JPH01112251A - 電子写真用感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、特定の重合体を含有した保護層を有する電子
写真用感光体の改良に関する。

〔従来技術〕

従来より導電性支持体上に電荷発生層及び電荷移動層を
その順に積層したいわゆる機能分離型の電子写真用感光
体は知られている。

しかしながら、一般にこの種の感光体の電荷移動層には
、成膜性樹脂としてポリカーボネート、ポリメチルメタ
クリレート、あるいはポリスチレンなどの成膜樹脂が用
いられており、しかも重量比で半分以上の低分子量の電
荷移動物質が使用されているため、層が柔らかくなり、
耐摩耗性や耐損傷性が低下し耐久性に劣るという欠点が
あった。

このため、電荷移動物質の使用量を低減するとか電荷輸
送層を二層構成とし、表面層に樹脂成分の多い電荷輸送
層を設ける方法も提案されているが、これらの方法は必
ずしも耐久性を満足するものではなかった。

〔目　　的〕

本発明は、耐摩耗性や耐損傷性に優れ、かつ残留電位の
蓄積や帯電性の劣化がない耐久性に優れた電子写真用感
光体を提供することを目的とする。

〔構　　成〕

本発明によれば、導電性支持体上に電荷発生層、電荷移
動層及び保護層を順次設けた電子写真用感光体において
、該保護層に下記一般式（１）で示される単量体からな
る重合体及び／又は下記一般式（１）で示される単量体
と他の共重合し得る化合物との共重合体化合物を含有さ
せたことを特徴とする電子写真用感光体が提供される。

（Ｒ１，Ｒ，、Ｒ３；水素、ハロゲン、炭素数１〜５の
置換又は非置換のアルキル基、炭素数１〜５のアルコキ
シ基、置換又は非置換のアリール基 ｎ；１〜５の整数） 本発明において、保護層に含有させる樹脂は、前記一般
式（１）で示される単量体を繰返し単位とするポリビニ
ルトリフェニルアミン誘導体又はこのものと共重合可能
な単量体との共重合体である。

このポリビニルトリフェニルアミン誘導体は、たとえば
、トリフェニルアミン誘導体をビルスマイヤー反応でホ
ルミル化し、ついでこのホルミル基をウィテイヒ反応に
付して前記一般式（１）で示されるビニルトリフェニル
アミン誘導体を合成し、その後該単量体をアゾビスイソ
ブチロニトリル等の重合開始剤の存在下で重合させるこ
とによって得られる。

また、一般式（Ｉ）で示される単量体とこのものと共重
合可能な単量体との共重合体を得るには、たとえば前記
で得たビニルトリフェニルアミン誘導体〔一般式（■）
〕とたとえばビニル系化合物のような共重合可能な単量
体とをアゾビスイソブチロニトリル等の重合開始剤の存
在下で重合させればよい。この場合、一般式（１）で示
される単量体とこのものと共重合可能な単量体との配合
割合に特別な制約はないが、一般式（１）で示される単
量体１重量部に対して共重合可能な単量体を０．１〜２
重量部用いることが望ましい。

共重合可能な単量体の配合量が０．１重量部未満である
と接着強度、成膜性及び耐摩耗性に劣り、またその配合
量が２重量部を超えると正孔移動性が悪くなり残留電位
の上昇や感度の低下をもたらす。

本発明で用いる前記重合体及び共重合体は硬く、成膜性
に優れるうえ光キャリアの移動性が他の樹脂に比べて高
いため残留電位の蓄積を防止する機能を有し、感光体の
電気的耐久性を著しく向上させる。

本発明の保護層には、耐摩耗性の観点から添加剤として
ポリテトラフロロエチレン樹脂、フッ素系樹脂、シリコ
ーン樹脂を添加し、摩擦系数を下げ耐摩耗性並びに耐傷
化性の向上を図ることができ、また酸化チタン、酸化錫
、チタン酸カリウムの無機化合物を前述樹脂中に分散し
ても耐摩耗性が向上する。この保護層の膜厚は０．５〜
１０μｍ、好ましくは１〜５μｍである。

