JPH0114683B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は抵抗素子の製造法、特に基板上に皮
膜抵抗を形成する抵抗素子の製造法に関する。

従来のこの種の抵抗素子とたとえば第１図に示
すように、シリコンウエハー１に熱酸化によつて
絶縁皮膜（SiO₂）２を生成する。そして次に絶
縁皮膜上に抵抗皮膜（たとえばNiCr）を真空蒸
着法等で形成させる。

さらにこの抵抗皮膜にレジストをつけて、最終
的に必要とする皮膜抵抗のパターンどおりの主パ
ターンが形成されてある所定のマスクにより露光
を行ない、次いでエツチング液でエツチングを施
し、所定のパターンどおりの皮膜抵抗３を作成す
る。作成された皮膜抵抗３に電極（たとえばAl）
４を取り付けるとともに、皮膜抵抗３を絶縁皮膜
５で覆う。

また第１図に示す抵抗素子の抵抗皮膜３は、た
とえば縞状に、具体的には第２図に示すように、
屈曲部、長辺部、短辺部を有する折返し帯状に構
成されることが多く、この折返し帯状の皮膜抵抗
３の隣合う長辺部の間隔ａは、一定の長さに保た
れている。

このような従来の抵抗素子は、皮膜抵抗３の各
長辺部間の間隔ａが一定であるのに対し、皮膜抵
抗３の外端に配列される長辺部６とウエハー端縁
との間の距離ｂ、皮膜抵抗３の短辺部７とウエハ
ー端縁との間の距離ｃがいずれも相違し、ａ≠ｂ
≠ｃとなり、そのためエツチングが均一でないこ
とによる相対的な抵抗値誤差が生じるという問題
があつた。

すなわち各間隔ａ，ｂ，ｃのうち最も長い（幅
が広い）部分の抵抗皮膜は、よりオーバにエツチ
ングを受け、そのため残つた抵抗皮膜３の帯状部
の幅が狭くなつて、その部分の抵抗値が予定値よ
りも大となり、相対的な抵抗値誤差が生じるよう
になる。

この発明の目的は、オーバエツチングによる相
対的な抵抗値誤差を極力少なくする抵抗素子の製
造法を提供することである。

以下この発明の一実施例を第３図によつて説明
する。ウエハー１に絶縁皮膜２を生成して基板と
し、その絶縁皮膜２上に抵抗皮膜を蒸着形成して
からレジストをつけ、ついで最終的に必要とされ
る皮膜抵抗のパターンどおりの主パターンが形成
されてある所定のマスクにより露光処理を行な
い、エツチング処理を施す。これらは従来方法と
特に相違するものではない。

この発明にしたがい、抵抗皮膜の表面のレジス
トを露光処理するのに使用するマスクとして、前
記した最終的に必要とされる皮膜抵抗のパターン
どおりの主パターンの他に、その最外側に向い合
う位置に、捨てパターンが形成されてあるマスク
を用いる。

ただし前記主パターンと捨てパターンとの間隔
を、隣合う主パターン相互の間隔にほぼ等しく設
定してある。

第３図は前記した工程にしたがつて製造された
抵抗素子を示し、前記したマスクの主パターンに
したがつて形成された皮膜抵抗３のうち、最外端
に配列される長辺部６の、ウエハー端縁に向い合
う側面（反対側の側面は隣の皮膜抵抗に向い合つ
ている。）に向い合うように捨て皮膜８が、また
同じく皮膜抵抗３の短辺部７の、ウエハー端縁に
向い合う側面（反対側の側面は隣の皮膜抵抗に向
い合つている。）に向い合うように捨て皮膜９が、
それぞれ形成される。

捨て皮膜８，９はいずれも前記したマスクの捨
てパターンにしたがつて形成されたものであり、
また抵抗に供しない部分である。

そして前記マスクの各パターンの間隔にしたが
つて、隣合う長辺部６間の間隔ａ、長辺部６と捨
て皮膜８との間の間隔ｄ、短辺部７と捨て皮膜９
との間の間隔ｅは、いずれもほぼ等しくなるよう
に形成される。

このため皮膜抵抗３がエツチング処理によつて
形成されるとき、その各辺はいずれもオーバエツ
チングを受ける個所がなく、各辺の幅にばらつき
が生じることがない。

さらに皮膜抵抗３を強磁性体のような磁気抵抗
効果を有する皮膜で形成し、抵抗素子を磁気抵抗
素子として使用する場合には、捨て皮膜８，９は
有害な外部磁界を遮断するための磁気遮蔽体とし
て用いることができる。

また抵抗皮膜３が単に１辺の場合、その両サイ
ドに捨て皮膜８，９が残るようにすればよい。捨
て皮膜８，９は第４図に示すようにその一端を電
極４に接続しておけば、浮遊容量が軽減されて都
合がよい。

さらにまた上記実施例は、シリコンウエハー上
に抵抗皮膜を形成する場合を例にして説明した
が、この発明はこれに限ることなく、アルミナ等
のセラミツク基板上に形成してもよく、また他の
薄膜あるいは厚膜抵抗素子を製作する場合にも適
用できる。

この発明によつて製造される抵抗素子は、相対
的な抵抗値誤差が小さいので、相対的な抵抗値誤
差が重要視されるＤ／Ａ変換回路に使用されるラ
ダー抵抗などに用いるとよい。

以上詳述したようにこの発明によれば、露光の
ためのマスクとして、最終的に必要とされる主パ
ターンのほかに、その最外側に捨てパターンを形
成したマスクを用い、これによつて抵抗皮膜を露
光しエツチング処理を行なうとともに、前記マス
クの、隣合う主パターン相互の間隔と、主パター
ンと捨てパターンとの間隔とをほぼ同じとしたの
で、エツチングにばらつきが生ずることはなく、
したがつて得られる皮膜抵抗の幅を、すべてほぼ
均一にすることができ、もつて抵抗値のばらつき
もなく、相対的な抵抗値誤差を極めて小さい抵抗
素子が得られるといつた効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の抵抗素子の断面図、第２図は従
来の抵抗素子の平面図、第３図はこの発明の実施
例方法によつて製造された抵抗素子の平面図、第
４図はこの発明の他の実施例方法によつて製造さ
れた抵抗素子の平面図である。 １……基板、３……皮膜抵抗、８，９……捨て
皮膜。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 基板上に形成された抵抗皮膜の表面にレジス
   トを塗布し、次に最終的に必要とされる主パター
   ンと、前記主パターンの最外側に向い合う位置に
   捨てパターンが形成されてあつて、前記主パター
   ンと前記捨てパターンとの間隔が、隣合う前記主
   パターン相互の間隔にほぼ等しく設定されてある
   マスクにより、前記レジストを露光処理し、その
   あと前記抵抗皮膜をエツチング処理することによ
   つて、前記主パターンによる皮膜抵抗と、前記捨
   てパターンによる捨て皮膜とを形成してなる抵抗
   素子の製造法。