JPH01138608A - Ｍｒヘッド - Google Patents
ＭｒヘッドInfo
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- JPH01138608A JPH01138608A JP29838387A JP29838387A JPH01138608A JP H01138608 A JPH01138608 A JP H01138608A JP 29838387 A JP29838387 A JP 29838387A JP 29838387 A JP29838387 A JP 29838387A JP H01138608 A JPH01138608 A JP H01138608A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3916—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide
- G11B5/3919—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path
- G11B5/3922—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure
- G11B5/3925—Arrangements in which the active read-out elements are coupled to the magnetic flux of the track by at least one magnetic thin film flux guide the guide being interposed in the flux path the read-out elements being disposed in magnetic shunt relative to at least two parts of the flux guide structure the two parts being thin films
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/10—Structure or manufacture of housings or shields for heads
- G11B5/11—Shielding of head against electric or magnetic fields
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は磁性体に記録された情報を読みだす磁気抵抗効
果を利用したヘッド（以後ＭＲヘッドと呼ぶ）に関する
ものである。
果を利用したヘッド（以後ＭＲヘッドと呼ぶ）に関する
ものである。
従来の技術
以下、従来のＭＲヘッドについて図面を参照しながら説
明する。第４図ｆａｔは従来のＭＲヘッドの斜視図であ
り、第４図（ｂｌは第４図（ａｌのＤＤ’線での断面図
である。第４図（ａｔ、 （ｂｌにおいて１はＮｉ−Ｚ
ｎフェライト基板、２は前部ヨーク、３は後部ヨーク、
４はギャップ、５はＭＲ素子、６はバイアス線、７はリ
ード電極である。ＭＲヘッドは磁束応答型であるため出
力はテープ速度に依存せず素子電流値により出力値を設
定できる特徴がある。このためテープ速度が遅い、狭ト
ラツク幅化が困難、コイルの巻数の増加が困難など、従
来のコイル型ヘッドでは十分な出力が得られない高密度
のマルチヘッドには最適である。このようなＭＲ素子は
本来非線形特性を示すので波形歪対策をする必要がある
。そこでＭＲ素子の下部に導体のバイアス線を設け、線
形領域に動作点を移すためにバイアス磁界を発生させ、
さらにＭＲ素子を３端子構造として差動出力を取り出し
、波形歪を改善している。またＭＲ素子が磁気テープと
接触しないギャップ深部に設けたヨーク型のものを採用
することにより、テープ走行時やＭＲ素子の磁区に起因
するノイズを低減させている。
明する。第４図ｆａｔは従来のＭＲヘッドの斜視図であ
り、第４図（ｂｌは第４図（ａｌのＤＤ’線での断面図
である。第４図（ａｔ、 （ｂｌにおいて１はＮｉ−Ｚ
ｎフェライト基板、２は前部ヨーク、３は後部ヨーク、
４はギャップ、５はＭＲ素子、６はバイアス線、７はリ
ード電極である。ＭＲヘッドは磁束応答型であるため出
力はテープ速度に依存せず素子電流値により出力値を設
定できる特徴がある。このためテープ速度が遅い、狭ト
ラツク幅化が困難、コイルの巻数の増加が困難など、従
来のコイル型ヘッドでは十分な出力が得られない高密度
のマルチヘッドには最適である。このようなＭＲ素子は
