JPH01110566A - ビスアジド化合物及びそれを含有する感光性重合体組成物 - Google Patents
ビスアジド化合物及びそれを含有する感光性重合体組成物Info
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- JPH01110566A JPH01110566A JP62269546A JP26954687A JPH01110566A JP H01110566 A JPH01110566 A JP H01110566A JP 62269546 A JP62269546 A JP 62269546A JP 26954687 A JP26954687 A JP 26954687A JP H01110566 A JPH01110566 A JP H01110566A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/008—Azides
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ビスアジド化合物及びそれを含有する感光性
重合体組成物に関するもので、本発明のビスアジド化合
物は、ホトレジスト用の微細パターンの形成材料等とし
て好適なものである。
重合体組成物に関するもので、本発明のビスアジド化合
物は、ホトレジスト用の微細パターンの形成材料等とし
て好適なものである。
電子工業等における微細加工技術の分野において、ビス
アジド化合物が微細パターンの形成材料等として汎用さ
れている。これらのビスアジド化□合物の例としては、
2,6−ビス(4−アジドベンジリデン)シクロヘキサ
ノン、2.6−ビス(4−アジドシンナミリデン)−4
−メチルシクロヘキサノン等が挙げられる(特開昭57
−168942号公報参照)、そして、これらのビスア
ジド化合物は、−aに、微細パターンの形成に使用する
場合、重合体に添加され、感光性重合体組成物として用
いられている。
アジド化合物が微細パターンの形成材料等として汎用さ
れている。これらのビスアジド化□合物の例としては、
2,6−ビス(4−アジドベンジリデン)シクロヘキサ
ノン、2.6−ビス(4−アジドシンナミリデン)−4
−メチルシクロヘキサノン等が挙げられる(特開昭57
−168942号公報参照)、そして、これらのビスア
ジド化合物は、−aに、微細パターンの形成に使用する
場合、重合体に添加され、感光性重合体組成物として用
いられている。
尚、特開昭60−114857号公報には、ベンゼン環
をナフタレン環及びアントラセン環に交換した芳香族ア
ジド化合物が例示されているが、これは単に可能性を示
しただけで、実際に上記化合物が単離された例はない。
をナフタレン環及びアントラセン環に交換した芳香族ア
ジド化合物が例示されているが、これは単に可能性を示
しただけで、実際に上記化合物が単離された例はない。
前記のビスアジド化合物を配合した感光性重合体組成物
は、水銀灯の436 nmのg線及び405nmのh線
に対して感度が低い問題がある。
は、水銀灯の436 nmのg線及び405nmのh線
に対して感度が低い問題がある。
従って、本発明の目的は、長波長領域に高い感度を存す
る新規なビスアジド化合物及びそれを含有する感光性重
合体組成物を提供することにある。
る新規なビスアジド化合物及びそれを含有する感光性重
合体組成物を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段]
本発明者らは、種々検討した結果、ナフタリン環内にア
ジド基とホルミル基を含む新規な化合物と、ケトン類又
はジアミン類とを縮合反応させることにより、前記目的
を達成するビスアジド化合物が得られることを知見した
。
ジド基とホルミル基を含む新規な化合物と、ケトン類又
はジアミン類とを縮合反応させることにより、前記目的
を達成するビスアジド化合物が得られることを知見した
。
本発明は、上記知見に基づきなされたもので、4−アジ
ド−1−ナフトアルデヒドとケトン類又はジアミン類と
の縮合反応で得られる、ビスアジド化合物を提供するも
のである。
ド−1−ナフトアルデヒドとケトン類又はジアミン類と
の縮合反応で得られる、ビスアジド化合物を提供するも
のである。
また、本発明は、重合体に上記の本発明のビスアジド化
合物を添加してなる、感光性重、合体組成物を提供する
ものである。
合物を添加してなる、感光性重、合体組成物を提供する
ものである。
以下、まず、本発明のビスアジド化合物について詳述す
る。
る。
本発明のビスアジド化合物の代表例としては、下記のも
のが挙げられる。
のが挙げられる。
4−アジド−1−ナフトアルデヒドとケトン類との縮合
反応で得られるビスアジド化合物としては、例えば、 (R=C,−C,。アルキル) (R=CI 〜C8゜アルキル) 等が挙げられ、また、4−アジド−1−ナフトアルデヒ
ドとジアミン類との縮合反応で得られるビスアジド化合
物としては、例えば、 OOH 等が挙げられる。
反応で得られるビスアジド化合物としては、例えば、 (R=C,−C,。アルキル) (R=CI 〜C8゜アルキル) 等が挙げられ、また、4−アジド−1−ナフトアルデヒ
ドとジアミン類との縮合反応で得られるビスアジド化合
物としては、例えば、 OOH 等が挙げられる。
本発明のビスアジド化合物は、上記化合物に限定される
ものではなく、本発明のビスアジド化合物には、下記の
反応試薬(ケトン類及びジアミン類)を種々選択するこ
とによって得られる上記化合物以外の種々のビスアジド
化合物も包含される。
ものではなく、本発明のビスアジド化合物には、下記の
反応試薬(ケトン類及びジアミン類)を種々選択するこ
とによって得られる上記化合物以外の種々のビスアジド
化合物も包含される。
4−アジド−1−ナフトアルデヒドと縮合反応させる上
記ケトン類としては、例えば、4−メチルシクロヘキサ
ノン、4−n−アミルシクロヘキサノン、4−アジドア
セトフェノン、1−メチル−4−ピペリドン等が挙げら
れ、また、上記ジアミン類としては、例えば、エチレン
ジアミンヒトラード、4.4゛ −ジアミノジフェニル
エーテル、3.5−ジアミノ安息香酸、パラフェニレン
ジアミン、2,5−ジアミノトルエン塩酸塩等が挙げら
れる。
記ケトン類としては、例えば、4−メチルシクロヘキサ
ノン、4−n−アミルシクロヘキサノン、4−アジドア
セトフェノン、1−メチル−4−ピペリドン等が挙げら
れ、また、上記ジアミン類としては、例えば、エチレン
ジアミンヒトラード、4.4゛ −ジアミノジフェニル
エーテル、3.5−ジアミノ安息香酸、パラフェニレン
ジアミン、2,5−ジアミノトルエン塩酸塩等が挙げら
れる。
また、出発物質としての4−アジド−1−ナフトアルデ
ヒドは、下記式で示される構造を有する新規化合物であ
