JPH01145660A - 感光体 - Google Patents
感光体Info
- Publication number
- JPH01145660A JPH01145660A JP62303332A JP30333287A JPH01145660A JP H01145660 A JPH01145660 A JP H01145660A JP 62303332 A JP62303332 A JP 62303332A JP 30333287 A JP30333287 A JP 30333287A JP H01145660 A JPH01145660 A JP H01145660A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- atomic
- concentration
- photoreceptor
- doped
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 6
- 108091008695 photoreceptors Proteins 0.000 claims description 49
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 16
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 15
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 14
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical class [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical class N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 9
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 abstract description 6
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 abstract description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 abstract description 2
- -1 silicon halide Chemical class 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 82
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 108091006149 Electron carriers Proteins 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 240000008042 Zea mays Species 0.000 description 1
- 235000005824 Zea mays ssp. parviglumis Nutrition 0.000 description 1
- 235000002017 Zea mays subsp mays Nutrition 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 235000005822 corn Nutrition 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical class [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002784 stomach Anatomy 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/043—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure
- G03G5/047—Photoconductive layers characterised by having two or more layers or characterised by their composite structure characterised by the charge-generation layers or charge transport layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/08235—Silicon-based comprising three or four silicon-based layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08285—Carbon-based
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は電子写真装置の感光体に関し、特にアモルファ
スシリコンを用いた感光体において高感度化された感光
体に関するものである。
スシリコンを用いた感光体において高感度化された感光
体に関するものである。
従来、化学的安定性、機械的強度、および繰返し使用に
対重゛る耐光疲労性を高めたものとしてアモルファスシ
リコンを用いた感光体が知られている。このような感光
体として通常アモルファス水素化シリコン（ａ−８ｉ：
Ｈ）からなる第１の層と前記第１の層下に設【ノられる
アモルファス水素化炭化シリコン（ａ−８ｉＣ：Ｈ）か
らなる第２の層と前記第１および第２の層の間に第２の
層の約１７２の濃度の炭素を含有するアモルファス水素
化炭化シリコン層を介在させたものが用いられている。
対重゛る耐光疲労性を高めたものとしてアモルファスシ
リコンを用いた感光体が知られている。このような感光
体として通常アモルファス水素化シリコン（ａ−８ｉ：
Ｈ）からなる第１の層と前記第１の層下に設【ノられる
アモルファス水素化炭化シリコン（ａ−８ｉＣ：Ｈ）か
らなる第２の層と前記第１および第２の層の間に第２の
層の約１７２の濃度の炭素を含有するアモルファス水素
化炭化シリコン層を介在させたものが用いられている。
（例えば特開昭５８−２１７９４０参照）この感光体の
前記第１の居は光を吸収してキャリアを発生させる電荷
発生層として働き、前記第２の層は暗抵抗が高く帯電能
力を高め、しかもキャリアが注入されるとこれを輸送り
−る性質を有し電荷輸送層として作用し、前記第３の層
は第１の層と第２の層との電子または正孔のエネルギレ
ベルの差による障壁を消滅させてキャリアを効率よく注
入できるようにする作用があり、全体として感光体とし
ての機能を有するものである。
前記第１の居は光を吸収してキャリアを発生させる電荷
発生層として働き、前記第２の層は暗抵抗が高く帯電能
力を高め、しかもキャリアが注入されるとこれを輸送り
−る性質を有し電荷輸送層として作用し、前記第３の層
は第１の層と第２の層との電子または正孔のエネルギレ
ベルの差による障壁を消滅させてキャリアを効率よく注
入できるようにする作用があり、全体として感光体とし
ての機能を有するものである。
上記の第１の層の厚さは光を吸収してキャリアを発生す
るために必要な厚さすなわち約１μｍ程度とされ、また
上記第２の層の厚さは必要な帯電能を有するために２０
乃至３０μｍとされていＩこ。
るために必要な厚さすなわち約１μｍ程度とされ、また
上記第２の層の厚さは必要な帯電能を有するために２０
乃至３０μｍとされていＩこ。
（発明が解決しようとする問題点〕
前記従来技術の３層構造の感光体、または前記３店構造
の上下に表面改質層と電荷ブロッキング層を有する感光
体は前述の化学的安定性、機械的強度あるいは耐光疲労
性が高くかつ電荷保持機能のすぐれた性質を有している
。しかしながらこれらの感光体は受光の感度が充分でな
く、高感度のアモルファス感光体の提供が望まれていた
。したがって本発明は化学的安定性、機械的強度および
耐光疲労性が高くかつ電荷保持機能のすぐれたアモルフ
ァス感光体の高感度化を図ることを目的とする。
の上下に表面改質層と電荷ブロッキング層を有する感光
体は前述の化学的安定性、機械的強度あるいは耐光疲労
性が高くかつ電荷保持機能のすぐれた性質を有している
。しかしながらこれらの感光体は受光の感度が充分でな
く、高感度のアモルファス感光体の提供が望まれていた
。したがって本発明は化学的安定性、機械的強度および
耐光疲労性が高くかつ電荷保持機能のすぐれたアモルフ
ァス感光体の高感度化を図ることを目的とする。
前述の目的を達成するために本発明化らは従来、１μ瓦
程度とされていた光を吸収してキャリアを発生させる電
荷発生層の厚みを従来の予想から大きく異なる厚みとし
て実験することにより、電荷発生層と電荷輸送層の厚み
の比率を適正なものとすることにＪ：リアモルファス感
光体の感度を高めることができることを突止め本発明が
達成された。
程度とされていた光を吸収してキャリアを発生させる電
荷発生層の厚みを従来の予想から大きく異なる厚みとし
て実験することにより、電荷発生層と電荷輸送層の厚み
の比率を適正なものとすることにＪ：リアモルファス感
光体の感度を高めることができることを突止め本発明が