本来非線形特性を示すので波形歪対策をする必要がある
。そこでＭＲ素子の下部に導体のバイアス線を設け、線
形領域に動作点を移すためにバイアス磁界を発生させ、
さらにＭＲ素子を３端子構造として差動出力を取り出し
、波形歪を改善している。またＭＲ素子が磁気テープと
接触しないギャップ深部に設けたヨーク型のものを採用
することにより、テープ走行時やＭＲ素子の磁区に起因
するノイズを低減させている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来のＭＲヘンノドは、磁気反応性をよ
くするため前部ヨークと後部ヨーク間を狭くすると、Ｍ
Ｒ素子を磁束が通過せず、直接前部ヨークと後部ヨーク
間の空間を磁束が通過する。
くするため前部ヨークと後部ヨーク間を狭くすると、Ｍ
Ｒ素子を磁束が通過せず、直接前部ヨークと後部ヨーク
間の空間を磁束が通過する。
そのため、磁気テープなどから発生する磁束の利用効率
が低下するという問題点があった。またＭＲ素子には外
部からの電磁波などに弱く、前記電磁波によるノイズが
発生するという問題点があった。
が低下するという問題点があった。またＭＲ素子には外
部からの電磁波などに弱く、前記電磁波によるノイズが
発生するという問題点があった。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため本発明のＭＲ素子は前部ヨー
クと後部ヨーク間に超電導体材料からなる超電導薄膜を
形成したことにより、解決するものである。
クと後部ヨーク間に超電導体材料からなる超電導薄膜を
形成したことにより、解決するものである。
作用
本発明は前部ヨークと後部ヨーク間に超電導体薄膜を形
成したことにより、磁束は前部ヨークと後部ヨーク間の
空間を通過するということはなくなる。また前部ヨーク
および後部ヨーク上を超電導体薄膜で被覆することによ
り外部からの電磁波を遮蔽することができる。
成したことにより、磁束は前部ヨークと後部ヨーク間の
空間を通過するということはなくなる。また前部ヨーク
および後部ヨーク上を超電導体薄膜で被覆することによ
り外部からの電磁波を遮蔽することができる。
実施例
以下、本発明のＭＲヘッドについて図面を参照しながら
説明する。
説明する。
第１図＋ａｌは本発明の第１の実施例におけるＭＲヘッ
ドの斜視図である。また第１図（ｂｌは第１図＋ａｌの
ＡＡ’線での断面図である。ただし説明に不要な部分は
省略しており、また一部拡大あるいは縮小した部分が存
在する。以上のことは以下の図面に対しても同様である
。第１図ｆａｔ、 （ｂ）において８は超電導体材料か
らなる超電導体薄膜である。第１図（ａｌ 、 （ｂ）
で明らかなように前部ヨークと後部ヨーク間および両ヨ
ーク上に超電導体薄膜８を形成している。
ドの斜視図である。また第１図（ｂｌは第１図＋ａｌの
ＡＡ’線での断面図である。ただし説明に不要な部分は
省略しており、また一部拡大あるいは縮小した部分が存
在する。以上のことは以下の図面に対しても同様である
。第１図ｆａｔ、 （ｂ）において８は超電導体材料か
らなる超電導体薄膜である。第１図（ａｌ 、 （ｂ）
で明らかなように前部ヨークと後部ヨーク間および両ヨ
ーク上に超電導体薄膜８を形成している。
以上のような構成をとることにより磁束は前部ヨーク−
ＭＲ素子−後部ヨークへと通過する。したがって、磁束
は効率よ＜ＭＲ素子の抵抗値を変化させ、また前記超電
導体薄膜８は磁気遮蔽の作用があるため、ＭＲ素子に印
加される外部からの電磁波から保護することができる。
ＭＲ素子−後部ヨークへと通過する。したがって、磁束
は効率よ＜ＭＲ素子の抵抗値を変化させ、また前記超電
導体薄膜８は磁気遮蔽の作用があるため、ＭＲ素子に印
加される外部からの電磁波から保護することができる。
したがってＭＲ素子にノイズが発生するおそれがない。
以下、本発明の第２の実施例のＭＲヘッドについて説明
する。第２図ｆａ）は本発明の第２の実施例のＭＲ素子
の斜視図である。また第２図山）は第２図（ａｌのＢＢ
’線での断面図、第２［ｍ（Ｃ１は第２図ｔａ＋のＣＣ
“線での断面図である。第２図（ａｔ、 ｆｂｌ、 （
ｃｌにおいて９は超電導体材料からなる超電導体薄膜で
ある。本発明の第２の実施例ではＭＲ素子５の両端に超
電導体薄膜９を形成し、前記薄膜９およびＭＲ素子５上
に前部ヨーク２および後部ヨーク３を形成している。
する。第２図ｆａ）は本発明の第２の実施例のＭＲ素子
の斜視図である。また第２図山）は第２図（ａｌのＢＢ
’線での断面図、第２［ｍ（Ｃ１は第２図ｔａ＋のＣＣ
“線での断面図である。第２図（ａｔ、 ｆｂｌ、 （
ｃｌにおいて９は超電導体材料からなる超電導体薄膜で
ある。本発明の第２の実施例ではＭＲ素子５の両端に超