るので、以下、この4−アジド−1−ナフトアルデヒド
について詳述する。
ヒドは、下記式で示される構造を有する新規化合物であ
るので、以下、この4−アジド−1−ナフトアルデヒド
について詳述する。
Nコ
上記の4−アジド−1−ナフトアルデヒドは、4−ブロ
モ−1−ナフトアルデヒドをアンド化することにより得
ることができる。
モ−1−ナフトアルデヒドをアンド化することにより得
ることができる。
原料としての4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドは、例
えば、次の経路により合成できる。1−メチルナフタリ
ンを臭素と反応させて1−ブロモ−4−メチルナフタリ
ンとする(J、5auer、 R,)luisgen、
A、IIauser、 Ber、911461 (1
958)参照)。次いで、これをN−ブロモサクシイミ
ド又は臭素/光により臭素化して1−ブロモメチル−4
−ブロモナフタリンを合成する(N、B、Chapma
n、 J、F、A、Williams、 J、Chem
、Soc、 5044(1952)参照〕、然る後、こ
れをヘキサメチレンテトラミンと反応させることにより
、4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドに変換できる(O
rg、 Syn、 Cot、 vol、4.690参照
)。
えば、次の経路により合成できる。1−メチルナフタリ
ンを臭素と反応させて1−ブロモ−4−メチルナフタリ
ンとする(J、5auer、 R,)luisgen、
A、IIauser、 Ber、911461 (1
958)参照)。次いで、これをN−ブロモサクシイミ
ド又は臭素/光により臭素化して1−ブロモメチル−4
−ブロモナフタリンを合成する(N、B、Chapma
n、 J、F、A、Williams、 J、Chem
、Soc、 5044(1952)参照〕、然る後、こ
れをヘキサメチレンテトラミンと反応させることにより
、4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドに変換できる(O
rg、 Syn、 Cot、 vol、4.690参照
)。
この4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドのアジド化は、
ナトリウムアジド又はリチウムアジドを用いて行うこと
ができる。その際の反応溶媒としては、ジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン
等のアプロチック溶媒が好適である。
ナトリウムアジド又はリチウムアジドを用いて行うこと
ができる。その際の反応溶媒としては、ジメチルホルム
アミド、ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン
等のアプロチック溶媒が好適である。
上記のナトリウムアジド又はリチウムアジドの使用量は
、4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドに対して、通常1
〜4倍モルとすると良い。リチウムアジドはナトリウム
アジドに比して溶解性が高いので好適である。
、4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドに対して、通常1
〜4倍モルとすると良い。リチウムアジドはナトリウム
アジドに比して溶解性が高いので好適である。
また、上記反応溶媒の使用量は、4−ブロモ−1−ナツ
トアルデヒドの濃度が通常1〜10重量%となる量とす
ると良い。
トアルデヒドの濃度が通常1〜10重量%となる量とす
ると良い。
また、上記アジド化の反応温度は室温〜150°C1好
ましくは40〜100 ’Cとすると良い、反応時間は
10分〜10時間、好ましくは1〜6時間とすると良い
。
ましくは40〜100 ’Cとすると良い、反応時間は
10分〜10時間、好ましくは1〜6時間とすると良い
。
反応液中からの生成物(4−アジド−1−ナフトアルデ
ヒド)の回収は、次のようにして行えば良い。
ヒド)の回収は、次のようにして行えば良い。
反応終了後、反応液を水中に混合すると生成物が析出す
る。これをメタノール、エタノール、n−ヘキサン等で
再結晶すると、純品の目的物(4−アジド−1−ナフト
アルデヒド)が得られる。
る。これをメタノール、エタノール、n−ヘキサン等で
再結晶すると、純品の目的物(4−アジド−1−ナフト
アルデヒド)が得られる。
上述の如くして得られる4−アジド−1−ナフトアルデ
ヒドは、感光性物質であるので、上記合成は黄色光下に
行うことが好ましい。
ヒドは、感光性物質であるので、上記合成は黄色光下に
行うことが好ましい。
また、本発明のビスアジド化合物を得るための前記4−
アジド−1−ナフトアルデヒドと前記ケトン類又は前記
ジアミン類との縮合反応は、下記の如くして行うことが
できる。
アジド−1−ナフトアルデヒドと前記ケトン類又は前記
ジアミン類との縮合反応は、下記の如くして行うことが
できる。
アルデヒドとケトン類との縮合反応はアルカリ触媒の存
在下に容易に進行することが公知であり、(Org、
Syn、 cot、 vol、1+78. A
、 Aizenshtat+ M。
在下に容易に進行することが公知であり、(Org、
Syn、 cot、 vol、1+78. A
、 Aizenshtat+ M。
Hausmann、Y、Pickholtz、D、Ta
g、J、BluII、J。
g、J、BluII、J。
Org、 Chem、 42.2386(1977))
、本発明のビスアジド化合物を得るための前記4−アジ
ド−1−ナフトアルデヒドと前記ケトン類との縮合反応
は、上記の公知の方法に従っ−て行うことができる。
、本発明のビスアジド化合物を得るための前記4−アジ
ド−1−ナフトアルデヒドと前記ケトン類との縮合反応
は、上記の公知の方法に従っ−て行うことができる。
前記4−アジド−1−ナフトアルデヒドと前記ケトン類
との好ましい使用割合は、4−アジド−1−ナツトアル
デヒド1モルに対して、ケトン類0.4〜0.6モルで
ある。
との好ましい使用割合は、4−アジド−1−ナツトアル
デヒド1モルに対して、ケトン類0.4〜0.6モルで
ある。
また、上記縮合反応で用いられるアルカリ触媒としては
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が使用できる。
、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が使用できる。
また、上記縮合反応で用いられる反応溶媒としては、水
、メタノール、エタノール等が使用でき、その使用量は
、4−アジド−1−ナフトアルデヒドの濃度が通常0.