達成された。
すなわち、本発明による感光体はアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化シリコンからなる第１の層と、前記
第１の層下に形成されたアモルファス水素化及び／又は
ハロゲン化炭化シリコンからなる第２の層とを為し、前
記第２の層の膜厚の前記第１の層および第２の層の膜厚
の和に対する割合が０．１５以上０．８５以下であり、
前記第１の層と第２の層の間に前記第２の層の炭素濃度
より小さい炭素濃度のアモルファス水素化及び／又はハ
ロゲン化炭化シリコンからなる第３の層を介在させ、更
に前記第１の層上に無機物質からなる表面改質層を設け
たことを特徴とする。
び／又はハロゲン化シリコンからなる第１の層と、前記
第１の層下に形成されたアモルファス水素化及び／又は
ハロゲン化炭化シリコンからなる第２の層とを為し、前
記第２の層の膜厚の前記第１の層および第２の層の膜厚
の和に対する割合が０．１５以上０．８５以下であり、
前記第１の層と第２の層の間に前記第２の層の炭素濃度
より小さい炭素濃度のアモルファス水素化及び／又はハ
ロゲン化炭化シリコンからなる第３の層を介在させ、更
に前記第１の層上に無機物質からなる表面改質層を設け
たことを特徴とする。
上記第１、第２及び第３層に含まれるハ［］ゲンとはＦ
またはＣ１を意味し、（本明細２においてハロゲンとは
ＦまたはＣ１の意味で用いられる。）これらと水素元素
の単体または混合物はシリコン原子のダングリングボン
ド（未結合手）を終端させダングリングボイドによる欠
陥を補償し、アモルファスの暗抵抗および光電導度を高
めまたドーピングによるｐ、Ｎ、ｔｚの制御を可能とす
る。
またはＣ１を意味し、（本明細２においてハロゲンとは
ＦまたはＣ１の意味で用いられる。）これらと水素元素
の単体または混合物はシリコン原子のダングリングボン
ド（未結合手）を終端させダングリングボイドによる欠
陥を補償し、アモルファスの暗抵抗および光電導度を高
めまたドーピングによるｐ、Ｎ、ｔｚの制御を可能とす
る。
そしてその目的を達成するために水素及び／又はハロゲ
ンの濃度は第１及び第３の層において５乃至４０ ａｔ
ｏｍｉｃ％であり第２の層において５乃至５０％である
ことが望ましい。
ンの濃度は第１及び第３の層において５乃至４０ ａｔ
ｏｍｉｃ％であり第２の層において５乃至５０％である
ことが望ましい。
上記第２の層に含まれる炭素は暗抵抗を高め、誘電率を
低くして感光体としての帯電能を優れたものとする作用
があり王の作用を充分なものとするだめには炭素および
シリコン原子に対する炭素濃度を５乃至３０ ａｔｏＩ
Ｉｌｉｃ％とすることが望ましい。
低くして感光体としての帯電能を優れたものとする作用
があり王の作用を充分なものとするだめには炭素および
シリコン原子に対する炭素濃度を５乃至３０ ａｔｏＩ
Ｉｌｉｃ％とすることが望ましい。
上記第３の層は第１の層から第２の層へキャリアを注入
するときのエネルギー障壁を小さくするためのものであ
り、その目的を達成するためには炭素およびシリコン原
子に対する炭素濃度を２．５乃至１５ ａｔｏｍｉｃ％
とすることが望ましい。
するときのエネルギー障壁を小さくするためのものであ
り、その目的を達成するためには炭素およびシリコン原
子に対する炭素濃度を２．５乃至１５ ａｔｏｍｉｃ％
とすることが望ましい。
水素化アモルファスシリコン層は前述のごとく、製造時
の不純物のドーピングによって真性にしまたはＮ型Ｐ型
に一制御することができるので、電子写真感光体に静電
像を形成する際の帯電の極性をプラス（ＩＩｌＡ族原素
、例えばＢ、Δｌ、Ｇａ。
の不純物のドーピングによって真性にしまたはＮ型Ｐ型
に一制御することができるので、電子写真感光体に静電
像を形成する際の帯電の極性をプラス（ＩＩｌＡ族原素
、例えばＢ、Δｌ、Ｇａ。
Ｉｎ、Ｔ１元素をドーピングした場合）またはマイナス
（ｖＡ族原素、例え４；ＣＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ。
（ｖＡ族原素、例え４；ＣＮ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ。
Ｂｉ元素をドーピングした場合）に任意に選択し得ると
いう利点を有する。
いう利点を有する。
各層中にドーピングされる不純物の但は、望まれる電気
的、光学的特性に応じて適宜決定されるが前記第１の層
においては１０−３−２１０２ａｔｏ ｐｐｍ、前記第
２および第３の層においては１０ 乃至１Ｑ ａｔｏ
ｍｉｃ ｐｐｍｒあルコトが望マシい。
的、光学的特性に応じて適宜決定されるが前記第１の層
においては１０−３−２１０２ａｔｏ ｐｐｍ、前記第
