JPH01130979A - 光学記録媒体 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
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- G11B7/244—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only
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- G11B7/248—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising organic materials only containing dyes porphines; azaporphines, e.g. phthalocyanines
Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Nitrogen And Oxygen Or Sulfur-Condensed Heterocyclic Ring Systems (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
挟丘分M
本発明は、半導体レーザーの集束ビーム等の高密度エネ
ルギー照射による追記可能な光学記録媒体に関する。さ
らに詳しくはコンピューター外部メモリー、画像、音声
等の各種情報の記録に用いられる光学記録媒体に関する
。
ルギー照射による追記可能な光学記録媒体に関する。さ
らに詳しくはコンピューター外部メモリー、画像、音声
等の各種情報の記録に用いられる光学記録媒体に関する
。
゛・ び「1
追記可能な光学記録媒体として、テルル、テルル合金、
ビスマス合金等の低融点金属薄膜の無機系記録層を有す
る記録媒体が実用化されはじめている。しかしながらこ
れらの記録媒体は、真空蒸着、スパッタリング等の真空
中での薄膜形成によるため生産性が低く、さらに記録J
Hの熱伝導率が大きいため記録密度の点で限界があり、
またテルル等の有毒物質を使用するので衛生性の点で問
題がある。
ビスマス合金等の低融点金属薄膜の無機系記録層を有す
る記録媒体が実用化されはじめている。しかしながらこ
れらの記録媒体は、真空蒸着、スパッタリング等の真空
中での薄膜形成によるため生産性が低く、さらに記録J
Hの熱伝導率が大きいため記録密度の点で限界があり、
またテルル等の有毒物質を使用するので衛生性の点で問
題がある。
このような問題点を解決するなめ、近年有機系色素を記
録媒体として使用する方法が検討されている。例えば、
ポリメチン色素(特開昭第58−112790号公報)
、ナフトキノン色素(特開昭第58−112793号公
報)、フタロシアニン色素(米国特許第4298975
号明細書)、ナフタロシアニン色素(米国特許第449
275号明細書)等の半導体レーザー発振波長領域に吸
収を有する有機色素を記録層とした記録媒体が提案され
ている。
録媒体として使用する方法が検討されている。例えば、
ポリメチン色素(特開昭第58−112790号公報)
、ナフトキノン色素(特開昭第58−112793号公
報)、フタロシアニン色素(米国特許第4298975
号明細書)、ナフタロシアニン色素(米国特許第449
275号明細書)等の半導体レーザー発振波長領域に吸
収を有する有機色素を記録層とした記録媒体が提案され
ている。
しかしながらこれまでに提案されている有機色素を用い
た記録媒体では、耐久性、反射率の点で十分な特性が得
られなかったり、溶剤への溶解性が悪く経済的に有利な
塗布方式による薄膜形成法が適用できないという欠点が
ある。
た記録媒体では、耐久性、反射率の点で十分な特性が得
られなかったり、溶剤への溶解性が悪く経済的に有利な
塗布方式による薄膜形成法が適用できないという欠点が
ある。
本発明の目的は、有機色素を用いた記録媒体の問題点を
解決し、十分な耐久性、反射率を有し、さらには経済的
に有利な塗布方式を採用できる記録層の形成容易な光学
記録媒体の提供にある。
解決し、十分な耐久性、反射率を有し、さらには経済的
に有利な塗布方式を採用できる記録層の形成容易な光学
記録媒体の提供にある。
町皿漉玉1ツ妨19〉ぺ@手我
本発明は、透明基板」二に、下記−最大[I]の化合物
の少なくとも1種を含有する記録層を設けた光学記録媒
体である。
の少なくとも1種を含有する記録層を設けた光学記録媒
体である。
[式中、XlないしX、はそれぞれ独立に炭素原子ある
いは硫黄原子を表し、R,ないしR2,はそれぞれ独立
に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カ
