JPH01140768A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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Landscapes
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の配線構造に関する。
本発明は、半導体基体上にイオン化傾向の小さ込第1の
金属層とイオン化傾向の大きい第2の金属層の積層電極
金有する半導体装置において、第2の金属層によって第
1の金属層を被覆することにより、電極形成の際の77
ターコロージヨンの発生を防止することができるように
したものである。
金属層とイオン化傾向の大きい第2の金属層の積層電極
金有する半導体装置において、第2の金属層によって第
1の金属層を被覆することにより、電極形成の際の77
ターコロージヨンの発生を防止することができるように
したものである。
半導体装置の高集積化に伴って配線のデデインルールも
小さくな夕、電極材料中のAtと拡散層のStとが相互
に溶解しないようにして正常な電気的接続を取る丸めに
、近年電極にバリアメタル構造が採用されてきている。
小さくな夕、電極材料中のAtと拡散層のStとが相互
に溶解しないようにして正常な電気的接続を取る丸めに
、近年電極にバリアメタル構造が採用されてきている。
例えば、8i基体の拡散層上における絶縁層の開口部に
バリアメタル層となるTi層とTIN[を介してAt1
1極全形成する構造である。第2図にこの電極構造の製
法例を示す。
バリアメタル層となるTi層とTIN[を介してAt1
1極全形成する構造である。第2図にこの電極構造の製
法例を示す。
即ち第2図人に示すように、S」基体(1)の拡散/d
(2J上において絶縁層(4)に形成した開口部(3
)にバリアメタル層(7)となるTi層(5)とTiN
層(6)を介してAt−8i(1%)層(9)t−形成
した後、第2図Bに示すように、レジスト層(7)をマ
スクとして、塩素系のガスを使用した反応性イオンエツ
チング(RIE) k行うことによシミ極aηを形成す
る・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述し九従来構造に係る半導体装置の場合、′1極αη
を塩素系のガス全使用したRIg工程で形成した後、第
2図Bに示すように基体(1)上に残留している塩素又
は塩素化合物が吸湿し、HCl f含む液′l4(6)
が電極α刀の側壁部に生じる。そして、AtとTlにイ
オン化傾向の差がある結果、At−81層(9)とT1
層(5)又はTiN層(6)との間に電位差ができて、
Atが浴出しアフターコa−ジョンと呼ばれる゛成極材
料の腐食が激しく発生するという問題点があった。従来
の一般的方法によれば、このようなアフターコロ−ジョ
ン全防止するために、バリアメタル構造の電極αηを塩
素系のガスでエツチングした後、7ツ累系のガスの放X
t−起こすことにより、残留塩素の置換と除去を行ない
、更に流水による洗浄処理を行なってい九。しかしなが
ら、このような手段を採っても、アフターコロ−ジョン
を完全に防止することは困難でめった。
(2J上において絶縁層(4)に形成した開口部(3
)にバリアメタル層(7)となるTi層(5)とTiN
層(6)を介してAt−8i(1%)層(9)t−形成
した後、第2図Bに示すように、レジスト層(7)をマ
スクとして、塩素系のガスを使用した反応性イオンエツ
チング(RIE) k行うことによシミ極aηを形成す
る・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述し九従来構造に係る半導体装置の場合、′1極αη
を塩素系のガス全使用したRIg工程で形成した後、第
2図Bに示すように基体(1)上に残留している塩素又
は塩素化合物が吸湿し、HCl f含む液′l4(6)
が電極α刀の側壁部に生じる。そして、AtとTlにイ
オン化傾向の差がある結果、At−81層(9)とT1
層(5)又はTiN層(6)との間に電位差ができて、
Atが浴出しアフターコa−ジョンと呼ばれる゛成極材
料の腐食が激しく発生するという問題点があった。従来
の一般的方法によれば、このようなアフターコロ−ジョ
ン全防止するために、バリアメタル構造の電極αηを塩
素系のガスでエツチングした後、7ツ累系のガスの放X
t−起こすことにより、残留塩素の置換と除去を行ない
