JPH01106425A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体装置の製造方法、とくに、半導体ウェ
ハへの不純物拡散処理の技術に関するものである。

従来の技術 半導体ウェハへの不純物拡散の処理工程は、従来、第２
図の概要断面図で示されるように、石英チューブ１内に
、カンチレバー２で操作できるボート３を配し、このボ
ート３上に半導体ウェハ４を並べて置き、石英チューブ
１の一端の供給口５から不純物ガスを供給しながら、常
圧下で、熱処理を行うのが通例である。

発明が解決しようとする問題点 しかしながら、従来の半導体ウェハへの不純物拡散の処
理工程では、不純物ガスの流れ、石英チューブ内の熱分
布に不均一が生じ易ぐ、半導体ウェハ間での特性のばら
つきや単一半導体ウエバ内でのばらつきが発生して、完
成半導体装置の品質の安定性、に不十分さがあった。

問題点を解決するための手段 本発明は、上述の問題点を解消することを目的とするも
ので、要約するに、１００〜３００ｍｍＨｇの減圧下で
不純物を気相供給しながら、半導体ウェハへの不純物拡
散処理を行う工程をそなえた半導体装置の製造方法であ
る。

作用 本発明によると、１００〜３００ｍｍＨｇの減圧下で不
純物ガスを供給することにより、熱拡散炉、いわゆる、
石英チューブ内での不純物ガス分布、ならびに同石英チ
ューブ内での対流の影響による温度分布が改善されて、
緒特性のばらつきが抑えられ、均一性が向上する。

実施例 つぎに、本発明を実施例によって詳しく述べる。

第２図は、実施例で使用した製造装置の概要断面図であ
り、石英チューブ１、封止用キャップ２、ボート３、半
導体ウェハ４、ガス供給口５および排気口６をそなえて
いる。

この製造装置を用いて、ガス供給口５から、窒素（Ｎ２
）を２０ｅ／分、リン含有の不純物ガスを３０ｃｃ／分
〜１００ｃｃ／分の毎流量でそれぞれ供給しながら、他
方の排気口６から石英チューブ１内の気圧を１００〜３
００　ｍｍ　Ｈｇの減圧状態に保持する。この状態で、
通常の不純物拡散の熱処理、たとえば、温度９００℃〜
１１００℃。

数十分〜数時間の熱処理を行う。

発明の効果 本発明によれば、単一半導体ウエバ内ならびに同時処理
される多数の半導体ウェハ間の拡散処理による特性のば
らつきが顕著に減少し、半導体装置の品質向上に大きな
寄与が可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明実施例で用いた製造装置の概要断面図、
第２図は従来例製造装置の概要断面図である。 １・・・・・・石英チューブ、２・・・・・・カンチレ
バー、３・・・・・・ボート、４・・・・・・半導体ウ
エノ１．５・・・・・・ガス供給口、６・・・・・・排
気口。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　１００〜３００ｍｍＨｇの減圧下で不純物を気相供給
   しながら、半導体ウェハへの不純物拡散処理を行う工程
   をそなえたことを特徴とする半導体装置の製造方法。