JPH0254495B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0254495B2 JPH0254495B2 JP9384081A JP9384081A JPH0254495B2 JP H0254495 B2 JPH0254495 B2 JP H0254495B2 JP 9384081 A JP9384081 A JP 9384081A JP 9384081 A JP9384081 A JP 9384081A JP H0254495 B2 JPH0254495 B2 JP H0254495B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- deviation
- axis
- axis direction
- amount
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 4
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、マスク・ウエハなどの微細パターン
の２チツプ比較欠陥検査装置において、被検査物
のＸ，Ｙ位置ズレを自動的に検出する方法に関す
るものである。
の２チツプ比較欠陥検査装置において、被検査物
のＸ，Ｙ位置ズレを自動的に検出する方法に関す
るものである。
従来、微細パターンの欠陥検査における被検査
物のＸ，Ｙ位置ズレは、顕微鏡などを使用して目
視検査により位置ズレを検出し、その補正として
検出器、Ｘ，Ｙテーブルの微調整を行つていた。
しかしながら目視検査であり、その精度はメカ的
に限度があり、調整にも時間がかかつた。そのた
め、従来の目視検査に代つて高精度で自動的に位
置決めする検出方式の要求が高かつた。
物のＸ，Ｙ位置ズレは、顕微鏡などを使用して目
視検査により位置ズレを検出し、その補正として
検出器、Ｘ，Ｙテーブルの微調整を行つていた。
しかしながら目視検査であり、その精度はメカ的
に限度があり、調整にも時間がかかつた。そのた
め、従来の目視検査に代つて高精度で自動的に位
置決めする検出方式の要求が高かつた。
本発明は、前記要求に鑑みて発明されたもの
で、短時間、高精度でパターン位置ズレを検出
し、自動補正するための検出方法を提供すること
を目的とする。
で、短時間、高精度でパターン位置ズレを検出
し、自動補正するための検出方法を提供すること
を目的とする。
本発明は２つのパターン画像をそれぞれ２値化
してメモリ内に収め、そのメモリ内の２進データ
を両者それぞれＸ軸及びＹ軸方向に積算射影して
一次元データとし、この２つの一次元データから
互いのズレ量を検出するようになしたことを特徴
とする。
してメモリ内に収め、そのメモリ内の２進データ
を両者それぞれＸ軸及びＹ軸方向に積算射影して
一次元データとし、この２つの一次元データから
互いのズレ量を検出するようになしたことを特徴
とする。
以下本発明を図面に示した実施例にもとづいて
説明する。第１図は本発明によるパターン位置ズ
レ検出方式及び駆動機構のブロツク図であり、被
検査物２のチツプ３及び４をそれぞれ顕微鏡５で
拡大し、それぞれを検出器６及び７で検出し、２
値化回路８及び９で２値化し、メモリ１０及び１
１にたくわえる。
説明する。第１図は本発明によるパターン位置ズ
レ検出方式及び駆動機構のブロツク図であり、被
検査物２のチツプ３及び４をそれぞれ顕微鏡５で
拡大し、それぞれを検出器６及び７で検出し、２
値化回路８及び９で２値化し、メモリ１０及び１
１にたくわえる。
メモリ１０，１１内にたくわえられた２進デー
タ１０ａ，１１ａは演算処理部１２にて次の如き
演算がなされる。まず、第２図のようにＸ軸，Ｙ
軸それぞれ“１”信号１７を加算し、Ｘ，Ｙ軸加
算データ１８，１９，２０，２１を求める。さら
に第３図のように、一方のチツプ３から得られた
Ｙ軸加算データ１８の中から任意抽出データ２２
をぬきとり、このデータ２２と他方のチツプ４か
ら得られたＹ軸加算データ２０とを逐次比較演算
し、最小誤差ポイントを求める。
タ１０ａ，１１ａは演算処理部１２にて次の如き
演算がなされる。まず、第２図のようにＸ軸，Ｙ
軸それぞれ“１”信号１７を加算し、Ｘ，Ｙ軸加
算データ１８，１９，２０，２１を求める。さら
に第３図のように、一方のチツプ３から得られた
Ｙ軸加算データ１８の中から任意抽出データ２２
をぬきとり、このデータ２２と他方のチツプ４か
ら得られたＹ軸加算データ２０とを逐次比較演算
し、最小誤差ポイントを求める。
すなわち
Ｐ(1)＝〔Xa（ｑ）−Xb(1)〕2＋〔Xa（ｑ＋１）−Xb
(2)〕2 ＋〔Xa（ｑ＋２）−Xb(3)〕2＋〔Xa（ｑ＋３）−
Xb(4)〕2 ＋〔Xa（ｑ＋４）−Xb(5)〕2 ……(1) Ｐ(2)＝〔Xa（ｑ）−Xb(2)〕2＋〔Xa（ｑ＋１）−Xb
(3)〕2 ＋〔Xa（ｑ＋２）−Xb(4)〕2＋〔Xa（ｑ＋３）−
Xb(5)〕2 ＋〔Xa（ｑ＋４）−Xb(6)〕2 ……(2) Ｐ（ｎ−１）＝〔Xa（ｑ）−Xb（ｎ−５）〕2＋〔Xa
（ｑ＋１）−Xb（ｎ−４）〕2 ＋〔Xa（ｑ＋２）−Xb（ｎ−３）〕2＋〔Xa（ｑ＋
３）−Xb（ｎ−２）〕2 ＋〔Xa（ｑ＋４）−Xb（ｎ−１）〕2
……（ｎ−１） Ｐ（ｎ）＝〔Xa（ｑ）−Xb（ｎ−４）〕2＋〔Xa（ｑ
＋
１）−Xb（ｎ−３）〕2 ＋〔Xa（ｑ＋２）−Xb（ｎ−２）〕2＋〔Xa（ｑ＋
３）−Xb（ｎ−１）〕2 ＋〔Xa（ｑ＋４）−Xb（ｎ）〕2 ……（ｎ） を演算処理し、最小となるＰ（ｘ）を求め、任意
抽出データ２２とのビツト差をパターン位置ズレ
として検出する。以上のような位置ズレ検出は、
Ｙ軸方向もＸ軸加算データ１９及び２１を用いて
同様に行なわれる。
(2)〕2 ＋〔Xa（ｑ＋２）−Xb(3)〕2＋〔Xa（ｑ＋３）−
Xb(4)〕2 ＋〔Xa（ｑ＋４）−Xb(5)〕2 ……(1) Ｐ(2)＝〔Xa（ｑ）−Xb(2)〕2＋〔Xa（ｑ＋１）−Xb
(3)〕2 ＋〔Xa（ｑ＋２）−Xb(4)〕2＋〔Xa（ｑ＋３）−
Xb(5)〕2 ＋〔Xa（ｑ＋４）−Xb(6)〕2 ……(2) Ｐ（ｎ−１）＝〔Xa（ｑ）−Xb（ｎ−５）〕2＋〔Xa
（ｑ＋１）−Xb（ｎ−４）〕2 ＋〔Xa（ｑ＋２）−Xb（ｎ−３）〕2＋〔Xa（ｑ＋
３）−Xb（ｎ−２）〕2 ＋〔Xa（ｑ＋４）−Xb（ｎ−１）〕2
……（ｎ−１） Ｐ（ｎ）＝〔Xa（ｑ）−Xb（ｎ−４）〕2＋〔Xa（ｑ
＋
１）−Xb（ｎ−３）〕2 ＋〔Xa（ｑ＋２）−Xb（ｎ−２）〕2＋〔Xa（ｑ＋
３）−Xb（ｎ−１）〕2 ＋〔Xa（ｑ＋４）−Xb（ｎ）〕2 ……（ｎ） を演算処理し、最小となるＰ（ｘ）を求め、任意
抽出データ２２とのビツト差をパターン位置ズレ
として検出する。以上のような位置ズレ検出は、
Ｙ軸方向もＸ軸加算データ１９及び２１を用いて
同様に行なわれる。
検出されたＸ，Ｙ軸のズレ量は、メカ駆動部１
３に供給され、Ｘ軸方向ズレに対しては、検出器
間隔移動機構１４により、またＹ軸方向ズレに対
してはθ調整機構１５により微調整を行い、Ｘ，
Ｙ位置ズレをなくし、２チツプ比較欠陥検査の初
期設定を行う。
３に供給され、Ｘ軸方向ズレに対しては、検出器
間隔移動機構１４により、またＹ軸方向ズレに対
してはθ調整機構１５により微調整を行い、Ｘ，
Ｙ位置ズレをなくし、２チツプ比較欠陥検査の初
期設定を行う。
以上説明したように、本発明によれば、微細パ
ターンの２チツプ比較欠陥検査におけるパターン
位置ズレを一次元演算処理だけにより検出し、検
出器間隔及びステージθ方向をメカ駆動部により
自動的に調整することで、短時間で高精度に位置
ズレ補正することが可能となるものである。
ターンの２チツプ比較欠陥検査におけるパターン
位置ズレを一次元演算処理だけにより検出し、検
出器間隔及びステージθ方向をメカ駆動部により
自動的に調整することで、短時間で高精度に位置
ズレ補正することが可能となるものである。
第１図は、本発明によるパターン位置ズレ検出
方法及び駆動制御機構のブロツク図、第２図ａ，
ｂは、メモリ内２進データの構成図及びそのＸ
軸，Ｙ軸方向の加算データ図、第３図ａ，ｂは、
メモリ内２進データのＹ軸加算データの構成図で
ある。 １：XYステージ、２：被検査物、３，４：チ
ツプ、５：顕微鏡、６，７：検出器、８，９，：
２値化回路、１０，１１：メモリ、１２：演算処
理部、１０ａ，１１ａ：２値化データ、１６：
“０”信号、１７：“１”信号、１８，２０：Ｙ軸
加算データ、１９，２１：Ｘ軸加算データ。
方法及び駆動制御機構のブロツク図、第２図ａ，
ｂは、メモリ内２進データの構成図及びそのＸ
軸，Ｙ軸方向の加算データ図、第３図ａ，ｂは、
メモリ内２進データのＹ軸加算データの構成図で
ある。 １：XYステージ、２：被検査物、３，４：チ
ツプ、５：顕微鏡、６，７：検出器、８，９，：
２値化回路、１０，１１：メモリ、１２：演算処
理部、１０ａ，１１ａ：２値化データ、１６：
“０”信号、１７：“１”信号、１８，２０：Ｙ軸
加算データ、１９，２１：Ｘ軸加算データ。
Claims (1)
- １ ２つのパターンの位置ズレを検出する方法に
おいて、上記２つのパターン画像をそれぞれ２値
化してメモリ内に収め、そのメモリ内の２進デー
タを両者それぞれＸ軸及びＹ軸方向に積算射影し
て一次元データとし、該Ｘ軸方向に積算射影され
た一次元データの一方についてデータを任意に抽
出し、他方の一次元データを該一方の抽出したデ
ータに対してズラして逐次比較をして演算を行
い、その演算結果により両者のデータが最も一致
したときのズレ量をＹ軸方向のズレ量として検出
するとともに、Ｙ軸方向に積算射影された一次元
データについても一方についてデータを任意に抽
出し、他方の一次元データを該一方の抽出したデ
ータに対してズラして逐次比較をして演算を行
い、その演算結果により両者のデータが最も一致
したときのズレ量をＸ軸方向のズレ量として検出