前記重合体化合物を構成する単量体としては、例えば下
記に示される化合物が挙げられる。

〔一般式（１）で示される単量体の例〕ビニルトリフェ
ニルアミン、４，４′−ジメチルジビニルトリフェニル
アミン、４，４′−ジメトキシジビニルトリフェニルア
ミン、４，４′−ジエチルジビニルトリフェニルアミン
、４−クロル−４′−ビニルトリフェニルアミン、４，
４′−ジクロル−４″−ビニルトリフェニルアミン、４
．４′−ジベンジルジビニルトリフェニルアミン、３，
３′−ジメチルジビニルトリフェニルアミン、４．４’
−Ｎ、Ｎ’−ジメチルアミノジビニルトリフェニルアミ
ン、２，２′−ジメチルジビニルトリフェニルアミン、
４−Ｎ−ジメチルアミノジビニルトリフェニルアミン、
４−Ｎ−ベンジルアミノ−４′−ビニルトリフェニルア
ミン、４−Ｎ、Ｎ’−ジベンジルアミノ−４″−ビニル
トリフェニルアミン、４−Ｎ−フェニルアミノ−４′−
ビニルトリフェニルアミン、４−Ｎ−ベンジルアミノ−
４′−ビニルトリフェニルアミン等。

〔−数式（Ｉ）の単量体と共重合可能な単量体の例〕必
要に応じて共重合させられる他の付加重合性不飽和化合
物は、例えばアクリル酸エステル類、アクリルアミド類
、メタクリル酸エステル類、メタクリルアミド類、アリ
ル化合物、ビニルエーテル類、ビニルエステル類、スチ
レン類、クロトン酸エステル類などがあり、付加重合性
不飽和結合を１個有する化合物から選ばれる。具体的に
は、例えばアクリル酸エステル類、例えばアルキルアク
リレート（例えばアクリル酸メチル、アクリル酸エチル
、アクリル酸プロピル、アクリル酸ブチル、アクリル酸
アミル、アクリル酸エチルヘキシル、アクリル酸オクチ
ル、アクリル酸−ｔ−オクチル、クロルエチルアクリレ
ート、グリシジルアクリレート、メタグリシジルアクリ
レート、トリフロロエチルアクリレート、シクロへキシ
ルアクリレート、２−メトキシエチルアクリレート、２
−エトキシエチルアクリレート、２−ブトキシエチルア
クリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、ジメ
チルアミノエチルアクリレート、ジエチルアミノエチル
アクリレート、ジー（ｎ−ブチル）アミノエチルアクリ
レート、ジー（ｔ−ブチル）アミノエチルアクリレート
、Ｎ−（ｔ−ブチル）アミノエチルアクリレート、ベン
ジルアクリレート、メトキシベンジルアクリレート、フ
ルフリルアクレート、テトラヒドロフルフリルアクリレ
ートなど）；アリールアクリレート（例えばフェニルア
クリレートなど）；メタクリル酸エステル酸、例えば、
アルキルメタアクリレート（例えばメチルメタクリレー
ト、エチルメタクリレート、プロピルメタクリレート、
イソプロピルメタクリレート、アミルメタクリレ−１〜
、ヘキシルメタクリレート、シクロへキシルメタクリレ
ート、ベンジルメタクリレート、クロルベンジルメタク
リレート、オクチルメタクリレート、グリシジルメタク
リレート、メタグリシジルメタクリレート、トリフロロ
エチルメタクリレート、２−メトキシエチルメタクリレ
ート、２−エトキシエチルメタクリレート、２−ブトキ
シエチルメタクリレート、２−フェノキシエチルメタク
リレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、シェ
アー チルアミノエチルメタクリレート、ジー（ｎ−ブチル）
アミノエチルメタクリレート、ジー（ｔ−ブチル）アミ
ノエチルメタクリレート、Ｎ−（ｔ−ブチル）アミノエ
チルメタクリレート、フルフリルメタクリレート、テト
ラヒドロフルフリルメタアクリレートなど）、アリール
メタクリレート（例えば、フェニルメタクリレートなど
）ニアクリルアミド類、例えばアクリルアミド、Ｎ−ア
ルキルアクリルアミド（該アルキル基としては、例えば
メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ｔ−ブチ
ル基、ヘプチル基、オクチル基、シクロヘキシル基、ヒ
ドロキシエチル基、ベンジル基などがある。）、Ｎ−ア
リールアクリルアミド（該アリール基としては、例えば
フェニル基、トリル基、ニトロフェニル基、ナフチル基
、ヒドロキシフェニル基などがある。）、Ｎ、Ｎ−ジア
ルキルアクリルアミド（該アルキル基としては、メチル
基、エチル基、ブチル基、イソブチル基、エチルヘキシ
ル基、シクロヘキシル基などがある。）、Ｎ、Ｎ−ジア
リールアクリルアミド（該アリール基としては、例えば
フェニル基などがある。）、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニル
アクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチル−Ｎ−メチルア
クリルアミド、Ｎ−２−アセトアミドエチル−Ｎ−アセ
チルアクリルアミドなど；メタクリルアミド類、例えば
メタクリルアミド、Ｎ−アルキルメタクリルアミド（該
アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｔ−ブチル
基、エチルヘキシル基、ヒドロキシエチル基、シクロヘ
キシル基などがある）、Ｎ−アリールメタクリルアミド
（該アリール基としては、フェニル基などがある。）、
Ｎ、Ｎ−ジアルキルメタクリルアミド（該アルキル基と
しては、エチル基、プロピル基、ブチル基などがある。

