JPH01149396A - エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス素子Info
- Publication number
- JPH01149396A JPH01149396A JP62307481A JP30748187A JPH01149396A JP H01149396 A JPH01149396 A JP H01149396A JP 62307481 A JP62307481 A JP 62307481A JP 30748187 A JP30748187 A JP 30748187A JP H01149396 A JPH01149396 A JP H01149396A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- panel
- insulating layer
- layer
- thickness
- transparent electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title abstract 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000002470 thermal conductor Substances 0.000 abstract description 12
- 230000007774 longterm Effects 0.000 abstract description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 9
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010252 TiO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[技術分野]
本発明はエレクトロルミネッセンス素子(以ドEL索子
という)、特に稼動中の温度上昇を防止できるようなE
L素子に関する。
という)、特に稼動中の温度上昇を防止できるようなE
L素子に関する。
[従来技術]
従来のXYマトリクス薄膜エレクトロルミネッセンス素
子は第4図に示すような構造となっている。透明基板l
上にITO等の透明電極2をストライプ状に形成し。そ
の上に第1絶縁層3、発光層4、第2絶縁層5を形成し
、その上にA1等の背面電極6を透明電極lと垂直方向
にストライブ状に形成する。こうして形成されたELパ
ネルに駆動回路より数百ボルトの電圧が印加され、発光
層が発光する。
子は第4図に示すような構造となっている。透明基板l
上にITO等の透明電極2をストライプ状に形成し。そ
の上に第1絶縁層3、発光層4、第2絶縁層5を形成し
、その上にA1等の背面電極6を透明電極lと垂直方向
にストライブ状に形成する。こうして形成されたELパ
ネルに駆動回路より数百ボルトの電圧が印加され、発光
層が発光する。
この際、パネル全体で消費される電力は数ワットから数
十ワットになる。この電力の一部は光に変換されるが、
残りは熱になるので長時間、パネルを表示し続けると、
パネルの温度が高くなり、発光層の膜質の劣化等が起り
、長期の信頼性の点で問題になっている。
十ワットになる。この電力の一部は光に変換されるが、
残りは熱になるので長時間、パネルを表示し続けると、
パネルの温度が高くなり、発光層の膜質の劣化等が起り
、長期の信頼性の点で問題になっている。
[目 的]
本発明は従来技術の上記問題点を解消し、長期的信頼性
に優れた、高輝度のEL素子を提供することを目的とし
ている。
に優れた、高輝度のEL素子を提供することを目的とし
ている。
[構 成]
上記目的を達成するための本発明の構成は、基板上に透
明電極、絶縁層、発光層および背面電極を備えたエレク
トロルミネッセンス素子において、この素子の少なくと
も一部に放熱体を接続させたエレクトロルミネッセンス
素子である。
明電極、絶縁層、発光層および背面電極を備えたエレク
トロルミネッセンス素子において、この素子の少なくと
も一部に放熱体を接続させたエレクトロルミネッセンス
素子である。
以下添付図面によって本発明をさらに詳細に説明する。
第1図は本発明の薄膜ELパネルの構成例を示す断面図
である。透明基板l上に透明電極2、第1絶縁層3、発
光層4、第2絶縁層5、背面透明電極6が順次積層され
ている。このパネルはケース7により封止されており中
に防湿用オイル8が封入されている。第2絶縁層5には
熱伝導体9が接続されており、この熱伝導体は放熱体1
0に接続している。
である。透明基板l上に透明電極2、第1絶縁層3、発
光層4、第2絶縁層5、背面透明電極6が順次積層され
ている。このパネルはケース7により封止されており中
に防湿用オイル8が封入されている。第2絶縁層5には
熱伝導体9が接続されており、この熱伝導体は放熱体1
0に接続している。
透明電極材料としてはITO1SnO2にsb等をドー
プしたもの、ZnOにA1等をドープしたものなどが用
いられる。透明電極の膜厚は数百オングストロームから
数千オングストローム程度が好適である。
プしたもの、ZnOにA1等をドープしたものなどが用