ルボン酸基、スルホン酸基、置換もしくは未置換の脂肪
族炭化水素基、置換もしくは未置換の芳香族炭化水素基
、置換もしくは未置換の芳香族複素環基、 −N =N −R3S、Ry6(Y CH2CH2)1
Z−を表し、(ここでR25ないしR3Gは水素原子、
置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基、置換もしくは
未置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは未置換
の芳香族複素環基を表し、Y及びZはそれぞれ独立に酸
素原子または硫黄原子を表し、βは1〜20の正の整数
を表す。) Mはハロゲン原子、酸素原子、−G−ORs7) −、
あるいは冬○S i R3llR39R4゜)。を有し
てもよい金属原子、または水素原子を表す (ここでR37ないしR40はR3ないしR24と同じ
意味を表し、夏およびnはいずれも0.1または2を表
す。)]。
いは硫黄原子を表し、R,ないしR2,はそれぞれ独立
に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カ
ルボン酸基、スルホン酸基、置換もしくは未置換の脂肪
族炭化水素基、置換もしくは未置換の芳香族炭化水素基
、置換もしくは未置換の芳香族複素環基、 −N =N −R3S、Ry6(Y CH2CH2)1
Z−を表し、(ここでR25ないしR3Gは水素原子、
置換もしくは未置換の脂肪族炭化水素基、置換もしくは
未置換の芳香族炭化水素基、または置換もしくは未置換
の芳香族複素環基を表し、Y及びZはそれぞれ独立に酸
素原子または硫黄原子を表し、βは1〜20の正の整数
を表す。) Mはハロゲン原子、酸素原子、−G−ORs7) −、
あるいは冬○S i R3llR39R4゜)。を有し
てもよい金属原子、または水素原子を表す (ここでR37ないしR40はR3ないしR24と同じ
意味を表し、夏およびnはいずれも0.1または2を表
す。)]。
本発明で使用する化合物の置換基R1ないしR2,をさ
らに詳細に例示すると下記のとおりである6 水素原子、または塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等の
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボン酸基、ス
ルホン酸基、またはメチル基、エチル基、t−ブチル基
、n−ステアリル基、トリクロルメチル基、アミノメチ
ル基、ヒドロキシメチル基等の置換もしくは未置換の脂
肪族炭化水素基、フェニル基、ナフチル基、アン1〜リ
ル基、2−メチルフェニル基、4−クロルメチル基、4
−ジメチルアミノナフチル基等の置換もしくは未置換の
芳香族炭化水素基、またはピリジル基、カルバゾリル基
、ジベンゾフリル基、ベンゾチアシリ′lし基、4−メ
チルピリジル基等の置換もしくは未置換の芳香族複素環
基、メトキシ基、エトキシ基、ステアリルオキシ基、フ
ェノキシ基、ヘキシルチオ基、t−ブチルチオ基、フェ
ニルチオ基、アミノ基、n−ブチルアミノ基、ジエチル
アミノ基、ジフェニルアミノ基、ジベンジルアミノ基、
−3O2NHn C4Hs、−802N (CI−13
)2、−302N +(−Q、(C2HsL、−N H
CO−n C< H9、−Nr−rco−Q、−CO2
C2■45、−CO2nCsHz、−CO2−Q、−N
=N−◎、 等であるが、これらの置換基に限定されるものではない
。
らに詳細に例示すると下記のとおりである6 水素原子、または塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等の
ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、カルボン酸基、ス
ルホン酸基、またはメチル基、エチル基、t−ブチル基
、n−ステアリル基、トリクロルメチル基、アミノメチ
ル基、ヒドロキシメチル基等の置換もしくは未置換の脂
肪族炭化水素基、フェニル基、ナフチル基、アン1〜リ
ル基、2−メチルフェニル基、4−クロルメチル基、4
−ジメチルアミノナフチル基等の置換もしくは未置換の
芳香族炭化水素基、またはピリジル基、カルバゾリル基
、ジベンゾフリル基、ベンゾチアシリ′lし基、4−メ
チルピリジル基等の置換もしくは未置換の芳香族複素環
基、メトキシ基、エトキシ基、ステアリルオキシ基、フ
ェノキシ基、ヘキシルチオ基、t−ブチルチオ基、フェ
ニルチオ基、アミノ基、n−ブチルアミノ基、ジエチル
アミノ基、ジフェニルアミノ基、ジベンジルアミノ基、
−3O2NHn C4Hs、−802N (CI−13
)2、−302N +(−Q、(C2HsL、−N H
CO−n C< H9、−Nr−rco−Q、−CO2