、更に流水による洗浄処理を行なってい九。しかしなが
ら、このような手段を採っても、アフターコロ−ジョン
を完全に防止することは困難でめった。
本発明は、上記問題点を解決することができる半導体装
置を提供するものである。
置を提供するものである。
本発明は、中導体基体(υ上にイオン化傾向の小さい第
1の金属層(7)とイオン化傾向の大きい第2の金属層
(9)の積層電極α21t−有する半導体装置において
、第1の金属層(7)を第2の金属層(9)によって被
覆したことを特徴とする。
1の金属層(7)とイオン化傾向の大きい第2の金属層
(9)の積層電極α21t−有する半導体装置において
、第1の金属層(7)を第2の金属層(9)によって被
覆したことを特徴とする。
従来構造に係る半導体装置の製造の際、アフターコロ−
ジョンが発生するのは、AtとTiが塩酸液中でイオン
化傾向の差により、起電力を持つということと、電極α
ηの側壁部にAt−81層(9)/T iN層(6)及
びTiN層(6)/Ti層(5)の界面の露出部が存在
して、その露出部に塩素又は塩素化合物が残留し−易い
ということが原因である。従って、本発明により、第1
の金属層(7)を第2の金属層(9)で被覆したことに
よ少、電極a壇の側面には1種類の金属しか露出しない
ため、従来構造のような塩酸液に対する起電力の発生に
よる、アフターコロ−ジョンの問題点を解決することが
できる。また、st極αηの表面が単一の金属層(9)
で覆われているため、従来のように異る金属の界面の露
出部が存在することによって、塩素又は塩素化合物が残
留し易いということも原因の一つとなって発生していた
アフターコロ−ジョンの問題点も同時に解決することが
できる。
ジョンが発生するのは、AtとTiが塩酸液中でイオン
化傾向の差により、起電力を持つということと、電極α
ηの側壁部にAt−81層(9)/T iN層(6)及
びTiN層(6)/Ti層(5)の界面の露出部が存在
して、その露出部に塩素又は塩素化合物が残留し−易い
ということが原因である。従って、本発明により、第1
の金属層(7)を第2の金属層(9)で被覆したことに
よ少、電極a壇の側面には1種類の金属しか露出しない
ため、従来構造のような塩酸液に対する起電力の発生に
よる、アフターコロ−ジョンの問題点を解決することが
できる。また、st極αηの表面が単一の金属層(9)
で覆われているため、従来のように異る金属の界面の露
出部が存在することによって、塩素又は塩素化合物が残
留し易いということも原因の一つとなって発生していた
アフターコロ−ジョンの問題点も同時に解決することが
できる。
図myt参照して本発明の実施例を製法例と共に説明す
る。
る。
先ず第1図人に示すように、Sl基体(1)に拡散層(
2)全形成し死後、拡散層(2)上に開口部(3)ヲ有
する絶縁層(4)全形成し、次に開口部(3)上にバリ
アメタル層(7)となるT1層(5)とTiN層(6)
を積層して形成する。この後、開口部(3〕のバリアメ
タル層(7)上に所要の・やターンのレジスト層(8)
を形成し、これをマスクとしてncz、/ct2を主成
分とする混合ガスを用いてバリアメタル層(7)の反応
性イオンエツチング(RZE)を行う。
2)全形成し死後、拡散層(2)上に開口部(3)ヲ有
する絶縁層(4)全形成し、次に開口部(3)上にバリ
アメタル層(7)となるT1層(5)とTiN層(6)
を積層して形成する。この後、開口部(3〕のバリアメ
タル層(7)上に所要の・やターンのレジスト層(8)
を形成し、これをマスクとしてncz、/ct2を主成
分とする混合ガスを用いてバリアメタル層(7)の反応
性イオンエツチング(RZE)を行う。
次に第1図Bに示すように、レジスト層(8)全除去し
て所要ノ臂ターンのバリアメタル層(7)金得る。
て所要ノ臂ターンのバリアメタル層(7)金得る。
次に第1図Cに示すように、全面にAL−8t(1%)
層(9)全形成した後、バリアメタル層(7)全形成し
た際のレジスト層(8)よフ若千面積の大きいレジスト
層αQをバターニングし、これをマスクにして同じ(B
C23/C22t−主成分とする混合ガス′f:gI!
用してAj−81層(9)’t RIEでエツチングす
る。
層(9)全形成した後、バリアメタル層(7)全形成し
た際のレジスト層(8)よフ若千面積の大きいレジスト
層αQをバターニングし、これをマスクにして同じ(B
C23/C22t−主成分とする混合ガス′f:gI!
