JPH01125014A - 保護回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明はＭＯ８ＬＳＩ等の半導体集積回路装置における
入出力保護用の保護回路に関するも・のである。

〈従来の技術〉 従来は外部からのノイズ減衰用として抵抗（拡散又はポ
リシリコン抵抗）を入れ、さらにダイオードを付加する
のが通例であり、第２図の通りである。

〈発明が解決しようとする問題点〉 従来の保護回路は第２図の通りであるが、静電耐量、ラ
ッチアップ耐量が低く、製品としての価値をも脅かす問
題となっている。

く問題点を解決するための手段〉 本発明は信号ラインから全方向にフィールトド〈い、ゲ
ート破壊電圧の高いトランジスタ）を入れることにより
、信号ラインからそれぞれの電位間ノイズに対応し、内
部回路を保護するものである０ 〈実施例〉 この発明に係る保護回路は第１図の通りであり、ｇＩＪ
２図の従来保護回路に、全方向のフィールドトランジス
タＴｒ！＋　Ｔｒｌｔ　Ｔｒ３１　Ｔｒ４を入れること
により、ノイズによる静電破壊、ラッチアップ防止とし
て、トランジスタのオンされる電位で回路を保護する０
信号ラインとＶＤＤ間、信号ラインとＧＮＤ間という考
え方では、Ｔｒｌｔ　Ｔｒｚのみでよいはずであるが、
ノイズはどの位置を基準に入るか分から彦いため、全方
向でトランジスタがオンするようにＴ　ｒ３＊　Ｔ　ｒ
　４　カある。

〈発明の効果〉 本発明により従来の保護回路を更に強化することができ
、ノイズの減衰、延てはノイズカットをはかることがで
きるものであり、静電破壊、ラッチアップ防止に極めて
有効である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る保護回路の構成図、第２図は従来
の保護回路の構成図である。 符号の説明 Ｔｒｘ　、Ｔｒｚ　＊　ＴｒＢ　＊　Ｔｒ＜　：　７　
イールドトランジスタ。 代理人　弁理士　杉　山　毅　至（他１名）第１図 第２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、信号ラインから全方向にフィールドトランジスタを
   入れることを特徴とする保護回路。