JPH01140768A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH01140768A
JPH01140768A JP29940387A JP29940387A JPH01140768A JP H01140768 A JPH01140768 A JP H01140768A JP 29940387 A JP29940387 A JP 29940387A JP 29940387 A JP29940387 A JP 29940387A JP H01140768 A JPH01140768 A JP H01140768A
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JP
Japan
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metal layer
layer
ionization tendency
electrode
metal
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Keiji Shinohara
啓二 篠原
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Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置の配線構造に関する。
〔発明の概要〕
本発明は、半導体基体上にイオン化傾向の小さ込第1の
金属層とイオン化傾向の大きい第2の金属層の積層電極
金有する半導体装置において、第2の金属層によって第
1の金属層を被覆することにより、電極形成の際の77
ターコロージヨンの発生を防止することができるように
したものである。
〔従来の技術〕
半導体装置の高集積化に伴って配線のデデインルールも
小さくな夕、電極材料中のAtと拡散層のStとが相互
に溶解しないようにして正常な電気的接続を取る丸めに
、近年電極にバリアメタル構造が採用されてきている。
例えば、8i基体の拡散層上における絶縁層の開口部に
バリアメタル層となるTi層とTIN[を介してAt1
1極全形成する構造である。第2図にこの電極構造の製
法例を示す。
即ち第2図人に示すように、S」基体(1)の拡散/d
 (2J上において絶縁層(4)に形成した開口部(3
)にバリアメタル層(7)となるTi層(5)とTiN
層(6)を介してAt−8i(1%)層(9)t−形成
した後、第2図Bに示すように、レジスト層(7)をマ
スクとして、塩素系のガスを使用した反応性イオンエツ
チング(RIE) k行うことによシミ極aηを形成す
る・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述し九従来構造に係る半導体装置の場合、′1極αη
を塩素系のガス全使用したRIg工程で形成した後、第
2図Bに示すように基体(1)上に残留している塩素又
は塩素化合物が吸湿し、HCl f含む液′l4(6)
が電極α刀の側壁部に生じる。そして、AtとTlにイ
オン化傾向の差がある結果、At−81層(9)とT1
層(5)又はTiN層(6)との間に電位差ができて、
Atが浴出しアフターコa−ジョンと呼ばれる゛成極材
料の腐食が激しく発生するという問題点があった。従来
の一般的方法によれば、このようなアフターコロ−ジョ
ン全防止するために、バリアメタル構造の電極αηを塩
素系のガスでエツチングした後、7ツ累系のガスの放X
t−起こすことにより、残留塩素の置換と除去を行ない
、更に流水による洗浄処理を行なってい九。しかしなが
ら、このような手段を採っても、アフターコロ−ジョン
を完全に防止することは困難でめった。
本発明は、上記問題点を解決することができる半導体装
置を提供するものである。
〔問題点を解決する丸めの手段〕
本発明は、中導体基体(υ上にイオン化傾向の小さい第
1の金属層(7)とイオン化傾向の大きい第2の金属層
(9)の積層電極α21t−有する半導体装置において
、第1の金属層(7)を第2の金属層(9)によって被
覆したことを特徴とする。
〔作用〕
従来構造に係る半導体装置の製造の際、アフターコロ−
ジョンが発生するのは、AtとTiが塩酸液中でイオン
化傾向の差により、起電力を持つということと、電極α
ηの側壁部にAt−81層(9)/T iN層(6)及
びTiN層(6)/Ti層(5)の界面の露出部が存在
して、その露出部に塩素又は塩素化合物が残留し−易い
ということが原因である。従って、本発明により、第1
の金属層(7)を第2の金属層(9)で被覆したことに
よ少、電極a壇の側面には1種類の金属しか露出しない
ため、従来構造のような塩酸液に対する起電力の発生に
よる、アフターコロ−ジョンの問題点を解決することが
できる。また、st極αηの表面が単一の金属層(9)
で覆われているため、従来のように異る金属の界面の露
出部が存在することによって、塩素又は塩素化合物が残
留し易いということも原因の一つとなって発生していた
アフターコロ−ジョンの問題点も同時に解決することが
できる。
〔実施例〕
図myt参照して本発明の実施例を製法例と共に説明す
る。
先ず第1図人に示すように、Sl基体(1)に拡散層(
2)全形成し死後、拡散層(2)上に開口部(3)ヲ有
する絶縁層(4)全形成し、次に開口部(3)上にバリ
アメタル層(7)となるT1層(5)とTiN層(6)
を積層して形成する。この後、開口部(3〕のバリアメ
タル層(7)上に所要の・やターンのレジスト層(8)
を形成し、これをマスクとしてncz、/ct2を主成
分とする混合ガスを用いてバリアメタル層(7)の反応
性イオンエツチング(RZE)を行う。
次に第1図Bに示すように、レジスト層(8)全除去し
