JPH01133303A - 膜抵抗体の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、膜抵抗体の形成方法に関するものであり、集
積回路基板上に所望の抵抗値を有する膜抵抗体を形成す
る用途に用いられるものである。

（従来の技術） 集積回路基板上に形成した膜抵抗体の抵抗値を調整する
方法として、従来、レーザートリミング法が用いられて
いる。レーザートリミング法とは、基板上に形成した膜
抵抗体にレーザー光を照射し、膜抵抗体を切削すること
によって抵抗値を次第に高くして行って所望の抵抗値に
調整する方法である（特公昭６１−４９８０２号公報参
照）。

第５図はこの従来例を説明するための図である。

集積回路基板上の電極１の間には膜抵抗体２が印刷・フ
ォトリソグラフィ等の方法を用いて形成されている。こ
の膜抵抗体２の抵抗値は、目標とする抵抗値よりも低く
設定されている。抵抗値を調整するに際しては、レーザ
ー光の照射により膜抵抗体２をトリミングして、切削部
３を設ける。これによって、膜抵抗体２の一部が細くな
るため、電極１の間の抵抗値が高くなる。切削部３の長
さｌにより抵抗値が決まるので、切削部３の長さｌを調
整することにより、所望の抵抗値を得ることができる。

第６図は切削部３の長さｌと抵抗値の関係を示す図であ
る。

（発明が解決しようとする問題点） 半導体集積回路基板上に抵抗体を形成する場合、抵抗値
を所望の値に設定することが難しく、集積回路の完成後
に、抵抗値補正用の抵抗を外付けする必要があった。し
かしながら、カメラ等の精密機器に実装される集積回路
においては、抵抗値補正用の抵抗を外付けするためのス
ペースを確保することは困難である。そこで、上述のよ
うにレーザー光を用いて膜抵抗体を切り込んで抵抗値を
調整する方法が提案されているが、この方法では、第６
図から分かるように、抵抗値を低い値から高い値へ単調
に増加させることしかできない。したがって、抵抗値が
目標とする抵抗値をオーバーすると、もはや、その集積
回路全体が使用できないことになり、歩留まりの著しい
低下を招くという問題があった。

本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、そ
の目的とするところは、抵抗値の調整をやり直すことが
可能な膜抵抗体の形成方法を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明に係る膜抵抗体の形成方法にあっては、上記の目
的を達成するために、第１図及び第２図に示すように、
集積回路基板上に第１の膜抵抗体２ａを形成し、トリミ
ングした後、第２の膜抵抗体２ｂを第１の膜抵抗体２ａ
に並列に接続して、所望の抵抗値を得るように、第２の
膜抵抗体２ｂをトリミングすることを特徴とするもので
ある。

（作用） 本発明の作用を第１図及び第２図により説明する。まず
、集積回路基板上に第１の膜抵抗体２ａを形成する。こ
の第１の膜抵抗体２ａの抵抗値は、目標とする抵抗値よ
りも低く設定しておく。次に、第１の膜抵抗体２ａを例
えばレーザー光の照射によりトリミングして切削部３ａ
を設け、その長さ１ａを調整することにより、第２図の
■に示すように抵抗値を調節する。切削部３ａの長さ１
ａが長過ぎて膜抵抗体２ａの抵抗値が目標抵抗値を越え
たときには、第２の膜抵抗体２ｂを配線４を介して第１
の膜抵抗体２ａに並列に接続することによって、第２図
の■に示すように抵抗値を下げる。その後、第２の膜抵
抗体２ｂをトリミングして切削部３ｂを設け、その長さ
１ｂを調整することにより、第２図の■に示すように目
標抵抗値に調整する。

このように、本発明にあっては、第２の膜抵抗体２ｂを
第１の膜抵抗体２ａに並列に接続することによって、第
２図の■に示すように、目標抵抗値を行き過ぎた抵抗値
を、目標抵抗値よりも低い抵抗値に下げることができ、
抵抗値の調整をやり直すことができるものである。

以下、本発明の実施例について詳述する。

（実施例１） 第１図は本発明の第１の実施例を説明するための図であ
る。集積回路基板上に形成された電極１ａ。

ｌａ’間に第１の膜抵抗体２ａを形成する。この第１の
膜抵抗体２ａをトリミングして切削部３ａを設け、その
長さ１ａを徐々に長くすることにより、抵抗値を調整す
る。抵抗値が首尾よく目標抵抗値になった場合はそのま
までよいが、抵抗値が目標抵抗値を越えた場合には、電
極１ｂ、ｌｂ’間に第２の膜抵抗体２ｂを形成し、配線
４で電極１ａ、ｌｂ間及び電極１　ａ’　、　１　ｂ’
間を夫々接続し、第１の膜抵抗体２ａと第２の膜抵抗体
２ｂを並列に接続する。この際、第２の膜抵抗体２ｂの
抵抗値は、第１の膜抵抗体２ａの抵抗値よりも高くなる
ようにする。