２および第３の層においては１０ 乃至１Ｑ ａｔｏ
ｍｉｃ ｐｐｍｒあルコトが望マシい。
い。
前記第１の層および第２の層の膜厚は必要とされる帯電
能および光感度により決定されるが５μｍ乃至５０μｍ
であることが望ましい。
能および光感度により決定されるが５μｍ乃至５０μｍ
であることが望ましい。
第１の層上に設けられる表面改質層は表面での電荷の保
持と、アモルファス水素化シリコンを電荷発生層とする
場合の表面の化学的安定性りなわら、湿気、大気、オゾ
ン雰囲気等に付す安定性を高め、また機械的強度を高め
るために必要でありアモルファス水素化炭化シリコン、
アモルファス水素化酸化シリコンまたはアモルファス水
素化窒化シリコン等を用いることができる。
持と、アモルファス水素化シリコンを電荷発生層とする
場合の表面の化学的安定性りなわら、湿気、大気、オゾ
ン雰囲気等に付す安定性を高め、また機械的強度を高め
るために必要でありアモルファス水素化炭化シリコン、
アモルファス水素化酸化シリコンまたはアモルファス水
素化窒化シリコン等を用いることができる。
表面改質層の厚さは１００人乃至２０．０００人である
ことが望ましい。
ことが望ましい。
前記第２の居と支持体との間に介在さＵ“る電荷ブロッ
キング層は支持体からキャリアの注入を阻止するための
ものでありその目的を達成するために、アモルファス水
素化及び／又はハロゲン化シリコン、アモルファス水素
化及び／又はハロゲン化炭化シリコン、アモルファス水
素化及び／又はハロゲン化窒化シリコン、またはアモル
ファス水素化／又は酸化シリコンを用いることができ、
その厚さは１００人乃至２０，０ＯＯＡであることが望
ましい。
キング層は支持体からキャリアの注入を阻止するための
ものでありその目的を達成するために、アモルファス水
素化及び／又はハロゲン化シリコン、アモルファス水素
化及び／又はハロゲン化炭化シリコン、アモルファス水
素化及び／又はハロゲン化窒化シリコン、またはアモル
ファス水素化／又は酸化シリコンを用いることができ、
その厚さは１００人乃至２０，０ＯＯＡであることが望
ましい。
感光体全体の厚さとしては１０μ■−０／１ｍであるこ
とが望ましい。
とが望ましい。
電荷ブロッキング層にアモルファス水素化及び／又はハ
ロゲン化シリコンを用いる場合はその水素及び／又はハ
ロゲンの濃度は５乃至４０ ａｔｏｍｉｃ％であること
が望ましい。またアモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化炭化シリコンの場合は水素及び／又はハロゲンの濃
度は５乃至５０ ａｔｏｍｉｃ％、炭素の炭素元素およ
びシリコン原子に対する濃度は５乃至９ Ｑ ａｔｏｍ
ｉｃ％であり、ざらにアモルファス水素化及び／又はハ
ロゲン化窒化シリコンの場合の水素及び／又はハロゲン
の濃度は５乃至５０ ａｔｏｍｉｃ％であり、窒素の窒
素原子およびシリコン原子に対する濃度は５乃至ｅ ｏ
ａｔｏｍｉｃ％であることが望ましい。
ロゲン化シリコンを用いる場合はその水素及び／又はハ
ロゲンの濃度は５乃至４０ ａｔｏｍｉｃ％であること
が望ましい。またアモルファス水素化及び／又はハロゲ
ン化炭化シリコンの場合は水素及び／又はハロゲンの濃
度は５乃至５０ ａｔｏｍｉｃ％、炭素の炭素元素およ
びシリコン原子に対する濃度は５乃至９ Ｑ ａｔｏｍ
ｉｃ％であり、ざらにアモルファス水素化及び／又はハ
ロゲン化窒化シリコンの場合の水素及び／又はハロゲン
の濃度は５乃至５０ ａｔｏｍｉｃ％であり、窒素の窒
素原子およびシリコン原子に対する濃度は５乃至ｅ ｏ
ａｔｏｍｉｃ％であることが望ましい。
上記電荷ブロッキング層にドーピングされる■Ａ族又は
ＶＡ族の原子の濃度は１０−３−４ａｔｏｎ＋ｉｃ ｐ
ｐｍとすると望ましい結果が得られる。
ＶＡ族の原子の濃度は１０−３−４ａｔｏｎ＋ｉｃ ｐ
ｐｍとすると望ましい結果が得られる。
第１の層上の表面改質層および第２の層は明抵抗が大き
く電荷保持機能を有しまた帯電能を高めることができる
。また電荷ブロッキング層は支持体からのキャリア注入
を阻止する。光学的エネルギーギャップの大きい表面改
質層を通過する光は第１の層で吸収されここでホールお
よび電子のキャリアーを発生させこれらは互に逆方向に
移動し、表面改質層または第２の層および電荷ブロッキ
ング層を通過し感光体層に電流が流れる。その電流は表
面の電荷を失わせ照射光模様に応じた帯電潜像を形成す
る。第１の層と第２の層は電子または正孔のエネルギー
レベルが異なり障壁が形成されるが第１の層と第２の層
との間に中間の電子エネルギーレベルを有する第３の層
を介在させることにより第１の層から第２の層へのキャ
リアの注入が容易に行われるようになる。 −〔実
施例〕 次に本発明の実施例について説明する。感光体の支持体
