JPH01109531A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPH01109531A JPH01109531A JP26740787A JP26740787A JPH01109531A JP H01109531 A JPH01109531 A JP H01109531A JP 26740787 A JP26740787 A JP 26740787A JP 26740787 A JP26740787 A JP 26740787A JP H01109531 A JPH01109531 A JP H01109531A
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高密度記録化に対応する垂直磁気記録媒体の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
本発明は、高密度記録化に対応する垂直磁気記録媒体の
製造方法において、非磁性支持体上にCo−a系垂直磁
化膜を蒸着により成膜するに際し、酸素ガスと不活性ガ
スを上記非磁性支持体の走行方向の上流側より所定範囲
の入射角度で、且つ上記酸素ガスと不活性ガスの混合比
率を所定の範囲で導入することにより、垂直磁気異方性
に優れ機械的強度の高いCo−0系垂直磁化膜を成膜可
能となし、電磁変換特性や耐久性に優れた垂直磁気記録
媒体の製造方法を提供しようとするものである。
製造方法において、非磁性支持体上にCo−a系垂直磁
化膜を蒸着により成膜するに際し、酸素ガスと不活性ガ
スを上記非磁性支持体の走行方向の上流側より所定範囲
の入射角度で、且つ上記酸素ガスと不活性ガスの混合比
率を所定の範囲で導入することにより、垂直磁気異方性
に優れ機械的強度の高いCo−0系垂直磁化膜を成膜可
能となし、電磁変換特性や耐久性に優れた垂直磁気記録
媒体の製造方法を提供しようとするものである。
近年、磁気記録における短波長化と狭トラツク化による
記録密度の向上は目覚ましく、光記録に近い面記録密度
の実用化がいわゆる垂直磁化膜を利用した垂直磁気記録
媒体を用いることで期待されている。このような状況の
中にあって、成膜の容易さ等の観点から垂直磁化膜とし
てCo−0系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録媒体が従
業されている。
記録密度の向上は目覚ましく、光記録に近い面記録密度
の実用化がいわゆる垂直磁化膜を利用した垂直磁気記録
媒体を用いることで期待されている。このような状況の
中にあって、成膜の容易さ等の観点から垂直磁化膜とし
てCo−0系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録媒体が従
業されている。
従来、上記Co−0系垂直磁化膜を用いた垂直磁気記録
媒体の製造方法としては、例えば特開昭61−2086
23号広報に記載されるように、真空雰囲気中で酸素ガ
スと不活性ガスを導入し、Goを蒸発材料として真空蒸
着により非磁性支持体上にC0−0系垂直磁化膜を形成
する方法が知られている。この方法によって、磁気特性
に優れた垂直磁気記録媒体を製造しようとしている。
媒体の製造方法としては、例えば特開昭61−2086
23号広報に記載されるように、真空雰囲気中で酸素ガ
スと不活性ガスを導入し、Goを蒸発材料として真空蒸
着により非磁性支持体上にC0−0系垂直磁化膜を形成
する方法が知られている。この方法によって、磁気特性
に優れた垂直磁気記録媒体を製造しようとしている。
ところで、上述の製造方法は、使用される真空蒸着装置
の構造上の制約により、酸素ガスと不活性ガスを導入す
る際の入射角ψを非磁性支持体に対して高角度(50゜
<ψ≦90°)に設定し、上記酸素ガスと不活性ガスと
を別々に供給するとともに、特に酸素ガスに関しては非
磁性支持体走行方向の下流側から導入するものであるが
、本発明者等がさらに検討を重ねた結果、得られる垂直
磁化膜の磁気特性、特に垂直磁気異方性や機械的強度の
点で未だ充分なものであるとは言い難いものとの結論を
得るに至った。
の構造上の制約により、酸素ガスと不活性ガスを導入す
る際の入射角ψを非磁性支持体に対して高角度(50゜
<ψ≦90°)に設定し、上記酸素ガスと不活性ガスと
を別々に供給するとともに、特に酸素ガスに関しては非
