JPH01148792A - シリコン粒状材料の連続溶融装置 - Google Patents
シリコン粒状材料の連続溶融装置Info
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- JPH01148792A JPH01148792A JP63270601A JP27060188A JPH01148792A JP H01148792 A JPH01148792 A JP H01148792A JP 63270601 A JP63270601 A JP 63270601A JP 27060188 A JP27060188 A JP 27060188A JP H01148792 A JPH01148792 A JP H01148792A
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Classifications
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- B01J6/00—Heat treatments such as Calcining; Fusing ; Pyrolysis
- B01J6/005—Fusing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
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- C30B15/02—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method adding crystallising materials or reactants forming it in situ to the melt
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-
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、シリコン・リボン連続水平引抜き用の溶融
槽と連通管原理に従って連結された溶融体貯槽内のシリ
コン粒状材料の連続溶融装置に関するものである。
槽と連通管原理に従って連結された溶融体貯槽内のシリ
コン粒状材料の連続溶融装置に関するものである。
これに類似した装置とリボン状ンリコン結晶の水平引抜
き法とその装置は欧州特許出願公開第0170119号
公報により公知である。
き法とその装置は欧州特許出願公開第0170119号
公報により公知である。
このSウェブ法と呼ばれている製法とその装置により溶
融シリコンがら約1m/minの裔速度でシリコン・リ
ボンを引き抜くことができる。この方法の性能を経済的
に完全利用するためには数時間又は数日に亘って連続的
に引抜き操作を続けなければならない。これに対しては
引抜き操作の全時間中溶融槽内の溶融シリコンの表面を
常に同じ高さに保持することが前提となる。
融シリコンがら約1m/minの裔速度でシリコン・リ
ボンを引き抜くことができる。この方法の性能を経済的
に完全利用するためには数時間又は数日に亘って連続的
に引抜き操作を続けなければならない。これに対しては
引抜き操作の全時間中溶融槽内の溶融シリコンの表面を
常に同じ高さに保持することが前提となる。
この場合解決しなければならない問題は、リボン引抜き
を妨害することなく溶融槽にシリコン素材を連続的に補
給することである。例えば幅3゜■、厚さ065箇のリ
ボンを1m/minの引抜き速度で引抜く場合毎分35
0gのシリコンを連続的に補給することが必要である。
を妨害することなく溶融槽にシリコン素材を連続的に補
給することである。例えば幅3゜■、厚さ065箇のリ
ボンを1m/minの引抜き速度で引抜く場合毎分35
0gのシリコンを連続的に補給することが必要である。
シリコン素材は粒状材料として入手可能である。固体シ
リコンの密度は液状のものより低いから、粒状体は溶融
体に散布したとき沈下することなく浮かんでいる。従っ
て融体から粒状体への熱移動は良くない。未溶融の粒状
体は充填口の下の溶融体表面に集まる。
リコンの密度は液状のものより低いから、粒状体は溶融
体に散布したとき沈下することなく浮かんでいる。従っ
て融体から粒状体への熱移動は良くない。未溶融の粒状
体は充填口の下の溶融体表面に集まる。
81重なった粒状体内の熱の移動は溶融体と粒状体の間
よりも更に悪い。鉄と鋼の公知溶融法の場合補強された
材料は固体と液体の密度比がシリコンの場合と逆である