1〜10重量%となる量とすると良い。
、メタノール、エタノール等が使用でき、その使用量は
、4−アジド−1−ナフトアルデヒドの濃度が通常0.
1〜10重量%となる量とすると良い。
また、上記縮合反応の反応温度は、反応が進行する温度
であれば特に制限はないが、生成物(ビスアジド化合物
)の安定性から100°C以下が好ましい。
であれば特に制限はないが、生成物(ビスアジド化合物
)の安定性から100°C以下が好ましい。
また、アルデヒドとアミン類との縮合反応はシッフ塩基
の生成として公知であり(S、 Patai、 ”Th
e Chemistry of the amino
group”、 Interscience、 Lon
don、 1968. p、367) 、本発明のビス
アジド化合物を得るための前記4−アジド−1−ナフト
アルデヒドと前記ジアミン類との縮合反応は、上記の公
知の方法に従って行うことができる。
の生成として公知であり(S、 Patai、 ”Th
e Chemistry of the amino
group”、 Interscience、 Lon
don、 1968. p、367) 、本発明のビス
アジド化合物を得るための前記4−アジド−1−ナフト
アルデヒドと前記ジアミン類との縮合反応は、上記の公
知の方法に従って行うことができる。
前記4−アジド−1−ナフトアルデヒドと前記ジアミン
類との好ましい使用割合は、4−アジド−1−ナフトア
ルデヒド1モルに対して、ジアミン類0.4〜0.6モ
ルである。
類との好ましい使用割合は、4−アジド−1−ナフトア
ルデヒド1モルに対して、ジアミン類0.4〜0.6モ
ルである。
また、上記縮合反応で用いられる反応溶媒としては、前
記のケトン類との縮合反応の場合と同様な反応溶媒が使
用でき、また反応温度も、前記のケトン類との縮合反応
の場合と同様な理由から100゛C以下が好ましい。
記のケトン類との縮合反応の場合と同様な反応溶媒が使
用でき、また反応温度も、前記のケトン類との縮合反応
の場合と同様な理由から100゛C以下が好ましい。
尚、出発物質(4−アジド−1−ナフトアルデヒド)及
び生成物(本発明のビスアジド化合物)ともに感光性物
質であるので、前記4−アジド−1−ナフトアルデヒド
と前記ケトン類又は前記ジアミン類との縮合反応は、黄
色光下で行うことが好ましい。
び生成物(本発明のビスアジド化合物)ともに感光性物
質であるので、前記4−アジド−1−ナフトアルデヒド
と前記ケトン類又は前記ジアミン類との縮合反応は、黄
色光下で行うことが好ましい。
上述の如くして得られる本発明のビスアジド化合物は、
新規化合物であり、UV測定の結果、長波長領域に強い
吸収を示すので、ホトレジスト用のパターンの形成材料
等として好適なものである。
新規化合物であり、UV測定の結果、長波長領域に強い
吸収を示すので、ホトレジスト用のパターンの形成材料
等として好適なものである。
次に、上述の本発明のビスアジド化合物を含有する本発
明の感光性重合体組成物について詳述する。
明の感光性重合体組成物について詳述する。
本発明の感光性重合体組成物の構成成分である重合体と
しては、感光性重合体組成物のベースポリマーとして通
常用いられているポリマーが使用でき、好ましくは、ビ
フェニルテトラカルボン酸成分と有機ジアミン成分との
重縮金物からなる有機溶媒可溶性の芳香族ポリイミド、
環化ゴム、特開昭62−169155号公報等に記載の
マレイミド共重合体等を挙げることができる。
しては、感光性重合体組成物のベースポリマーとして通
常用いられているポリマーが使用でき、好ましくは、ビ
フェニルテトラカルボン酸成分と有機ジアミン成分との
重縮金物からなる有機溶媒可溶性の芳香族ポリイミド、
環化ゴム、特開昭62−169155号公報等に記載の
マレイミド共重合体等を挙げることができる。
本発明のビスアジド化合物と上記重合体との使用割合は
、上記重合体100重量部に対し、本発明のビスアジド
化合物1〜40重量部、特に2〜20重量部とするのが
好ましい。
、上記重合体100重量部に対し、本発明のビスアジド
化合物1〜40重量部、特に2〜20重量部とするのが
好ましい。
本発明の感光性重合体組成物は、ホトレジスト用の微細
パターンの形成材料として使用する場合、一般に、N−
メチル−2−ピロリドン等のを機を8媒に好ましくは2
〜50重景%溶液合で溶解した溶液(レジスト溶液)と
して用いられる。
パターンの形成材料として使用する場合、一般に、N−
メチル−2−ピロリドン等のを機を8媒に好ましくは2
〜50重景%溶液合で溶解した溶液(レジスト溶液)と
して用いられる。
本発明の感光性重合体組成物によれば、上記の如くレジ
スト溶液を調製することにより、例えば次のようにして
微細パターンを形成することができる。
スト溶液を調製することにより、例えば次のようにして
微細パターンを形成することができる。
上記レジスト溶液を基板に塗布し、乾燥後、塗膜上に所
定のホトマスクを密着させ、該ホトマスクの上方から紫
外線等の光線を照射する。露光後、上記ホトマスクを除
去し、上記レジスト溶液の調製に用いた有機溶媒等によ
り塗膜を現像して未露光部分を除去し、微細パターンを
得る。
定のホトマスクを密着させ、該ホトマスクの上方から紫
外線等の光線を照射する。露光後、上記ホトマスクを除
去し、上記レジスト溶液の調製に用いた有機溶媒等によ
