JPH0684819A - 高濃度にドープされた半導体物質の製造方法 - Google Patents
高濃度にドープされた半導体物質の製造方法Info
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- JPH0684819A JPH0684819A JP5165051A JP16505193A JPH0684819A JP H0684819 A JPH0684819 A JP H0684819A JP 5165051 A JP5165051 A JP 5165051A JP 16505193 A JP16505193 A JP 16505193A JP H0684819 A JPH0684819 A JP H0684819A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ３×１０19原子／ｃｍ3 を超えるピーク濃度
で半導体のチップとウエハ、特にシリコンのチップとウ
エハを拡散ドープする方法を提供する。 【構成】 ドープされる半導体物質は炉５７内に置かれ
る。炉の雰囲気はキャリア・ガス２０とドーパント含有
ガス２２を含む。ドーパント含有ガスは、容積で炉室の
全容積の約０．１％を超える。混合ガス圧は約０．１ト
ルを超える。混合ガスは約１ｐｐｍ未満の濃度の酸化剤
を含む。 【効果】 本発明の方法により、シリコン表面を直接ド
ープし、拡散プロセスによってピーク濃度が高く浅いｎ
型ドーピング領域を形成できるので、高いドーピング濃
度を得るための一般のイオン注入によるシリコン表面の
損傷を無くすことができる。この方法は無指向性である
のでトレンチ側壁を高濃度でドープできる。
で半導体のチップとウエハ、特にシリコンのチップとウ
エハを拡散ドープする方法を提供する。 【構成】 ドープされる半導体物質は炉５７内に置かれ
る。炉の雰囲気はキャリア・ガス２０とドーパント含有
ガス２２を含む。ドーパント含有ガスは、容積で炉室の
全容積の約０．１％を超える。混合ガス圧は約０．１ト
ルを超える。混合ガスは約１ｐｐｍ未満の濃度の酸化剤
を含む。 【効果】 本発明の方法により、シリコン表面を直接ド
ープし、拡散プロセスによってピーク濃度が高く浅いｎ
型ドーピング領域を形成できるので、高いドーピング濃
度を得るための一般のイオン注入によるシリコン表面の
損傷を無くすことができる。この方法は無指向性である
のでトレンチ側壁を高濃度でドープできる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体物質の所定の領
域にピーク濃度が高い不純物を拡散する方法に関する。
特に、本発明は、半導体物質のウエハにＦＥＴトランジ
スタのソースとドレインの領域と、バイポーラ・トラン
ジスタのためのｎ型のエミッタとサブコレクタとを形成
するための、高ピーク濃度のｎ型領域の拡散に関する。
具体的には、トレンチ構造の一様なドーピングと、シー
ト抵抗率２５Ω／□以下の高伝導率多結晶Ｓｉについて
述べる。ドーパントのソースはドーパント含有ガスであ
る。ピーク濃度は約３×１０19原子／ｃｍ3 を超える。
高ピーク濃度はドーピング・ソース・ガスとキャリア・
ガスとの混合ガスの組成と圧力の調整、及び酸化剤を最
少にすることによって得られる。
域にピーク濃度が高い不純物を拡散する方法に関する。
特に、本発明は、半導体物質のウエハにＦＥＴトランジ
スタのソースとドレインの領域と、バイポーラ・トラン
ジスタのためのｎ型のエミッタとサブコレクタとを形成
するための、高ピーク濃度のｎ型領域の拡散に関する。
具体的には、トレンチ構造の一様なドーピングと、シー
ト抵抗率２５Ω／□以下の高伝導率多結晶Ｓｉについて
述べる。ドーパントのソースはドーパント含有ガスであ
る。ピーク濃度は約３×１０19原子／ｃｍ3 を超える。
高ピーク濃度はドーピング・ソース・ガスとキャリア・