ことに基いて完全に融体内に沈下するから上記のような
問題は生じない。
よりも更に悪い。鉄と鋼の公知溶融法の場合補強された
材料は固体と液体の密度比がシリコンの場合と逆である
ことに基いて完全に融体内に沈下するから上記のような
問題は生じない。
低い熱移動にも拘らず極めて急な温度勾配によって充分
な熱出力が粒状体に移されるようになるまでシリコン溶
融体の温度を上げることはいくつかの理由によって不可
能である。その理由の1つは融体ならびに引抜き槽の材
料として使用される石英がシリコンの融点以上の温度で
機械的不安定となることである。その外に石英と液体シ
リコンの間の化学反応速度が温度と共に上昇する。この
反応によりシリコンの酸化物が発生し、周囲の高温度に
よって融体から蒸発して高温に加熱されたグラファイト
面(加熱体、蓋等)において−酸化炭素を形成する。こ
の−酸化炭素は溶融シリコンに再溶解し、次式 %式% に従って炭化シリコンとなる。このSiCはシリコン・
リボン内に組み込まれ太陽電池への使用を著しく阻害す
る。
な熱出力が粒状体に移されるようになるまでシリコン溶
融体の温度を上げることはいくつかの理由によって不可
能である。その理由の1つは融体ならびに引抜き槽の材
料として使用される石英がシリコンの融点以上の温度で
機械的不安定となることである。その外に石英と液体シ
リコンの間の化学反応速度が温度と共に上昇する。この
反応によりシリコンの酸化物が発生し、周囲の高温度に
よって融体から蒸発して高温に加熱されたグラファイト
面(加熱体、蓋等)において−酸化炭素を形成する。こ
の−酸化炭素は溶融シリコンに再溶解し、次式 %式% に従って炭化シリコンとなる。このSiCはシリコン・
リボン内に組み込まれ太陽電池への使用を著しく阻害す
る。
〔発明が解決しようとする課題]
この発明の目的は、所要量のシリコン粒状材料を各粒子
が充分な量の溶融体で包囲されて必要とする溶融エネル
ギーを受取るように溶融シリコンの表面に一様に分布さ
せることができる装置を提供することである。この場合
公知の加熱装置によって融体から粒状体に移された熱工
Zルギーを融体に再補給することができる。
が充分な量の溶融体で包囲されて必要とする溶融エネル
ギーを受取るように溶融シリコンの表面に一様に分布さ
せることができる装置を提供することである。この場合
公知の加熱装置によって融体から粒状体に移された熱工
Zルギーを融体に再補給することができる。
この目的はこの発明により、連通管原理に従いシリコン
・リボンの連続水平引抜き用の溶融槽と連結された溶融
体貯槽内のシリコン粒状材料の連続溶融装置において、 (a) 溶融体貯槽の容器を、全面的に熱絶縁され粒
状体導入スリント開口を蓋部分に備える環状槽として構
成すること、 (b) 環状槽の中心軸に遠心加速用の回転皿を設け
ること、 (C)回転皿の角速度又は回転数を1つの上限値と下限
値の間で連続的に変化させる装置を設けること、 (d) 回転皿の上にシリコン粒状材料のための管状
収集器を固定し、この収集器に粒状材料を回転軸の方向
に導く導管と環状槽に向かう排出部を設けること によって達成される。
・リボンの連続水平引抜き用の溶融槽と連結された溶融
体貯槽内のシリコン粒状材料の連続溶融装置において、 (a) 溶融体貯槽の容器を、全面的に熱絶縁され粒
状体導入スリント開口を蓋部分に備える環状槽として構
成すること、 (b) 環状槽の中心軸に遠心加速用の回転皿を設け
ること、 (C)回転皿の角速度又は回転数を1つの上限値と下限
値の間で連続的に変化させる装置を設けること、 (d) 回転皿の上にシリコン粒状材料のための管状
収集器を固定し、この収集器に粒状材料を回転軸の方向
に導く導管と環状槽に向かう排出部を設けること によって達成される。
この発明の一つの実施態様によれば、収集器が45″か
ら90°の間の角度で結合された少くとも2つの管部分
から構成され、管軸に垂直に延びる管部分には粒状材料
の送り込み部が設けられ、排出孔を含む管部分は粒状体
の加速区間となる。
ら90°の間の角度で結合された少くとも2つの管部分
から構成され、管軸に垂直に延びる管部分には粒状材料
の送り込み部が設けられ、排出孔を含む管部分は粒状体
の加速区間となる。
この外に多数の加速管が1つの送り込み管に設けられ、
加速管が例えば十字形に共通送り込み管の周囲に配置さ
れた管の組合せ構造を使用することも可能である。
加速管が例えば十字形に共通送り込み管の周囲に配置さ
れた管の組合せ構造を使用することも可能である。
その他の実施態様は特許請求の範囲の請求項5以下に示
されている。
されている。