C2■45、−CO2nCsHz、−CO2−Q、−N
=N−◎、 等であるが、これらの置換基に限定されるものではない
。
Mは、H,Na、Li、Cu、Fe、Co、Ni、Zn
、Mn、 Pb、Si、 Mg、Al−Cl、In−C
l。
、Mn、 Pb、Si、 Mg、Al−Cl、In−C
l。
Ti:OlV:O、S i+o C2HS)2、A1−
○nC3H1、S i+OS i(CH3)3コ2等を
表すがこれらに限定されるものではない。
○nC3H1、S i+OS i(CH3)3コ2等を
表すがこれらに限定されるものではない。
本発明で使用する一般式[I]の化合物は、可視ないし
近赤外領域に大きな吸収を有し、レーザーによる記録再
生に好適である。
近赤外領域に大きな吸収を有し、レーザーによる記録再
生に好適である。
本発明で使用する一般式[I]の化合物は、一般には、
−最大[■コ [式中、Xは炭素原子あるいは硫黄原子を表し、A、な
いしA6は、それぞれ−最大[I]のR1ないしR24
と同じ意味を有する。] の化合物の少なくとも1種を、尿素および各種金属塩と
ともに、好ましくは有機溶媒中で加熱することにより製
造できる。
−最大[■コ [式中、Xは炭素原子あるいは硫黄原子を表し、A、な
いしA6は、それぞれ−最大[I]のR1ないしR24
と同じ意味を有する。] の化合物の少なくとも1種を、尿素および各種金属塩と
ともに、好ましくは有機溶媒中で加熱することにより製
造できる。
有機溶媒としては、アルコール類、グリコール類等の水
酸基を有する脂肪族有機溶媒を広く使用できる。
酸基を有する脂肪族有機溶媒を広く使用できる。
金属塩としては、従来知られている種々の金属塩が使用
可能である。
可能である。
以下に本発明で使用する一般式[I]の化合物の代表例
をさらに具体的に例示するが、本発明は以下の代表例に
限定されるものではない。
をさらに具体的に例示するが、本発明は以下の代表例に
限定されるものではない。
HsC
1−13しl(JM4(、;幻3U
本発明で使用する透明基板は、信号の書き込みや読み出
しを行うための光りの透過率が好ましくは85%以上で
あり、かつ光学異方性の小さいものが望ましい。例えば
ガラス、またはアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、
ポリビニルエステル樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオ
レフィン樹脂(ポリ−4−メチルペンテン等)、ポリエ
ーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂、
アリル樹脂等の熱硬化性樹脂を用いた基板である。
しを行うための光りの透過率が好ましくは85%以上で
あり、かつ光学異方性の小さいものが望ましい。例えば
ガラス、またはアクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、
ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹脂、
ポリビニルエステル樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオ
レフィン樹脂(ポリ−4−メチルペンテン等)、ポリエ
ーテルスルホン樹脂等の熱可塑性樹脂やエポキシ樹脂、
アリル樹脂等の熱硬化性樹脂を用いた基板である。
これらの中でも、成形の容易さ、案内溝およびアドレス
信号等の付与の容易さ等から熱可塑性樹脂が好ましく、
その中でも光学特性及び機械的特性からアクリル樹脂お
よびポリカーボネ−1・樹脂が特に望ましい。
信号等の付与の容易さ等から熱可塑性樹脂が好ましく、
その中でも光学特性及び機械的特性からアクリル樹脂お
よびポリカーボネ−1・樹脂が特に望ましい。
本発明においては、これらの透明な基板の厚さには特に
制限がなく、また板状でもフィルム状でも良い。またそ
の形状、大きさにも特に制限はなく、円形でもカード状
でも良い。
制限がなく、また板状でもフィルム状でも良い。またそ
の形状、大きさにも特に制限はなく、円形でもカード状
でも良い。
本発明の透明基板は、記録および読み出しの際の位置制
御のための案内溝、アドレス信号および各種マーク等の
プリフォーマット用の凹凸を通常有しているが、これら
の凹凸は前記した熱可塑性樹脂を成形(射出、圧縮等)
する際にスタンパ−などをもちいて付与するのが好まし
い。
御のための案内溝、アドレス信号および各種マーク等の
プリフォーマット用の凹凸を通常有しているが、これら
の凹凸は前記した熱可塑性樹脂を成形(射出、圧縮等)
する際にスタンパ−などをもちいて付与するのが好まし
い。
本発明で使用する化合物を含有する記録層を透明基板上