磁性支持体走行方向の下流側から導入するものであるが
、本発明者等がさらに検討を重ねた結果、得られる垂直
磁化膜の磁気特性、特に垂直磁気異方性や機械的強度の
点で未だ充分なものであるとは言い難いものとの結論を
得るに至った。
そこで、本発明は上述の実情に鑑みて提案されたもので
あって、結晶成長を乱すことなく、垂直磁気異方性及び
機械的強度の高いCo−0系垂直磁化膜を成膜可能とす
ることを目的とし、電磁変換特性、耐久性に優れた垂直
磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
あって、結晶成長を乱すことなく、垂直磁気異方性及び
機械的強度の高いCo−0系垂直磁化膜を成膜可能とす
ることを目的とし、電磁変換特性、耐久性に優れた垂直
磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とするも
のである。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、非磁性支持体上にCo−0系垂直磁化膜を形成す
る際に導入される混合ガスの成分および入射角度が得ら
れるCo−0系垂直磁化膜の特性に大きな影響を及ぼす
との知見を得るに至った。
結果、非磁性支持体上にCo−0系垂直磁化膜を形成す
る際に導入される混合ガスの成分および入射角度が得ら
れるCo−0系垂直磁化膜の特性に大きな影響を及ぼす
との知見を得るに至った。
本発明は、上述の知見に基づいて提案されたものであっ
て、非磁性支持体上にCo−0系垂直磁化膜を蒸着によ
り成膜するに際し、酸素ガスと不活性ガスを上記非磁性
支持体の走行方向の上流側より入射角O″″くψ≦45
°で導入し、且つ酸素ガスと不活性ガスの混合比を0.
05≦不活性ガス/酸素ガス≦1.0とすることを特徴
とするものである。
て、非磁性支持体上にCo−0系垂直磁化膜を蒸着によ
り成膜するに際し、酸素ガスと不活性ガスを上記非磁性
支持体の走行方向の上流側より入射角O″″くψ≦45
°で導入し、且つ酸素ガスと不活性ガスの混合比を0.
05≦不活性ガス/酸素ガス≦1.0とすることを特徴
とするものである。
上記入射角ψとは、第1図に示すように、CO蒸発ルツ
ボ(4)に対向する冷却キャン(1)の接面の法線(A
)に対する酸素ガスと不活性ガス(B)の入射角度を示
している。なお、第1図は垂直磁気記録媒体を製造する
ために用いる電子ビーム蒸着装置の一例を示すものであ
る。
ボ(4)に対向する冷却キャン(1)の接面の法線(A
)に対する酸素ガスと不活性ガス(B)の入射角度を示
している。なお、第1図は垂直磁気記録媒体を製造する
ために用いる電子ビーム蒸着装置の一例を示すものであ
る。
本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法において、導入さ
れる混合ガス(酸素ガスと不活性ガス)の入射角ψはQ
@<ψ≦45″′の範囲内であることが好ましい。
れる混合ガス(酸素ガスと不活性ガス)の入射角ψはQ
@<ψ≦45″′の範囲内であることが好ましい。
例えば、上記混合ガスの入射角ψがOoの場合には、C
o蒸発蒸気流の非磁性支持体上への入射角と同一となっ
てしまい装置構造上の問題から不適当である。また上記
混合ガスの入射角ψが45゜より大きい場合には、Co
蒸発蒸気流の非磁性支持体上への入射の状態を乱すこと
になり、Go−0系垂直磁化膜の垂直磁気異方性が乱れ
易く、電磁変換特性等の磁気特性の低下を招く虞がある
。
o蒸発蒸気流の非磁性支持体上への入射角と同一となっ
てしまい装置構造上の問題から不適当である。また上記
混合ガスの入射角ψが45゜より大きい場合には、Co
蒸発蒸気流の非磁性支持体上への入射の状態を乱すこと
になり、Go−0系垂直磁化膜の垂直磁気異方性が乱れ
易く、電磁変換特性等の磁気特性の低下を招く虞がある
。
さらに、酸素ガスと不活性ガスの混合比は0.05≦不
活性ガス/酸素ガス≦1.0であることが好ましい。
活性ガス/酸素ガス≦1.0であることが好ましい。
すなわち、上記酸素ガスと不活性ガスの混合比(不活性
ガス/酸素ガス)が0.05以下であると、磁気特性の
うち特に垂直磁気異方性が低下する。
ガス/酸素ガス)が0.05以下であると、磁気特性の
うち特に垂直磁気異方性が低下する。
さらには再生出力も低下する。また反対に混合比が1.