以下第1図ないし第6図についてこの発明を更に詳細に
説明する。
説明する。
爪上皿: エネルギー消費をできるだけ低くするため
溶融体貯槽7は、熱伝導又は熱放射によるエネルギー損
失ができるだけ小さくなるように公知技術により熱絶縁
されている。この熱絶縁と貯槽7の加熱装置および回転
運動4に対する駆動モータは図を節単にするため示され
ていない。
溶融体貯槽7は、熱伝導又は熱放射によるエネルギー損
失ができるだけ小さくなるように公知技術により熱絶縁
されている。この熱絶縁と貯槽7の加熱装置および回転
運動4に対する駆動モータは図を節単にするため示され
ていない。
熱遮蔽にも拘らず溶融体表面に絶えず均等に粒状シリコ
ン8を散布する問題はこの発明により次の手段によって
解決される。
ン8を散布する問題はこの発明により次の手段によって
解決される。
(1)溶融体貯槽を環状槽7として構成する。
(2)粒体8を次に説明する回転装置内で遠心力によっ
て加速して熱遮蔽のスリット形開口から溶融体表面に達
する特定の投射軌道を画くようにする。
て加速して熱遮蔽のスリット形開口から溶融体表面に達
する特定の投射軌道を画くようにする。
(3)粒体8を回転装置(2,3,4)の軸に沿って導
入する。
入する。
(4)回転装置(2,3,4)の角速度を1つの下限値
と上限値の間で連続的に変化させ、粒体8の投射軌道が
環状槽7の幅全体に拡がるようにする。
と上限値の間で連続的に変化させ、粒体8の投射軌道が
環状槽7の幅全体に拡がるようにする。
粒体8導入用の加速管2は軸4を回転軸とする回転皿3
に固定される。加速用の管部分2bの排出孔は溶融体表
面1からHの高さに置かれ、粒体8は管部分2aを通し
て管部分2bに導かれる。
に固定される。加速用の管部分2bの排出孔は溶融体表
面1からHの高さに置かれ、粒体8は管部分2aを通し
て管部分2bに導かれる。
管部分2aの充填口9は振動器5の下で軸4に同軸に回
転する。6は環状槽7と図に示されていないシリコン・
リボン引抜きるつぼとの結合を示す。
転する。6は環状槽7と図に示されていないシリコン・
リボン引抜きるつぼとの結合を示す。
加速管2bの断面は円形、長円形又は長方形であり、そ
の寸法はその中で動く粒体8を妨害しないように選定さ
れる。回転皿3には第1図に示した単独管2の代りに多
数の加速管2bを例えば十字形にとりつけることができ
る。これらの加速管は総て1つの導入管2aを共通にし
ている。管2a、2bの材料としては有害なくずを発生
しないもの例えば石英又はシリコンが使用される。
の寸法はその中で動く粒体8を妨害しないように選定さ
れる。回転皿3には第1図に示した単独管2の代りに多
数の加速管2bを例えば十字形にとりつけることができ
る。これらの加速管は総て1つの導入管2aを共通にし
ている。管2a、2bの材料としては有害なくずを発生
しないもの例えば石英又はシリコンが使用される。
第2図: 加速装置(2,3,4、)に課せられるその
他の条件は粒子8の運動の解析によって求められる。以
下の計算は一例として送り込み管部分2aと加速管部分
2bが角度90°で交っている装置に対するものであっ
て、この発明による90°と45°の間の別の角度で交
る装置には触れない。粒子は力学の慣例に従い質点とし
て取扱い、その拡がりは無視する。この質点は軸4の周
りに角速度Wで回転する加速管2内で半径方向rに自由
に動き得るものとする。粒子はそれに作用する遠心力に
よりrに関係する加速を受ける。摩擦力を無視すると加
速管内の粒子の運動は次の微分方程式で表される。
他の条件は粒子8の運動の解析によって求められる。以
下の計算は一例として送り込み管部分2aと加速管部分
2bが角度90°で交っている装置に対するものであっ
て、この発明による90°と45°の間の別の角度で交
る装置には触れない。粒子は力学の慣例に従い質点とし
て取扱い、その拡がりは無視する。この質点は軸4の周
りに角速度Wで回転する加速管2内で半径方向rに自由
に動き得るものとする。粒子はそれに作用する遠心力に
よりrに関係する加速を受ける。摩擦力を無視すると加
速管内の粒子の運動は次の微分方程式で表される。
「“−w2r=0 (1)ここで
「“はr” (t)=α2r/d t”=0をとると、
(1)の解は r = 7 (e ″L十e−″′t)(2)加速管
の長さをrarAとすると、加速管を出るときの粒子の
半径方向速度rA ′は次式で与えられる。
「“はr” (t)=α2r/d t”=0をとると、
(1)の解は r = 7 (e ″L十e−″′t)(2)加速管
の長さをrarAとすると、加速管を出るときの粒子の