）、Ｎ、Ｎ−ジアリールメタクリルアミド（該アリール
基としては、フェニル基などがある。）、Ｎ−ヒドロキ
シエチル−Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−エチル
−Ｎ−フェニルメタクリルアミドなど；アリル化合物、
例えばアリルエステル類（例えば酢酸アリル、カプロン
酸アリル、カプリル醸アリル、ラウリン酸アリル、パル
ミチン酸アリル、ステアリン酸アリル、安息香酸アリル
、アセトン酢酸アリル、乳酸アリルなど）、アリルオキ
シエタノールなど；ビニルエーテル類、例えばアルキル
ビニルエーテル （例えばヘキシルビニルエーテル、オクチルビニルエー
テル、デシルビニルエーテル、エチルヘキシビニルエー
テル、メトキシエチルビニルエーテル、エトキシエチル
ビニルエーテル、クロルエチルビニルエーテル、１−メ
チル−２，２−ジメチルプロピルビニルエーテル、２−
エチルブチルエーテル、ヒドロキシエチルビニルエーテ
ル、ジエチレングリコールビニルエーテル、ジメチルア
ミノエチルビニルエーテル、ジエチルアミノエチルビニ
ルエーテル、ブチルアミノエチルビニルエーテル、ベン
ジルビニルエーテル、テトラヒドロフルフリルビニルエ
ーテルなど）、ビニルアリールエーテル（例えばビニル
フェニルエーテル、ビニルトリルエーテル、ビニルクロ
ルフェニルエーテル、ビニル−２，４−ジクロルフェニ
ルエーテル、ビニルナフチルエーテル、ビニルアントラ
ニルエーテルなど）；ビニルエステル類、例えばビニル
ブチレート、ビニルイソブチレート、ビニルトリメチル
アセテート、ビニルジエチルアセテート、ビニルバレレ
ート、ビニルカプロエート、ビニルクロルアセテート、
ビニルジクロルアセテート、ビニルメトキシアセテート
、ビニルブトキシアセテート、ビニルフェニルアセテー
ト、ビニルアセトアセテート、ビニルラクテート、ビニ
ル−β−フェニルブチレート、ビニルシクロヘキシルカ
ルボキシレート、安息香酸ビニル、サリチル酸ビニル、
クロル安息香酸ビニル、テトラクロル安息香酸ビニル、
ナフトエ酸ビニルなど；スチレン類、例えばスチレン、
アルキルスチレン（例えばメチルスチレン、ジメチルス
チレン、トリメチルスチレン、エチルスチレン、ジエチ
ルスチレン、イソプロピルスチレン、ブチルスチレン、
ヘキシルスチレン、シクロへキシルスチレン、デシルス
チレン、ベンジルスチレン、クロルメチルスチレン、ト
リフルオルメチルスチレン、エトキシメチルスチレン、
アセトキシメチルスチレンなど）、アルコキシスチレン
（例えばメトキシスチレン、４−メトキシ−３−メチル
スチレン、ジメトキシスチレンなど）、ハロゲノスチレ
ン（例えばクロルスチレン、ジクロルスチレン、トリク
ロルスチレン、テトラクロルスチレン、ペンタクロルス
チレン、ブロムスチレン、ジブロムスチレン、ヨードス
チレン、フルオルスチレン、トリフルオルスチレン、２
−ブロム−４−トリフルオルメチルスチレン、４−フル
オル−３−トリフルオルメチルスチレンなど）：クロト
ン酸エステル類、例えば、クロトン酸アルキル（例えば
クロトン酸ブチル、クロトン酸ヘキシル、グリセリンモ
ノクロトネートなど）：イタコン酸ジアルキル類（例え
ばイタコン酸ジメチル、イタコン酸ジエチル、イタコン
酸ジブチルなど）：マレイン酸あるいはフマール酸のジ
アルキル類（例えばジメチルマレレート、ジブチルフマ
レートなど）等がある。その他、アクリロニトリル、メ
タクリロニトリル、アクリル酸、メタクリル酸なども用
いることができる。ただし１分子に２個以上の重合性ビ
ニル基を有する多官能付加重合性不飽和重合物は望まし
くない。

