素子ある
いはセンサ素子の回路用の薄膜パターン配線等に利用で
きる。

〔従来の技術〕

従来より、半導体素子やセンサ素子等においては、基板
表面に金属を蒸着させるなどして薄膜の電極体を形成し
、この電極体を適宜マスキングしたうえでエツチングす
る等により基板上に所定パターンの回路を形成している
。

また、実装密度を高める必要がある場合、前述のような
パターン配線を２重以上に積層して立体パターン配線と
することがなされている。この場合、立体的に交叉する
各層間には、電気絶縁性および耐環境性の高い二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ□）あるいは窒化ケイ素（ＳｉｓＮｎ）等
の絶縁体の保護層を介在させることが不可欠であり、例
えば、基板上に２重の電極体層を用いた立体パターン配
線を形成する場合、第１の電極体層、第１の絶縁体層、
第２の電極体層および第２の絶縁体層という４重の階層
構造を形成する必要があり、上下のパターン配線間の配
線が必要な部分には第１の絶縁体層を貫通するスルーホ
ールを形成して第１および第２の電極体層間を接続する
ことがなされている。

ところで、前述の電極体としては多様な金属が利用され
ているが、このうちクロム（Ｃｒ）は、電気的特性が良
好で、ガラス基板等との密着性が良いとともに、加工性
に優れ、がっ、通常の環境下で不動態化しやすく、しが
も、その不動態化被膜は緻密で安定した酸化物もしくは
水酸化物であるために耐蝕性が優れているという理由で
多用されている。

しかし、変位検出用のセンサ素子として近年注目されて
いる静電容量型変位検出センサ等においては、ダイヤル
ゲージ、ノギス、マイクロメータ等といった測長器に組
み込まれて利用されることが多く、工場などの高温多湿
といった悪環境下での使用頻度も高い、このため、高温
高圧下といった悪環境下では１、電極体として用いる場
合にかけられる電圧によって通常は耐蝕性のよいクロム
であっても電蝕が発生することが確認されており、セン
サを構成する電極が腐蝕されて良好な電気的特性が得ら
れなくなるという問題があり、腐蝕の進行に伴って断線
などを生して動作不能となる可能性があった。

これに対し、パターン配線を形成するにあたって、電極
体層を多段化する必要がなくとも前述の二酸化ケイ素あ
るいは窒化ケイ素等の耐蝕性の絶縁体層を電極体層の表
面に形成し、２重の階層構造として電極体を被覆して保
護することがなされている。

また、電極体の材質を、クロムに代えてもともと腐蝕し
にくい金（Ａｕ）などの貴金属材料とし、あるいは通常
の利用環境では不動態化して腐蝕の進行を阻止しうるタ
ンタル（Ｔａ）等の金属材料とすることが提案されてい
る。

（発明が解決しようとする問題点〕しかし、実際問題として、前述のようなケイ素材料によ
る保護層はクラック等を生じ易く、このクラック部分か
ら外部雰囲気中の湿気やイオン等が侵入して電極を腐蝕
することがある。また、基板上の回路を外部と接続する
ためのエツジ部分等の接続部分では電極体を露出させる
ことが不可欠であるため、この部分の電極体を保護層に
よって保護することができず、外気との接触による当該
電極部分の腐蝕および特性の劣化を避けられないという
問題がある。

また、電極体として耐蝕性の金属を用いるとしても、例
えば、金はガラス基板等との密着性が悪く剥離しやすく
、耐久性に問題があるほか、タンタル等は電気抵抗が大
きく（厚さ３５００人ｔのタンタルの場合で２００Ω）
、センサ素子等に用いた場合、検出用電極への電荷チャ
ージ量が不充分となって誤動作したり、消費電力が増加
する等といった問題がある。

特に、今日においては半導体素子の高集積化あるいはセ
ンサ素子の高分解能化の要請を満たすために回路のパタ
ーン配線を細線化する傾向にあり、電気抵抗の増加ある
いは腐蝕による損傷は僅かであっても影響が大きく、新
たな電極体の開発が望まれていた。

本発明の目的は、耐環境性が良好で、しかも電気抵抗が
小さいパターン配線用電極体を提供することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、前記問題点に鑑み、性質の異なる金属材料を
層状に形成して電極体とし、各々の特性を相補的に活用
して前記問題点を解決しようとするものである。