半径方向速度rA ′は次式で与えられる。
raとr。の値が与えられていると、(2)の解として
の積wtは固定値を示し、(4)の括弧内の関数も固定
値をとる。
の積wtは固定値を示し、(4)の括弧内の関数も固定
値をとる。
第主割二 式(4)からr0=0にある粒子(8)は
動かないことになる。この情況は加速管2bの中心(r
−0)に円錐10を置き、送り込み管2a内を落下する
粒子を中心から側方に偏向させることによって防止する
ことができる。
動かないことになる。この情況は加速管2bの中心(r
−0)に円錐10を置き、送り込み管2a内を落下する
粒子を中心から側方に偏向させることによって防止する
ことができる。
工土ス二 粒子は加速管から放出される際半径方向速度
rA ′の外に接線速度Vt =w・r、を持つ。速度
ra ′とvtから次の合成速度が求められる。
rA ′の外に接線速度Vt =w・r、を持つ。速度
ra ′とvtから次の合成速度が求められる。
v=rコ](5)
第4図に溶融体表面に垂直に投影した運動経過を示す。
A4は溶融体表面1からHの高さにある放出点Aの投影
である。加速管2bの終端が軸4の回りに画く円は11
として示されている。角αに対しては が成立する。wtはrAとroの与えられた値に対して
式(2)の解としてWに無関係な固定値をもつ。
である。加速管2bの終端が軸4の回りに画く円は11
として示されている。角αに対しては が成立する。wtはrAとroの与えられた値に対して
式(2)の解としてWに無関係な固定値をもつ。
従って式(6)によりαも固定値である。
加速管(2b)の終端Aから式(5)で与えられる速度
Vをもって水平に放出される粒子は放物線を画き、その
溶融体表面への投影Sは円11の接線に角度αで交る。
Vをもって水平に放出される粒子は放物線を画き、その
溶融体表面への投影Sは円11の接線に角度αで交る。
点Aの溶融体表面からの投射高さをHとすれば、粒子は
投射距離Sの後溶融体表面に当たる。
投射距離Sの後溶融体表面に当たる。
第4図に示すように投射距離Sは溶融体に当たったとき
の円11からの半径方向間隔Xと同一ではない。この間
隔Xは加速管2bの回転する放出孔によって規定される
ものであって、辺S、Xおよびw+rAの三角形と角α
+90°からで与えられる。式(8)においてrAとs
in αは固定値であり、Sは式(7)と(5)を通し
てWの関数となる。
の円11からの半径方向間隔Xと同一ではない。この間
隔Xは加速管2bの回転する放出孔によって規定される
ものであって、辺S、Xおよびw+rAの三角形と角α
+90°からで与えられる。式(8)においてrAとs
in αは固定値であり、Sは式(7)と(5)を通し
てWの関数となる。
従って式(8)はXをWの関数として表わすものである
。以下に述べる実際的な計算例では角速度Wの代りにn
=w/ 2πで与えられる回転数nが使用される。第4
図にはra =11cm、 ro =5cmとする2
つの計算例が示されている。これらの値から式(2)と
(6)によりα=41.69°となる。回転数をn、=
85回転毎分又はnz=118回転毎分とすると、(8
)により間隔XはL=8.5cm又はX2=12cmと
なる。
。以下に述べる実際的な計算例では角速度Wの代りにn
=w/ 2πで与えられる回転数nが使用される。第4
図にはra =11cm、 ro =5cmとする2
つの計算例が示されている。これらの値から式(2)と
(6)によりα=41.69°となる。回転数をn、=
85回転毎分又はnz=118回転毎分とすると、(8
)により間隔XはL=8.5cm又はX2=12cmと
なる。
’45別は平均間隔Xの測定値と理論計算値の比較を示
す。実験に際しては1010mmX14の長方形断面を
もち、rA=11cm、H=3cmの石英加速管を使用
した。Si粒の質量は2+ngから200+ngO間で
あった。第5図に示した十字形は測定値であり、曲線は
計算値であって曲線aではr。=7cm、bではr0=
5cm、Cではro=3cmである。
す。実験に際しては1010mmX14の長方形断面を
もち、rA=11cm、H=3cmの石英加速管を使用
した。Si粒の質量は2+ngから200+ngO間で
あった。第5図に示した十字形は測定値であり、曲線は
計算値であって曲線aではr。=7cm、bではr0=
5cm、Cではro=3cmである。
毎分約100回転以上の回転数では測定値が直線形の計
算曲線すに近づく。低い回転数においての偏差は、遠心
力が低下すると摩擦力が無視できなくなるとして説明さ
れる。
算曲線すに近づく。低い回転数においての偏差は、遠心
力が低下すると摩擦力が無視できなくなるとして説明さ
れる。
筆旦区: 環状の溶融体の全表面を均等に被覆するこ
とは、この発明により回転数を周期的に変化させること
によって可能である。第1時間区分Δt、−+、におい
て回転数nは後で導かれる時間関係に従って1つの下@
Iu n lから1つの上限値n2まで上昇し、続い
て極めて短い時間区分ΔL2→1((Δt1→2)中に
再びn、に低下する。この2つの周期は間断無く続けら
れる。回転数の時間関係n (t)の導出は、周期Δt
1→2の開時間要素dL当り粒子ビームが走査する面積
要素d F=2πR−dRが一定でなければならないと
いう要請から出発する。ここでR≠r、 +X (第4
図)は面積要素の半径である。この要請は で表される。Cは定数で、単位時間当り散布し溶融する
粒子の質量dm/dtと散布層の面密度ρ。
とは、この発明により回転数を周期的に変化させること
によって可能である。第1時間区分Δt、−+、におい
て回転数nは後で導かれる時間関係に従って1つの下@
Iu n lから1つの上限値n2まで上昇し、続い
て極めて短い時間区分ΔL2→1((Δt1→2)中に
再びn、に低下する。この2つの周期は間断無く続けら
れる。回転数の時間関係n (t)の導出は、周期Δt
1→2の開時間要素dL当り粒子ビームが走査する面積
要素d F=2πR−dRが一定でなければならないと
いう要請から出発する。ここでR≠r、 +X (第4
図)は面積要素の半径である。この要請は で表される。Cは定数で、単位時間当り散布し溶融する
粒子の質量dm/dtと散布層の面密度ρ。
(g/am” )によって決まる。これからt=0でR
= R+ ”” r A + X + という条件の下
に(9)を積分すると 式(II)はC,rA及びXlの与えられた値において
溶融体表面を均等に被覆するために必要な間隔値Xの変
化を与える。このような時間経過をX (t)を達成す
るためにはそれに対応する回転数の時間関係を見出さな
ければならない。それにはXとnの関係が線型であると
いう第5図の結果を利用する。
= R+ ”” r A + X + という条件の下
に(9)を積分すると 式(II)はC,rA及びXlの与えられた値において
溶融体表面を均等に被覆するために必要な間隔値Xの変
化を与える。このような時間経過をX (t)を達成す
るためにはそれに対応する回転数の時間関係を見出さな
ければならない。それにはXとnの関係が線型であると
いう第5図の結果を利用する。
Xりa+bn Oり2つの定
数a、bの値は第5図の測定点を結ぶ直線から求める。
数a、bの値は第5図の測定点を結ぶ直線から求める。
0りを011に入れると所望の時間区分ΔL、→2中の
回転数の時間関係が求められる。
回転数の時間関係が求められる。
時間区分Δ1.→2の長さは側がら
Δ1.→、 = −(+4)
に
こでFは溶融体の全表面積である。
ΔLl→2はその間にR=R,=rA+X+ において
散布された粒状材料が完全に溶融するような長さにしな
ければならない。これによって粒子ビームが常に未被覆
の溶融体表面に当るようになる。
散布された粒状材料が完全に溶融するような長さにしな
ければならない。これによって粒子ビームが常に未被覆
の溶融体表面に当るようになる。
炎;
加速管部分(2b)は長さrA−11CIn、投射高さ
H=3α、環状の溶融体表面は内径R,=16cm、外
径R2=25CI11であった。この両方の半径に粒子
が到達するためには第5図に示すように回転数nをn、
=70回転/分からnZ=140回転/分まで変化させ
なければならない。単位時間当り送り込まれる粒体質量
dm/dtは350g/+ain とする必要がある。
H=3α、環状の溶融体表面は内径R,=16cm、外
径R2=25CI11であった。この両方の半径に粒子
が到達するためには第5図に示すように回転数nをn、
=70回転/分からnZ=140回転/分まで変化させ
なければならない。単位時間当り送り込まれる粒体質量
dm/dtは350g/+ain とする必要がある。
(これは幅30−1厚さ0.5 vrmのSiリボンを
1m/winの速度で引抜く場合に対応する。)ゆるく
散布された粒子層の面密度は0.05 g /cva”
付近にある。これから00)により 溶融体の全表面F=1159印2は0滲により時間Δt
1→、=F/C=l OS内に走査される。式04]中
の定数a、bは第5図の測定値からa=−4゜16CI
I、b = 8.0 cm / l / Sとなる。