として平滑な表面を右するＡＩドラムを用いこれをグロ
ー放電装置の反応（真空）槽内に設置し、これを約２０
０℃に保ちながら応槽内を１０ ’Ｔｏｒｒ台の高衰空
に排気した。
く電荷保持機能を有しまた帯電能を高めることができる
。また電荷ブロッキング層は支持体からのキャリア注入
を阻止する。光学的エネルギーギャップの大きい表面改
質層を通過する光は第１の層で吸収されここでホールお
よび電子のキャリアーを発生させこれらは互に逆方向に
移動し、表面改質層または第２の層および電荷ブロッキ
ング層を通過し感光体層に電流が流れる。その電流は表
面の電荷を失わせ照射光模様に応じた帯電潜像を形成す
る。第１の層と第２の層は電子または正孔のエネルギー
レベルが異なり障壁が形成されるが第１の層と第２の層
との間に中間の電子エネルギーレベルを有する第３の層
を介在させることにより第１の層から第２の層へのキャ
リアの注入が容易に行われるようになる。 −〔実
施例〕 次に本発明の実施例について説明する。感光体の支持体
として平滑な表面を右するＡＩドラムを用いこれをグロ
ー放電装置の反応（真空）槽内に設置し、これを約２０
０℃に保ちながら応槽内を１０ ’Ｔｏｒｒ台の高衰空
に排気した。
次いで高純度のＡｒガスをキャリアガスとして導入し、
Ｑ、５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を前記Ａ１ドラムと対向する電極の間の間
に印加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、上記
ｔｌｉ電状態を保ちながら（以下の工程も同じ）Δｒ、
３ｉ１−１４゜ＣＨＢＨとからなる混合ガスを流量比 ４゛ ２６ １ ：１ ：１ ：１．５Ｘ１０’として反応槽内にセ
フ人しＰ！ｌ’！のａ−３ｉＣ：ｌ−１からなる電荷ブ
ロッキング層を０．１μｍの厚みに装膜した。次に層を
６μｍ／ｈｒの堆積速度で各種の厚みに製膜した。引き
続き５ｉｔｌ 、ＣＨＢ Ｈの流／１４゛ ２６ 耐化を’ｌ： ０．２５：１Ｘ１０’とし所定の厚さ
（０，５μＴｒＬ）のａ−８ｉＣ：Ｈ（Ｂ）（第３の層
）を製膜した。 次にＣＨ４の供給を停止しＳｉＨ４に
対する ８２Ｈ６の流Ｍ比を１：５×１０−７とし、厚
さを（３０μｍ−第２の層の厚さ）になるようにａ−８
ｉｌ−１（Ｂ）層（第１の層）を製膜した。 さらに上
記層の上にΔｒ、ＳｉＨ４、ＣＨ４の流量比を４０：３
＝９０とし、ガス圧力をＰ＝ １．０Ｔｏｒｒとして
放電パワーＲｆ−４００Ｗにて上記ガスをグロー放電分
解しながら表面保護層を０．１μｍＯ）厚さに！膜し感
光体を完成させた。 このようにして得られる第１の層
および第２の層の物性値は表−１に示す通りであった。
Ｑ、５Ｔｏｒｒの背圧のもとて周波数１３．５６ＭＨｚ
の高周波電力を前記Ａ１ドラムと対向する電極の間の間
に印加し、１０分間の予備放電を行った。次いで、上記
ｔｌｉ電状態を保ちながら（以下の工程も同じ）Δｒ、
３ｉ１−１４゜ＣＨＢＨとからなる混合ガスを流量比 ４゛ ２６ １ ：１ ：１ ：１．５Ｘ１０’として反応槽内にセ
フ人しＰ！ｌ’！のａ−３ｉＣ：ｌ−１からなる電荷ブ
ロッキング層を０．１μｍの厚みに装膜した。次に層を
６μｍ／ｈｒの堆積速度で各種の厚みに製膜した。引き
続き５ｉｔｌ 、ＣＨＢ Ｈの流／１４゛ ２６ 耐化を’ｌ： ０．２５：１Ｘ１０’とし所定の厚さ
（０，５μＴｒＬ）のａ−８ｉＣ：Ｈ（Ｂ）（第３の層
）を製膜した。 次にＣＨ４の供給を停止しＳｉＨ４に
対する ８２Ｈ６の流Ｍ比を１：５×１０−７とし、厚
さを（３０μｍ−第２の層の厚さ）になるようにａ−８
ｉｌ−１（Ｂ）層（第１の層）を製膜した。 さらに上
記層の上にΔｒ、ＳｉＨ４、ＣＨ４の流量比を４０：３
＝９０とし、ガス圧力をＰ＝ １．０Ｔｏｒｒとして
放電パワーＲｆ−４００Ｗにて上記ガスをグロー放電分
解しながら表面保護層を０．１μｍＯ）厚さに！膜し感
光体を完成させた。 このようにして得られる第１の層
および第２の層の物性値は表−１に示す通りであった。
このようにして得られた感光体の帯電能（流れ込み電流
１．＝０．３５μΔ／ ｃｒＡ時の受容電位）を測定し
その結果を第１図に示す。測定値は図における黒丸であ
る。受容電位はａ −Ｓ ｉ Ｃ： ｌ−１膜厚に対し
単調に増加している。これは、ａ−８ｉＣ：Ｈの高抵抗
化、低誘電率化によるものである。
１．＝０．３５μΔ／ ｃｒＡ時の受容電位）を測定し
その結果を第１図に示す。測定値は図における黒丸であ
る。受容電位はａ −Ｓ ｉ Ｃ： ｌ−１膜厚に対し
単調に増加している。これは、ａ−８ｉＣ：Ｈの高抵抗
化、低誘電率化によるものである。
同じ感光体の光感度を帯電圧■。＝６００Ｖ、およびＶ