0以上の場合においても、上記同様垂直磁気異方性およ
び再生出力特性が低下する。さらには、不活性ガスの流
量が酸素ガスの流量に比べて多い場合又は少ない場合は
、垂直磁気異方性が低下し、耐久性の点でも若干低下す
る。
0以上の場合においても、上記同様垂直磁気異方性およ
び再生出力特性が低下する。さらには、不活性ガスの流
量が酸素ガスの流量に比べて多い場合又は少ない場合は
、垂直磁気異方性が低下し、耐久性の点でも若干低下す
る。
また、混合ガスは、非磁性支持体の走行方向の上流側(
第1図中矢印C方向)から導入する。すなわち、非磁性
支持体走行方向の上流側から混合ガスを導入した場合に
は、酸素ガスの濃度勾配が作製されるCo−0系垂直磁
化膜の下層部分に酸素が多く存在することになり、C0
−0系垂直磁化膜と非磁性支持体との剥離強度を高める
ことができ、当該C0−0系垂直磁化膜表面の強度も高
くなる。これに対して非磁性支持体走行方向の下流側(
第1図中矢印り方向)から混合ガスを導入した場合には
、酸素ガスの濃度勾配が作製されるCo−0系垂直磁化
膜の上層部分に酸素が多く存在することになり、C0−
0系垂直磁化膜表面が傷付き易くなる虞がある。
第1図中矢印C方向)から導入する。すなわち、非磁性
支持体走行方向の上流側から混合ガスを導入した場合に
は、酸素ガスの濃度勾配が作製されるCo−0系垂直磁
化膜の下層部分に酸素が多く存在することになり、C0
−0系垂直磁化膜と非磁性支持体との剥離強度を高める
ことができ、当該C0−0系垂直磁化膜表面の強度も高
くなる。これに対して非磁性支持体走行方向の下流側(
第1図中矢印り方向)から混合ガスを導入した場合には
、酸素ガスの濃度勾配が作製されるCo−0系垂直磁化
膜の上層部分に酸素が多く存在することになり、C0−
0系垂直磁化膜表面が傷付き易くなる虞がある。
本発明で使用される非磁性支持体の材料としては、通常
の磁気記録媒体の非磁性支持体として使用されている材
料であれば何れの材料をも使用することができる。特に
加工性、成形性、可撓性等の点で、有機重合体材料が通
しており、中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、
ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリメチルメタア
クリレート、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリ
アミド、芳香族ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド
、ポリフェニレンオキサイド、ポリアミドイミド、ポリ
イミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフ
ッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、酢酸セ
ルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エポ
キシ樹脂、ウレタン樹脂或いはこれらの混合物、共重合
物等が適している。また非磁性支持体の形状としては、
ドラム状、ディスク状、シート状、テープ状、カード状
等いずれでもよい、これら非磁性支持体は、磁気記録層
を形成するに先立ち、易接着化、平面性改良、着色、帯
電防止、耐摩耗性付与等の目的で表面処理や前処理が行
われてもよい。
の磁気記録媒体の非磁性支持体として使用されている材
料であれば何れの材料をも使用することができる。特に
加工性、成形性、可撓性等の点で、有機重合体材料が通
しており、中でもポリエチレンテレフタレート、ポリエ
チレンナフタレート等のポリエステル、ポリエチレン、
ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリメチルメタア
クリレート、ポリカーボネート、ポリスルフォン、ポリ
アミド、芳香族ポリアミド、ポリフェニレンスルフィド
、ポリフェニレンオキサイド、ポリアミドイミド、ポリ
イミド、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリフ
ッ化ビニリデン、ポリテトラフルオロエチレン、酢酸セ
ルロース、メチルセルロース、エチルセルロース、エポ
キシ樹脂、ウレタン樹脂或いはこれらの混合物、共重合
物等が適している。また非磁性支持体の形状としては、
ドラム状、ディスク状、シート状、テープ状、カード状
等いずれでもよい、これら非磁性支持体は、磁気記録層
を形成するに先立ち、易接着化、平面性改良、着色、帯
電防止、耐摩耗性付与等の目的で表面処理や前処理が行