1m/winの速度で引抜く場合に対応する。)ゆるく
散布された粒子層の面密度は0.05 g /cva”
付近にある。これから00)により 溶融体の全表面F=1159印2は0滲により時間Δt
1→、=F/C=l OS内に走査される。式04]中
の定数a、bは第5図の測定値からa=−4゜16CI
I、b = 8.0 cm / l / Sとなる。
回転数nのn、とn2の間の時間関係は弐〇湯により
で与えられる。
第6図は時間区分ΔL、→z ;s 10 Sにおける
この回転数上昇を示す。第6図の実施例において時間区
分Δt2→1は回転数nが約0.53の間にn2からn
lに戻るとして決められているが、その間の時間経過は
特に定められていない。
この回転数上昇を示す。第6図の実施例において時間区
分Δt2→1は回転数nが約0.53の間にn2からn
lに戻るとして決められているが、その間の時間経過は
特に定められていない。
第1図は粒状材料回転送り込み部を備える溶融槽装置の
概略図、第2図は粒子の回転加速原理の説明図、第3図
は特殊形態の送り込み管の断面図、第4図は粒子運動過
程の溶融体表面への垂直投影図であり、第5図は平均間
隔幅の測定値と計算値の比較、第6図は回転数の周期的
変化の情況を示す。 7・・・溶融体貯槽 2・・・管状収集器 3・・・回転皿 5・・・振動器 8・・・粒状シリコン材料 ・611R)代理人ヂ理士冨村 戸1.r、mン一)、
1′と 「\ ゴヨ) +1、−2 1、士
概略図、第2図は粒子の回転加速原理の説明図、第3図
は特殊形態の送り込み管の断面図、第4図は粒子運動過
程の溶融体表面への垂直投影図であり、第5図は平均間
隔幅の測定値と計算値の比較、第6図は回転数の周期的
変化の情況を示す。 7・・・溶融体貯槽 2・・・管状収集器 3・・・回転皿 5・・・振動器 8・・・粒状シリコン材料 ・611R)代理人ヂ理士冨村 戸1.r、mン一)、
1′と 「\ ゴヨ) +1、−2 1、士
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)シリコン・リボンの連続水平引抜き用の溶融槽と連
通管原理に従って連結された溶融体貯槽(7)内のシリ
コン粒状材料(8)の連続溶融装置において、 a)溶融体貯槽の容器が全面的な熱絶縁を備え粒状体導
入用のスリット形開口が蓋部分 に設けられている環状槽(7)として構成されているこ
と、 b)環状槽(7)の中心軸(4)に遠心加速用の回転皿
(3)が設けられていること、 c)回転皿(3)の角速度又は回転数を1つの上限値と
下限値の間で連続的に変化させ る装置が設けられていること、 d)回転皿(3)の上にシリコン粒状材料(8)のため
の管状収集器(2)が固定され、この収集器が粒状材料
を回転軸(4)の方向に導く導管(2a)と環状槽(7
)に向う排出孔(2b)を備えていることを特徴とする
シリコン粒状材料の連続溶融装置。 2)収集器(2)が少なくとも2つの45°と90°の
間の角度で結合された管部分(2a、2b)の組合せか
ら成り、回転軸に沿って垂直に延びる部分(2a)が粒
状材料(8)の送り込み部を含み、排出孔を含む部分(
2b)は粒状材料の加速区間となっていることを特徴と
する請求項1記載の装置。 3)多数の加速管(2b)が1つの送り込み管(2a)
に設けられている管組合わせ構造が使用されることを特
徴とする請求項1または2記載の装置。 4)加速管(2b)が十字形に1つの共通送り込み管に
設けられていることを特徴とする請求項3記載の装置。 5)加速管が円形、長円形又は長方形の断面であること
を特徴とする請求項1ないし4の1つに記載の装置。 6)管部分(2a、2b)が石英又はシリコンであるこ
とを特徴とする請求項1ないし5の1つに記載の装置。 7)送り込み管(2a)の上端に漏斗状の充填孔(9)
が設けられていることを特徴とする請求項1ないし6の
1つに記載の装置。 8)充填孔(9)の上方に振動器(5)が設けられ、粒
状シリコン材料はこの振動器を通して送り込み管(2a
)に導かれることを特徴とする請求項1ないし7の1つ
に記載の装置。 9)加速管の中心に粒状材料を送り込み管(2a)から
転向させる円錐(10)が設けられていることを特徴と
する請求項1ないし8の1つに記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19873736339 DE3736339A1 (de) | 1987-10-27 | 1987-10-27 | Anordnung zum kontinuierlichen aufschmelzen von siliziumgranulat fuer das bandziehverfahren |