電導体薄膜９を形成し、前記薄膜９およびＭＲ素子５上
に前部ヨーク２および後部ヨーク３を形成している。
超電導体薄膜９には磁束は通過することができない、し
たがって本発明の第２の実施例のような構成をとること
により磁束をＭＲ素子５の一部に集中させることができ
る。したがって微小な磁束であってもＭＲ素子の抵抗値
を太き（変化させることができる。
たがって本発明の第２の実施例のような構成をとること
により磁束をＭＲ素子５の一部に集中させることができ
る。したがって微小な磁束であってもＭＲ素子の抵抗値
を太き（変化させることができる。
以下、本発明の第３の実施例のＭＲヘッドについて説明
する。第３図は本発明の第３の実施例のＭＲ素子の一部
断面図である。具体的には本発明の第２の実施例のＭＲ
へノドの前後部ヨーク上に第２の超電導体薄膜を形成し
、第２図（ａｌのＢＢ’線で切断したところを示してい
る。第３図より明らかなように第２の超電導体薄膜を形
成したことにより、外部からの電磁波から保護すること
ができる。
する。第３図は本発明の第３の実施例のＭＲ素子の一部
断面図である。具体的には本発明の第２の実施例のＭＲ
へノドの前後部ヨーク上に第２の超電導体薄膜を形成し
、第２図（ａｌのＢＢ’線で切断したところを示してい
る。第３図より明らかなように第２の超電導体薄膜を形
成したことにより、外部からの電磁波から保護すること
ができる。
なお、上記実施例中、超電導体材料としては、たとえば
、いわゆる常温超電導体を用いるか、または、超電導臨
界温度が室温と液体窒素の沸点の間の材料を用いて液体
窒素で冷却するか（図示せず）、もしくは超電導臨界温
度が液体窒素の沸点以下の材料を用いて液体ヘリウムで
冷却するか（図示せず）をすればよい。常温超電導体の
一例としては、組成としてストロンチウム（Ｓｒ）。
、いわゆる常温超電導体を用いるか、または、超電導臨
界温度が室温と液体窒素の沸点の間の材料を用いて液体
窒素で冷却するか（図示せず）、もしくは超電導臨界温
度が液体窒素の沸点以下の材料を用いて液体ヘリウムで
冷却するか（図示せず）をすればよい。常温超電導体の
一例としては、組成としてストロンチウム（Ｓｒ）。
バリウム（Ｂａ）、イツトリウム（Ｙ）および銅（Ｃｕ
）をそれぞれｔ：ｔ：ｔ：３の比率で含有するセラミン
ク酸化物がある。その製造方法の一例としては、出発原
料としてＳ ｒ Ｃｏ３． ＢａＣＯ３゜Ｙ２Ｏ３，Ｃ
ｕＯのそれぞれの粉体を所定量混合し、粉砕し、空気中
において９２０℃で５時間焼成する。この焼成、粉砕を
３回繰り返し、均質性を高める。このようにして処理し
た混合粉体を冷間圧縮成型した後、空気中において１０
００℃で５時間焼成し、徐冷することにより製造する。
）をそれぞれｔ：ｔ：ｔ：３の比率で含有するセラミン
ク酸化物がある。その製造方法の一例としては、出発原
料としてＳ ｒ Ｃｏ３． ＢａＣＯ３゜Ｙ２Ｏ３，Ｃ
ｕＯのそれぞれの粉体を所定量混合し、粉砕し、空気中
において９２０℃で５時間焼成する。この焼成、粉砕を
３回繰り返し、均質性を高める。このようにして処理し
た混合粉体を冷間圧縮成型した後、空気中において１０
００℃で５時間焼成し、徐冷することにより製造する。
発明の効果
本発明のＭＲヘッドは前部ヨークと後部ヨーク間に超電
導体薄膜を形成したことにより、磁束がＭＲ素子を通過
せずに前部ヨークと後部ヨーク間の空間を通過すること
がなくなる。したがって発生した磁束を効率よ＜ＭＲ素
子に印加することができる。また前部ヨークおよび後部
ヨーク上を超電導体薄膜で被覆することにより、外部か
らの電磁波がＭＲ素子に印加され、前記素子にノイズが
発生するという問題点がなくなる。以上のことから本発
明の効果は大である。
導体薄膜を形成したことにより、磁束がＭＲ素子を通過
せずに前部ヨークと後部ヨーク間の空間を通過すること
がなくなる。したがって発生した磁束を効率よ＜ＭＲ素
子に印加することができる。また前部ヨークおよび後部
ヨーク上を超電導体薄膜で被覆することにより、外部か
らの電磁波がＭＲ素子に印加され、前記素子にノイズが
発生するという問題点がなくなる。以上のことから本発
明の効果は大である。
第１図（ａ）、 （′ｂ）は本発明の第１の実施例にお
けるＭＲヘッドの斜視図および断面図、第２図（ａｌ、
（ｂｌ。 ｆｃ）は本発明の第２の実施例におけるＭＲヘッドの斜
視図および断面図、第３図は本発明の第３の実施例にお
けるＭＲヘッドの断面図、第４図ｆａｎ、 ｆｂｌは従
来のＭＲへラドの斜視図および断面図である。 １・・・・・・Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板、２・・・・