われてもよい。
本発明で垂直磁気記録媒体を製造する際に適用される真
空蒸着法としては、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着、電子
ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、イオンブレーティング
、レーザービーム蒸着、アーク放電蒸着等の真空蒸着法
のいずれもが実施可能であるが、垂直磁気記録媒体の保
磁力、異方性磁界等の磁気特性を向上させる上で、また
速い蒸着速度を得るために電子ビーム蒸着、イオンブレ
ーティング等の方法が適しており、さらに操作性、量産
性の工業的観点からは電子ビーム蒸着法が最も適してい
る。
空蒸着法としては、抵抗加熱蒸着、誘導加熱蒸着、電子
ビーム蒸着、イオンビーム蒸着、イオンブレーティング
、レーザービーム蒸着、アーク放電蒸着等の真空蒸着法
のいずれもが実施可能であるが、垂直磁気記録媒体の保
磁力、異方性磁界等の磁気特性を向上させる上で、また
速い蒸着速度を得るために電子ビーム蒸着、イオンブレ
ーティング等の方法が適しており、さらに操作性、量産
性の工業的観点からは電子ビーム蒸着法が最も適してい
る。
本発明の製造方法によれば、混合ガスの入射角ψをQ@
<ψ≦45@とすることにより、CO蒸発蒸気流を乱す
ことなく非磁性支持体上にCOを蒸着することができる
ため、垂直磁気異方性に優れたCo−0系垂直磁化膜が
形成される。
<ψ≦45@とすることにより、CO蒸発蒸気流を乱す
ことなく非磁性支持体上にCOを蒸着することができる
ため、垂直磁気異方性に優れたCo−0系垂直磁化膜が
形成される。
また、混合ガスの成分である酸素ガスと不活性ガスとの
混合比を0.05≦不活性ガス/酸素ガス≦1.0とす
ることにより、磁気特性および再生出力特性が向上する
。
混合比を0.05≦不活性ガス/酸素ガス≦1.0とす
ることにより、磁気特性および再生出力特性が向上する
。
また、混合ガスを非磁性支持体の走行方向の上流側から
導入することにより、酸素濃度がCo−〇系垂直磁化膜
の下層部分で高くなるため、当該Co−0系垂直磁化膜
と上記非磁性支持体との剥離強度が増し、機械的強度に
優れたGo−0系垂直磁化膜が形成される。
導入することにより、酸素濃度がCo−〇系垂直磁化膜
の下層部分で高くなるため、当該Co−0系垂直磁化膜
と上記非磁性支持体との剥離強度が増し、機械的強度に
優れたGo−0系垂直磁化膜が形成される。
以下、本発明を適用した実施例について図面を参照しな
がら説明する。
がら説明する。
第1図は、本発明に係る垂直磁気記録媒体の製造方法を
実施するための電子ビーム蒸着装置の一例である。上記
電子ビーム蒸着装置は、排気系(5)と電子銃(8)を
備えたチャンバー(6)中に非磁性支持体(9)の供給
ローラー(2)、冷却キャン(1)、非磁性支持体(9
)の巻き取りローラー(3)からなる長尺状非磁性支持
体(9)の走行系と、COを備えたルツボ(4)と混合
ガス導入管(7)からなる蒸着系とを備えてなるもので
ある。
実施するための電子ビーム蒸着装置の一例である。上記
電子ビーム蒸着装置は、排気系(5)と電子銃(8)を
備えたチャンバー(6)中に非磁性支持体(9)の供給
ローラー(2)、冷却キャン(1)、非磁性支持体(9
)の巻き取りローラー(3)からなる長尺状非磁性支持
体(9)の走行系と、COを備えたルツボ(4)と混合
ガス導入管(7)からなる蒸着系とを備えてなるもので
ある。
Co−0系垂直磁化膜が蒸着形成される非磁性支持体(
9)は、上記供給ローラー(2)から供給され、冷却キ
ャン(1)上でCo−0系垂直磁化膜が形成された後、
巻き取りローラー(3)によって巻き取られる。なお、
C0−0系垂直磁化膜を蒸着形成する冷却キャン(1)
は、その表面温度がO″CC付近御されるように図示さ
れない冷却機能を有している。
9)は、上記供給ローラー(2)から供給され、冷却キ
ャン(1)上でCo−0系垂直磁化膜が形成された後、
巻き取りローラー(3)によって巻き取られる。なお、
C0−0系垂直磁化膜を蒸着形成する冷却キャン(1)
は、その表面温度がO″CC付近御されるように図示さ
れない冷却機能を有している。
上記Co−0系垂直磁化膜を蒸着形成する冷却キャン(
1)とCoを備えたルツボ(4)との間には遮蔽板(1
0)、(10)が備えられ、この遮蔽板(10) 。
1)とCoを備えたルツボ(4)との間には遮蔽板(1
0)、(10)が備えられ、この遮蔽板(10) 。
(10)はルツボ(4)からのCo蒸発蒸気流の蒸着状
態と混合ガス導入管(7)からの混合ガスの導入状態を
制御するようになっている。