に定着させ薄膜化する方法としては、例えば真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンプレート法およびLB法等
をも適用できるが、これらの方法は操作が繁雑であり、
かつ生産性の点で劣るので、いわゆる塗布による方法が
最も好ましい。
に定着させ薄膜化する方法としては、例えば真空蒸着法
、スパッタリング法、イオンプレート法およびLB法等
をも適用できるが、これらの方法は操作が繁雑であり、
かつ生産性の点で劣るので、いわゆる塗布による方法が
最も好ましい。
塗布法によって記録層を形成する場合には、フタロシア
ニン誘導体をアルコール類、ケトン類、アミド類、スル
ホキシド類、エーテル類、エステル類、脂肪族ハロゲン
化炭化水素類、芳香族炭化水素類等の一般的有機溶媒に
分散または溶解して塗布する。また、場合によっては、
高分子接着剤を加えても良い。高分子接着剤としては、
塩化ビニル樹脂、アクリル酸樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル酸樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ニトロセルロース、ポリプロピレン樹脂、ポリエチ
レンテレフタレート樹脂、フェノール樹脂およびこれら
の共重合体が好ましい。
ニン誘導体をアルコール類、ケトン類、アミド類、スル
ホキシド類、エーテル類、エステル類、脂肪族ハロゲン
化炭化水素類、芳香族炭化水素類等の一般的有機溶媒に
分散または溶解して塗布する。また、場合によっては、
高分子接着剤を加えても良い。高分子接着剤としては、
塩化ビニル樹脂、アクリル酸樹脂、ポリエステル樹脂、
ポリエチレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート
樹脂、エポキシ樹脂、メタクリル酸樹脂、酢酸ビニル樹
脂、ニトロセルロース、ポリプロピレン樹脂、ポリエチ
レンテレフタレート樹脂、フェノール樹脂およびこれら
の共重合体が好ましい。
その際本発明で使用する化合物に対する樹脂の比率は1
0重量%以下が好ましい。
0重量%以下が好ましい。
透明基板上に形成された本発明の記録層の厚さは、10
μm以下好ましくは500人〜2μmである。また記録
層即ち薄膜形成後に、クロロホルム、テトラヒドロフラ
ン、トルエン等の有機溶媒の蒸気を該薄膜に接触させる
ことにより、薄膜の吸収波長を長波長側にシフトし、半
導体レーザーから発振する光に対する怒度を著しく向上
させることができる場合がある。
μm以下好ましくは500人〜2μmである。また記録
層即ち薄膜形成後に、クロロホルム、テトラヒドロフラ
ン、トルエン等の有機溶媒の蒸気を該薄膜に接触させる
ことにより、薄膜の吸収波長を長波長側にシフトし、半
導体レーザーから発振する光に対する怒度を著しく向上
させることができる場合がある。
記録層保護のために2.a、 +203、S i O2
,5iO1SnO等の無機化合物を蒸着して保護層を設
けてもよい。また、従来知られている記録層保護用とし
ての種々の高分子を塗布してもよい。
,5iO1SnO等の無機化合物を蒸着して保護層を設
けてもよい。また、従来知られている記録層保護用とし
ての種々の高分子を塗布してもよい。
記録媒体への記録は、基板上に設けた記録層に1μm程
度に集束したレーザー光、好ましくは半導体レーザー光
を照射して行う。レーザー光の被照射部分は、レーザー
エネルギーを吸収し、分解、蒸発、溶融等の熱的な状態
変化を生じる。状態変化の有無に基づく反射率の差異か
ら、記録された情報を読みとることができる。
度に集束したレーザー光、好ましくは半導体レーザー光
を照射して行う。レーザー光の被照射部分は、レーザー
エネルギーを吸収し、分解、蒸発、溶融等の熱的な状態
変化を生じる。状態変化の有無に基づく反射率の差異か
ら、記録された情報を読みとることができる。
本発明の記録層は、本発明で使用する化合物に他の色素
を混合分散あるいは混合溶解して形成してもよい。混合
使用可能な色素としては、すでに公知の例えば、芳香族
または不飽和脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香族または
不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体、フタロシアニン系
錯体、ナフタロシアニン系錯体、スクアリウム系色素、
ナフトキノン系錯体、アントラキノン系色素、ポリメチ
ン系色素等である。
を混合分散あるいは混合溶解して形成してもよい。混合
使用可能な色素としては、すでに公知の例えば、芳香族
または不飽和脂肪族ジアミン系金属錯体、芳香族または
不飽和脂肪族ジチオール系金属錯体、フタロシアニン系