ガスとの混合ガスの組成と圧力の調整、及び酸化剤を最
少にすることによって得られる。
【０００２】
【従来の技術】シリコン集積回路の製作における多数の
プロセスは、ホウ素及びヒ素を始めとする高濃度のｐ型
及びｎ型ドーピング物質でシリコン基板を選択的にドー
プする必要がある。さらにドーパントの浸透深さを制御
する必要がある。イオン注入はピーク濃度が高く浅いド
ーパント・プロファイルを得るうえで、現在重要な技術
である。しかし、注入プロセスはその性質上、半導体基
板を損傷させる。注入による損傷は、シリコンＩＣの性
能と製作に制限をもたらし、特定のシリコンＩＣ製作工
程の種類の選択に影響を及ぼす重大な問題であることは
周知の通りである。さらにイオン注入は、例えばトレン
チの側壁をドープする際、非平面プロセスにおいては簡
単に使用できない。注入による損傷を避け、非平面ドー
ピングの条件を満たすために様々な技術が提示され、成
長物質や被着物質からドーパントをシリコンなどの半導
体物質のウエハにまで拡散させる方法がとられている。
一般にこれらのプロセスは以下の問題がある。再現性が
高くない、クリーンでない、ドーパントの表面濃度が十
分高くならない、ソースが最終的には減耗する、などで
ある。
プロセスは、ホウ素及びヒ素を始めとする高濃度のｐ型
及びｎ型ドーピング物質でシリコン基板を選択的にドー
プする必要がある。さらにドーパントの浸透深さを制御
する必要がある。イオン注入はピーク濃度が高く浅いド
ーパント・プロファイルを得るうえで、現在重要な技術
である。しかし、注入プロセスはその性質上、半導体基
板を損傷させる。注入による損傷は、シリコンＩＣの性
能と製作に制限をもたらし、特定のシリコンＩＣ製作工
程の種類の選択に影響を及ぼす重大な問題であることは
周知の通りである。さらにイオン注入は、例えばトレン
チの側壁をドープする際、非平面プロセスにおいては簡
単に使用できない。注入による損傷を避け、非平面ドー
ピングの条件を満たすために様々な技術が提示され、成
長物質や被着物質からドーパントをシリコンなどの半導
体物質のウエハにまで拡散させる方法がとられている。
一般にこれらのプロセスは以下の問題がある。再現性が
高くない、クリーンでない、ドーパントの表面濃度が十
分高くならない、ソースが最終的には減耗する、などで
ある。
【０００３】半導体ウエハにｎ型ドーパントを拡散する
方法は多数ある。
方法は多数ある。
【０００４】W．Runyanは著書"Silicon Semiconductor
Technology"（McGraw Hill、NY、1965）で、固体ソース
を使用するヒ素拡散は通常、三酸化ヒ素とシリコンとの
反応で行われると述べている。酸化物の蒸気は窒素と
０．５％以下の酸素の混合物によって拡散炉の拡散領域
に移送される。酸化物／シリコン界面でのヒ素層の形成
によって生じるステイニングを防ぐために、酸素が加え
られる。この方法によって得られる表面濃度は（２乃至
３）×１０19ｃｍ-3を越えることはない。これはシリコ
ン表面からの蒸発によってヒ素が急激に減耗するからで
ある。
Technology"（McGraw Hill、NY、1965）で、固体ソース
を使用するヒ素拡散は通常、三酸化ヒ素とシリコンとの
反応で行われると述べている。酸化物の蒸気は窒素と
０．５％以下の酸素の混合物によって拡散炉の拡散領域
に移送される。酸化物／シリコン界面でのヒ素層の形成
によって生じるステイニングを防ぐために、酸素が加え
られる。この方法によって得られる表面濃度は（２乃至
３）×１０19ｃｍ-3を越えることはない。これはシリコ
ン表面からの蒸発によってヒ素が急激に減耗するからで
ある。
【０００５】S．K．Gandhiは著書"VLSI Fabrication Pr
inciples"（John Wiley & Sons、1983、pp 170-171）
で、適切な有機結合剤でアルセノ・シロキサンから成る