り塗膜を現像して未露光部分を除去し、微細パターンを
得る。
以下に本発明のビスアジド化合物の製造に用いられる4
−アジド−1−ナツトアルデヒドの合成を示す合成例、
本発明のビスアジド化合物の製造を示す実施例、本発明
の感光性重合体組成物をパターンの形成に用いた使用例
、及び比較例を挙げ、本発明を更に詳細に説明する。尚
、4−アジド−1−ナツトアルデヒド及び本発明のビス
アジド化合物は感光性物質であるので、合成例及び実施
例は黄色光下に実施した。
−アジド−1−ナツトアルデヒドの合成を示す合成例、
本発明のビスアジド化合物の製造を示す実施例、本発明
の感光性重合体組成物をパターンの形成に用いた使用例
、及び比較例を挙げ、本発明を更に詳細に説明する。尚
、4−アジド−1−ナツトアルデヒド及び本発明のビス
アジド化合物は感光性物質であるので、合成例及び実施
例は黄色光下に実施した。
合成例1〔4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドの合成〕
〈1−ブロモ−4−メチルナフタリンの合成〉1−メチ
ルナフタリン53.6 g (0,377モル)を10
0+*1の四塩化炭素に溶解させ、室温にて光を遮断し
て、臭素60.3g (0,377M)を滴下した。3
時間還流した後、溶媒を留去した。
ルナフタリン53.6 g (0,377モル)を10
0+*1の四塩化炭素に溶解させ、室温にて光を遮断し
て、臭素60.3g (0,377M)を滴下した。3
時間還流した後、溶媒を留去した。
次いで、減圧蒸留してKp+a160〜170°Cの留
分64g(収率77%)を得た。
分64g(収率77%)を得た。
〈1−ブロモメチル−4−ブロモナフタリンの合成〉
上記で得た留分64g(1−メチルナフタリン/1−ブ
ロモー4−メチルナフタリン−3/97)を200m1
の四塩化炭素に溶解させ、N−ブロモサクシイミド51
.6g及びベンゾイルペルオキシド0.5gと共に7時
間還流した。濾過及び熱四塩化炭素150m1洗の後、
放置すると、結晶が析出した。これをエタノール200
m1で再結晶して34.2 gの1−ブロモメチル−4
−ブロモナフタリンを得た。
ロモー4−メチルナフタリン−3/97)を200m1
の四塩化炭素に溶解させ、N−ブロモサクシイミド51
.6g及びベンゾイルペルオキシド0.5gと共に7時
間還流した。濾過及び熱四塩化炭素150m1洗の後、
放置すると、結晶が析出した。これをエタノール200
m1で再結晶して34.2 gの1−ブロモメチル−4
−ブロモナフタリンを得た。
先の四塩化炭素母液から四塩化炭素を留去した後、エタ
ノールの再結晶母液と合わせ、再結晶を2回行って22
.0 gの結晶を得た。合計56.2 gの生成物を得
た(収率65%)。
ノールの再結晶母液と合わせ、再結晶を2回行って22
.0 gの結晶を得た。合計56.2 gの生成物を得
た(収率65%)。
〈4−ブロモ−1−ナフトアルデヒドの合成〉上記生成
物(1−ブロモメチル−4−ブロモナフタリン)34g
(0,227M)を酢酸50m1及び水50m1に溶
解させ、ヘキサメチレンテトラミン31.8 g (0
,227M)と共に2時間還流した。
物(1−ブロモメチル−4−ブロモナフタリン)34g
(0,227M)を酢酸50m1及び水50m1に溶
解させ、ヘキサメチレンテトラミン31.8 g (0
,227M)と共に2時間還流した。
濃塩酸40m1を加え、15分還流後、冷却した。
エーテル70s+1で4回抽出、水40m1で3回洗浄
、10%炭酸ナトリウム水溶液40m1で洗浄、水4O
m+で洗浄後、エーテル層を硫酸マグネシウムで乾燥し
た。エーテルを留去後、メタノール150−1で再結晶
し16.1 gの生成物を得た0口液からさらに2.9
gを得、合計19.0g(収率72%)の4−ブロモー
1−ナフトアルデヒドを得た。
、10%炭酸ナトリウム水溶液40m1で洗浄、水4O
m+で洗浄後、エーテル層を硫酸マグネシウムで乾燥し
た。エーテルを留去後、メタノール150−1で再結晶
し16.1 gの生成物を得た0口液からさらに2.9
gを得、合計19.0g(収率72%)の4−ブロモー
1−ナフトアルデヒドを得た。
合成例2〔リチウムアジドの合成〕
ツーベン ワイル(Houben−Weyl ’Met
hoden der Organishen Ch
emie X3. P784 Geor(Tht
eme Verlag Stuttgart (19
65) ]の方法に従い、ナトリウムアジド6.5gか
ら、リチウムアジド5.10 gを得た。
hoden der Organishen Ch
emie X3. P784 Geor(Tht
eme Verlag Stuttgart (19
65) ]の方法に従い、ナトリウムアジド6.5gか
ら、リチウムアジド5.10 gを得た。
合成例3
合成例1で得られた4−ブロモ−1−ナツトアルデヒド
2.351g(10ミリモル)及び合成例2で得られた
リチウムアジド0.734g(15ミリモル)を60m
1のN−メチル−2−ピロリドンに溶解させ、80°C
にて4時間撹拌した0反応液は均一溶液であった0反応
液を450+*lの水の中へ投入すると固体が析出した
。これを濾過、水501で洗浄、40℃にて真空乾燥後
、メタノール140m1から再結晶した。熱時・濾過し
、放置すると、黄金色の結晶が析出した。この結晶1.