すなわち、本発明の第１の発明は、基板表面に所定パタ
ーンの回路を形成するためのパターン配線用電極体とし
て、前記基板の表面に当該基板と密着性のよい金属から
なる第１の薄膜層を形成し、この第１の薄膜層の表面に
電気抵抗が小さく耐蝕性が高い貴金属からなる第２のＦ
ｉｌ膜層を形成し、これにより２層構造のパターン配線
用電極体を構成するものである。

また、本発明の第２の発明は、このような２Ｎ構造のパ
ターン配線用電極体を用いて前述の４重の階層構造とい
った立体パターン配線を行う場合のスルーホール形成時
の問題を実験的に確認してなされたものであり、基板表
面に所定パターンの回路を形成するためのパターン配線
用電極体として、前記基板の表面に当該基板と密着性の
よい金属からなる第１の薄膜層を形成し、この第１の薄
膜層の表面に電気抵抗が小さく耐蝕性が高い貴金属から
なる第２の薄膜層を形成するとともに、この第２の薄膜
層の表面に第１の薄膜層の金属と接続性が良好でエツチ
ング性の低い金属からなる第３の薄膜層を形成し、これ
により３層構造のパターン配線用電極体を構成するもの
である。

〔作用〕

このように構成された本発明の第１の発明においては、
第１の薄膜層の金属としてクロム（Ｃｒ）等を用い、ガ
ラス基板等との密着性や加工性を良好にするとともに、
第２の薄膜層の貴金属として金（Ａｕ）、ｊ艮（Ａｇ）
、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ
）等を用い、パターン配線の全体にわたって良好な電気
的特性を得るとともに、外部との接続部分等の露出部分
あるいは表面を覆う絶縁体層のクラック等から侵入する
湿気やイオン等から第１の薄膜層を遮蔽し、腐蝕から保
護する。

ところで、このような２層構造のパターン配線用電極体
を用いて前述の４重の階層構造の立体パターン配線を行
う場合、第１の電極体層を第１の絶縁体層で被覆したの
ち、この第１の絶縁体層の表面に第２の電極体層を形成
する前に第１の絶縁体層にエツチング等によりスルーホ
ールを形成しておく必要があるが、第１の絶縁体層に局
所的な膜厚分布があった場合、エツチングの終了時点の
判定が困難となって第１の電極体層までがエツチングさ
れ、第１の電極体層の第２の薄膜層の金等が腐蝕ないし
剥離され、第１の薄膜層であるクロム等を外部の湿気や
イオン等から保護できず、腐蝕されてコンタクト抵抗が
増加し、あるいは動作不良を生じる恐れがある。

しかし、本発明の第２の発明においては、エツチング耐
性に劣る微細なビンホーＪしを有する金等の第２のｙ１
１重を、緻密で安定した不動態化被膜を有するクロム等
の第３の薄膜層で被覆し、この第３の１１１１層として
ピンホールが少なく第１の絶縁体層のエツチング時に良
好なエツチング耐性を示すクロム等を用いることにより
、第２の薄膜層がエツチングにより腐蝕ないし剥離され
ることを防止し、これにより電極体としての耐環境性お
よび電気的特性を良好に維持して前記目的を達成するも
のである。

〔実施例〕以下、本発明の一実施例を図面に基づむ１て説明する。

第１図および第２図に示すように、本実施例番よ本発明
のパターン配線用電極体を変位検出手段としてダイヤル
ゲージ１０内に組み込まれた静電容量型変位検出センサ
２０の電極基板に適用したものである。

この静電容量型変位検出センサ２０は、ダイヤルゲージ
１０のケース１１側に取付けられたグリッド２１と、ス
ピンドル１２側に取付けられたスケール２２という２枚
の電極基板を有し、これらグリッド２１およびスケール
２２を互いに僅かな間隔で対向配置するとともに、各々
の対向する側の表面に所定パターンの電極を形成して両
者の相対移動に伴って相互の静電容量が変化するように
構成されており、これらグリッド２１とスケール２２と
の静電容量変化をダイヤルゲージ１０内に設けられた処
理回路１３において所定演算処理し、ケース１１とスピ
ンドル１２との相対変位としてダイヤルゲージ１０の表
面に配置された表示回路１４に表示するものである。

すなわち、グリッド２１のスケール２２と対向する面に
は、スケール２２との相対移動方向に沿って多数の送信
電極２３が形成されるとともに、この送信電極２３の列
に沿って帯状の受信電極２４が形成されており、この受
信電極２４は配線２４Ａにより処理回路１３に接続され
ているとともに、送信電極２３は電極リード２３Ａを介
して立体配線された並列８線式の平行配線２５に８個毎
にまとめられ、平行配線２５から引き出された人力リー
ド２５Ａの先端の入力端子２５Ｂに接続されたフレキシ
ブル配線２６を介して処理回路１３に接続されている。