態と混合ガス導入管(7)からの混合ガスの導入状態を
制御するようになっている。
Coを備えたルツボ(4)は、チャンバー(6)に備え
た電子銃(8)からの電子ビームによって加熱される。
た電子銃(8)からの電子ビームによって加熱される。
そしてその熱によってCoが蒸発しC。
蒸発蒸気流として冷却キャン(1)上に走行する非磁性
支持体(9)表面に蒸着する。その際、非磁性支持体の
走行方向の上流側に備えられた混合ガス導入管(7)か
ら所定範囲の混合比とされた酸素ガスと不活性ガスも同
時に導入され、Co−0系垂直磁化膜が非磁性支持体(
9)上に蒸着形成される。
支持体(9)表面に蒸着する。その際、非磁性支持体の
走行方向の上流側に備えられた混合ガス導入管(7)か
ら所定範囲の混合比とされた酸素ガスと不活性ガスも同
時に導入され、Co−0系垂直磁化膜が非磁性支持体(
9)上に蒸着形成される。
本実施例では、不活性ガスにAr、N、を用いたが、H
e等を使用しても差し支えない、なおルツボ(4)は、
電子銃(8)からの電子ビームによって加熱され蒸発す
るCOの蒸着速度を任意に制御して蒸着させることがで
きる。また上記混合ガス導入管(7)には、混合ガスの
導入量および混合比率を制御する機構が設けられている
。このため、所定の酸素濃度勾配を有したCo−0系垂
直磁化膜を形成することができる。
e等を使用しても差し支えない、なおルツボ(4)は、
電子銃(8)からの電子ビームによって加熱され蒸発す
るCOの蒸着速度を任意に制御して蒸着させることがで
きる。また上記混合ガス導入管(7)には、混合ガスの
導入量および混合比率を制御する機構が設けられている
。このため、所定の酸素濃度勾配を有したCo−0系垂
直磁化膜を形成することができる。
なお、本発明の製造方法に使用される装置は、上述の装
置に限定されるものではない。
置に限定されるものではない。
叉ILL
上述のような装置を使用して垂直磁気記録媒体を作製し
た。その際、ルツボ(4)には純度99,9%のCoを
用意し、Coの蒸着速度を3500人/sec、非磁性
支持体(9)の走行速度を16m/sinとし、Co−
0系垂直磁化膜の膜厚が2000人となるようにした。
た。その際、ルツボ(4)には純度99,9%のCoを
用意し、Coの蒸着速度を3500人/sec、非磁性
支持体(9)の走行速度を16m/sinとし、Co−
0系垂直磁化膜の膜厚が2000人となるようにした。
また、混合ガス導入管(7)は非磁性支持体(9)の走
行方向の上流側(C)に設置した。そして、混合ガスに
酸素ガスと不活性ガスとしてArガスを用いた。その不
活性ガスと酸素ガスとの混合比は、不活性ガス/酸素ガ
ス=0.6となるようにした。すなわち、Arガス流量
を180cc/@in 、酸素ガス流量を300cc/
winとした。そして混合ガスの入射角度を30@とし
て上記混合ガスを導入した。蒸着中の雰囲気ガス圧は5
X 10−’Torrであった0以上のようにしてサ
ンプルテープを作製した。
行方向の上流側(C)に設置した。そして、混合ガスに
酸素ガスと不活性ガスとしてArガスを用いた。その不
活性ガスと酸素ガスとの混合比は、不活性ガス/酸素ガ
ス=0.6となるようにした。すなわち、Arガス流量
を180cc/@in 、酸素ガス流量を300cc/
winとした。そして混合ガスの入射角度を30@とし
て上記混合ガスを導入した。蒸着中の雰囲気ガス圧は5
X 10−’Torrであった0以上のようにしてサ
ンプルテープを作製した。
z隻LL
実施例2では、不活性ガスと酸素ガスの混合比が不活性
ガス/酸素ガス−0,9となるよう、Arガス流量を2
70cc/mtロ、酸素ガス流量を300cc/ll1
inとした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は6 X 1
0−’Torrであった。その他は、実施例1と同一条
件とし、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテー
プを作製した。
ガス/酸素ガス−0,9となるよう、Arガス流量を2
70cc/mtロ、酸素ガス流量を300cc/ll1
inとした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は6 X 1
0−’Torrであった。その他は、実施例1と同一条
件とし、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテー
プを作製した。
1旌桝主
実施例3では、不活性ガスと酸素ガスの混合比が不活性
ガス/酸素ガス=0.1となるよう、Arガス流量を3