139g及び母液からさらに0.413gの結晶を得、
合計1.552 gの4−アジド−1−ナフトアルデヒ
ドを得た(収率79%)。
2.351g(10ミリモル)及び合成例2で得られた
リチウムアジド0.734g(15ミリモル)を60m
1のN−メチル−2−ピロリドンに溶解させ、80°C
にて4時間撹拌した0反応液は均一溶液であった0反応
液を450+*lの水の中へ投入すると固体が析出した
。これを濾過、水501で洗浄、40℃にて真空乾燥後
、メタノール140m1から再結晶した。熱時・濾過し
、放置すると、黄金色の結晶が析出した。この結晶1.
139g及び母液からさらに0.413gの結晶を得、
合計1.552 gの4−アジド−1−ナフトアルデヒ
ドを得た(収率79%)。
融点、元素分析、赤外吸収スペクトル及び質量スペクト
ルを測定し、生成物が4−アジド−1−ナフトアルデヒ
ドであることを確認した。測定結果は下記の通りである
。また、赤外吸収スペクトル及び質量スペクトルは、そ
れぞれ第1図及び第2図に示した。
ルを測定し、生成物が4−アジド−1−ナフトアルデヒ
ドであることを確認した。測定結果は下記の通りである
。また、赤外吸収スペクトル及び質量スペクトルは、そ
れぞれ第1図及び第2図に示した。
融点:90.5〜91.0℃
元素分析(%’)jcllHy N、O(197,20
)C66,99H3,66N 21.22(計算値:
C67、OQ、l(3,5B、N21.31)赤外
吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−’
(Ns )質量スペクトル:M/Z=197 (M’
)実施例1 〔2,6−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン)
−4−メチルシクロヘキサノン(ビスアジド化合物Nα
1)の製造〕 0、40 gのカセイソーダ、3mlの水及び15+s
lのエタノールからなる溶液に0.36 gの4−メチ
ルシクロヘキサノンを加え、さらに合成例3で得られた
4−アジド−1−ナフトアルデヒド1.26g/エタノ
ール20m1の溶液を混合し、室温にて3時間撹拌した
。析出した結晶を濾過し、エタノールで洗浄後、ベンゼ
ンから再結晶して0.30gの生成物(ビスアジド化合
動磁1)を得た(収率20%)。
)C66,99H3,66N 21.22(計算値:
C67、OQ、l(3,5B、N21.31)赤外
吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−’
(Ns )質量スペクトル:M/Z=197 (M’
)実施例1 〔2,6−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン)
−4−メチルシクロヘキサノン(ビスアジド化合物Nα
1)の製造〕 0、40 gのカセイソーダ、3mlの水及び15+s
lのエタノールからなる溶液に0.36 gの4−メチ
ルシクロヘキサノンを加え、さらに合成例3で得られた
4−アジド−1−ナフトアルデヒド1.26g/エタノ
ール20m1の溶液を混合し、室温にて3時間撹拌した
。析出した結晶を濾過し、エタノールで洗浄後、ベンゼ
ンから再結晶して0.30gの生成物(ビスアジド化合
動磁1)を得た(収率20%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電子面N質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%):C,、H!tN、O(470,54)
C73,80H4,80N 17.62(計算値:C
74,03、H4,71,N17.86)赤外吸収スペ
クトル(KBr) : 2 L L 0CT1−’(
83)質量スペクトルF M/Z=470 (M” )
実施例2 〔2,6−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン)
−4−n−アミルシクロヘキサノン(ビスアジド化合
動磁2)の製造〕 0.38べのカセイソーダ、3mlの水及び15輻lの
エタノールからなる溶液に0.43 gの4−n−アミ
ルシクロヘキサノンを加え、さらに合成例3で得られた
4−アジド−1−ナフトアルデヒド1゜012g/エタ
ノール140m1の溶液を混合し、室温にて4時間撹拌
した。その後、実施例1と同様にして0.50 gの生
成物(ビスアジド化合物Nα2)を得た(収率37%)
。
C73,80H4,80N 17.62(計算値:C
74,03、H4,71,N17.86)赤外吸収スペ
クトル(KBr) : 2 L L 0CT1−’(
83)質量スペクトルF M/Z=470 (M” )
実施例2 〔2,6−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン)
−4−n−アミルシクロヘキサノン(ビスアジド化合
動磁2)の製造〕 0.38べのカセイソーダ、3mlの水及び15輻lの
エタノールからなる溶液に0.43 gの4−n−アミ
ルシクロヘキサノンを加え、さらに合成例3で得られた
4−アジド−1−ナフトアルデヒド1゜012g/エタ
ノール140m1の溶液を混合し、室温にて4時間撹拌
した。その後、実施例1と同様にして0.50 gの生
成物(ビスアジド化合物Nα2)を得た(収率37%)
。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電子衝撃質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%)F C!3H3゜N、 O(526,6
5)C74,25H5,75N 15.13(計算値
:C75,26、H5,74、N 15.96 )赤外
吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−’(
Is)質量スペクトル: M/Z=498 (M”
−28)実施例3 (3−(4−アジド−1−ナフチル)−1−(4−アジ
l’フェニル)−プロパー2−エン−1−オン(ビスア
ジド化合動磁3)の製造〕 0、38 gのカセイソーダ、3鴎lの水及び15m1
のエタノールからなる溶液に0.80 gの4−アジド
アセトフェノン(東洋合成工業■製)を加え、さらに合
成例3で得られた4−アジド−1−ナツトアルデヒド0
.99g/エタノール140+lの溶液を混合し、室温
にて1時間撹拌した。その後、実施例1と同様にして1
.143 gの生成物(ビスアジド化合物N113)を
得た(収率73%)。
5)C74,25H5,75N 15.13(計算値
:C75,26、H5,74、N 15.96 )赤外
吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−’(
Is)質量スペクトル: M/Z=498 (M”
−28)実施例3 (3−(4−アジド−1−ナフチル)−1−(4−アジ
l’フェニル)−プロパー2−エン−1−オン(ビスア
ジド化合動磁3)の製造〕 0、38 gのカセイソーダ、3鴎lの水及び15m1
のエタノールからなる溶液に0.80 gの4−アジド
アセトフェノン(東洋合成工業■製)を加え、さらに合
成例3で得られた4−アジド−1−ナツトアルデヒド0
.99g/エタノール140+lの溶液を混合し、室温
にて1時間撹拌した。その後、実施例1と同様にして1
.143 gの生成物(ビスアジド化合物N113)を