。＝１００Ｖとし、６００ｎｍの単色光露光により測定
した。測定値を第２図の黒丸および黒四角で示す。以上
の結果から第１の層の厚みｄ と第２の層の厚みｄ２と
の膜厚比Ｒ＝ｄ ＋ｄ きに帯電能、帯電圧６００Ｖおよび１００Ｖのときの光
感度等を総合してすぐれた感光体が得られることが分る
。またＲを０．２５乃至０．７５とすると一層好ましい
感光体が得られることが明らかである。
。＝１００Ｖとし、６００ｎｍの単色光露光により測定
した。測定値を第２図の黒丸および黒四角で示す。以上
の結果から第１の層の厚みｄ と第２の層の厚みｄ２と
の膜厚比Ｒ＝ｄ ＋ｄ きに帯電能、帯電圧６００Ｖおよび１００Ｖのときの光
感度等を総合してすぐれた感光体が得られることが分る
。またＲを０．２５乃至０．７５とすると一層好ましい
感光体が得られることが明らかである。
第３の層のＷＩＪ膜工程を行わない他は実施例と同様に
して感光体を製作し、帯電能（第１図白丸図示）および
光感度（第２図白丸および白四角図示）を測定した。
して感光体を製作し、帯電能（第１図白丸図示）および
光感度（第２図白丸および白四角図示）を測定した。
帯電圧６００Ｖの場合膜厚比の値によりピーク値を持つ
が、その原因はａ −Ｓ ｉ Ｃ： Ｈの誘電率がａ−
３ｉ：１１より小さくこれの膜厚の増大が感度に対しプ
ラス要因となる一方μ・τ値（移動度×キャリ１ア寿命
）が小さくなりマイノース要因として動くため相互の作
用により膜厚比によるピーク値を持つものと思われる。
が、その原因はａ −Ｓ ｉ Ｃ： Ｈの誘電率がａ−
３ｉ：１１より小さくこれの膜厚の増大が感度に対しプ
ラス要因となる一方μ・τ値（移動度×キャリ１ア寿命
）が小さくなりマイノース要因として動くため相互の作
用により膜厚比によるピーク値を持つものと思われる。
比較例は実施例と比べ帯電圧ｉ ｏｏｖでの感度を除き
実施例と同様の性能を有するが、１００Ｖでの感度で劣
る。電子写真に使用する感光体は数十Ｖまで帯電圧を落
す必要があるため比較例のものは実施例のものより感光
体として劣る。この感度の低下はへテロ接合による界面
の注入効率が関与していると考えられる。
実施例と同様の性能を有するが、１００Ｖでの感度で劣
る。電子写真に使用する感光体は数十Ｖまで帯電圧を落
す必要があるため比較例のものは実施例のものより感光
体として劣る。この感度の低下はへテロ接合による界面
の注入効率が関与していると考えられる。
本発明は化学的安定性、機械的強度、耐光疲労性等にお
いてすぐれたアモルファスシリコン感光体における帯電
能を必要な値にしながら光感度を高めることを可能とす
るものである。
いてすぐれたアモルファスシリコン感光体における帯電
能を必要な値にしながら光感度を高めることを可能とす
るものである。
第１図は本発明の実施例および比較例の感光体の帯電能
を示すグラフ、第２図は同実施例および比較例の光感度
を示すグラフである。 出願人代理人 藤 木 博 光榎厚比と苓’を
寵 第１目 ０ ５ ｆＯ１５２０２５、Ｆ３０遷＃屑の
＠果 黍２配
を示すグラフ、第２図は同実施例および比較例の光感度
を示すグラフである。 出願人代理人 藤 木 博 光榎厚比と苓’を
寵 第１目 ０ ５ ｆＯ１５２０２５、Ｆ３０遷＃屑の
＠果 黍２配
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、アモルファス水素化及び／又はハロゲン化シリコン
からなる第１の層と、前記第１の層下に形成されたアモ
ルファス水素化及び／又はハロゲン化炭化シリコンから
なる第２の層とを有し、前記第２の層の膜厚の前記第１
の層および第２の層の膜厚の和に対する割合が０．１５
以上０．８５以下であり、前記第１の層と第２の層の間
に前記第２の層の炭素濃度より小さい炭素濃度のアモル
ファス水素化及び／又はハロゲン化炭化シリコンからな
る第３の層を介在させ、更に前記第１の層上に無機物質
からなる表面改質層を設けたことを特徴とする感光体。 ２、前記第２の層と支持体との間に電荷ブロッキング層
を介在させた特許請求の範囲第１項記載の感光体。 ３、前記第１の層の水素及び／又はハロゲンの濃度が５
乃至４０ａｔｏｍｉｃ％である特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の感光体。 ４、前記第２の層における炭素濃度が炭素及びシリコン
原子に対するａｔｏｍｉｃ％で表わして５乃至３０であ
り、前記第２の層における水素及び／又はハロゲンの濃
度が全組成のａｔｏｍｉｃ％で表わして５乃至４０であ
る特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか１項記載
の感光体。 ５、前記第３の層における炭素濃度が炭素及びシリコン