つぎに、本発明で用いられる各構成材料について説明す
る。

導電性支持体とは、帯電電荷と逆極性の電荷を基体側に
供給することを目的とするものであって、電気抵抗が１
０８Ωｃｍ以下で、かつ電荷発生層、電荷移動層更には
下引層の成膜条件に耐えられるものを使用することがで
きる。これらの例としては、ＡＱ、Ｎｉ、Ｃｒ％Ｚｎ、
ステンレス等の電気伝導性の金属および合金並びにガラ
ス、セラミックス等の無機絶縁物質およびポリエステル
、ポリイミド、フェノール樹脂、ナイロン樹脂、紙等の
有機絶縁性物質の表面を、真空蒸着、スパッタリング、
吹付塗装等の方法によって、Ａ　Ｑ　、　Ｎｉ、Ｃｒ、
Ｚｎ、ステンレス、炭素、５ｎ０２、Ｉｎ２Ｏ３等の電
気導電性物質を被服して導電処理を行なったもの等があ
げられる。

また、本発明の電荷発生層は、電荷発生物質とバインダ
ーから構成される。

このような樹脂バインダーとしては、ポリスチレン、ス
チレン−アクリロニトリル共重合体、スチレン−ブタジ
ェン共重合体、スチレン−無水マレイン酸共重合体、ポ
リエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル
共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリカーボネート
、酢酸セルロース４ＩＩｔ脂、エチルセルロース樹脂、
ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリビ
ニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、アクリ
ル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、
ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂等の熱
可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。

バインダー樹脂は、その総量として電荷発生物質１００
重量部に対して０．０１〜２００重量部用いるのが適当
であり、好ましくは１〜５０重量部である。また、前記
重合体及び／又は共重合体は電荷発生物質１００重量部
に対して少なくとも０．０１重量部、好ましくは１重量
部以上含有させることが必要である。

電荷発生物質としては、例えば、シーアイピグメントブ
ルー２５〔カラーインデックス（ＣＩ）２１１８０）、
シーアイピグメントレッド４１（ＣＩ　２］、２００）
、シーアイアシッドレッド５２（ＣＩ　４５１００）、
シーアイベーシックレッド３（ＣＩ　４５２１０）、さ
らに、ポリフィリン骨格を有するフタロシアニン系顔料
、アズレニウム塩顔料、スクアリック塩顔料、カルバゾ
ール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−９５０３３号
公報に記載）、スチルスチルベン骨格を有するアゾ顔料
（特開昭５３−１．３８２２９号公報に記載）、トリフ
ェニルアミン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５３−１３
２５４７号公報に記載）、ジベンゾチオフェン骨格を有
するアゾ顔料（特開昭５４−２１７２８号公報に記載）
、オキサジアゾール骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４
−１２７４２号公報に記載）、フルオレノン骨格を有す
るアゾ顔料（特開昭５４−２２８３４号公報に記載）、
ビススチルベン骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−１
７７３３号公報に記載）、ジスチリルオキサジアゾール
骨格を有するアゾ顔料（特開昭５４−２１２９号公報に
記載）、ジスチリルカルバゾール骨格を有するアゾ顔料
（特開昭５４−１７７３４号公報に記載）、カルバゾー
ル骨格を有するトリアゾ顔料（特開昭５７−１９５７６
７号公報、同５７−１９５７６８号公報に記載）等、さ
らに、シーアイピグメントブルー１６（ｃ：ｔ　７４１
００）等のフタロシアニン系顔料、シーアイバットブラ
ウン５（ＣＩ　７３４１０）、シーアイバットダイ（Ｃ
Ｉ　７３０３０）等のインジゴ系顔料、アルゴスカーレ
ットＢ（バイオレット社製）、インダスレンスカーレッ
トＲ（バイエル社製）等のペリレン系顔料等の有機顔料
を使用することかできる。