得た(収率73%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電子衝撃質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りであるや元素分析(%):C,、
Hl、N、O(340,35)C66,77H3,48
N 24.20(計算値:C67,05、H3,56
、N24.69)赤外吸収スペクトル(KBr) :
2100cm−’(Nt)¥を量スペクトル: M/
Z−340(M’ )実施例4 〔3,5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン)
−1−メチル−4−ピペリドン(ビスアジド化合物磁4
)の製造〕 0.31gのカセイソーダ、3鴎lの水、15IIll
のエタノールからなる溶液に0.28 gの1−メチル
−4−ピペリドンを加え、さらに合成例3で得られた4
−アジド−1−ナツトアルデヒド1.013g/エタノ
ール150m1の溶液を混合し、室温にて8時間撹拌し
た。その後、実施例1と同様にして0.38 gの生成
物(ビスアジド化合物随4)を得た(収率32%)。
Hl、N、O(340,35)C66,77H3,48
N 24.20(計算値:C67,05、H3,56
、N24.69)赤外吸収スペクトル(KBr) :
2100cm−’(Nt)¥を量スペクトル: M/
Z−340(M’ )実施例4 〔3,5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン)
−1−メチル−4−ピペリドン(ビスアジド化合物磁4
)の製造〕 0.31gのカセイソーダ、3鴎lの水、15IIll
のエタノールからなる溶液に0.28 gの1−メチル
−4−ピペリドンを加え、さらに合成例3で得られた4
−アジド−1−ナツトアルデヒド1.013g/エタノ
ール150m1の溶液を混合し、室温にて8時間撹拌し
た。その後、実施例1と同様にして0.38 gの生成
物(ビスアジド化合物随4)を得た(収率32%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電子衝撃質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%) : C,、H,、N、 O(471
,53)C71,00H4,38N 20.26(計
算値:C71,32、H4,49、N 20.79 )
赤外吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−
’(N:+)質量スペクトル: M/Z=443 (M
” −28)実施例5 〔1,2−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−
イミノ)−エタン(ビスアジド化合動磁5)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
0.394g/エタノール10m1の溶液とエチレンジ
アミンヒトラード0.078g/エタノール5ialの
溶液とを混合し、50゛Cにて5時間撹拌した。析出し
た結晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して、0.389
gの生成物(ビスアジド化合動磁5)を得た(収率9
3%)。
,53)C71,00H4,38N 20.26(計
算値:C71,32、H4,49、N 20.79 )
赤外吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−
’(N:+)質量スペクトル: M/Z=443 (M
” −28)実施例5 〔1,2−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−
イミノ)−エタン(ビスアジド化合動磁5)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
0.394g/エタノール10m1の溶液とエチレンジ
アミンヒトラード0.078g/エタノール5ialの
溶液とを混合し、50゛Cにて5時間撹拌した。析出し
た結晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して、0.389
gの生成物(ビスアジド化合動磁5)を得た(収率9
3%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界脱着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%): Cs4HzzNs (418,4
6)C69,09H4,43N 26.47(計算値
:C6B、89、H4,34、N 26.78 )赤外
吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−’(
N+)質fJススへy トル: M/Z−418(M”
)実施例6 (4,4’−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン
−イミノ)ジフェニルエーテル(ビスアジド化合動磁6
)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
0.’394g/エタノール10m1の溶液と4.4”
−ジアミノジフェニルエーテル0.200g/エタノー
ル20m1の溶液とを混合し、50°Cにて8時間撹拌
した。析出した結晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して
、0.533 gの生成物(ビスアジド化合物阻6)を
得た(収率95%)。
6)C69,09H4,43N 26.47(計算値
:C6B、89、H4,34、N 26.78 )赤外
吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−’(
N+)質fJススへy トル: M/Z−418(M”
)実施例6 (4,4’−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン
−イミノ)ジフェニルエーテル(ビスアジド化合動磁6
)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
0.’394g/エタノール10m1の溶液と4.4”
−ジアミノジフェニルエーテル0.200g/エタノー
ル20m1の溶液とを混合し、50°Cにて8時間撹拌
した。析出した結晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して
、0.533 gの生成物(ビスアジド化合物阻6)を
得た(収率95%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界肌着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%) : Cs4HzzNs O(558,
61)C72,84H3,94N 19.82(計算
値:C73,11、H3,97、N 20.06 )赤
外吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−’
(N*)質量スペクトル: M/Z−558(M” )
実施例7 〔3,5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−