一方、スケール２２のグリッド２１と対向する面には、
送信電極２３と受信電極４とを同時に覆うような大きさ
の結合電極２７およびアース電極２８がグリッド２１と
の相対移動方向に交互に配列され、それぞれは送信電極
２３の総数（８個を一組とした総数）と同数設けられて
おり、このうちアース電極２日は各々前記配列に沿った
アース配ＨＪＡ　２８　Ａに接続され、アース端子２８
Ｂを介してケース１１に接地されている。

このため、グリッド２１の各送信電極２３にフレキシブ
ル配線２６を介して位相の異なる交流電圧（ここでは各
組の電極数に対応した８相の電圧）を印加した場合、送
信電極２３に対向するアース電極２８は接地されている
ため誘導電圧は発生しないが、交互に配置された結合電
極２７には誘導電圧が発生し、この結合電極２７は対向
する受信電極２４に送信電極２３の電圧信号に応じた電
圧信号を誘起させるように構成されている。従って、以
上のようなグリッド２１およびスケール２２を有する静
電容量型変位検出センサ２０は、スケール２２がグリッ
ド２１に対して相対変位した際に受信電極２４にスケー
ル２２の変位量に応じた静電容量信号を誘起され、その
信号を処理回路１３で演算処理して送信電極２３に印加
した電圧信号の基準位相と比較することによりグリッド
２１とスケール２２との相対変位量を検出可能である。

ここで、グリッド２１の送信電極２３、受信電極２４お
よび平行配線２５等は本発明の第２の発明である３層構
造のパターン配線用電極体を用いた４重の階層構造の立
体パターン配線３０により形成されている。

第３図および第４図に示すように、グリッド２１として
用いられるガラス基板３１の表面には３層構造のパター
ン配線用電極体を用いた第１の電極体層３２が形成され
、この電極体層３２はガラス基板３１との密着性の良い
金属であるクロム（Ｃｒ）による第１の薄１１１１！１
３２Ａと、電気抵抗が小さく耐蝕性が高い貴金属である
金（Ａｕ）による第２の薄膜層３２Ｂと、第１の薄膜層
の金属と接続性が良好でエツチング性の低い金属である
クロム（Ｃｒ）による第３の薄膜層３２Ｇとを積層して
構成されている。このような第１の電極体層３２により
送信電極２３、受信電極２４、電極リード２３Ａ１人カ
リード２５Ａおよび入力端子２５Ｂが形成され、これら
は二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）からなる第１の絶縁体層３
３によって被覆されている。

また、第１の絶縁体層３３の表面には、第１の電極体層
３２と同様な３Ｎ構造のパターン配線用電極体を用いた
第２の電極体層３４が形成され、クロム（Ｃｒ）／金（
Ａｕ）／クロム（Ｃｒ）を用いた第１、第２および第３
の薄膜層３４Ａ、３４Ｂ、３４Ｇが積層されている。こ
の第２の電極体層３４により電極リード２３Ａおよび人
力リード２５Ａと立体的に交叉する平行配線２５が形成
されており、その表面は第１の絶縁体層３３と同様な二
酸化ケイ素（ＳｉＯオ）による第２の絶縁体層３５によ
り被覆されている。

この第２の電極体層３４は、第１のｗＡ総体層３３を貫
通するスルーホール３６を通して第１の電極体７１３２
に接続され、このスルーホール３６においては第２の電
極体層３４の第１の薄膜層３４Ａと対向する第１の電極
体層３２の第３のＦｉ膜層３２Ｇとが接触されており、
これにより平行配線２５と電極リード２３Ａおよび入力
リード２５Ａとが接続されている。

なお、入力端子２５Ｂ部分には表面の第２の絶縁体層３
５から第１の電極体Ｎ３２の第２の薄膜層３２Ｂにおよ
ぶ切欠き３７によって第２の薄膜層３２Ｂの金（Ａｕ）
が露出され、フレキシブル配線２６は第２の薄膜層３２
Ｂに直接接触されるように構成され、以上によりグリッ
ド２１の表面には４重の階層構造の立体パターン配線３
０が構成されている。

一方、スケール２２の接続電極２７、アース電極２日お
よびアース配線２９等は本発明の第１の発明である２層
構造のパターン配線用電極体を用いた２重の階層構造の
パターン配線４０により形成されている。