これら電荷発生物質の中でも特にアゾ顔料が好適であり
、更にアゾ顔料の中でも以下に示すジスアゾ顔料あるい
はトリスアゾ顔料が最も好ましい。

アゾ顔料の具体例を以下に示す。

υ １且長　　　　　　　　　Ａ Ｏ −１９＝ ＝２３− 電荷発生層の膜厚は、０．０５〜５μｍ程度が適当であ
り、好ましくは０．１〜２μｍである。

電荷発生層は、適当な溶剤に樹脂バインダーおよび電荷
発生物質を溶解ないし分散し、これを塗布、乾燥するこ
とによって形成できる。溶剤として、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、塩化メチレン、ジクロルエタン、モノク
ロルベンゼン、ジクロルベンゼン、酢酸エチル、酢酸ブ
チル、メチルエチルケトン、ジオキサン、テトラヒドロ
フラン、シクロヘキサノン、メチルセロソルブ、エチル
セロソルブなどを単独または混合して用いることができ
る。

電荷移動層は、電荷移動物質および樹脂パイン＝３２− ダーを適当な溶剤に溶解ないし分散し、これを導電性基
体」二等に塗布、乾燥することにより形成できる。また
、必要により可塑剤やレベリング剤等を添加することも
できる。

電荷移動物質としては、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール
およびその誘導体、ポリーγ−カルバゾリルエチルグル
タメートおよびその誘導体、ピレン−ホルムアルデヒド
縮合物およびその誘導体、ポリビニルピレン、ポリビニ
ルフェナントレン、オキサゾール誘導体、オキサジアゾ
ール誘導体、イミダゾール誘導体、トリフェニルアミン
誘導体、９−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）アントラ
セン、］、　、　］１．−ビスー４−ジベンジルアミノ
フェニル）プロパン、スチリルアントラセン、スチリル
ピラゾリン、フェニルヒドラゾン類、α−フェニルスチ
ルベン誘導体等の電子供与性物質が挙げられる。

樹脂バインダーとしては、前記電荷発生層で用いたポリ
スチレン、スチレン−アクリロニトリル共重合体、スチ
レン−ブタジェン共重合体、スチレン−無水マレイン酸
共重合体、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル
−酢酸ビニル共重合体、ポリ酢酸ビニル、ポリ塩化ビニ
リデン、ポリアクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリ
カーボネート、酢酸セルロース樹脂、エチルセルロース
樹脂、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、
ポリビニルトルエン、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、
アクリル樹脂、シリコン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン
樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂、アルキッド樹脂
等の熱可塑性または熱硬化性樹脂が挙げられる。

このときの溶剤としては、テトラヒドロフラン、ジオキ
サン、トルエン、モノクロルベンゼン、ジクロルエタン
、塩化メチレン等が使用できる。

電荷移動層の厚さは、５〜３０μｍ、好ましくは１０〜
２５μｍ程度が適当である。

更に、本発明においては、導電性支持体と感光層の間に
必要により下引層を設けることができる。

光散乱性下引層及び光吸収性下引層は前述の様にプリン
ター用感光体における光干渉防止を目的とする層である
。光散乱性下引層は、例えば酸化スズ、酸化アンチモン
等の導電性粉体と酸化亜鉛、硫化亜鉛、酸化チタン等の
白色顔料とを下記の様な熱硬化性樹脂中に分散して構成
さ九、また光吸収性下引層は、例えば炭素、各種金属等
の導電性光吸収性顔料及び／又は光吸収性有機顔料を同
様な熱硬化性樹脂中に分散して構成される。ここで使用
される熱硬化性樹脂は例えば、活性水素（−ＯＨ基、−
ＮＨ２基、−ＮＨ基等の水素）を複数個含有する化合物
とイソシアネート基を複数個含有する化合物及び／又は
エポキシ基を複数個含有する化合物とを熱重合させたも
のである。活性水素を複数個含有する化合物としては、
例えばポリビニルブチラール、フェノキシ樹脂、フェノ
ール樹脂、ポリアミド、ポリエステル、ポリエチレング
リコール、ポリプロピレングリコール、ポリブチレンゲ
リコール、ヒドロキシエチルメタアクリレート基等の活
性水素を含有するアクリル系樹脂、アルコール可溶ナイ
ロン、メチロールナイロン等のポリアミド化合物等があ
げられる。インシアネーＩ・基を複数個含有する化合物
としては、たとえば、トリジンジイソシアネート、ヘキ
サメチレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソ
シアネート等とこれらのプレポリマー等があげられ、エ
ポキシ基を複数有する化合物としては、ビスフェノール
Ａ型エポキシ樹脂等があげられ、ポリアミドとしては８
−ナイロン等があげられる。