て所要ノ臂ターンのバリアメタル層(7)金得る。
次に第1図Cに示すように、全面にAL−8t(1%)
層(9)全形成した後、バリアメタル層(7)全形成し
た際のレジスト層(8)よフ若千面積の大きいレジスト
層αQをバターニングし、これをマスクにして同じ(B
C23/C22t−主成分とする混合ガス′f:gI!
用してAj−81層(9)’t RIEでエツチングす
る。
次に第1図りに示すように、レジスト層α(l除去して
パリアメ・タル構造の電極qηを得る。図示するように
、本実施例に係る電極構造によれば、電極αηの表面に
現れている金属層は、人z−si層(9)のみである。
なお、バリアメタル層(7)は、上記実施例の他に例え
ばTl/TiW等、ま圧電極金属は)d−、At−S 
t −Cu等を使用することもできる。バリアメタル層
(7)のエツチングは、上記実施例の他にフッ素を含む
ガス系を使用したエツチング、希ガスによるイオンミリ
ング等によシ行うこともできる。所要パターンのレジス
ト層(8)、(7)を形成するためのリング2フイ工程
で、通常大きさの異なる2種類のマスクを使用するが、
大きい方のマスクを使用して、大きめのレノスト層全形
成し、露光時間、現像時間全調節してレノスト層金所望
の小さいパターンに変更することもできる。
〔発明の効果〕
本発明によれば、電極の表面に現れる金属層は、1種類
だけでらるため、電極形成の際、イオン化傾向の差に基
づくアフターコロ−ジョンの発生がなくなり、加えて異
る金属層の界面がa壁部に露出しないため、エツチング
用ガスの残留を最小限に抑えることができる。また、電
極の側面にバリアメタル層が露出しない構成であるため
、電極となる金属層のエツチングが2樵類の金属層のエ
ツチングと比べて容易になる。更に、バリアメタル層で
使用する金属そのものの変更はないため、電気的な特性
は従来構造のものと同じである。
【図面の簡単な説明】
第1図は実施例の製法例の工程図、第2図は従来の製法
例の工程図である。 (υは基体、(2〕は拡散層、(3)は開口部、(4)
は絶縁層、(5)はTi層、(6ンはTiN層、(7)
はバリアメタル層、(8) 、 Q4ij レジスト層
、(9)はAl−8i層、αBt’iaである。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  半導体基体上にイオン化傾向の小さい第1の金属層と
    イオン化傾向の大きい第2の金属層の積層電極を有する
    半導体装置において、 上記第1の金属層が上記第2の金属層によつて被覆され
    て成ることを特徴とする半導体装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01194441A (ja) * 1988-01-29 1989-08-04 Sharp Corp 半導体装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS513194A (ja) * 1974-06-24 1976-01-12 Fuji Electric Co Ltd Hinanjudohokojidosetsuteihoho
JPS571241A (en) * 1980-06-03 1982-01-06 Toshiba Corp Integrated circuit device
JPS6027146A (ja) * 1983-07-22 1985-02-12 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPS61224415A (ja) * 1985-03-29 1986-10-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS61162066U (ja) * 1985-03-28 1986-10-07
JPS62123769A (ja) * 1985-11-22 1987-06-05 Sony Corp 半導体装置
JPS62166651U (ja) * 1986-04-09 1987-10-22

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS513194A (ja) * 1974-06-24 1976-01-12 Fuji Electric Co Ltd Hinanjudohokojidosetsuteihoho
JPS571241A (en) * 1980-06-03 1982-01-06 Toshiba Corp Integrated circuit device
JPS6027146A (ja) * 1983-07-22 1985-02-12 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPS61162066U (ja) * 1985-03-28 1986-10-07
JPS61224415A (ja) * 1985-03-29 1986-10-06 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
JPS62123769A (ja) * 1985-11-22 1987-06-05 Sony Corp 半導体装置
JPS62166651U (ja) * 1986-04-09 1987-10-22

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01194441A (ja) * 1988-01-29 1989-08-04 Sharp Corp 半導体装置

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