錯体、ナフタロシアニン系錯体、スクアリウム系色素、
ナフトキノン系錯体、アントラキノン系色素、ポリメチ
ン系色素等である。
光源としては、He−Neレーザー、Arレーザー、半
導体レーザー等の各種レーザーを使用できるが、価格、
大きさの点で、半導体レーザーが特に好ましい。半導体
レーザーとしては、中心波長830nm、780部mお
よびそれより短波長のレーザーが好ましい。
導体レーザー等の各種レーザーを使用できるが、価格、
大きさの点で、半導体レーザーが特に好ましい。半導体
レーザーとしては、中心波長830nm、780部mお
よびそれより短波長のレーザーが好ましい。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれ
に限定されるものではない。各実施例中の部は、重量部
を示す。
に限定されるものではない。各実施例中の部は、重量部
を示す。
実施例 1
アクリル樹脂基板上に化合物(1)3部とメチルセロソ
ルブ100部からなる溶液を滴下した後、この基板を7
0 Orpmの速度で20秒間回転させた。
ルブ100部からなる溶液を滴下した後、この基板を7
0 Orpmの速度で20秒間回転させた。
次ぎにこの基板を、90℃で1時間乾燥して記録媒体を
得た。この記録層の膜厚は、800人であったに の光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け、ターン
テーブルを80 Orpmで回転させながら1.0μm
に集束したガリウムーアルミニウムーヒ素半導体レーザ
ー(8,30n m )を5mW、8MHzで記録層に
1〜ラツク状に照射して記録を行った。
得た。この記録層の膜厚は、800人であったに の光学記録媒体をターンテーブル上に取り付け、ターン
テーブルを80 Orpmで回転させながら1.0μm
に集束したガリウムーアルミニウムーヒ素半導体レーザ
ー(8,30n m )を5mW、8MHzで記録層に
1〜ラツク状に照射して記録を行った。
この記録媒体表面を走査型電子顕微鏡で観察すると鮮明
なピットが認められた。またこの記録媒体に低出力ガリ
ウムーアルミニウムーヒ素半導体し−ザー光を照射し、
反射光の検知を行ったところ実用に十分なS/N比を有
する波形を示した。
なピットが認められた。またこの記録媒体に低出力ガリ
ウムーアルミニウムーヒ素半導体し−ザー光を照射し、
反射光の検知を行ったところ実用に十分なS/N比を有
する波形を示した。
実施例 2
ニトロセルロース樹脂2部をメヂルエチルケ1ヘン]0
部に溶解し、化合物(2)4部及びジクロルエタン96
部を上記の(M脂溶液と混合溶解した。
部に溶解し、化合物(2)4部及びジクロルエタン96
部を上記の(M脂溶液と混合溶解した。
この溶液をパイレックス基板上に滴下した後、この基板
を600 rpmで回転した。次ぎにこの基板を90℃
で2時間乾燥して記録媒体を得た。
を600 rpmで回転した。次ぎにこの基板を90℃
で2時間乾燥して記録媒体を得た。
この記録層の膜厚は800人であった。
この記録媒体に実施例1と同様の方法で記録を行ったと
ころ、記録層表面に鮮明なピットが走査型電子顕微鏡観
察により認められた。実施例1と同様の方法で入射レー
ザー光に対する反射光の検知を行ったところ、実用に十
分なS/N比を有する波形を示した。
ころ、記録層表面に鮮明なピットが走査型電子顕微鏡観
察により認められた。実施例1と同様の方法で入射レー
ザー光に対する反射光の検知を行ったところ、実用に十
分なS/N比を有する波形を示した。
実施例 3
エチルセロソルブ100重量部に化合物(11)3.5
重量部を溶解し、この溶液をポリカーボネ−ト樹脂基板
上に600 rpmでスピナーコーディング法により塗
布した後、減圧下80〜90℃て1時間乾煤して記録層
の膜厚約800人の記録媒体を得た。
重量部を溶解し、この溶液をポリカーボネ−ト樹脂基板
上に600 rpmでスピナーコーディング法により塗
布した後、減圧下80〜90℃て1時間乾煤して記録層
の膜厚約800人の記録媒体を得た。
この記録媒体に実施例1と同様の方法で記録を行ったと
ころ、記録層表面に鮮明なピッ1−が走査型電子顕微鏡
観察により認められた。また実施例1と同様の方法で入
射レーザー光に対する反射光の検知を行ったところ、実
用に十分なS/N比を有する波形を示した。
ころ、記録層表面に鮮明なピッ1−が走査型電子顕微鏡
観察により認められた。また実施例1と同様の方法で入
射レーザー光に対する反射光の検知を行ったところ、実
用に十分なS/N比を有する波形を示した。
実施例 4
厚さ1mmのアクリル基板上に、真空度1O−7tor
r、基板温度室温の状態で化合物(5)の蒸着を行い、
膜厚約600人の記録媒体を得た。