DE3736339.5 | 1987-10-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01148792A true JPH01148792A (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=6339179
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63270601A Pending JPH01148792A (ja) | 1987-10-27 | 1988-10-25 | シリコン粒状材料の連続溶融装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4940568A (ja) |
JP (1) | JPH01148792A (ja) |
DE (1) | DE3736339A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0597570A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-20 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 |
US9279614B2 (en) | 2010-10-20 | 2016-03-08 | Mutsuwa Kogyo Kabushiki Kaisha | Drying/carbonizing device and method thereof |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB9017889D0 (en) * | 1990-08-15 | 1990-09-26 | Gersan Ets | Controlling a feed of objects |
DE4217677A1 (de) * | 1992-05-27 | 1993-12-02 | Schmidt Peter Dr Rer Nat | Verfahren zum Herstellen von dünnen, bandförmigen Kristallen mit ebener Oberfläche und nach diesem Verfahren gewonnenes Kristallmaterial |
AT500330B1 (de) * | 2001-10-24 | 2006-11-15 | Mann & Hummel Protec Gmbh | Fördergerät |
WO2004097079A2 (en) * | 2003-04-24 | 2004-11-11 | Bryan Fickett | Source material feeder apparatus for industrial crystal growth systems |
FR2862893B1 (fr) * | 2003-11-28 | 2006-02-24 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif de remplissage d'un moule par une poudre ou un melange de poudres |
TW201012978A (en) * | 2008-08-27 | 2010-04-01 | Bp Corp North America Inc | Apparatus and method of use for a casting system with independent melting and solidification |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3473739A (en) * | 1966-03-29 | 1969-10-21 | Lely Corp The | Device for spreading granular or powdery material |
US3387792A (en) * | 1966-07-21 | 1968-06-11 | Lely Cornelis Van Der | Implement for spreading powdery or granular material |
