JPH01125742A - 光ディスク製造用原盤 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、光ディスク製造用等に用いられる複数のレジ
スト層を有する基板に関する。

（技術的背景） 情報記録用光ディスクには、マスクリング工程で予め案
内溝（プレグルーブ）を設け、かつプリフォーマット信
号（プレピット）を入れておくことが必要とされている
。反射率特性上プレグルーブの深さは　６００〜８００
人、プレピットの深さは１２００−１５００人が適当と
されている。

従って、情報記録用光ディスクのスタンバを製作するた
めのガラス原盤上のフォトレジスト層にも夫々対応した
深さのプレグルーブ対応溝とプレピット対応溝とを形成
しておかねばならない。そのため光ディスクのプレグル
ーブに対応する溝とプレピットに対応する溝とが形成さ
れるフォトレジスト層の部分では現像の進行度を違えて
おく必要がある。

しかし、広い面積にわたり均一にしかも再現性良く現像
進行度を制御することは至難の業である。

（従来の技術） このような困難を解決するため特開昭８２−８４４５０
号公報には感光特性の異る２層のフォトレジスト膜層を
尊板上に重ねて形成することが開示されている。即ちガ
ラス基板上に低感度のフォトレジスト層を第１層（下層
）とし、その上に上層として高感度のフォトレジスト層
を形成する。

これらフォトレジスト層を表面から露光すると。

露光量の小さい部分（光ディスクのプレグルーブに対応
する溝が形成される部分）では上層の高感度層しか感光
せず、一方露光量の大き７い部分（光ディスクのプレピ
ットに対応する溝が形成される部分）では上層の高感度
層と下層の低感度層とが共に感光するので現像すれば異
った深さのプレグルーブ対応溝とプレピット対応溝とを
同時に実現できるというものである。

（発明が解決しようとする問題点） しかし、従来の技術による光ディスク製造用原盤は第３
図に示されるようなものであった。低感度フォトレジス
ト層２を形成しその上に高感度フォトレジスト層４を塗
布すること、及び低感度フォトレジスト層２と高感度フ
ォトレジスト層４とに同系統素材の使用が多いことによ
り、高感度フォトレジスト層４に含まれる溶媒は低感度
フォトレジスト層２の感光物や樹脂等のフォトレジスト
構成成分をも溶解し得る。そのため、せっかく形成され
ていた６００〜８００人の厚さの低感度フォトレジスト
層２（下層）は掻く短時間に溶解され高感度フォトレジ
スト層４と混合゛し漠然とした混合層（ないし相互拡散
層）Ｍが形成される。この混合層は当然ながら明確な境
界をもたずまた一様ではなく厚さ方向には連続的に変化
する感光度を示す。その結果、所定の大小異なる露光量
でこのフォトレジスト層を露光し現像した場合、異なる
所望の正確な深さの溝をフォトレジスト層に形成するこ
とは極めて困難であった。

本発明は上記従来の技術の問題点を解決した光ディスク
製造用原盤を提供することを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明によれば、基板上に形成され感度が異なる２以上
のアルカリ現像型レジスト層の間に、アルカリ溶液に可
溶であり前記レジスト層と干渉を生じない中間層を設け
たこと、を特徴とする光ディスク製造用原盤により上記
目的が達成できる。

好ましくは、中間層はアルカリ可溶の金属層とし、また
レジスート層はスピン塗布法により形成し、中間層は気
相折着法により形成する。

感度が異なる２以上のレジスト層の間に該２以上のレジ
スト層と混合ないし拡散又は浸蝕等の干渉を生じない中
間層が設ｉられているため、該２以上のレジスト層が混
合ないし拡散せず明確な境界を持つ。

アルカリ現像型レジスト層は光等で感応（又は非感応）
した部分（パターン）のみがアルカリ溶液で現像されて
耐蝕性層となって残留するので。

アルカリ溶液に溶解して消失した上層のレジスト層部分
の下部に接していた中間層部分はアルカリ溶液と接する
ことになりアルカリ溶液に溶ける（中間層の残余部分、
即ち、耐蝕化した部分の下の部分はそのまま残・留する
）。従って溶解した中間層部分の下部にある下層のレジ
スト層部分もアルカリ溶液と接するのでその部分が予め
非感応（又は感応）パターンとして形成されていれば腐
蝕される。