0cc、/++in、酸素ガス流量を300cc/ll
1nとした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は2 X 1
0−’Torrであった。その他は、実施例1と同一条
件とし、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテー
プを作製した。
ガス/酸素ガス=0.1となるよう、Arガス流量を3
0cc、/++in、酸素ガス流量を300cc/ll
1nとした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は2 X 1
0−’Torrであった。その他は、実施例1と同一条
件とし、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテー
プを作製した。
実Ju先
実施例4では、不活性ガスと酸素ガスの混合比が不活性
ガス/酸素ガス=0.6となるよう、Ntガス流量を+
80cc/sin 、酸素ガス流量を300cc/s
inとした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は5 X 1
0−’Torrであった。その他は、実施例1と同一条
件とし、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテー
プを作製した。
ガス/酸素ガス=0.6となるよう、Ntガス流量を+
80cc/sin 、酸素ガス流量を300cc/s
inとした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は5 X 1
0−’Torrであった。その他は、実施例1と同一条
件とし、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテー
プを作製した。
ル較斑土
実施例1と同様の装置を使用して垂直磁気記録媒体を作
製した。その際、不活性ガスと酸素ガスの混合比が不活
性ガス/酸素ガス−1,2となるよう、Arガス流量を
360cc/sin 、酸素ガス流量を300cc/w
inとした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は6.5X
10−’Tartであった。その他は、実施例1と同一
条件とし、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテ
ープを作製した。
製した。その際、不活性ガスと酸素ガスの混合比が不活
性ガス/酸素ガス−1,2となるよう、Arガス流量を
360cc/sin 、酸素ガス流量を300cc/w
inとした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は6.5X
10−’Tartであった。その他は、実施例1と同一
条件とし、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテ
ープを作製した。
几IJL影
比較例2では、不活性ガスと酸素ガスの混合比が不活性
ガス/酸素ガス−0,03となるよう、Arガス流量を
9cc/win 、酸素ガス流νを300cc/win
とした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は2X 10−’
Torrであった。その他は、実施例1と同一条件とし
、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテープを作
製した。
ガス/酸素ガス−0,03となるよう、Arガス流量を
9cc/win 、酸素ガス流νを300cc/win
とした。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は2X 10−’
Torrであった。その他は、実施例1と同一条件とし
、上記実施例1と同様の方法によりサンプルテープを作
製した。
ル較班主
比較例3では、不活性ガスと酸素ガスの混合比が不活性
ガス/酸素ガス−0,6となるよう、Arガス流量を1
80cc/win 、酸素ガス流量を300cc/l1
inとした。そして混合ガスの入射角を50°として上
記混合ガスを導入した。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は
5 X l O−’Torrであった。その他は、実施
例1と同一条件とし、上記実施例1と同様の方法により
サンプルテープを作製した。
ガス/酸素ガス−0,6となるよう、Arガス流量を1
80cc/win 、酸素ガス流量を300cc/l1