イミノ)安息香酸(ビスアジド化合物N。
61)C72,84H3,94N 19.82(計算
値:C73,11、H3,97、N 20.06 )赤
外吸収スペクトル(KBr) : 2100cm−’
(N*)質量スペクトル: M/Z−558(M” )
実施例7 〔3,5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−
イミノ)安息香酸(ビスアジド化合物N。
7)の製造〕
合成例3で得られた4−アジド−1−ナツトアルデヒド
0.394g/メタノール101の溶液と3.5−ジア
ミノ安息香酸0.152g/メタノール15m1の溶液
とを混合し、70°Cにて1時間撹拌した。析出した結
晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して、0.440 g
の生成物(ビスアジド化合物No、 7 )を得た(収
率87%)。
0.394g/メタノール101の溶液と3.5−ジア
ミノ安息香酸0.152g/メタノール15m1の溶液
とを混合し、70°Cにて1時間撹拌した。析出した結
晶を濾過し、熱エタノールで洗浄して、0.440 g
の生成物(ビスアジド化合物No、 7 )を得た(収
率87%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界脱着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%): C,、H,、O,Nu (510
,52)C67,11H3,48N 21.46(計
算値:C6B、23、H3,55、N21.95)赤外
吸収スペクトル(KBr) : 2100c+w−’
(Ns)質量スペクトル: M/Z−510(M” )
実施例8 〔1,4−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−
イミノ)ベンゼン(ビスアジド化合動磁8)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
0.394g/エタノール10請1の溶液とバラフェニ
レンジアミン0.108g/エタノール5mlの溶液と
を混合し、50°Cにて5時間撹拌した。析出した結晶
を濾過し、熱エタノールで洗浄して、0.430 gの
生成物(ビスアジド化合動磁8)を得た(収率92%)
。
,52)C67,11H3,48N 21.46(計
算値:C6B、23、H3,55、N21.95)赤外
吸収スペクトル(KBr) : 2100c+w−’
(Ns)質量スペクトル: M/Z−510(M” )
実施例8 〔1,4−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−
イミノ)ベンゼン(ビスアジド化合動磁8)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
0.394g/エタノール10請1の溶液とバラフェニ
レンジアミン0.108g/エタノール5mlの溶液と
を混合し、50°Cにて5時間撹拌した。析出した結晶
を濾過し、熱エタノールで洗浄して、0.430 gの
生成物(ビスアジド化合動磁8)を得た(収率92%)
。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界脱着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%):C□H7゜N、(466,51)C7
2,03H3,89N 23.85(計算値:C72
,09、H3,89、N 24.02 >赤外吸収スペ
クトル(KBr) : 2100cm−’(Ns)質
量スペクトル: M/Z−466(M“)実施例9 〔2,5ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−イ
ミノ)トルエン(ビスアジド化合物魔9)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
1.020g/エタノール30−1の溶液と2.5−ジ
アミノトルエン塩酸塩0.526g10゜IN−KOH
−エタノール55II!1の溶液とを混合し、45°C
にて3時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、水洗、エ
タノールで洗浄して、1.140gの生成物(ビスアジ
ド化合物Nα9)を得た(収率97%)。
2,03H3,89N 23.85(計算値:C72
,09、H3,89、N 24.02 >赤外吸収スペ
クトル(KBr) : 2100cm−’(Ns)質
量スペクトル: M/Z−466(M“)実施例9 〔2,5ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレン−イ
ミノ)トルエン(ビスアジド化合物魔9)の製造〕 合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトアルデヒド
1.020g/エタノール30−1の溶液と2.5−ジ
アミノトルエン塩酸塩0.526g10゜IN−KOH
−エタノール55II!1の溶液とを混合し、45°C
にて3時間撹拌した。析出した結晶を濾過し、水洗、エ
タノールで洗浄して、1.140gの生成物(ビスアジ
ド化合物Nα9)を得た(収率97%)。
元素分析、赤外吸収スペクトル及び電界脱着質量スペク
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
トルを測定し、生成物が目的物であることを確認した。
測定結果は下記の通りである。
元素分析(%): CzqHz。N、(480,53)
C72,45H4,15N 22.95(計算値:
C72,49、H4,20、N 23.32 )赤外吸
収スペクトル(KBr) : 2105cm−’(N
s)質量スペクトル: M/Z=480 (M’ )
次に、上記実施例1〜9で得られたビスアジド化合物k
l〜9のUV測定結果を下記表−1に示表−1 化合物 最大唆収 モル吸光係数(X 10”)Nu
λ1IaX ellflX t *is
a 4115 24361 382 28
.3 25.2 23.8 7.92 382
26.0 24.1 21.3 7.13
385 23.1 19.4 19.0 3.
44 388 27.8 22.8 25.5
9.35 339 32.7 7.9
0.49 0.436 372 48.0
46.1 26.1 1.97 362 40
.4 40.3 16.7 1.68 401
41.4 26.5 41.1 22.99
403 38.8 25.6 38.7 2
3.5市販品”358 43.0 41.3
5.8 0.52*東洋合成工業■製BAC−M: ■ CH。
C72,45H4,15N 22.95(計算値:
C72,49、H4,20、N 23.32 )赤外吸
収スペクトル(KBr) : 2105cm−’(N
s)質量スペクトル: M/Z=480 (M’ )
次に、上記実施例1〜9で得られたビスアジド化合物k
l〜9のUV測定結果を下記表−1に示表−1 化合物 最大唆収 モル吸光係数(X 10”)Nu
λ1IaX ellflX t *is
a 4115 24361 382 28
.3 25.2 23.8 7.92 382
26.0 24.1 21.3 7.13
385 23.1 19.4 19.0 3.