いずれにしても光散乱性又は光吸収性下引層は以上の様
な成分を溶解又は分散した液を基体上に塗布し、５０〜
２００℃で熱重合させて形成される。なおこの下引層の
厚さは０．０５〜２０μｍが適当である。

また導電性粉末と白色顔料と前記熱硬化性樹脂との重量
比は２〜６／１〜５／２〜６が適当であり、また光吸収
性顔料と前記熱硬化性樹脂との重量比は４〜９７１〜６
が適当である。

〔効　　果〕

本発明の電子写真用感光体は、保護層に前記−数式（１
）で示される単量体からなる重合体及び／又はその共重
合体を含有させたことから、耐摩耗性や耐損傷性に優れ
、しかも帯電と露光の繰り返しにおいても残留電位の上
昇や帯電電位が低下せず耐久性が著しく優れるという顕
著な作用効果を奏する。

〔実施例〕

以下、実施例により本発明の詳細な説明する。

なお、部及び２はいずれも重量基準である。

合成例１　〔ポリビニルトリフェニルアミンの合成〕（
４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルベンズアルデヒドの合成）三径
フラスコに氷水冷却下、ＤＭＦ１０５．２ｇ取り、撹拌
しなからオキシ塩化リン５５．２ｇを徐々に滴下してＶ
ｉｌｓｍｅｊｅｒ試薬を調整し１６〜１９℃でトリフェ
ニルアミン８８．１．、を加え、１時間反応させた後、
５０〜５５℃で５時間反応させ、２Ｑの水へ注ぎ１晩放
置した。１０％水酸化す１ヘリウムで中和後、口則し、
反応混合物を得た。これをエタノールで再結晶二回行い
、４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルベンズアルデヒドを得た。

ｍ、ｐ、１２８．５〜１３０℃、６７．２ｇ（収率６８
．１％）。

（ビニルトリフェニルアミンの合成） トリフェニルメチルホスフォニウムブロマイド３５．７
ｇ、無水エーテル２００ｍ　Ｑを５００ｍ　Ｑ凹径フラ
スコに取り、室温で撹拌しながらブチルリチウム１５ｗ
ｔ％ヘキサン溶液６０ｍ　Ｑを約５分で滴下してそのま
ま４時間撹拌した。ついで４−Ｎ、Ｎ−ジフェニルベン
ズアルデヒド３０ｇ、　ＴＨＦｌｏｏｍ　Ｑの溶液を滴
下した後４時間速流しながら反応させた。その後、冷却
し、日別し、口取したケーキをエーテル抽出し０液と一
緒にした後、０液を中性にして水洗した。ついで、エー
テル液を塩化カルシウムで脱水後、エーテルを除去した
。残分をシリカゲル、展開溶媒を１〜ルエンとするカラ
ムクロマトで分離し、エタノールで再結晶して針状、淡
黄色のビニルトリフェニルアミンを得た。ｍ　、　ｐ　
、　８８−９０　、５℃、収量５ｇ。

（重合） ビニルトリフェニルアミン７．８ｇ、トルエン３１．８
ｇをＬｏｏｍ　Ｑ口径フラスコに取り、またアゾビスイ
ソブチルニトリル０．０４７ｇを取り撹拌しながら、窒
素ガスを２０分間バブリングした後、８５°Ｃで４時間
、ついで１００℃で２時間撹拌して重合反応を行った。