inとした。そして混合ガスの入射角を50°として上
記混合ガスを導入した。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は
5 X l O−’Torrであった。その他は、実施
例1と同一条件とし、上記実施例1と同様の方法により
サンプルテープを作製した。
止較廻l
比較例4では、不活性ガスと酸素ガスの混合比が不活性
ガス/酸素ガス=0.6となるよう、Arガス流量を1
80cc/sin 、酸素ガス流量を309cc/si
nとした。そしてこの場合のみ混合ガスを導入する混合
ガス導入管(7)を非磁性支持体(9)の走行方向の下
流側に設置し、混合ガスの入射角を30°として上記混
合ガスを導入した。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は5
X I O−’Torrであった。その他は、実施例1
と同一条件とし、上記実施例1と同様の方法によりサン
プルテープを作製した。
ガス/酸素ガス=0.6となるよう、Arガス流量を1
80cc/sin 、酸素ガス流量を309cc/si
nとした。そしてこの場合のみ混合ガスを導入する混合
ガス導入管(7)を非磁性支持体(9)の走行方向の下
流側に設置し、混合ガスの入射角を30°として上記混
合ガスを導入した。また、蒸着中の雰囲気ガス圧は5
X I O−’Torrであった。その他は、実施例1
と同一条件とし、上記実施例1と同様の方法によりサン
プルテープを作製した。
上述のようにして作製した各サンプルテープについて、
飽和磁束密度BS、垂直方向保磁力Hc、異方性磁界H
k、機械的耐久性について測定を行った。なお機械的耐
久性については、磁性層表面にリン酸エステル潤滑剤を
塗布し、スチル耐久性及びスチル耐久性測定後の目視観
察による表面状態を評価した。表面状態は、スチル耐久
性測定後の磁性層表面に傷の発生がないものをO印で、
また磁性層表面に多少の傷の発生があったものをΔ印で
表し、上記磁性層表面に傷の発生があったものを×印で
表した。その結果を第1表に示す、また、実施例1.実
施例2及び比較例1.比較例2についての記録波長と再
生出力の関係を第2図に示す、なお、第2図中実線は実
施例1に、破線は実施例2に、−点鎖線は比較例1に、
二点鎖線は比較例2にそれぞれ対応している。
飽和磁束密度BS、垂直方向保磁力Hc、異方性磁界H
k、機械的耐久性について測定を行った。なお機械的耐
久性については、磁性層表面にリン酸エステル潤滑剤を
塗布し、スチル耐久性及びスチル耐久性測定後の目視観
察による表面状態を評価した。表面状態は、スチル耐久
性測定後の磁性層表面に傷の発生がないものをO印で、
また磁性層表面に多少の傷の発生があったものをΔ印で
表し、上記磁性層表面に傷の発生があったものを×印で
表した。その結果を第1表に示す、また、実施例1.実
施例2及び比較例1.比較例2についての記録波長と再
生出力の関係を第2図に示す、なお、第2図中実線は実
施例1に、破線は実施例2に、−点鎖線は比較例1に、
二点鎖線は比較例2にそれぞれ対応している。
〈以下余白〉
第1表
第1表および第2図から分かるように、酸素ガスと不活
性ガスの混合比を0.05≦不活性ガス/酸素ガス≦1
.0として非磁性支持体の走行方向の上流側より入射角
Q”<ψ≦45°の範囲で導入した実施例1乃至実施例
4では、良好な磁気特性、機械的耐久性および?t i
ff変換特性が得られた。−方、酸素ガスと不活性ガス
の混合比率を0,05≦不活性ガス/酸素ガス≦1.0
の範囲外とした比較例1および比較例2では、良好な磁
気特性および電磁変換特性を得るには至らなかった。特
に酸素ガスの割合が多い比較例1では、機械的耐久性の
低下も見られた。また、混合ガスの入射角ψを0″′〈
ψ≦45°の範囲外とした比較例3では、良好な磁気特
性および電磁変換特性が得られなかった。
性ガスの混合比を0.05≦不活性ガス/酸素ガス≦1
.0として非磁性支持体の走行方向の上流側より入射角
Q”<ψ≦45°の範囲で導入した実施例1乃至実施例
4では、良好な磁気特性、機械的耐久性および?t i
ff変換特性が得られた。−方、酸素ガスと不活性ガス
の混合比率を0,05≦不活性ガス/酸素ガス≦1.0
の範囲外とした比較例1および比較例2では、良好な磁
気特性および電磁変換特性を得るには至らなかった。特
に酸素ガスの割合が多い比較例1では、機械的耐久性の
低下も見られた。また、混合ガスの入射角ψを0″′〈
ψ≦45°の範囲外とした比較例3では、良好な磁気特
性および電磁変換特性が得られなかった。
さらにまた、混合ガスを下流側から導入した比較例4で