44 388 27.8 22.8 25.5
9.35 339 32.7 7.9
0.49 0.436 372 48.0
46.1 26.1 1.97 362 40
.4 40.3 16.7 1.68 401
41.4 26.5 41.1 22.99
403 38.8 25.6 38.7 2
3.5市販品”358 43.0 41.3
5.8 0.52*東洋合成工業■製BAC−M: ■ CH。
使用例I
N−メチル−2−ピロリドン34.0僧Iに2.3゜3
°、4°−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物5.6
9 g、3,5−ジアミノベンジルメタアクリレート2
.66g及び4.4°−ジアミノジフェニルエーテル1
.16 gを加え、20″Cで24時間撹拌して反応さ
せ、ポリアミック酸を得た。このポリアミック酸にN−
メチル−2−ピロリドン119m1を加え希釈した後、
無水酢酸35g及びピリジン13.5 gを加え、30
°Cで4時間反応させポリイミド化物を得た。このポリ
イミド化物にメタノールを加えポリイミドを析出し、白
色のポリイミド粉末(0,5g/dj!NMPの30°
Cでの対数粘度0.52)を得た。
°、4°−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物5.6
9 g、3,5−ジアミノベンジルメタアクリレート2
.66g及び4.4°−ジアミノジフェニルエーテル1
.16 gを加え、20″Cで24時間撹拌して反応さ
せ、ポリアミック酸を得た。このポリアミック酸にN−
メチル−2−ピロリドン119m1を加え希釈した後、
無水酢酸35g及びピリジン13.5 gを加え、30
°Cで4時間反応させポリイミド化物を得た。このポリ
イミド化物にメタノールを加えポリイミドを析出し、白
色のポリイミド粉末(0,5g/dj!NMPの30°
Cでの対数粘度0.52)を得た。
得られたポリイミド粉末2gをN−メチル−2−ピロリ
ドン10m1に溶解し、その溶液に実施例7で得られた
3、5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレンイミ
ノ)安息香酸(ビスアジド化合物に7)0.15gを加
えて溶解させ、感光性重合体組成物の溶液を得た。この
溶液をスピンナーでガラス表面に塗布し、70°Cで3
0分間乾燥して厚さ3.5μmの塗膜を得た。得られた
塗膜を10μmのラインアンドスペースの縞模様のホト
マスクで密着被覆し、500W高圧水銀灯で20秒間紫
外線照射した。露光後、N−メチル−2−・ピロリドン
/エタノール(4/1容)からなる溶液で3分間現像し
、次いでエタノールでリンスし、パターンを得た。この
パターンを160″Cで30分間、続いて230°Cで
30分間熱処理し、鮮明なポリイミドのパターンを得た
。
ドン10m1に溶解し、その溶液に実施例7で得られた
3、5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレンイミ
ノ)安息香酸(ビスアジド化合物に7)0.15gを加
えて溶解させ、感光性重合体組成物の溶液を得た。この
溶液をスピンナーでガラス表面に塗布し、70°Cで3
0分間乾燥して厚さ3.5μmの塗膜を得た。得られた
塗膜を10μmのラインアンドスペースの縞模様のホト
マスクで密着被覆し、500W高圧水銀灯で20秒間紫
外線照射した。露光後、N−メチル−2−・ピロリドン
/エタノール(4/1容)からなる溶液で3分間現像し
、次いでエタノールでリンスし、パターンを得た。この
パターンを160″Cで30分間、続いて230°Cで
30分間熱処理し、鮮明なポリイミドのパターンを得た
。
比較例1
3.5−ビス(4−アジド−1−ナフチルメチレンイミ
ノ)安息香酸の代わりに2.6−ビス(4−アジドベン
ジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン(東洋合成工
業■製)を使用した以外は使用例1と同様に実施したが
、鮮明なパターンを得ることはできなかった。
ノ)安息香酸の代わりに2.6−ビス(4−アジドベン
ジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン(東洋合成工
業■製)を使用した以外は使用例1と同様に実施したが
、鮮明なパターンを得ることはできなかった。
(発明の効果〕
本発明のビスアジド化合物は、長波長領域に高い感度を
有する新規な化合物で、ホトレジスト用の微細パターン
の形成材料等として好適なものである。
有する新規な化合物で、ホトレジスト用の微細パターン
の形成材料等として好適なものである。
また、本発明の感光性重合体組成物によれば、ホトレジ
スト用の鮮明な微細パターンを形成することができる。
スト用の鮮明な微細パターンを形成することができる。
第1図は合成例3で得られた4−アジド−1−ナフトア
ルデヒドの赤外吸収スペクトル、第2図は合成例3で得
られた4−アジド−1−ナフトアルデヒドの質量スペク
トルである。
ルデヒドの赤外吸収スペクトル、第2図は合成例3で得
られた4−アジド−1−ナフトアルデヒドの質量スペク
トルである。
Claims (2)
- (1)4−アジド−1−ナフトアルデヒドとケトン類又
はジアミン類との縮合反応で得られる、ビスアジド化合
物。 - (2)重合体に、4−アジド−1−ナフトアルデヒドと
ケトン類又はジアミン類との縮合反応で得られるビスア
ジド化合物を添加してなる、感光性重合体組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62269546A JPH01110566A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | ビスアジド化合物及びそれを含有する感光性重合体組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62269546A JPH01110566A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | ビスアジド化合物及びそれを含有する感光性重合体組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01110566A true JPH01110566A (ja) | 1989-04-27 |
Family
ID=17473886
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62269546A Pending JPH01110566A (ja) | 1987-10-26 | 1987-10-26 | ビスアジド化合物及びそれを含有する感光性重合体組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01110566A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7908074B2 (en) * | 2005-03-02 | 2011-03-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Abnormality detecting device of vehicle |
CN105906530A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-31 | 昆药集团股份有限公司 | 一种绿色环保的卤代芳基甲氰的制备方法 |
-
1987
- 1987-10-26 JP JP62269546A patent/JPH01110566A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7908074B2 (en) * | 2005-03-02 | 2011-03-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Abnormality detecting device of vehicle |
CN105906530A (zh) * | 2016-04-27 | 2016-08-31 | 昆药集团股份有限公司 | 一种绿色环保的卤代芳基甲氰的制备方法 |
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