することを特徴とするパターン位置ズレ検出方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9384081A JPS57208441A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Detection system of deviation in pattern position by 2-chip comparison |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9384081A JPS57208441A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Detection system of deviation in pattern position by 2-chip comparison |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57208441A JPS57208441A (en) | 1982-12-21 |
| JPH0254495B2 true JPH0254495B2 (ja) | 1990-11-21 |
Family
ID=14093585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9384081A Granted JPS57208441A (en) | 1981-06-19 | 1981-06-19 | Detection system of deviation in pattern position by 2-chip comparison |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57208441A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0670619B2 (ja) * | 1989-07-01 | 1994-09-07 | 日本碍子株式会社 | 空燃比センサ評価法および装置 |
| JP3135063B2 (ja) * | 1989-09-22 | 2001-02-13 | 株式会社日立製作所 | 比較検査方法および装置 |
| JPH0731134B2 (ja) * | 1989-12-25 | 1995-04-10 | 株式会社コムシステム | 画像検査装置 |
-
1981
- 1981-06-19 JP JP9384081A patent/JPS57208441A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57208441A (en) | 1982-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0457843B1 (en) | Method and apparatus for measuring registration between layers of a semiconductor wafer | |
| JPH0691003B2 (ja) | レチクル／マスクの検査方法とその検査装置 | |
| JPH0254495B2 (ja) | ||
| JP2533085B2 (ja) | 部品実装方法 | |
| JPS63109307A (ja) | チツプ部品の装着検査装置 | |
| JPH03201454A (ja) | 半導体装置の位置合わせ方法 | |
| JP3158640B2 (ja) | パターンマッチング方法 | |
| JPH0145735B2 (ja) | ||
| JP2720935B2 (ja) | 検査装置及び検査方法 | |
| JP3198105B2 (ja) | 自動外観検査装置 | |
| JPS61253448A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPS59132129A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPS6396501A (ja) | チツプ部品の装着検査装置 | |
| JPH087154B2 (ja) | 異物検査方法 | |
| JPH0685016A (ja) | 半導体チップ検査装置 | |
| JP3274507B2 (ja) | パッケージの製造方法 | |
| JPH02133885A (ja) | パターン検査方法 | |
| JPS59105318A (ja) | パターン検査装置 | |
| JPH1140638A (ja) | 半導体のパターン欠陥検査装置及び方法 | |
| JPH01184822A (ja) | マスク位置検査装置 | |
| JP2002074334A (ja) | 欠陥検査データ処理方法 | |
| JP2003149170A (ja) | 画像検査設定データの自動作成方法 | |
| JPH0449257B2 (ja) | ||
| JPH06221830A (ja) | 欠陥検査方法 | |
| JPS61265508A (ja) | パタ−ン位置検出方法 |