ヒ素とドーパントのスピン・オンの利用について述べて
いる。これらは、２５０℃でベークアウトすると、反応
してこのドーパントのソースとなるアルセノケイ酸塩ガ
ラスを形成する。このガラスは拡散中にヒ素の蒸発の障
壁物として働くので、この方法により高ドーピング濃度
が得られる。しかし、このプロセスは有機物質とガラス
を用いるのでクリーンではなく、最先端の半導体ＩＣ製
造には不適である。
inciples"（John Wiley & Sons、1983、pp 170-171）
で、適切な有機結合剤でアルセノ・シロキサンから成る
ヒ素とドーパントのスピン・オンの利用について述べて
いる。これらは、２５０℃でベークアウトすると、反応
してこのドーパントのソースとなるアルセノケイ酸塩ガ
ラスを形成する。このガラスは拡散中にヒ素の蒸発の障
壁物として働くので、この方法により高ドーピング濃度
が得られる。しかし、このプロセスは有機物質とガラス
を用いるのでクリーンではなく、最先端の半導体ＩＣ製
造には不適である。
【０００６】S．K．Gandhiは著書"VLSI Fabrication Pr
inciples"（John Wiley & Sons、1983、pp 170-171）
で、ヒ素拡散でも良好な結果を示した密閉管の技術の応
用について述べている。ここではシリコン・スライス及
び固体ヒ素ソースが、排気した石英管に密閉される。ヒ
素ソースは、一般にヒ素と共にドープされる約３％の濃
度のシリコン粉末である。表面濃度は１０21ｃｍ-3と高
い値が得られる。しかし、この方式は密閉管及び有限な
ヒ素ソースの条件からいって、大容量シリコンＩＣの製
造には適さない。
inciples"（John Wiley & Sons、1983、pp 170-171）
で、ヒ素拡散でも良好な結果を示した密閉管の技術の応
用について述べている。ここではシリコン・スライス及
び固体ヒ素ソースが、排気した石英管に密閉される。ヒ
素ソースは、一般にヒ素と共にドープされる約３％の濃
度のシリコン粉末である。表面濃度は１０21ｃｍ-3と高
い値が得られる。しかし、この方式は密閉管及び有限な
ヒ素ソースの条件からいって、大容量シリコンＩＣの製
造には適さない。
【０００７】Y．W．Hsuehは"J．Electrochemical Socie
ty"（Vol．6、361-65、1968） で、シリコンへのヒ素拡
散にアルシンを使用した気体系について述べている。こ
の拡散は温度範囲１１６４乃至１２８０℃で実施され
た。水素又は窒素がキャリア・ガスとして使用された場
合、シリコン表面にかなりの孔食が観測された。その結
果、シリコン・ウエハ上のシート抵抗が不均一になっ
た。孔食を避けるために、拡散用に少量の酸素がヒ素に
混合された。孔食は減少したが、表面濃度はわずか２×
１０19ｃｍ-3にとどまった。
ty"（Vol．6、361-65、1968） で、シリコンへのヒ素拡
散にアルシンを使用した気体系について述べている。こ
の拡散は温度範囲１１６４乃至１２８０℃で実施され
た。水素又は窒素がキャリア・ガスとして使用された場
合、シリコン表面にかなりの孔食が観測された。その結
果、シリコン・ウエハ上のシート抵抗が不均一になっ
た。孔食を避けるために、拡散用に少量の酸素がヒ素に
混合された。孔食は減少したが、表面濃度はわずか２×
１０19ｃｍ-3にとどまった。
【０００８】Nakamuraらによる米国特許第３８１２５１
９号も、気体ソースによるシリコンのドーピングを利用
したものである。実験ではシリコン半導体デバイスが、
リンとヒ素、又はホウ素とヒ素で２重にドープされた。
ヒ素の量は他のドーパントの３乃至４０％である。Naka
muraらの方法では、高ドーピング濃度を得るために、２
種類以上の種をシリコン半導体デバイスに加える必要が
ある。
９号も、気体ソースによるシリコンのドーピングを利用
したものである。実験ではシリコン半導体デバイスが、