r、基板温度室温の状態で化合物(5)の蒸着を行い、
膜厚約600人の記録媒体を得た。
この記録媒体に実施例1と同様の方法で記録を行ったと
ころ、記録層表面に鮮明なピットが走査型電子顕微鏡観
察により認められた。また実施例1と同様の方法で入射
レーザー光に対する反射光の検知を行ったところ、実用
に十分なS/N比を有する波形を示した。
ころ、記録層表面に鮮明なピットが走査型電子顕微鏡観
察により認められた。また実施例1と同様の方法で入射
レーザー光に対する反射光の検知を行ったところ、実用
に十分なS/N比を有する波形を示した。
光曹眩と舛釆
本発明によれば、化学的、物理的に安定て耐久性を有し
、半導体レーザー発振領域におりる反射率が優れた高感
度な光学記録媒体を製造しうるという特徴を有する。さ
らには経済的に有利な塗布方式を採用できるという特徴
を特徴する特許出願人 東洋インキ製造株式会社代
理 人 弁理士 小林 正明
、半導体レーザー発振領域におりる反射率が優れた高感
度な光学記録媒体を製造しうるという特徴を有する。さ
らには経済的に有利な塗布方式を採用できるという特徴
を特徴する特許出願人 東洋インキ製造株式会社代
理 人 弁理士 小林 正明
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 高密度エネルギー照射によって状態変化を生じさせ記
録を行う情報記録媒体において、透明基板上に一般式[
I ] ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、X_1ないしX_4はそれぞれ独立に炭素原子
あるいは硫黄原子を表し、R_1ないしR_2_4はそ
れぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニ
トロ基、カルボン酸基、スルホン酸基、置換もしくは未
置換の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の芳香族
炭化水素基、置換もしくは未置換の芳香族複素環基、 −OR_2_5、−SR_2_6、▲数式、化学式、表
等があります▼、▲数式、化学式、表等があります▼▲
数式、化学式、表等があります▼、−NHCOR_3_
3、−CO_2R_3_4、−N=N−R_3_5、R
_3_6(YCH_2CH_2)_lZ−を表し、(こ
こでR_2_5ないしR_3_6は水素原子、置換もし
くは未置換の脂肪族炭化水素基、置換もしくは未置換の
芳香族炭化水素基、または置換もしくは未置換の芳香族
複素環基を表し、Y及びZはそれぞれ独立に酸素原子ま
たは硫黄原子を表し、lは1〜20の正の整数を表す。 ) Mはハロゲン原子、酸素原子、■OR_3_7)_m、
あるいは■OSiR_3_8R_3_9R_4_0)_
nを有してもよい金属原子、または水素原子を表す (ここでR_3_7ないしR_4_0はR_1ないしR
_2_4と同じ意味を表し、mおよびnはいずれも0、
1または2を表す。)]、 のチオナフタロシアニン系化合物の少なくとも1種を含
有する記録層が設けられていることを特徴とする光学記
録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62288349A JPH01130979A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 光学記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62288349A JPH01130979A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 光学記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01130979A true JPH01130979A (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=17729054
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62288349A Pending JPH01130979A (ja) | 1987-11-17 | 1987-11-17 | 光学記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01130979A (ja) |
-
1987
- 1987-11-17 JP JP62288349A patent/JPH01130979A/ja active Pending
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