第５図および第６図に示すように、スケール２２として
用いられるガラス基板４１の表面には２層構造のパター
ン配線用電極体を用いた電極体層４２が形成されており
、この電極体層４２はガラス基板４１との密着性の良い
金属であるクロム（Ｃｒ）による第１の薄膜層４２Ａと
、電気抵抗が小さく耐蝕性が高い貴金属である金（Ａｕ
）による第２の薄膜層４２Ｂとを積層して構成されてい
る。この電極体層４２により接続電極２７、アース電極
２８、アース配線２８Ａおよびアース端子２８Ｂが形成
され、これらは二酸化ケイ素（Ｓｉ０２）からなる絶縁
体層４３によって被覆されている。なお、アース端子２
８Ｂ部分は、表面の絶縁体層４３に形成された切欠き４
４によって第２の薄膜層４２Ｂの金（Ａｕ）が露出され
、この第２の薄膜Ｎ４２Ｂに直接接触された所定配線に
よりケース１２に接地されるように構成されており、以
上によりスケール２２の表面には２重の階層構造からな
るパターン配線４０が構成されている。

このように構成された本実施例においては、次のような
手順でグリッド２１の立体パターン配線３０およびスケ
ール２２のパターン配線４０を形成する。

すなわち、グリッド２１のパターン配線３０を形成する
にあたっては、ガラス基板３１の表面にクロム／金／ク
ロムを順次スパッタ蒸着して第１、第２および第３の薄
膜層３２Ａ、３２Ｂ、３２Ｃを積層して第１の電極体層
３２を形成する。

次に、第１の電極体層３２を所定パターンにエツチング
して電極２３．２４等を形成し、その表面に第１の絶縁
体層３３として二酸化ケイ素をスパッタ蒸着しておく。

続いて、第１の絶縁体層３３にエツチングを行ってスル
ーホール３６を形成して第１の電極体層３２の第３の薄
膜層３２Ｃを露出させておき、第１の絶縁体層３３の表
面およびスルーホール３６上にクロム／金／クロムを順
次スパッタ蒸着して第１、第２および第３の薄膜層３４
Ａ、３４Ｂ。

３４Ｃを積層し、第２の電極体層３４を形成するととも
に、スルーホール３６において第１の電極体層３２の第
３の薄膜層３２Ｃと第２の電極体層３４の第１の薄膜層
３４Ａとを互いに接触させる。

この後、第２の電極体層３４を所定パターンにエツチン
グして平行配線２５を形成し、その表面に第２の絶縁体
Ｊｉ３５として二酸化ケイ素をスパッタ蒸着する。

さらに、入力端子２５Ｂ部分の第２の絶縁体層３５から
第１の電極体層３２の第３のＦＪＩＩｉ層３２Ｃまでを
エツチングして切欠き３７を形成し、第２の薄膜ＩＪ３
２Ｂを露出させて入力端子２５Ｂを形成する。

一方、スケール２２にパターン配線４０を形成するにあ
たっては、ガラス基板４１の表面にクロムおよび金を順
次スパッタ蒸着して第１および第２の薄膜層４２Ａ、４
２Ｂを積層して電極体層４２を形成し、その表面に絶縁
体層４３として二酸化ケイ素をスパッタ蒸着し、そのう
えでアース端子２８Ｂ部分の絶縁体層４３をエツチング
して切欠き４４を形成し、アース端子２８Ｂを形成する
。

このような本実施例によれば、以下に示すような効果を
得ることができる。

すなわち、グリッド２１の立体パターン配線３０および
スケール２２のパターン配線４０においては、第１の薄
膜層３２Ａ、４２Ａのクロムにより各々ガラス基板３１
．４１との密着性を高めることができ、経時変化によっ
て剥離等を生じることがないため長期間にわたって安定
した検出を行うことができる。

また、第２の薄膜層３２Ｂ、３４Ｂ、４２Ｂの金により
、パターン全体にわたって電気抵抗を低く抑えて信号の
導通性を高めることができ、電極２３．２４．２７等に
おける電荷チャージ量を大きくすることができ、静電容
量型変位センサ２゜の精度を向上できるとともに、電荷
チャージ効率の向上にともなって入力信号を供給するア
ンプ等に余裕をもたせることができる。