リンとヒ素、又はホウ素とヒ素で２重にドープされた。
ヒ素の量は他のドーパントの３乃至４０％である。Naka
muraらの方法では、高ドーピング濃度を得るために、２
種類以上の種をシリコン半導体デバイスに加える必要が
ある。
【０００９】非常に高いドーピング・レベルを得るため
の現在の方法であるイオン注入は、単一方向性である。
従って、イオン注入ではトレンチ側壁のドーピングは困
難である。
の現在の方法であるイオン注入は、単一方向性である。
従って、イオン注入ではトレンチ側壁のドーピングは困
難である。
【００１０】W．Zagozdzon-Wosikらの"Doping of Trenc
h Capacitors by Rapid ThermalDiffusion"（IEEE、Ele
ctron Device Letters、Vol．12、264（1991） ）はト
レンチ側壁のドーピングについて述べている。この方法
によると、ドープされたガラスが最初に独立したウエハ
上へスピンされる。次にこれからドープされるウエハ
が、このドープされたガラス・ウエハに近接して置か
れ、加熱されると、ヒ素含有ガスが蒸発する。これは過
去に実験された他の固体ソース方式のバリエーションに
すぎない。これらの欠点は次の通りである。固体ソース
は最終的には減耗する。ドーピングはウエハとソースの
間隔に影響される。それらは、格別クリーンではない。
ドープされるウエハごとに固体ソースが必要であり、こ
のためスループットが低下する。
h Capacitors by Rapid ThermalDiffusion"（IEEE、Ele
ctron Device Letters、Vol．12、264（1991） ）はト
レンチ側壁のドーピングについて述べている。この方法
によると、ドープされたガラスが最初に独立したウエハ
上へスピンされる。次にこれからドープされるウエハ
が、このドープされたガラス・ウエハに近接して置か
れ、加熱されると、ヒ素含有ガスが蒸発する。これは過
去に実験された他の固体ソース方式のバリエーションに
すぎない。これらの欠点は次の通りである。固体ソース
は最終的には減耗する。ドーピングはウエハとソースの
間隔に影響される。それらは、格別クリーンではない。
ドープされるウエハごとに固体ソースが必要であり、こ
のためスループットが低下する。
【００１１】T．W．Sigmonは、"Laser Processes for M
icroelectronics Applications" の記事"Laser Doping
of Semiconductors"（Electrochemical Society、Penni
ngton、NJ、1988）で、ＡｓＨ3 ガスからヒ素を導入す
るためにレーザで表面のシリコンを溶解する方法につい
て述べている。導入されたヒ素のレベルと深さは、レー
ザ光学系とレーザ動作条件に関する様々なパラメータに
よって決まる。この方式は、ドーパントが導入される領
域でシリコンを選択的に溶解する必要があり、ビームが
ウエハ直径よりも非常に小さいのでウエハを段階的にス
キャンする必要がある。
icroelectronics Applications" の記事"Laser Doping
of Semiconductors"（Electrochemical Society、Penni
ngton、NJ、1988）で、ＡｓＨ3 ガスからヒ素を導入す
るためにレーザで表面のシリコンを溶解する方法につい
て述べている。導入されたヒ素のレベルと深さは、レー
ザ光学系とレーザ動作条件に関する様々なパラメータに
よって決まる。この方式は、ドーパントが導入される領
域でシリコンを選択的に溶解する必要があり、ビームが
ウエハ直径よりも非常に小さいのでウエハを段階的にス
キャンする必要がある。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、ｎ型