GB1354746A (en) * | 1970-07-11 | 1974-06-05 | Bayer Ag | Fibre fleeces and synthetic leathers |
US3780887A (en) * | 1972-10-10 | 1973-12-25 | Continental Oil Co | Rotary distributor means and method |
US3954551A (en) * | 1974-07-17 | 1976-05-04 | Texas Instruments Incorporated | Method of pulling silicon ribbon through shaping guide |
US4289571A (en) * | 1979-06-25 | 1981-09-15 | Energy Materials Corporation | Method and apparatus for producing crystalline ribbons |
US4389377A (en) * | 1981-07-10 | 1983-06-21 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Apparatus for growing a dendritic web |
DE3136454A1 (de) * | 1981-09-14 | 1983-03-24 | Energy Materials Corp., 01451 Harvard, Mass. | Verfahren und vorrichtung zum bilden von kristallband aus einer schmelze |
US4437613A (en) * | 1982-03-10 | 1984-03-20 | Olson Floyd V | Particle spreader apparatus |
FR2529189B1 (fr) * | 1982-06-25 | 1985-08-09 | Comp Generale Electricite | Procede de fabrication d'une bande de silicium polycristallin pour photophiles |
DE3306515A1 (de) * | 1983-02-24 | 1984-08-30 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zum herstellen von grossflaechigen, bandfoermigen siliziumkoerpern fuer solarzellen |
DE3565558D1 (en) * | 1984-07-31 | 1988-11-17 | Siemens Ag | Process and apparatus for making silicon crystal films with a horizontal pulling direction |
-
1987
- 1987-10-27 DE DE19873736339 patent/DE3736339A1/de not_active Ceased
-
1988
- 1988-10-14 US US07/257,522 patent/US4940568A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-10-25 JP JP63270601A patent/JPH01148792A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0597570A (ja) * | 1991-10-11 | 1993-04-20 | Nkk Corp | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 |
US9279614B2 (en) | 2010-10-20 | 2016-03-08 | Mutsuwa Kogyo Kabushiki Kaisha | Drying/carbonizing device and method thereof |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4940568A (en) | 1990-07-10 |
DE3736339A1 (de) | 1989-05-11 |
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