原子に対するａｔｏｍｉｃ％で表わして２．５乃至１５
であり、前記第３の層における水素及び／又はハロゲン
の濃度が全組成のａｔｏｍｉｃ％で表わして５乃至４０
である特許請求の範囲第１項乃至第４項のいずれか１項
記載の感光体。 ６、前記第１の層に第IIIＡ族の元素が１０＾−＾３乃
至１０＾２ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍの濃度でドーピングさ
れている＋帯電用の特許請求の範囲第１項乃至第５項い
ずれか１項記載の感光体。 ７、前記第１の層に第ＶＡ族の元素が１０＾−＾３乃至
１０＾２ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍの濃度でドーピングされ
ている−帯電用の特許請求の範囲第１項乃至第５項のい
ずれか１項記載の感光体。 ８、前記第２の層に第IIIＡ族の元素が１０＾−＾３乃
至１０＾３ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍの濃度でドーピングさ
れている＋帯電用の特許請求の範囲第１項乃至第６項の
いずれか１項記載の感光体。 ９、前記第２の層に第ＶＡ族の元素が１０＾−＾３乃至
１０＾３ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍの濃度でドーピングされ
ている−帯電用の特許請求の範囲第１項乃至第５項いず
れか１項または第７項記載の感光体。 １０、前記第３の層に第IIIＡ族の元素が １０＾−＾３乃至１０＾３ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍの濃度
でドーピングされている＋帯電用の特許請求の範囲第６
項または第８項記載の感光体。 １１、前記第３の層に第ＶＡ族の元素が １０＾−＾３乃至１０＾３ａｔｏｍｉｃ ｐｐｍの濃度
でドーピングされている−帯電用の特許請求の範囲第７
項または第９項記載の感光体。 １２、前記第１の層の厚さが５乃至５０μｍである特許
請求の範囲第１項乃至１１項のいずれか１項記載の感光
体。 １３、前記第２の層の厚さが５乃至５０μｍである特許
請求の範囲第１項乃至１２項のいずれか１項記載の感光
体。 １４、前記電荷ブロッキング層がアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化シリコン、アモルフアス水素化及び
／又はハロゲン化炭化シリコン、アモルファス水素化及
び／又はハロゲン化窒化シリコン、またはアモルファス
水素化及び／又はハロゲン化酸素化シリコンのいずれか
により構成される特許請求の範囲第２乃至１３項のいず
れか１項記載の感光体。 １５、前記電荷ブロッキング層の厚さが１００Å乃至２
００００Åである特許請求の範囲第１４項記載の感光体
。 １６、前記電荷ブロッキング層がアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化シリコンから成り、水素及び／又は
ハロゲンの含有量が５乃至４０ａｔｏｍｉｃ％であり、
第IIIＡ族の元素が１０＾−＾３乃至１０＾４ａｔｏｍ
ｉｃ ｐｐｍの濃度でドーピングされている＋帯電用の
特許請求の範囲第１０項記載の感光体。 １７、前記電荷ブロッキング層がアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化シリコンから成り、水素及び／又は
ハロゲンの含有量が５乃至４０ａｔｏｍｉｃ％であり、
第ＶＡ族の元素が１０＾−＾３乃至１０＾４ａｔｏｍｉ
ｃ ｐｐｍの濃度でドーピングされている−帯電用の特
許請求の範囲第１１項記載の感光体。 １８、前記電荷ブロッキング層がアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化炭化シリコンから成り、水素及び／
又はハロゲンの含有量が５乃至５０ａｔｏｍｉｃ％であ
り、炭素の炭素およびシリコンの成分に対する含有量が
５乃至９０ａｔｏｍｉｃ％であり、第IIIＡ族の元素が
１０＾−＾３乃至１０＾４ａｔｏｍｉｃｐｐｍの濃度で
ドーピングされている＋帯電用の特許請求の範囲第１０
項記載の感光体。 １９、前記電荷ブロッキング層がアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化炭化シリコンから成り、水素及び／
又はハロゲンの含有量が５乃至５０ａｔｏｍｉｃ％であ
り、炭素の炭素およびシリコンの成分に対する含有量が
５乃至９０ａｔｏｍｉｃ％であり、第ＶＡ族の元素が１
０＾−＾３乃至１０＾４ａｔｏｍｉｃｐｐｍの濃度でド
ーピングされている−帯電用の特許請求の範囲第１１項