（好適な実施態様） 中間層の厚さは、少くとも感度の異なるレジスト層の混
合を防止できる程度の厚さで設ける。

中間層の厚さは所定時間内にその溶解（エツチング）が
進行するよう適宜定める。フォトレジスト層に対する場
合、中間層は例えば３０〜５００人（より好ましくは５
０〜１５０人）の厚さとする。

中間層はアルカリ溶液可溶の金属層、セラミックス層が
好ましく金属層としてはＡｊ！　＊　Ｓ　ｕ　。

Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ等、特にＡＪが好ましい。レジスト層
は、光（紫外線等）、Ｘ線、イオンビーム又は電子線等
の照射線に感応しアルカリ溶液で現像できるポジ型又は
ネガ型のレジスト層で良い。

レジスト層と中間層との間の干渉を防止し、各層の厚さ
及び境界の一様化のために、中間層をレジスト層と異っ
た方法で形成することが好ましい。

好ましくは中間層を蒸着法、イオンビームスパッタ法等
の気相析着法で形成する。

本発明の光ディスク製造用原盤の製造例を概説すれば次
のようになる。まず、スピン塗布法によりガラス基板に
アルカリ溶液で現像できる低感度フォトレジスト層を約
７００人の厚さで設ける。次に蒸着法により該低感度フ
ォトレジスト層の表面に厚さ約１００人のＡＩ中間層を
設ける。最後に再度スピン塗布法により該Ａで中間層の
表面に前記低感度フォトレジスト層よりも高感度である
高感度フォトレジスト層を７００人の厚さで設ける。

感度の夫々異なる３以上のレジスト層を２以上の中間層
を介して設けることができ、さらに前記３以上のレジス
ト層を感度類に設けることもできる。

アルカリ溶液で現像できるアルカリ現像型のフォトレジ
ストとしては、キノンジアジド系感光物とノボラック樹
脂から成るレジストがある。

（実施例） 本発明の実施例を図面により説明する。

第１図には本発明の一実施例の光ディスク製造用原盤（
未現像）の断面が示されている。

ガラス基板１にはキノンジアジド系感光物とノボラック
樹脂とから成る低感度フォトレジスト層２が７００人の
厚さで形成され、低感度フォトレジスト層２と接してＡ
Ｊ中間層３が１００人の厚さで形成され、Ａｌ中間層３
と接してキノンジアジド系感光物とノボラック樹脂とか
ら成り前記低感度フォトレジスト層２よりも高感度であ
る高感度フォトレジスト層４が７００人の厚さで形成さ
れている。

低感度フォトレジスト層２及び高感度フォトレジスト層
４は、夫り波長３００〜５００ｎ寵の光を所定量露光さ
れると露光部分がアルカリ性溶液に可溶になる。低感度
フォトレジスト層２がアルカリ性溶液に可溶となるため
には、高感度フォトレジスト層４がアルカリ性溶液に可
溶となるために必要とする露光量よりも大きな光量を必
要とする。

Ａ１中間層３はアルカリ性溶液に可溶であるが、低感度
フォトレジスト層２及び高感度フォトレジスト層４が含
有する溶媒には侵されない。

従って、低感度フォトレジスト層２及び高感度フォトレ
ジスト層４が同系統の素材により構成されていて互いの
層が混合し渾然一体となってしまうような場合であって
も、Ａｌ中間層３は低感度フォトレジスト層２と高感度
フォトレジスト層４とを混合させることなく明確に分離
する。

第２−ａ図及び第２−ｂ図には、第１図に示された光デ
ィスク製造用原盤のフォトレジスト層に、光ディスクの
プレグルーブ及びプレピットに対応し深さの異なる溝を
形成する過程（露光現像工程）が示されている。即ち、
第２−ａ図は露光時の断面図、第２−ｂ図は現像後の断
面図である。