冷却後、生成物をメタノール中に注ぎ沈殿させ淡黄色の
ポリビニルトリフェニルアミンを日別した。

収量５．７ｇ。このようにして得られた樹脂を樹脂Ａと
する。

合成例２ ビニルトリフェニルアミン２７．１．　ｇ　（０，１ｍ
ｏ１．）、ｎ−プチルメタクリレート７．１　ｇ　（０
，０５ｍｏｌ）、グリシジルメタクリレート７．１　ｇ
　（０，０５ｍｏｌ）、アゾビスイソブチロニトリル０
．２ｇ、シクロヘキサノン４０ｇ、ｎ−ブタノール７ｇ
を凹径フラスコに取り撹拌し、窒素をバブリングしなが
ら８２℃で３時間、８５℃で２時間、９０℃で２時間重
合反応させた。得られた重合体は無色透明の粘稠な液で
重合率９８％であった。

このようにして得られた樹脂を樹脂Ｂとする。

合成例３ ４．４′−ジメチル−４″−ビニルトリフェニルアミン
２９．９　ｇ　（０，１ｍｏ１．）、３−メタクリルプ
ロピルトリメトキシシラン１．２．４　ｇ　（０，０５
ｍｏｉ）、ｎ−ブチルメタクリレート７．１　ｇ　（０
，０５ｍｏｌ）をトルエン８０ｇ、ｎ−ブタノール３５
ｇ、アゾビスイソブチコニ１−リル０．２ｇを５００ｍ
　Ｑ口径フラスコに取り撹拌し窒素ガスをバブリングし
ながら８２℃で３時間、８５℃で２時間、９０℃で２時
間重合反応させて無色透明の共重体を得た。

重合率は９６％であった。

このようにして得られた樹脂を樹脂Ｃとする。

実施例１ ８０φ３４０ｍｍのアルミシリンダー上に下記の下引層
塗工液を浸漬法で乾燥物の膜厚が０．３μｍになる様に
塗工した。

〔下引層塗工液〕

ポリアミド樹脂（ＣＭ−８０００、東し社製）８０部メ
タノール　　　　　　　　　　　　　１５００部ｎ−ブ
タノール　　　　　　　　　　　　　５００部次いで、
上記下引層上に下記の電荷発生層塗工液を浸漬法で乾燥
後の膜厚が０．３μｍとなるように塗工し電荷発生層を
設けた。

〔電荷発生層塗工液〕

アゾ顔料（Ｎα１）２２部 シクロへキサノン　　　　　　　　　　　４４０部から
なる混合物をボールミルで７２時間粉砕分散後、シクロ
へキサノン６００部を加え再度２時間分散後、シクロヘ
キサノンとメチルエチルケトンの重量比１ニアの混合溶
媒１１ｏＯ部でレットダウンして電荷発生層塗工液とし
た。

次いでこの電荷発生層上に下記の電荷移動層塗工液を浸
漬法で乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように塗工し、電
荷移動層を設けた。

〔電荷移動層塗工液〕

ポリカーボネート（音大社製Ｃ−１４００）　　　２０
０部シリコンオイル（信越化学社製ＫＦ−５０）　　　
０．５部からなる混合物をジクロルメタン１６００部に
溶解したもの。

ついで、この電荷移動層上に前記で得た樹脂Ａの５％ト
ルエン溶液をスプレー法で乾燥後の膜厚が５μｍとなる
ように塗工して保護層を設け、本発明の電子写真用感光
体を作成した。

実施例２ 実施例１において、保護層塗工液の樹脂Ａを樹脂８５部
をシクロへキサノン４０部に希釈した溶液とし、その膜
厚を３μｍとした以外は実施例Ｉと同様にして本発明の
電子写真感光体を作成した。

実施例３ φ８０ｍｍ、３４０ｍｍのアルミシリンダーに下記下引
層塗工液を浸漬法で乾燥後の膜厚が４μｍとなるように
塗工して下引層を形成した。

〔下引層塗工液〕

酸化チタン（タイベーク、石原産業社製）１００部ポリ
アミド樹脂（ＣＭ−８０００、東し社製）　　　ｉｏｏ
部メタノール　　　　　　　　　　　　　４００部をボ
ールミルで７２時間分散し、メタノールとブタノールが
重量比でにの混合溶媒６００部を加え、再度２時間分散
後下引き層塗工液とした。