それには、抵抗体の比抵抗を変えても良いし、図のよう
に、抵抗体の形状（特に幅）を変えても良い。

その後、第２の膜抵抗体２ｂをトリミングして切削部３
ｂを設け、その長さ／ｂを徐々に長くすることにより、
目標抵抗値に調整する。

（実施例２） 次に、本発明の第２の実施例について、同じ図を用いて
説明する。集積回路基板上の：ｒｉｆ！１　ａ、　１　
ａ″間と電極１　ｂ、　１　ｂ’間に第１及び第２の膜
抵抗体２ａ。

２ｂを同時に形成する。その後、第１の膜抵抗体２ａを
トリミングして切削部３ａを設け、その長さ１＆を徐々
に長くすることにより、抵抗値を調整する。抵抗値が目
標抵抗値を越えた場合には、配線１１で電１１ａ、１１
＋間及び電極１　ａ’　、　１　ｂ’間を夫々接続し、
第１の膜抵抗体２ａと第２の膜抵抗体２ｂを並列に接続
する。その後、第２の膜抵抗体２ｂをトリミングして切
削部３ｂを設け、その長さ１ｂを徐々に長くすることに
より、目標抵抗値に調整する。

第２図はこのような方法で調整した場合の抵抗値の変化
を示す図である０図中、■は第１の膜抵抗体２ａをトリ
ミングしている時の抵抗値の変化、■は第１及び第２の
膜抵抗体２ａ、２ｂを接続した時の抵抗値の変化、■は
第２の膜抵抗体２ｂをトリミングしている時の抵抗値の
変化を示している。

図から分かるように、■の場合の方が、■の場合よりも
抵抗値の変化が緩やかなので、より精度の高い調整が可
能となる。

（実施例３） 第３図は本発明の第３の実施例を説明するための図であ
る。集積回路基板上に形成された電極１ａ。

１ａ”間に、第１及び第３の膜抵抗体２ａ、２ｃを並列
になるように同時に形成する。このとき、第１の膜抵抗
体２ａの幅を第３の抵抗体２ｃの幅よりも広くしておく
、これにより、第１の膜抵抗体２ａの抵抗値を第３の膜
抵抗体２ｃの抵抗値よりも低くすることができる。次に
、まず第１の膜抵抗体２ａをトリミングして切削部３ａ
を設け、その長さ１ａを徐々に長くすることにより、電
Ｗ！１　ａ、　１　ａ’間の抵抗値が目標抵抗値に近付
くようにｍ＜調整してやる。このとき、目標抵抗値を越
えないように注意する必要がある０次に、第３の膜抵抗
体２ｃを同様に１〜リミングして切削部３ｃを設け、そ
の長さ１ｃを徐々に長くすることにより、目標抵抗値に
調整する。

第４図はこのような方法で調整した場合の抵抗値の変化
を示す、第４図から分かるように、切削部３ａの長さｆ
ａの変化による抵抗値の変化（同図の参照）に比べて、
切削部３ｃの長さ１ｃの変化による抵抗値の変化（同図
■参照）は穏やかであるので、切削部３ａΩ長さ１ａに
より￥Ｕ調整を、切削部３ｃの長さ１ｃにより微調整を
行えば、精度の高い調整が行えるものである。したがっ
て、本実施例にあっては、電極１ａ、ｌａ’間の抵抗値
をほぼ目標抵抗値に設定することが可能であるが、万一
、目標抵抗値を行き過ぎた場合には、実施例１．２のよ
うに、第２の膜抵抗体２ｂを電極１　ａ、　１　ａ’間
にさらに並列接続して、抵抗値を下げて、抵抗値の微調
整をやり直せば良い。

〈発明の効果） 本発明は上述のように、集積回路基板上に第１の膜抵抗
体を形成し、トリミングして抵抗値を調整した結果、第
１の膜抵抗体の抵抗値が目標値を行き過ぎた場合におい
ても、第２の膜抵抗体を第１の膜抵抗体に並列に接続し
て、全体の抵抗値を下げて、第２の膜抵抗体をトリミン
グすることにより抵抗値の調整をやり直すことができ、
集積回路基板上の膜抵抗体の形成ミスによる歩留まりの
低下を防止できるという効果がある。

なお、第２の膜抵抗体の抵抗値を第１の膜抵抗体の抵抗
値よりも高く設定すれば、抵抗値の微調整が可能となり
、精度の高い膜抵抗体を形成できるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１実施例を説明するための図、第２
図は本発明の第２実施例の動作説明図、第３図は本発明
の第３実施例を説明するための図、第４図は同上の動作
説明図、第５図は従来例を説明するための図、第６図は
同上の動作説明図である。 ２ａは第１の膜抵抗体、２ｂは第２の膜抵抗体、３ａ、
３ｂは切削部である。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）集積回路基板上に第１の膜抵抗体を形成し、トリ
   ミングした後、第２の膜抵抗体を第１の膜抵抗体に並列
   に接続して、所望の抵抗値を得るように、第２の膜抵抗
   体をトリミングすることを特徴とする膜抵抗体の形成方
   法。
2. （２）第２の膜抵抗体の抵抗値は第１の膜抵抗体の抵抗
   値よりも高いことを特徴とする特許請求の範囲第１項記
   載の膜抵抗体の形成方法。