用してAj−81層(9)’t RIEでエツチングす
る。
次に第1図りに示すように、レジスト層α(l除去して
パリアメ・タル構造の電極qηを得る。図示するように
、本実施例に係る電極構造によれば、電極αηの表面に
現れている金属層は、人z−si層(9)のみである。
パリアメ・タル構造の電極qηを得る。図示するように
、本実施例に係る電極構造によれば、電極αηの表面に
現れている金属層は、人z−si層(9)のみである。
なお、バリアメタル層(7)は、上記実施例の他に例え
ばTl/TiW等、ま圧電極金属は)d−、At−S
t −Cu等を使用することもできる。バリアメタル層
(7)のエツチングは、上記実施例の他にフッ素を含む
ガス系を使用したエツチング、希ガスによるイオンミリ
ング等によシ行うこともできる。所要パターンのレジス
ト層(8)、(7)を形成するためのリング2フイ工程
で、通常大きさの異なる2種類のマスクを使用するが、
大きい方のマスクを使用して、大きめのレノスト層全形
成し、露光時間、現像時間全調節してレノスト層金所望
の小さいパターンに変更することもできる。
ばTl/TiW等、ま圧電極金属は)d−、At−S
t −Cu等を使用することもできる。バリアメタル層
(7)のエツチングは、上記実施例の他にフッ素を含む
ガス系を使用したエツチング、希ガスによるイオンミリ
ング等によシ行うこともできる。所要パターンのレジス
ト層(8)、(7)を形成するためのリング2フイ工程
で、通常大きさの異なる2種類のマスクを使用するが、
大きい方のマスクを使用して、大きめのレノスト層全形
成し、露光時間、現像時間全調節してレノスト層金所望
の小さいパターンに変更することもできる。
本発明によれば、電極の表面に現れる金属層は、1種類
だけでらるため、電極形成の際、イオン化傾向の差に基
づくアフターコロ−ジョンの発生がなくなり、加えて異
る金属層の界面がa壁部に露出しないため、エツチング
用ガスの残留を最小限に抑えることができる。また、電
極の側面にバリアメタル層が露出しない構成であるため
、電極となる金属層のエツチングが2樵類の金属層のエ
ツチングと比べて容易になる。更に、バリアメタル層で
使用する金属そのものの変更はないため、電気的な特性
は従来構造のものと同じである。
だけでらるため、電極形成の際、イオン化傾向の差に基
づくアフターコロ−ジョンの発生がなくなり、加えて異
る金属層の界面がa壁部に露出しないため、エツチング
用ガスの残留を最小限に抑えることができる。また、電
極の側面にバリアメタル層が露出しない構成であるため
、電極となる金属層のエツチングが2樵類の金属層のエ
ツチングと比べて容易になる。更に、バリアメタル層で
使用する金属そのものの変更はないため、電気的な特性
は従来構造のものと同じである。
第1図は実施例の製法例の工程図、第2図は従来の製法
例の工程図である。 (υは基体、(2〕は拡散層、(3)は開口部、(4)
は絶縁層、(5)はTi層、(6ンはTiN層、(7)
はバリアメタル層、(8) 、 Q4ij レジスト層
、(9)はAl−8i層、αBt’iaである。
例の工程図である。 (υは基体、(2〕は拡散層、(3)は開口部、(4)
は絶縁層、(5)はTi層、(6ンはTiN層、(7)
はバリアメタル層、(8) 、 Q4ij レジスト層
、(9)はAl−8i層、αBt’iaである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体基体上にイオン化傾向の小さい第1の金属層と
イオン化傾向の大きい第2の金属層の積層電極を有する
半導体装置において、 上記第1の金属層が上記第2の金属層によつて被覆され
て成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62299403A JP2808591B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62299403A JP2808591B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01140768A true JPH01140768A (ja) | 1989-06-01 |
JP2808591B2 JP2808591B2 (ja) | 1998-10-08 |
Family
ID=17872106
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62299403A Expired - Fee Related JP2808591B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2808591B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01194441A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Sharp Corp | 半導体装置 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS513194A (ja) * | 1974-06-24 | 1976-01-12 | Fuji Electric Co Ltd | Hinanjudohokojidosetsuteihoho |
JPS571241A (en) * | 1980-06-03 | 1982-01-06 | Toshiba Corp | Integrated circuit device |
JPS6027146A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPS61224415A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS61162066U (ja) * | 1985-03-28 | 1986-10-07 | ||
JPS62123769A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-05 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPS62166651U (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-22 |
-
1987
- 1987-11-27 JP JP62299403A patent/JP2808591B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS513194A (ja) * | 1974-06-24 | 1976-01-12 | Fuji Electric Co Ltd | Hinanjudohokojidosetsuteihoho |
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JPS6027146A (ja) * | 1983-07-22 | 1985-02-12 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
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JPS61224415A (ja) * | 1985-03-29 | 1986-10-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPS62123769A (ja) * | 1985-11-22 | 1987-06-05 | Sony Corp | 半導体装置 |
JPS62166651U (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-22 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01194441A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Sharp Corp | 半導体装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JP2808591B2 (ja) | 1998-10-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |