JPH01135021A - 縮小投影露光装置 - Google Patents
縮小投影露光装置Info
- Publication number
- JPH01135021A JPH01135021A JP62292128A JP29212887A JPH01135021A JP H01135021 A JPH01135021 A JP H01135021A JP 62292128 A JP62292128 A JP 62292128A JP 29212887 A JP29212887 A JP 29212887A JP H01135021 A JPH01135021 A JP H01135021A
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- JP
- Japan
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- wafer
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Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 30
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000013075 data extraction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、縮小投影露光装置に係り、特に、多数のウェ
ハ内重ね合わせパターンを検出し、その検出データの中
から、Ｘ軸、及びＹ軸の正しい検出データのみを独立に
自動抽出する機能を有する縮小投影露光装置に関する。
ハ内重ね合わせパターンを検出し、その検出データの中
から、Ｘ軸、及びＹ軸の正しい検出データのみを独立に
自動抽出する機能を有する縮小投影露光装置に関する。
従来は、片軸方向のチップを検出した結果から、理想格
子座標を作成し、理想格子座標からのずれ量がしきい値
以外の場合は検出エラーとしていた。
子座標を作成し、理想格子座標からのずれ量がしきい値
以外の場合は検出エラーとしていた。
従来技術では、ウェハ内の前層パターンに重ね合わせを
行うのに、ウェハ内の多数の重ね合わせパターンを検出
し、Ｘ軸、及び、Ｙ軸独立に、ウェハ回転／中心位置誤
差量／伸縮量を計算し、ウェハ内容チップの理想格子を
計算で求めるようになっていた。所が、検出データが正
しいか否かを判断するという点について配慮がされてお
らず。
行うのに、ウェハ内の多数の重ね合わせパターンを検出
し、Ｘ軸、及び、Ｙ軸独立に、ウェハ回転／中心位置誤
差量／伸縮量を計算し、ウェハ内容チップの理想格子を
計算で求めるようになっていた。所が、検出データが正
しいか否かを判断するという点について配慮がされてお
らず。
重ね合せ精度が悪くなるという問題があった。
本発明の目的は、多数の重ね合わせパターンを検出し、
その検出データの中から、Ｘ軸、及び、Ｙ軸の正しい検
出データのみを独立に自動抽出し重ね合わせ精度の高い
縮小投影露光装置を提供することにある。
その検出データの中から、Ｘ軸、及び、Ｙ軸の正しい検
出データのみを独立に自動抽出し重ね合わせ精度の高い
縮小投影露光装置を提供することにある。
上記目的は、ウェハ内多数の位置検出パターンを検出し
、得られた検出データが正しいが否かを分布処理を施し
正しく検出されたデータのみを抽出することにより高精
度な重ね合わせが達成される。
、得られた検出データが正しいが否かを分布処理を施し
正しく検出されたデータのみを抽出することにより高精
度な重ね合わせが達成される。
従来の技術では、ウェハ内多数の位置検出パターンを検
出し、検出データが正しいか否かを判定せず、補正量を
計算し重ね合わせ露光する為、重ね合わせ精度が悪くな
る場合がある。このような検出データに対し、検出デー
タの加工、分布処理等を追加することにより正しい検出
データのみを抽出し、補正量を計算できる為重ね合わせ
精度が向上する。
出し、検出データが正しいか否かを判定せず、補正量を
計算し重ね合わせ露光する為、重ね合わせ精度が悪くな
る場合がある。このような検出データに対し、検出デー
タの加工、分布処理等を追加することにより正しい検出
データのみを抽出し、補正量を計算できる為重ね合わせ
精度が向上する。
本発明は、ウェハ上のチップに付随したパターンを縮小
レンズを介して直接検出して位置合わせするスルーザレ
ンズ方式（ＴＴＬ方式）のアライメント光学系になって
いる縮小投影露光装置において、多数の検出データの中
からＸ軸、及び、Ｙ軸の正しい検出データのみを独立に
自動抽出するアルゴリズムである。本発明の実施に用い
た全体構成図を第１図に示す。
レンズを介して直接検出して位置合わせするスルーザレ
ンズ方式（ＴＴＬ方式）のアライメント光学系になって
いる縮小投影露光装置において、多数の検出データの中
からＸ軸、及び、Ｙ軸の正しい検出データのみを独立に
自動抽出するアルゴリズムである。本発明の実施に用い
た全体構成図を第１図に示す。
ウェハをＸ、Ｙ２軸方向にステップアンドリピート送り
するＸ−Ｙステージ（１）、回路パターンが描画されて
いるレティクル（２）、レティクルを縮小する縮小レン
ズ（３）、回路パターンを転写するウェハ（４）、レテ
ィクル（２）とウェハ（４）内チップの相対位置検出を
行うパターン検出系（５）と検出データを処理するデー
タ処理装置（６）から構成されている。ウェハ（４）１
のパターンを縮小レンズ（３）を通し、パターン検出系
（５）に導き、レティクル（２）とウェハ（４）内チッ
プの相対位置を検出し、データ処理装置（６）により処
理をする。データ処理後レティクル（２）とウェハ（４
）内のチップとの、■対合わせを行う。従来の多数のチ
ップを険出し、相対合わせを行う方法では、検出データ
が正しいが否かを判断せずレティクル（２）とウェハ（
４）内のチップとの相対合わせを行っていた。そのため
、重ね合わせ精度の低下を招いていた。そこで。
するＸ−Ｙステージ（１）、回路パターンが描画されて
いるレティクル（２）、レティクルを縮小する縮小レン
ズ（３）、回路パターンを転写するウェハ（４）、レテ
ィクル（２）とウェハ（４）内チップの相対位置検出を
行うパターン検出系（５）と検出データを処理するデー
タ処理装置（６）から構成されている。ウェハ（４）１
のパターンを縮小レンズ（３）を通し、パターン検出系
（５）に導き、レティクル（２）とウェハ（４）内チッ
プの相対位置を検出し、データ処理装置（６）により処
理をする。データ処理後レティクル（２）とウェハ（４
）内のチップとの、■対合わせを行う。従来の多数のチ
ップを険出し、相対合わせを行う方法では、検出データ
が正しいが否かを判断せずレティクル（２）とウェハ（
４）内のチップとの相対合わせを行っていた。そのため
、重ね合わせ精度の低下を招いていた。そこで。
本発明は、多数のチップを検出し、検出データが正しい
か否かを分布処理等の統計処理を用いることにより判断
し、正しい検出データのみをＸ軸、及び、Ｙ軸独立に抽
出する。さらに、抽出された検出データのみで、相対合
わせを行うため、ウェハ自答チップの重ね合わせ精度が
向上する。
か否かを分布処理等の統計処理を用いることにより判断
し、正しい検出データのみをＸ軸、及び、Ｙ軸独立に抽
出する。さらに、抽出された検出データのみで、相対合
わせを行うため、ウェハ自答チップの重ね合わせ精度が
向上する。
以下本発明の一実施例をＸ軸のデータ抽出について、第
２図のフローチャートと第３図〜第６図を用い詳細に説
明する。
２図のフローチャートと第３図〜第６図を用い詳細に説
明する。
まず、ウェハ内２〜３手ツブ（７）を検出（第３図）し
、検出データから、ウェハ回転θと理想格子座標からの
位置ずれ量ΔＸを求める。次にウェハ内の９チツプを検
出（第４図（ａ））Ｌ、その各チップの理想格子からの
ずれ量２０〜２８から、 ０ （ｊ−３）＋Δχ±Ａ
の帯域内に入るデータを抽出する。第４図（ｂ）の場合
であると２２のデータのみが除外されることになる（第
２図フローチャート１３）。
、検出データから、ウェハ回転θと理想格子座標からの
位置ずれ量ΔＸを求める。次にウェハ内の９チツプを検
出（第４図（ａ））Ｌ、その各チップの理想格子からの
ずれ量２０〜２８から、 ０ （ｊ−３）＋Δχ±Ａ
の帯域内に入るデータを抽出する。第４図（ｂ）の場合
であると２２のデータのみが除外されることになる（第
２図フローチャート１３）。
次に第４図（ｂ）で抽出されたデータを式（１）により
すべて同一の行に変換する（第５図（ａ））。
すべて同一の行に変換する（第５図（ａ））。
ΔＸ ｉｊｃ ＝ΔＸｉｊ （ｊ −３）ｘ Ｏ−（
１）さらに同一の行に変換されたデータΔＸ１ｊｃに関
して、各列の平均値を求めろ（第２図フローチャート１
４）。
１）さらに同一の行に変換されたデータΔＸ１ｊｃに関
して、各列の平均値を求めろ（第２図フローチャート１
４）。
次に、各列で求めた平均値のデータで最小２乗法を用い
回帰直線（式（２））を求めると第５図（ｂ）のように
なる。
回帰直線（式（２））を求めると第５図（ｂ）のように
なる。
ΔＸ１ｓ＝ Ｘ ｉ−ｉ ＋ Ｘｔ ｔ
−（２）（ＭＸ：Ｘデータ数、ｘｉ：各列の平均値デー
タ）さらに、求められた回帰直線に対し、第５図（ｂ）
のような帯域５０〜５４をもうけ、第２図のフローチャ
ート１４によって加工されたデータがどの帯域に入るか
を求め、その頻度を調べる。
−（２）（ＭＸ：Ｘデータ数、ｘｉ：各列の平均値デー
タ）さらに、求められた回帰直線に対し、第５図（ｂ）
のような帯域５０〜５４をもうけ、第２図のフローチャ
ート１４によって加工されたデータがどの帯域に入るか
を求め、その頻度を調べる。
次に１各類度の高い帯域のデータを抽出する（第２図フ
ローチャート１７）。第５図（ｂ）の場合であると５２
の帯域（Ｘε・ｉ ＋ Ｘ １ε±Ｂ）のデータが抽出
されることになり、加工データ３７゜３８は除外される
。
ローチャート１７）。第５図（ｂ）の場合であると５２
の帯域（Ｘε・ｉ ＋ Ｘ １ε±Ｂ）のデータが抽出
されることになり、加工データ３７゜３８は除外される
。
さらに、第２図のフローチャー１へ１７により抽出され
たデータに対しフローチャート１４．１５の処理をする
と第６図の（ａ）、（ｂ）のようになる。
たデータに対しフローチャート１４．１５の処理をする
と第６図の（ａ）、（ｂ）のようになる。
フローチャート１５により求められた回帰直線に対し、
第６図の（ｂ）のような帯域（回帰直線±Ｃ）に入る加
工データを９チツプの中から抽出する（第２図フローチ
ャート１８）。ここで、抽出されたチップの検出データ