は、磁気特性は良好であるものの、耐久性の点で垂直磁
気記録媒体の表面に傷が付き易いという問題がある。
は、磁気特性は良好であるものの、耐久性の点で垂直磁
気記録媒体の表面に傷が付き易いという問題がある。
以上の説明からも明らかなように、Co−0系垂直磁化
膜を製造する際に導入する酸素ガスと不活性ガスの入射
角φを0″′〈ψ≦45°の範囲内とすることにより、
C□ ’flfi発蒸気流の流れが乱れることなく良好
に非磁性支持体上に蒸着するため垂直磁気異方性が向上
する。さらに、上記酸素ガスと不活性ガスの混合比を0
.05≦不活性ガス/酸素ガス≦1.0の範囲内に設定
することにより、より優れた垂直磁気異方性が得られる
。
膜を製造する際に導入する酸素ガスと不活性ガスの入射
角φを0″′〈ψ≦45°の範囲内とすることにより、
C□ ’flfi発蒸気流の流れが乱れることなく良好
に非磁性支持体上に蒸着するため垂直磁気異方性が向上
する。さらに、上記酸素ガスと不活性ガスの混合比を0
.05≦不活性ガス/酸素ガス≦1.0の範囲内に設定
することにより、より優れた垂直磁気異方性が得られる
。
また混合ガスを非磁性支持体の走行方向の上流側から導
入することにより、酸素濃度がCo−〇光垂直磁化膜の
下層部分で高くなるため、Co−0系垂直磁化膜と非磁
性支持体との剥離強度が増し、機械的強度に優れたCo
−0系垂直磁化膜を形成することができる。
入することにより、酸素濃度がCo−〇光垂直磁化膜の
下層部分で高くなるため、Co−0系垂直磁化膜と非磁
性支持体との剥離強度が増し、機械的強度に優れたCo
−0系垂直磁化膜を形成することができる。
したがって、本発明方法によれば、垂直磁気異方性に優
れ機械的強度の高いCo−0系垂直磁化膜を形成するこ
とができ、電磁変換特性や耐久性に優れた垂直磁気記録
媒体を製造することができる。
れ機械的強度の高いCo−0系垂直磁化膜を形成するこ
とができ、電磁変換特性や耐久性に優れた垂直磁気記録
媒体を製造することができる。
第1図は垂直磁気記録媒体を作製する真空蒸着装置の一
例を示す概略正面図である。 第2図は本発明を適用して作製した垂直磁気記録媒体の
記録波長と再生出力との関係を比較例のそれと比べて示
す特性図である。 1・・・冷却キャン 2・・・供給ローラー 3・・・巻き取りローラー 4・・・ルツボ 7・・・混合ガス導入管 8・・・電子銃 9・・・非磁性支持体 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 手漉 晃 同 旧材 榮− 同 佐原 勝 に主出力 、
例を示す概略正面図である。 第2図は本発明を適用して作製した垂直磁気記録媒体の
記録波長と再生出力との関係を比較例のそれと比べて示
す特性図である。 1・・・冷却キャン 2・・・供給ローラー 3・・・巻き取りローラー 4・・・ルツボ 7・・・混合ガス導入管 8・・・電子銃 9・・・非磁性支持体 特許出願人 ソニー株式会社 代理人 弁理士 手漉 晃 同 旧材 榮− 同 佐原 勝 に主出力 、
Claims (1)
- 非磁性支持体上にCo−O系垂直磁化膜を蒸着により成
膜するに際し、酸素ガスと不活性ガスを上記非磁性支持
体の走行方向の上流側より入射角0゜<ψ≦45゜で導
入し、且つ酸素ガスと不活性ガスの混合比を0.05≦
不活性ガス/酸素ガス≦1.0とすることを特徴とする
垂直磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26740787A JPH01109531A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26740787A JPH01109531A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01109531A true JPH01109531A (ja) | 1989-04-26 |
Family
ID=17444414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26740787A Pending JPH01109531A (ja) | 1987-10-23 | 1987-10-23 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH01109531A (ja) |
-
1987
- 1987-10-23 JP JP26740787A patent/JPH01109531A/ja active Pending
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