次いで、下記電荷発生層塗工液を調整し、上記下引層上
に浸漬法で塗工乾燥し膜厚０．２μｍの電荷発生層を設
けた。

〔電荷発生層塗工液〕

アゾ顔料（Ｎα３９）　　　　　　　　　　　　　４０
部ポリエステル樹脂　　　　　　　　　　　２０部（バ
イロン−２００東洋紡社製） シクロヘキサン　　　　　　　　　　　　５００部をボ
ールミルにて４８時間粉砕、分散し、シクロヘキサノン
とメチルエチルケトンが重量比で１：１の混合溶媒５０
０部を加え再度２４時間分散してシクロヘキサノンとメ
チルエチルケトンの混合溶媒１０００部でレットダウン
して電荷発生層液とした。

次いで、この電荷発生層上に下記電荷移動層塗工液を浸
漬法で塗工し乾燥後の膜厚が２０μｍの電荷移動層を設
けた。

〔電荷移動層塗工液〕

ポリカーボネート樹脂（Ｃ−１４００帝人社製）２００
部ジクロルメタン　　　　　　　　　　　　１６００部
シリコンオイル（ＫＦ−５０信越化学社製）０．５部つ
いで、この電荷移動層上に下記保護層塗工液をスプレー
法で塗工し、１３０℃で２０分間乾燥して膜厚３μｍの
保護層を設け、本発明の電子写真用感光体を作成した。

〔保護層塗工液〕

樹脂Ｃ１０部 ジメトキシメチルシラン　　　　　　　　１．５部ジブ
チル錫ラウレート　　　　　　　　　微量比較例１ 実施例１において、保護層を除いた以外は同様にして比
較例の電子写真用感光体を作成した。

比較例２ 実施例１において、保護層塗工液を下記のものに代え、
その膜厚を３μｍとした以外は実施例１と同様にして比
較例の電子写真用感光体を作成した。

〔保護層塗工液〕

トルエン　　　　　　　　　　　　　　　１５０部ブタ
ノール　　　　　　　　　　　　　　　５０部比較例３ 実施例１において、保護層塗工液を下記のものに代え、
その膜厚を２μｍとした以外は実施例】と同様にして比
較例の電子写真用感光体を作成した。

つぎに、前記で得た各種感光体を特開昭６０＝１００１
．６７号で示されている装置に装着し、１１０００ｒｐ
に回転させ、暗中−６ＫＶの電圧を放電し、２０秒間印
加した時の電位Ｖｍを求め、またその後放電をやめ２０
秒間暗減衰させその時の電位Ｖｏを測定した。更にタン
グステン光を２６Ｌｕｘの光量、スリットｒｌＪ６ｍｍ
で２０秒間照射してＶｏから半減する量Ｅ１／２．１／
１０になる量をＥｌ／１０として感度を求めた。

また、２０秒後の電位をＶ、とじた。その結果を表−１
に示す。

またこれら感光体を■リコー製ＦＴ−５５１０を負帯電
型に改良した機械に装着し、耐久試験を行った。

光量と帯電は暗部電位 （Ｖ　）８００Ｖ、暗部電位（ｖＬ）８０ｖニ設定した
。

その結果、実施例１〜３の電子写真感光体は１万枚の連
続試験の初期及び耐刷後も鮮明な画像を得る事ができ、
又、電気特性も変化のない安定なものであった。また、
感光体表面の摩耗は極めて少なかった。これに対し比較
例１〜３の電子写真感光体は初期は鮮明な画像が得られ
たものの、耐久試験後においては中間調画像で白スジや
黒スジの異常画像が発生し、また残留電位の上昇が激し
く、地肌カブリが生じた。また、これらの感光体を３０
℃、９０％の環境下で画像試験を行った結果、実施例１
〜３のものは鮮明な解像力に優れた画像が得られたが、
比較例１〜３のものは画像の鮮明性に欠け、細線画像が
ボケ、解像力の劣る画像しか得られなかった。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性支持体上に電荷発生層、電荷移動層及び保
   護層を順次積層してなる電子写真用感光体において、保
   護層に下記一般式で示される単量体からなる重合体及び
   ／又は下記一般式で示される単量体と他の共重合し得る
   化合物との共重合体化合物を含有させたことを特徴とす
   る電子写真用感光体。 ▲数式、化学式、表等があります▼ （Ｒ＿１、Ｒ＿２、Ｒ＿３；水素、ハロゲン、炭素数１
   〜５の置換又は非置換のアルキル基、炭素数１〜５のア
   ルコキシ基、置換又は非置換のアリール基 ｎ；１〜５の整数）