記載の感光体。 ２０、前記電荷ブロッキング層がアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化窒化シリコンから成り、水素及び／
又はハロゲンの含有量が５乃至５０ａｔｏｍｉｃ％であ
り、窒素の窒素およびシリコンの成分に対する含有量が
５乃至６０ａｔｏｍｉｃ％であり、第IIIＡ族の元素が
１０＾−＾３乃至１０＾４ａｔｏｍｉｃｐｐｍの濃度で
ドーピングされている＋帯電用の特許請求の範囲第１０
項記載の感光体。 ２１、前記電荷ブロッキング層がアモルファス水素化及
び／又はハロゲン化窒化シリコンから成り、水素及び／
又はハロゲンの含有量が５乃至５０ａｔｏｍｉｃ％であ
り、窒素の窒素およびシリコンの成分に対する含有量が
５乃至６０ａｔｏｍｉｃ％であり、第ＶＡ族の元素が１
０＾−＾３乃至１０＾４ａｔｏｍｉｃｐｐｍの濃度でド
ーピングされている−帯電用の特許請求の範囲第１０項
記載の感光体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303332A JPH01145660A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62303332A JPH01145660A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 感光体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01145660A true JPH01145660A (ja) | 1989-06-07 |
Family
ID=17919702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62303332A Pending JPH01145660A (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 | 感光体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01145660A (ja) |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP62303332A patent/JPH01145660A/ja active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0792611B2 (ja) | 無定形ケイ素および酸化ケイ素からなる不均質電子写真像形成部材 | |
| JPS6126055A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01145660A (ja) | 感光体 | |
| JPS5984254A (ja) | 感光体 | |
| JPH01145661A (ja) | 感光体 | |
| JPS632056A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS58194732A (ja) | アモルフアス炭化シリコン層の形成方法 | |
| JPS5967549A (ja) | 記録体 | |
| JPS59212843A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPH01261654A (ja) | 感光体 | |
| JPS59212842A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS6059356A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS5967551A (ja) | 記録体 | |
| JPS6063960A (ja) | 光導電部材 | |
| JPS6048047A (ja) | 感光体 | |
| JPS6314164A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS61165761A (ja) | 静電潜像担持体 | |
| JPH01281455A (ja) | 感光体 | |
| JPS5967540A (ja) | 記録体 | |
| JPS5967545A (ja) | 記録体 | |
| JPS6263937A (ja) | 感光体 | |
| JPH0253074A (ja) | 電子写真用像形成部材 | |
| JPS58215656A (ja) | 記録体 | |
| JPS5967541A (ja) | 記録体 | |
| JPH02272573A (ja) | 感光体 |