さらに、第２の薄膜層３２Ｂ、３４Ｂ、４２Ｂの金は、
印加電圧の如何に拘らず電蝕を発生しにくいとともに、
絶縁体Ｎ３５，４３にクラック等が生じた際等に絶縁体
層３５．４３を通して侵入する湿気やイオン等に対する
耐蝕性が高いため長期間にわたって安定した電導性を維
持することができる。

また、入力端子２５Ｂおよびアース端子２８Ｂ等の接続
部分においては、露出された第２の薄膜層３２Ｂ、４２
Ｂの金に配線等を直接接触させて接続抵抗を低く抑える
ことができるとともに、金の耐蝕性により、導電性を阻
害して十分な出力信号が得られなくなるような酸化物等
が発生することがないため信号の減衰も少なく、時間経
過に伴う酸化等による機能低下を防止して長期間にわた
って安定した接続を維持することができる。

一方、グリッド２１の立体パターン配線３０においては
、スルーホール３６の上から３層構造のパターン配線用
電極体を積層することにより、第２の電極体層３４を形
成すると同時に第１の電極体１５３２との接続が形成で
き、製造を容易にすることができる。

また、スルーホール３６における接続にあたっては、第
１の電極体層３２と第２の電極体層３４とが互いに接触
しあう各々の第３の薄膜層３２Ｃおよび第１の薄膜層３
４Ａをともにクロムとしたため接触性を高めることがで
きるとともに、クロムの耐エツチング性により第１の絶
縁体層３３を貫通するスルーホール３６を形成する際に
、エツチング液の浸透による第２の薄膜層３２Ｂの金の
剥離あるいは損傷を防止することができる。

さらに、第３の薄膜層３２Ｃのクロムを厚く形成してお
くことにより、スルーホール３６形成時に一部が侵食さ
れてもそれ自身ないしは第２の薄膜１！１３２Ｂまでは
侵食が及ばないようにし、第１の絶縁体層３３の厚みの
不均一に伴う各スルーホール３６のエツチング終了時間
のばらつきを許容し、これによりエツチング終了判定の
厳密さを緩和することができ、製造作業を容易にできる
とともに、製品の完成品率（いわゆる歩留り）を向上す
ることができる。

このように、本実施例においては、グリッド２１に本発
明の第２の発明である３層構造のパターン配線用電極体
を用いることにより、立体パターン配線３０におけるス
ルーホール３６による立体接続を確実にできるとともに
、スケール２２においては第１の発明である２層構造の
パターン配線用電極体を用いることにより、通常のパタ
ーン配線４０の製造を容易かつ安価にでき、スケール２
２のように比較的面積の大きい電極等に利用してもコス
トを低減できる。

なお、本発明は前記実施例に限定されるものではなく、
以下に示すような変形をも含むものである。

すなわち、立体パターン配線３０あるいはパターン配線
４０を形成する基板としては、ガラス基板３１．４１に
限らず、他の材質あるいは形状などであってもよく、例
えばエポキシ等の樹脂材料による硬質基板あるいはフレ
キシブル基板等を用いてもよい。

また、第１の薄膜Ｎ３２Ａ、３４Ａ、４２Ａに用いる金
属としてはクロム（Ｃｒ）に限らず、立体パターン配線
３０あるいはパターン配線４０を形成する基板との密着
性がよい金属であれば他の金属であってもよく、実施に
あたって適宜選択してよい。

さらに、第２の薄膜層３２Ｂ、３４Ｂ、４２Ｂに用いる
貴金属としては金（Ａｕ）に限らず、実施に当たって、
！ｉ（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラ
ジウム（Ｐｄ）などを用いてもよい。

マタ、１３（７）ｆｉｌｌ！３２　Ｃ，３４Ｃニ用イル
金属としてはクロム（Ｃ「）に限らず、エツチングレー
トが小さく、かつ第１の薄膜層の金属と接続性のよい金
属であれば他の金属であってもよく、実施にあたって適
宜選択してよいが、第１の薄膜層の金属と同じとすれば
接続性を良好にできるため、第１および第３の薄膜層の
双方に各々の条件を満足するクロム等を用いて一致させ
ることが望ましい。

さらに、絶縁体層３３，３５．４３等に用いる材質とし
ては二酸化ケイ素（ＳｉＯ□）に限らず、電気絶縁性お
よび耐環境性の高い材料であればよく、例えば、窒化ケ
イ素（ＳｉａＮ４）等が利用できる。

また、以上の各電極体層、薄膜層あるいは絶縁体層など
を形成するにあたっては、前記実施例のようなスバンタ
蒸着に限らず、他の手段により形成してもよく、かつ電
極体層を所定パターンに形成する際のエツチングの種類
も特に限定されるものではなく、あるいはエツチング以
外の手段によるとしてもよい。

一方、前記実施例では、スルーホール３６により第１お
よび第２の電極体層３２．３４を接続するとしたが、こ
れは他の手段によって接続してもよく、例えば、予め積
層した第１の電極体１３２から第２の絶縁体層３５まで
を貫通する孔を設けてこの孔に金属等を充填してスルー
ホールを形成してもよい。しかし、前記実施例のような
スルーホール３６によれば第２の電極体層３４の形成と
同時に接続を完了でき、製造が容易かつ接触性も良好に
できる。

また、入力端子２５Ｂ等の接続部分においては、切欠き
３７を形成して第１の電極体層３２の第３の薄膜層３２
Ａないし第２の絶縁体層３５を除去し、これにより第２
の薄膜層３２Ｂの金等を露出させるとしたが、例えば、
第１のＴＨ，ｈ体層３２の第２の薄膜層３２Ｂまでを形
成したのち入力端子２５Ｂ相当部分をマスクしておき、
入力端子２５Ｂ部分に第３の薄膜層３２Ａないし第２の
絶縁体層３５を形成させないようにしてもよい。しかし
、マスキングおよびマスクの除去の手間を勘案すると、
接続部分に第２の薄膜層３２Ｂを露出させるにあたって
は前記実施例のような切欠き３７を採用したほうが製造
を容易にできる。

さらに、前記実施例では、グリッド２１に送信電極２３
および受信電極２４を、スケール２２に結合電極２７お
よびアース電極２日を形成したが、これらは逆でもよく
、要するにそのパターン形状等は測定器などの形態や機
能に応じて決定すればよい。

また、前記実施例では、本発明のパターン配線用電極体
をダイヤルゲージ１０に組み込まれた静電容量型変位検
出センサ２０に適用したが１．ダイヤルゲージ１０に限
らずノギスやマイクロメータなどの測長器に組み込まれ
るものであってもよく、あるいは静電容量型変位検出セ
ンサ２０に限らず、電子回路を形成するプリント配線基
板あるいは接続コネクタ等の電極としても応用できる。

〔発明の効果〕

以上に述べたように、本発明のパターン配線用電極体に
よれば、悪環境下での使用にも長期間にわたって安定し
た電気特性を維持することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例を示す分解斜視図、第２図は
前記第１図の断面図、第３図は前記実於例の要部を示す
上面図、第４図は第３図のＩＶ−ＩＶ線による断面図、
第５図は前記実施例の別の要部を示す上面図、第６図は
第５図の■−Ｖｌ線による断面図である。１０・・・ダイヤルゲージ、１１・・・ケース、１２・
・・スピンドル、２０・・・静電容量型変位検出センサ
、２１・・・グリッド、２２・・・スケール、２３・・
・送信電極、２４・・・受信電極、２５・・・平行配線
、２５Ａ。２８Ａ・・・接続部分である入力端子およびアース端子
、２７・・・結合電極、２８・・・アース電極、３０・
・・立体パターン配線、３１．４１・・・ガラス基板、
３２．３４・・・３層構造のパターン配線用電極体から
なる第１および第２の電極体、３３．３５・・・第１お
よび第２の絶縁体層、３６・・・スルーホール、３７．
４４・・・接続部分の切欠き、４０・・・パターン配線
、４２・・・２Ｎ構造のパターン配線用電極体からなる
電極体、４３・・・絶縁体層。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）基板表面に所定パターンの回路を形成するための
パターン配線用電極体において、前記基板の表面に当該
基板と密着性のよい金属からなる第１の薄膜層を形成し
、この第１の薄膜層の表面に電気抵抗が小さく耐蝕性が
高い貴金属からなる第２の薄膜層を形成したことを特徴
とする２層構造のパターン配線用電極体。
（２）基板表面に所定パターンの回路を形成するための
パターン配線用電極体において、前記基板の表面に当該
基板と密着性のよい金属からなる第１の薄膜層を形成し
、この第１の薄膜層の表面に電気抵抗が小さく耐蝕性が
高い貴金属からなる第２の薄膜層を形成するとともに、
この第２の薄膜層の表面に第１の薄膜層の金属と接続性
が良好でエッチング性の低い金属からなる第３の薄膜層
を形成したことを特徴とする３層構造のパターン配線用
電極体。