光ディスクのプレグルーブに対応する溝が形成されるフ
ォトレジスト層部分は、高感度フォトレジスト層４のみ
が感光する程度の小光量のレーザ光５で露光され、光デ
ィスクのプレピットに対応する溝が形成されるフォトレ
ジスト層部分は、高感度フォトレジスト層４と低感度フ
ォトレジスト層２とが感光する程度の大光量のレーザ光
６で露光される。感光部はアルカリ性溶液たる無機アル
カリ系現像液に可溶となり、またＡｊ２中間層３も無機
アルカリ系現像液に可溶であるから、無機アルカリ系現
像液に浸して現像すると第２−ｂ図に示されたようにな
る。前記レーザ光５又は６で感光した高感度フォトレジ
スト層感光部は該現像液に溶解する。高感度フォトレジ
スト層感光部が溶解することにより該現像液と接するこ
とになるＡ（中間層部分も該現像液に溶ける。該Ａｆ！
中間層部分が溶けることにより該現像液は低感度フォト
レジスト層に達する。低感度フォトレジスト層の感光部
は該現像液に接すると溶解する。このようにして、高感
度フォトレジスト層感光部とＡぶ中間層とが溶けてプレ
グルーブ対応溝７が形成され、高感度フォトレジスト層
感光部とＡ℃中間層と低感度フォトレジスト層感光部と
が溶けてプレピット対応溝８が形成される。

（製造例） エチルセルソルブアセテートを主成分とする溶媒にキノ
ンジアジド系感光物とノボラック樹脂とを溶解して成る
低感度フォトレジスト液をスピン塗布法によりガラス基
板１の表面に塗布して厚さ７００人の低感度フォトレジ
スト層２を形成する。

低感度フォトレジスト層２を表面に形成したガラス基板
１は１００℃で３０分間オーブンにより乾燥される。

ガラス基板１の表面に形成された低感度フォトレジスト
層２の表面に蒸着法によりＡＡを蒸着して厚さ　１００
人のＡｌ中間層３を形成する。また。

Ａｌ中間層３はイオンビームスパッタ法によす形成する
こともできる。

エチルセルソルブアセテートを主成分とする溶媒にキノ
ンジアジド系感光物とノボラック樹脂とを溶解して成る
高感度フォトレジスト液をスピン塗布法により前記Ａｌ
中間層３の表面に塗布して厚さ　７００人の高感度フォ
トレジスト層４（前記低感度フォトレジスト層２より高
感度）を形成する。このように低感度フォトレジスト層
２．Ａｌ中間層３及び高感度フォトレジスト層４が形成
されたガラス基板１は、１００℃で３０分間オーブンに
より乾燥され２本発明の一実施例である未露光−未現像
の光ディスク製造用原盤を得る。

（比較試験） 比較試験用原盤 高感度フォトレジスト層を７５０人の厚さにしＡＪ中間
層を設けない以外は前記本発明の製造例と同様にして製
造した原盤。

試験方法 本発明の前記製造例により製造した原盤と前記比較試験
用原盤とを同一露光条件で露光（４８８ｎｍ又は４４２
ｎｓ等の波長）して現像し、双方の原盤にプレグルーブ
対応溝及びプレピット対応溝を形成する。双方の原盤か
らスタンパを製作し、夫々、射出成形機によりプレグル
ーブ及びプレピット入り樹脂基板を成形し、該樹脂基板
の反射率特性を求める。

試験結果 本発明の前記製造例により製造した原盤から製造された
樹脂基板の反射率特性を求めたところ。

樹脂基板全面にわたり十分な反射率特性が得られた。

比較試験用原盤から製造された樹脂基板の反射率特性を
求めたところ、プレグルーブのプッシュプルの信号が弱
く、樹脂基板内での反射率特性のバラツキも大きかった
。

（発明の効果） 本発明の光ディスク製造用原盤によれば、該原盤のレジ
スト層全面にわたり所望の場所に所望の精密な深さで精
密な寸法の孔ないし溝を形成できる。従って、所望の場
所に所望の精密な深さで精密な寸法の孔ないし溝が形成
された光ディスクを製造できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例の光ディスク製造用原盤の断
面図、第２−ａ図及び第２−ｂ図は本発明の一実施例の
光ディスク製造用原盤に溝を形成する過程を示す断面図
、第３図は従来の光ディスク製造用原盤の断面図である
。 第１図 第２−０図 第２−ｂ居

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. （１）基板上に形成され感度が異なる２以上のアルカリ
   現像型レジスト層の間に、アルカリ溶液に可溶であり前
   記レジスト層と干渉を生じない中間層を設けたことを特
   徴とする光ディスク製造用原盤。
2. （２）前記中間層がアルカリ可溶の金属層であることを
   特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光ディスク製造
   用原盤。
3. （３）前記レジスト層はスピン塗布法により形成され、
   前記中間層は気相析着法により形成されることを特徴と
   する特許請求の範囲第１項又は第２項記載の光ディスク
   製造用原盤。