を用い統計処理を用いて露光座標を求め相対合わせを行
うことにより、重ね合オ）せ精度が向」−する。
第６図の（ｂ）のような帯域（回帰直線±Ｃ）に入る加
工データを９チツプの中から抽出する（第２図フローチ
ャート１８）。ここで、抽出されたチップの検出データ
を用い統計処理を用いて露光座標を求め相対合わせを行
うことにより、重ね合オ）せ精度が向」−する。
本説明に用いた帯域の定数Ａ、Ｂ、Ｃは、可変（各工程
により選択可）で、設定の仕方によっては、より正しい
検出データの抽出が可能となる。
により選択可）で、設定の仕方によっては、より正しい
検出データの抽出が可能となる。
本発明によれば、たとえ多数のチップ検出において誤検
出が存在しても、最終的に正しい検出データのみをＸ軸
、及び、Ｙ １ｌｉｌｌｌ独立に自動抽出することがで
きるので、１）自動検出動作の信頼性の向−ヒ、２）半
導体素子の歩留りを向１−させる効果がある。
出が存在しても、最終的に正しい検出データのみをＸ軸
、及び、Ｙ １ｌｉｌｌｌ独立に自動抽出することがで
きるので、１）自動検出動作の信頼性の向−ヒ、２）半
導体素子の歩留りを向１−させる効果がある。
又、自動的に検出データの良否を決定するため（１）生
産性（スループツ１へ）の向上（２）人手による判断の
不要等に効果がある為、生産設備装置として有効な手段
である。
産性（スループツ１へ）の向上（２）人手による判断の
不要等に効果がある為、生産設備装置として有効な手段
である。
第１図は本発明の全体溝成図、第２図は本発明の詳細フ
ロー図、第３図はウェハ内３チップ検出を示す図、第４
図はウェハ内９チップ検出を示す図、第５図は分布処理
を示す図、第６図は最終データ抽出を示す図である。 ■・・・Ｘ−Ｙステージ、２・・・レティクル、３・・
・縮小レンズ、４・・・ウェハ、５・・・パターン検出
系、６・・・データ処理装置、１０〜１９・・・本発明
の詳細フロー、２０〜２８・・・９チツプの理想格子か
らのずれ道、３３〜３５．３７〜４０・・・加工データ
、５０第１図 第２図 第３図 跡４ ｒ７１ 第５図
ロー図、第３図はウェハ内３チップ検出を示す図、第４
図はウェハ内９チップ検出を示す図、第５図は分布処理
を示す図、第６図は最終データ抽出を示す図である。 ■・・・Ｘ−Ｙステージ、２・・・レティクル、３・・
・縮小レンズ、４・・・ウェハ、５・・・パターン検出
系、６・・・データ処理装置、１０〜１９・・・本発明
の詳細フロー、２０〜２８・・・９チツプの理想格子か
らのずれ道、３３〜３５．３７〜４０・・・加工データ
、５０第１図 第２図 第３図 跡４ ｒ７１ 第５図
Claims (1)
- １、縮小レンズとＸ−Ｙステージ（測長付）とパターン
位置検出系と露光光源と演算処理装置より成る縮小投影
露光装置において、ウェハ内に転写された前層の多数の
位置検出パターンを検出し前層に重ね合わせ露光する際
、Ｘ軸及びＹ軸独立に多数検出したデータより、正しく
検出されたデータのみを自動的に抽出するデータ処理を
有することを特徴とする縮小投影露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62292128A JPH01135021A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 縮小投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62292128A JPH01135021A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 縮小投影露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01135021A true JPH01135021A (ja) | 1989-05-26 |
Family
ID=17777903
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62292128A Pending JPH01135021A (ja) | 1987-11-20 | 1987-11-20 | 縮小投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01135021A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160242203A1 (en) * | 2013-11-22 | 2016-08-18 | Lg Electronics Inc. | Method for receiving bundle of pdcch, and mtc device |
-
1987
- 1987-11-20 JP JP62292128A patent/JPH01135021A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20160242203A1 (en) * | 2013-11-22 | 2016-08-18 | Lg Electronics Inc. | Method for receiving bundle of pdcch, and mtc device |
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