・・前部ヨーク、３・・・・・・後部ヨーク、４・・・
・・・ギャップ、５・・・・・・ＭＲ素子、６・・・・
・・バイアス線、７・・・・・・リード電極、８，９・
・・・・・超電導体薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１−／Ｖ乙
−２ｎ７エフイト〕（販 ８−−超＜有体簿膜 第２図
けるＭＲヘッドの斜視図および断面図、第２図（ａｌ、
（ｂｌ。 ｆｃ）は本発明の第２の実施例におけるＭＲヘッドの斜
視図および断面図、第３図は本発明の第３の実施例にお
けるＭＲヘッドの断面図、第４図ｆａｎ、 ｆｂｌは従
来のＭＲへラドの斜視図および断面図である。 １・・・・・・Ｎｉ−Ｚｎフェライト基板、２・・・・
・・前部ヨーク、３・・・・・・後部ヨーク、４・・・
・・・ギャップ、５・・・・・・ＭＲ素子、６・・・・
・・バイアス線、７・・・・・・リード電極、８，９・
・・・・・超電導体薄膜。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１−／Ｖ乙
−２ｎ７エフイト〕（販 ８−−超＜有体簿膜 第２図
Claims (2)
- （１）前部ヨークと後部ヨーク間に起電導体材料からな
る第１の超電導体薄膜を形成したことを特徴とするＭＲ
ヘッド。 - （２）前部ヨークおよび後部ヨークとＭＲ素子間に起電
導体材料からなる第２の起電導体薄膜を形成したことを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のＭＲヘッド
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29838387A JPH01138608A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | Ｍｒヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29838387A JPH01138608A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | Ｍｒヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01138608A true JPH01138608A (ja) | 1989-05-31 |
Family
ID=17858987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29838387A Pending JPH01138608A (ja) | 1987-11-26 | 1987-11-26 | Ｍｒヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01138608A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095397A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head of embodied recording and reproducing transducer type |
| US5097372A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head with wide recording area and narrow reproducing area |
-
1987
- 1987-11-26 JP JP29838387A patent/JPH01138608A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5095397A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-10 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head of embodied recording and reproducing transducer type |
| US5097372A (en) * | 1989-08-04 | 1992-03-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Thin film magnetic head with wide recording area and narrow reproducing area |
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