いられる。透明電極の膜厚は数百オングストロームから
数千オングストローム程度が好適である。
絶縁層材料としては5iOz、A1zO3、Ta205
等の酸化物絶縁層、BN、AIN。
等の酸化物絶縁層、BN、AIN。
Si3N4等の窒化物絶縁層、S rT 103、Pb
TiO3等の強誘電絶縁層を用い、これらの積層として
もよい。特にBN、AINは熱伝導率が大きく本発明の
構成に適している。これらの絶縁層の膜厚は数百オング
ストロームから数μ■が適している。
TiO3等の強誘電絶縁層を用い、これらの積層として
もよい。特にBN、AINは熱伝導率が大きく本発明の
構成に適している。これらの絶縁層の膜厚は数百オング
ストロームから数μ■が適している。
発光層としてはZnSにMn、Tbを添加したもの、あ
るいはアルカリ土類カルコゲン化物に発光中心としてC
e、Eu、Tb等の希土類元素を添加したものなどがあ
る。これらの母材、発光中心の組合せにより赤、緑、青
、黄等の発光色を得る。発光層の膜厚は数千オングスト
ロームから数μlが適している。
るいはアルカリ土類カルコゲン化物に発光中心としてC
e、Eu、Tb等の希土類元素を添加したものなどがあ
る。これらの母材、発光中心の組合せにより赤、緑、青
、黄等の発光色を得る。発光層の膜厚は数千オングスト
ロームから数μlが適している。
背面電極としてはAI等の金属が用いられる。
背面電極の膜厚は数百オングストロームから数μ腸程度
が好適である。
が好適である。
これらの薄膜は蒸着、イオンブレーティング、スパッタ
リング、CVD等種々の薄膜形成方法により製膜される
。
リング、CVD等種々の薄膜形成方法により製膜される
。
こうして作製されたELパネルはガラス等からなるケー
ス7により封止される。ケース内部にはシリコーンオイ
ル等の防湿用オイル8が封入される。
ス7により封止される。ケース内部にはシリコーンオイ
ル等の防湿用オイル8が封入される。
また、前記の絶縁層端部には熱伝導体9が接続される。
熱伝導体としては銅等の金属からなる線材、板材が用い
られる。
られる。
絶縁層と熱伝導体9との接続方法としては治具を用いて
圧接する方法、絶縁層にNi等を蒸着、メツキなどによ
ってあらかじめ積層し熱伝導体をハンダ付けする方法等
がある。
圧接する方法、絶縁層にNi等を蒸着、メツキなどによ
ってあらかじめ積層し熱伝導体をハンダ付けする方法等
がある。
放熱体lOとしては放熱フィン、固体冷却素子(ペルチ
ェ効果を利用したもの)などが用いられる。
ェ効果を利用したもの)などが用いられる。
第2図は本発明の別の構成例を示したものである。熱伝
導体9はガラス等の透明基板lに接続されており、基板
の熱は熱伝導体9を介して放熱体へ導かれる。
導体9はガラス等の透明基板lに接続されており、基板
の熱は熱伝導体9を介して放熱体へ導かれる。
第1図および第2図の例では放熱体lOが熱伝導体9を
介して素子に接続されているが、放熱体lOは直接EL
素子に接続されていてもよい。
介して素子に接続されているが、放熱体lOは直接EL
素子に接続されていてもよい。
また絶縁層、透明基板l以外のパネル部に放熱体が接続
されていてもその効果は得られる。
されていてもその効果は得られる。
以下、本発明を実施例によって更に詳細に説明する。
実施例1
第1図の構成のパネルにおいて、透明基板lとして厚さ
1.1mmのアルミノ珪酸塩ガラス、透明電極2とし
てITO膜(膜厚1000人)、第1絶縁層3として5
i02層(膜厚1500人)、発光層4としてS rS
: Ce層(膜厚lμ11)、第2絶縁層5としてA
IN層(膜厚4000人)、背面電極6としてAI膜(
膜厚500λ)を用いた。
1.1mmのアルミノ珪酸塩ガラス、透明電極2とし
てITO膜(膜厚1000人)、第1絶縁層3として5
i02層(膜厚1500人)、発光層4としてS rS
: Ce層(膜厚lμ11)、第2絶縁層5としてA
IN層(膜厚4000人)、背面電極6としてAI膜(
膜厚500λ)を用いた。
防湿オイル8としてシリコンオイル、ケース7の材料と
してガラスを用いてパネルを作製した。熱伝導体lOと
しては銅製の薄板(厚さ 200μm)を、放熱体とし
ては放熱フィンを用いた。
してガラスを用いてパネルを作製した。熱伝導体lOと
しては銅製の薄板(厚さ 200μm)を、放熱体とし
ては放熱フィンを用いた。
AIN層はRFマグネトロンスパッタ法により作製した
。ターゲットは純度99.99%のAI。
。ターゲットは純度99.99%のAI。
反応ガスは純度99.999%の窒素で、反応圧力は0
.3P a %基板温度400℃、RFパワー200W
ととした。
.3P a %基板温度400℃、RFパワー200W
ととした。
比較のために同様の構成で第2絶縁層を5iOz(膜厚
4000人)としたパネルも作製し、両者の寿命を評価
した。その結果AIN層を用いた場合は、5iOz層の
場合に比較してパネルの温度上昇は小さく、寿命は約2
倍になった。
4000人)としたパネルも作製し、両者の寿命を評価
した。その結果AIN層を用いた場合は、5iOz層の
場合に比較してパネルの温度上昇は小さく、寿命は約2
倍になった。
また5iOz層で放熱フィンを接続しない場合に比較す
ると、約4倍に寿命が延びた。
ると、約4倍に寿命が延びた。
実施例2
実施例1と同様の構成でA18層の膜厚を変えたパネル
を作製し、第4図に示すようにA18層の膜厚に対する
パネルの寿命、駆動電圧を比較した。
を作製し、第4図に示すようにA18層の膜厚に対する
パネルの寿命、駆動電圧を比較した。
その結果、A18層の膜厚が700Å以上になるとその
効果としてパネルの寿命が増大した。
効果としてパネルの寿命が増大した。
一方AIN層の膜厚が4000五以上になると、パネル
の駆動電圧が300■をこえるため、駆動回路側の長期
の信頼性が低下することがわかった。
の駆動電圧が300■をこえるため、駆動回路側の長期
の信頼性が低下することがわかった。
したがってA18層の膜厚としては700人〜4000
人が好適である。
人が好適である。
実施例3
実施例1と同様の構成で放熱体lOとしてベルチェ効果
を利用した固体冷却素子を用いたパネルを試作した。こ
のパネルと実施例1で試作したパネルの寿命を比較した
ところ固体冷却素子を用いたパネルの方が約2倍の寿命
となった。
を利用した固体冷却素子を用いたパネルを試作した。こ
のパネルと実施例1で試作したパネルの寿命を比較した
ところ固体冷却素子を用いたパネルの方が約2倍の寿命
となった。
実施例4
実施例1と同様の構成で第2絶縁層をBN層(4000
J)を用いた素子を試作し寿命を評価した。
J)を用いた素子を試作し寿命を評価した。
BN層はRFマグネトロンスパッタ法により作製した。
ターゲットは純度99.9%のBN、反応ガスは純度9
9.999%の窒素、反応圧力は0.3Pa、i基板温
度500℃、RFパワー300Wとした。
9.999%の窒素、反応圧力は0.3Pa、i基板温
度500℃、RFパワー300Wとした。
こうして作製されたELパネルの寿命は実施例1の5i
Oz層を用いたパネルと比べ約2.5倍になった。
Oz層を用いたパネルと比べ約2.5倍になった。
実施例5
実施例4と同様の構成で放熱体lOとしてベルチェ効果
を利用した固体冷却素子を用いたパネルを試作した。こ
のパネルと実施例4で試作したパネルの寿命を比較した
ところ固体冷却素子を用いたパネルの方が約2.5倍の
寿命となった。
を利用した固体冷却素子を用いたパネルを試作した。こ
のパネルと実施例4で試作したパネルの寿命を比較した
ところ固体冷却素子を用いたパネルの方が約2.5倍の
寿命となった。
実施例6
第2の構成のパネルにおいて、透明基板1として厚さ
1.1+gmのアルミノ珪酸塩ガラス、透明電極2とし
てITO膜(膜厚1000人)、第1絶縁層3として5
iOz層(膜厚1500人)、発光層4としてCaS
二Eu層(膜厚1μm)、第2絶縁層5としてS io
z層(膜厚1500人)、背面電極6としてAI(膜厚
500A)を用いた。
1.1+gmのアルミノ珪酸塩ガラス、透明電極2とし
てITO膜(膜厚1000人)、第1絶縁層3として5
iOz層(膜厚1500人)、発光層4としてCaS
二Eu層(膜厚1μm)、第2絶縁層5としてS io
z層(膜厚1500人)、背面電極6としてAI(膜厚
500A)を用いた。
また防湿用オイル8としてシリコンオイル、ケース 7
はガラスを用いてパネルを作製した。熱伝導体9として
は銅製の薄板(厚さ 200μm)を、放熱体として、
ベルチェ効果を利用した固体冷却素子IOを用いた。ガ
ラス基板1にはあらかじめNiを蒸着しておき、銅板を
ハンダ付けして接続した。
はガラスを用いてパネルを作製した。熱伝導体9として
は銅製の薄板(厚さ 200μm)を、放熱体として、
ベルチェ効果を利用した固体冷却素子IOを用いた。ガ
ラス基板1にはあらかじめNiを蒸着しておき、銅板を
ハンダ付けして接続した。
このパネルと、固体冷却素子を接続しないパネルの寿命
とを比較したところ、固体冷却素子を接続したものでは
約4倍の寿命が得られた。
とを比較したところ、固体冷却素子を接続したものでは
約4倍の寿命が得られた。
[効 果]
以上、説明したように、エレクトロルミネッセンス素子
の少なくとも一部に放熱体を接続することにより、エレ
クトロルミネッセンス素子の温度上昇をおさえ、長期的
高信頼性に優れた高輝度のEL索子を得ることができた
。
の少なくとも一部に放熱体を接続することにより、エレ
クトロルミネッセンス素子の温度上昇をおさえ、長期的
高信頼性に優れた高輝度のEL索子を得ることができた
。
第1図および第2図は本発明の具体例の構成を示す模式
図、 第3図はAIN絶縁層の膜厚とパネルの寿命および駆動
電圧の関係を示すグラフ、 第4図は従来例の構成を示す模式図である。 l・・・透明基板、2・・・透明電極、3・・・第1絶
縁層、4・・・発光層、5・・・第2絶縁層、6・・・
背面電極、7・・・ケース、8・・・防湿用オイル、9
・・・熱伝導体、10・・・固体冷却素子。 第1図 第2図 第3図 第4図
図、 第3図はAIN絶縁層の膜厚とパネルの寿命および駆動
電圧の関係を示すグラフ、 第4図は従来例の構成を示す模式図である。 l・・・透明基板、2・・・透明電極、3・・・第1絶
縁層、4・・・発光層、5・・・第2絶縁層、6・・・
背面電極、7・・・ケース、8・・・防湿用オイル、9
・・・熱伝導体、10・・・固体冷却素子。 第1図 第2図 第3図 第4図
Claims (1)
- 基板上に透明電極、絶縁層、発光層および背面電極を
備えたエレクトロルミネッセンス素子において、この素
子の少なくとも一部に放熱体を接続させたことを特徴と
するエレクトロルミネッセンス素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62307481A JPH01149396A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62307481A JPH01149396A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01149396A true JPH01149396A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=17969600
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62307481A Pending JPH01149396A (ja) | 1987-12-07 | 1987-12-07 | エレクトロルミネッセンス素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01149396A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006008863A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2006-01-26 | Fujifilm Corporation | 無機分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
-
1987
- 1987-12-07 JP JP62307481A patent/JPH01149396A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006008863A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2006-01-26 | Fujifilm Corporation | 無機分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
JPWO2006008863A1 (ja) * | 2004-07-15 | 2008-05-01 | 富士フイルム株式会社 | 無機分散型エレクトロルミネッセンス素子 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH086086B2 (ja) | 白色エレクトロルミネツセンス素子 | |
JPS6240837B2 (ja) | ||
US5118986A (en) | Electroluminescent device | |
JP3553672B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子 | |
JPH05114486A (ja) | 電界発光素子 | |
JPH01149396A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP2951083B2 (ja) | 有機薄膜電界発光素子 | |
JPH06119973A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 | |
JP5046637B2 (ja) | 無機エレクトロルミネッセント素子 | |
JPH1050477A (ja) | El素子とその製造方法 | |
JPH097762A (ja) | 端面発光有機薄膜el素子 | |
JP2714697B2 (ja) | 電界発光素子 | |
JPS5829880A (ja) | 電場発光素子 | |
JPH01130495A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
JPS6396896A (ja) | エレクトロルミネツセンス素子 | |
JPS59214199A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子 | |
JPH04294094A (ja) | El素子 | |
JPS62139294A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス表示素子の製造方法 | |
JPH05335084A (ja) | 発光素子 | |
JPS58175293A (ja) | 電場発光素子 | |
JP2002280185A (ja) | 薄膜el素子 | |
JPS5832393A (ja) | 薄膜電場発光素子 | |
JPS6147097A (ja) | エレクトロルミネセンス素子 | |
JPS61214395A (ja) | 薄膜エレクトロルミネセンス素子の製造方法 | |
JPH03141586A (ja) | エレクトロルミネッセンス素子 |