ドーパントを約３×１０19ｃｍ-3を超えるピーク濃度で
気体状態から半導体基板に拡散する方法を提供すること
である。
ドーパントを約３×１０19ｃｍ-3を超えるピーク濃度で
気体状態から半導体基板に拡散する方法を提供すること
である。
【００１３】本発明の目的は、異なるドーパント種を半
導体基板に同時に拡散させずに、特定のｎ型ドーパント
種を半導体基板に拡散する方法を提供することである。
導体基板に同時に拡散させずに、特定のｎ型ドーパント
種を半導体基板に拡散する方法を提供することである。
【００１４】本発明の目的は、濃度約３×１０19ｃｍ-3
を超えるドーパントで半導体基板のトレンチの側壁を拡
散ドープする方法を提供することである。
を超えるドーパントで半導体基板のトレンチの側壁を拡
散ドープする方法を提供することである。
【００１５】本発明の目的は、半導体基板に対して非常
に近接して置かねばならない固体ソースを使用せずに、
半導体基板を拡散ドープする方法を提供することであ
る。
に近接して置かねばならない固体ソースを使用せずに、
半導体基板を拡散ドープする方法を提供することであ
る。
【００１６】本発明の目的は、半導体基板表面の酸化処
理をせずに、半導体基板を拡散ドープする方法を提供す
ることである。
理をせずに、半導体基板を拡散ドープする方法を提供す
ることである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の基本的な特徴
は、ドーパントのピーク濃度が３×１０19原子／ｃｍ3
を越える領域を形成するために、半導体ウエハや半導体
チップなどの半導体加工品表面にドーパントを拡散する
方法である。半導体表面は、シリコン、半導体基盤内の
空隙の表面、真性ポリシリコン表面、ポリシリコン表
面、結晶質等である。
は、ドーパントのピーク濃度が３×１０19原子／ｃｍ3
を越える領域を形成するために、半導体ウエハや半導体
チップなどの半導体加工品表面にドーパントを拡散する
方法である。半導体表面は、シリコン、半導体基盤内の
空隙の表面、真性ポリシリコン表面、ポリシリコン表
面、結晶質等である。
【００１８】本発明の特徴は、実質上酸化剤のないキャ
リア・ガス中にドーパント含有成分を含むガスからドー
パントが拡散することである。ドーパントの深さは、約
２０００ 未満である。
リア・ガス中にドーパント含有成分を含むガスからドー
パントが拡散することである。ドーパントの深さは、約
２０００ 未満である。
【００１９】本発明の特徴は、ガスが単一ドーピング種
を有することである。
を有することである。
【００２０】本発明の特徴は、ガスが体積で約０．１％
を超えるドーパント含有成分を含むことである。
を超えるドーパント含有成分を含むことである。
【００２１】本発明の特徴は、ガス圧が約０．１トルを
超えることである。
超えることである。
【００２２】本発明の特徴は、例えば、水、酸素等の酸
化剤の濃度が約１ｐｐｍより低いことである。
化剤の濃度が約１ｐｐｍより低いことである。
【００２３】
【実施例】図１は本発明の実施に有用なドーピング系の
図である。キャリア・ガスはヘリウム、アルゴン、窒
素、水素のタンクなどのリザーバ２０によって供給され
る。ドーピング物質のソースはリザーバ２２によって供
給される。リザーバ２２はヒ素等のドーピング用であ
り、アルシン、第三ブチルアルシン、トリメチルアルシ
ン、トリエチルアルシン、ホスフィン、第三ブチルホス
フィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン
及びジボランなど、ドーパント含有物質のタンクであ
る。リザーバ２０の出力２４は、ガス・ライン２６によ
ってガス清浄器２８（米国コネチカット州ダンベリーの
Advanced TechnologyMaterials 社のリチウム・ベース
・ガス清浄器など）に送られる。ガス清浄器２８の出力
