JPH01147815A - ソレノイド駆動回路 - Google Patents

ソレノイド駆動回路

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Publication number
JPH01147815A
JPH01147815A JP30721487A JP30721487A JPH01147815A JP H01147815 A JPH01147815 A JP H01147815A JP 30721487 A JP30721487 A JP 30721487A JP 30721487 A JP30721487 A JP 30721487A JP H01147815 A JPH01147815 A JP H01147815A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
solenoid
transistor
power supply
diode
power
Prior art date
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Pending
Application number
JP30721487A
Other languages
English (en)
Inventor
Ryuichi Saijo
西城 隆一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP30721487A priority Critical patent/JPH01147815A/ja
Publication of JPH01147815A publication Critical patent/JPH01147815A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/04Modifications for accelerating switching
    • H03K17/041Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0416Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
    • H03K17/04166Modifications for accelerating switching without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in bipolar transistor switches
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0814Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit
    • H03K17/08146Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the output circuit in bipolar transistor switches

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ツレ、ノイド駆動回路に関し、特に、ソレノ
イドのオフ時に発生する逆起電力を効率よく電源に回生
ずると共にスイッチオフ後ソレノイドが励磁されている
時間を短くでき−る回路に関する。
従来の技術 従来、この種のソレノイド駆動回路は、第4図に示すよ
うに、駆動用のトランジスタ12のコレクタ・ベース間
に定電圧ダイオード13を接続し、トランジスタ12の
オフ時に発生するソレノイド4の逆起電力をクーランプ
し、そのエネルギーをトランジスタ12で消費させてい
た。
発明が解決しようとする問題点 −E述した従来のソレノイド駆動回路は、回路が簡単で
あるが、ソレノイド4の逆起電力をトランジスタ12で
吸収しているために、トランジスタI2の発熱が極めて
大きくなり、放熱板を付けるか、大型のトランジスタを
使用する必要があり、実装スペース面、消費電力面で無
駄があった。
本発明は従来の技術に内在する上記諸問題点を解消する
為になされたものであり、従って本発明の目的は、ソレ
ノ゛′イドのオフ時に発生する逆起電力を効率よく電源
に回生ずると共に、スイッチオフ後にソレノイドが励磁
されている時間を短縮することを可能とした新規なツレ
、ノイド駆動回路を提供することにある。
発明の従来技術に対する相違点 上述した従来のソレノイド駆動回路に対し、本発明は、
ソレノイドの逆起電力をトランジスタオフ後のソレノイ
ド励磁時間を長くすることなく、効率よく直流電源に回
生ずるという相違点を有する。
問題点を解決するための手段 上記目的を達成する為に、本発明に係るソレノイド駆動
回路は、異極性の1組のトランジスタと、ソレノイドの
逆起電力エネルギーを電源に回生ずるダイオードとを有
しており、更に具体的には、直流電源の正負電極間に、
第1のトランジスタと、ソレノイドの励磁コイルと、第
1のトランジスタと逆極性の第2のトランジスタの直列
回路を接続し、前記第2のトランジスタと励磁コイルの
接続点と、前記第1のトランジスタと直流電源の接続点
の間に第1のダイオードを接続し、かつ前記第1のトラ
ンジスタと励磁コイルの接続点と、前記第2のトランジ
スタと直流電源の接続点の間に第2のダイオードを接続
して構成される。
実施例 次に本発明をその好ましい各実施例について図面を参照
して具体的に説明する。
第1図は本発明の第1の実施例を示す回路構成図である
第1図を参照するに、NPN )ランジスタ3のベース
電極にバイアス電流を印加すると、直流電源1からNP
NI−ランジスタ3のコレクタ、エミッタ・抵抗5を通
してPNP )ランジスタ2のベース電流が流れる。こ
れにより、直流電源1からソレノイド4に電力が印加さ
れる7次にNPN l〜ランジスタ3のベースバイアス
電流を遮断すると、ソレノイド4に逆起電力が生じる。
逆起電力は、B点に正、A点に負の極性で生じるために
、電流はB点→ダイオード7→直流電源1→ダイオード
6→A点のループで流れ、ソレノイド4の逆起電力は直
流電源1に回生される。また、ソレノイド4の両端であ
るA、B両点の電圧はほぼ直流電源1の電圧に等しくな
りNPN )ランジスタコオフ後にソレノイド4に電流
が流れている時間が長くなることはなく、ソレノイドの
オン、オフ時間の制御を精度よく行うことができる。
第2図はバイポーラトランジスタの代わりにMOSFE
Tを用いた本発明の第2の実施例を示す回路構成図であ
る。
第2図を参照するに、第1図ではベースバイアス電流で
制御したのに対して、本第2の実施例では、グー1〜バ
、イアスミ圧によりil/I御する点が異なるが、それ
以外の回路動作は第1図に示した第1の実施例とほぼ同
様である。
3図は第1図のトランジスタの極性を変えた場合の本発
明による第3の実施例を示す回路構成図であり、回路動
作は第1図に示した第1の実施例とほぼ同様である。
発明の詳細 な説明したように、本発明によれば、異極性の1組のト
ランジスタをソレノイドの両端に接続し、電源への回生
用ダイオードにより、ソレノイドの逆起電力をトランジ
スタオフ後のソレノイド励磁時間を長くすることなく、
効率よく直流電源に回生できるなめに、スイッチ用のト
ランジスタを許容損失の小さいものにすることができ、
放熱板等による無駄なスペースが不要であり、消費電力
も小さいという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第1の実施例を示し、バイポーラトラ
ンジスタにより構成した回路構成図、第2図は本発明の
第2の実施例を示し、MOSFETにより構成した回路
構成図、第3図は本発明の第3の実施例を示し、第1図
のトランジスタの極性を逆にして構成した回路図、第4
図は従来のソレノイド駆動回路図である。 ■・・・直流電源、2,11・・・PNP )−ランジ
スタ、3゜lO・・・NPNI−ランジスタ、4・・・
ソレノイド、5・・・抵抗、6.7・・・ダイオード、
8・・・PチャネルMO5FET、9・・・Nチャネル
MO3FET、12・・・トランジスタ特許出願人  
日本電気株式会社 代 理 人  弁理士 熊谷雄太部

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  直流電源の正負電極間に、第1のトランジスタと、ソ
    レノイドの励磁コイルと、第1のトランジスタと逆極性
    の第2のトランジスタの直列回路を接続し、前記第2の
    トランジスタと励磁コイルの接続点と、前記第1のトラ
    ンジスタと直流電源の接続点の間に第1のダイオードを
    接続し、かつ前記第1のトランジスタと励磁コイルの接
    続点と、前記第2のトランジスタと直流電源の接続点の
    間に第2のダイオードを接続したことを特徴とするソレ
    ノイド駆動回路。
JP30721487A 1987-12-04 1987-12-04 ソレノイド駆動回路 Pending JPH01147815A (ja)

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JP30721487A JPH01147815A (ja) 1987-12-04 1987-12-04 ソレノイド駆動回路

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5505682A (en) * 1993-12-27 1996-04-09 Kanto Special Steel Works, Ltd. Cold rolling work roll
US7078583B2 (en) 2002-12-05 2006-07-18 Uni-Charm Corporation Elongated absorbent article
JP2010103262A (ja) * 2008-10-22 2010-05-06 Mitsubishi Heavy Ind Ltd インダクタ駆動回路

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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US7078583B2 (en) 2002-12-05 2006-07-18 Uni-Charm Corporation Elongated absorbent article
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