３０はガス・ライン３２によってガス・フロー／パージ
制御システム３６の入力３４に送られる。リザーバ２２
の出力３８は、ガス・ライン４０によってガス清浄器２
８と同じ種類の清浄器であるガス清浄器４４の入力４２
に送られる。ガス清浄器４４の出力４６は、ガス・ライ
ン４８によってガス・フロー／パージ制御システム３６
に送られる。ガス・フロー／パージ制御システム３６は
入力３４のキャリア・ガスと入力５０のドーピング・ソ
ース・ガスとを混合する。ガス・フロー／パージ制御シ
ステム３６の出力５２からの出力ガスは、キャリア・ガ
スとドーピング・ガスとの組合わせである。ガス・フロ
ー／パージ制御システム３６の出力５２は、ガス・ライ
ン５４によって炉５７の入力５６に接続される。加熱素
子６０は炉管５８の中央領域を囲む。炉管５８の内部に
は黒鉛で形成できる加工品ホルダ６２がある。加工品ホ
ルダ６２は、例えば加工品の温度を上げるために加熱さ
れる。加工品ホルダ６２の両側には対流止め６４と６６
がある。これらの対流止めは石英板から作られ、複数の
孔がある。対流止め６６の右側にはトラップ６８があ
る。トラップ６８は石英ウールなどである。トラップ６
８はガス流の活性ドーパント種を捉える。炉５８の端部
７０には加工品ホルダの温度をモニタするための高温計
７２がある。炉管５８の端部７３には、炉管５８の端部
７３の出力７８につながるガス管７６によって炉管５８
に接続された乾湿球湿度計７４がある。乾湿球湿度計
は、炉管５８の内部の湿度をモニタする。炉管５８の端
部７３には、炉管８８から成る熱分解炉８６の入力８４
にガス管８２によって接続された排出口８０がある。少
くとも炉管８８の一部は加熱素子９０によって囲まれ
る。熱分解炉の内部には、石英ウールなどの活性種トラ
ップ９２がある。熱分解炉８６は、活性種が大気中に放
出されないように、炉５７からの出力ガスに残留する活
性種を捉える。熱分解炉８６の端部９４には、ガス管９
８によってフィルタ１００に接続された出力９６があ
る。フィルタ１００にはフィルタ１００からガス管１０
４を通して残留ガスが大気中に放出される出口ポート１
０２がある。
図である。キャリア・ガスはヘリウム、アルゴン、窒
素、水素のタンクなどのリザーバ２０によって供給され
る。ドーピング物質のソースはリザーバ２２によって供
給される。リザーバ２２はヒ素等のドーピング用であ
り、アルシン、第三ブチルアルシン、トリメチルアルシ
ン、トリエチルアルシン、ホスフィン、第三ブチルホス
フィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン
及びジボランなど、ドーパント含有物質のタンクであ
る。リザーバ２０の出力２４は、ガス・ライン２６によ
ってガス清浄器２８（米国コネチカット州ダンベリーの
Advanced TechnologyMaterials 社のリチウム・ベース
・ガス清浄器など）に送られる。ガス清浄器２８の出力
３０はガス・ライン３２によってガス・フロー／パージ
制御システム３６の入力３４に送られる。リザーバ２２
の出力３８は、ガス・ライン４０によってガス清浄器２
８と同じ種類の清浄器であるガス清浄器４４の入力４２
に送られる。ガス清浄器４４の出力４６は、ガス・ライ
ン４８によってガス・フロー／パージ制御システム３６
に送られる。ガス・フロー／パージ制御システム３６は
入力３４のキャリア・ガスと入力５０のドーピング・ソ
ース・ガスとを混合する。ガス・フロー／パージ制御シ
ステム３６の出力５２からの出力ガスは、キャリア・ガ
スとドーピング・ガスとの組合わせである。ガス・フロ
ー／パージ制御システム３６の出力５２は、ガス・ライ
ン５４によって炉５７の入力５６に接続される。加熱素
子６０は炉管５８の中央領域を囲む。炉管５８の内部に
は黒鉛で形成できる加工品ホルダ６２がある。加工品ホ
ルダ６２は、例えば加工品の温度を上げるために加熱さ
れる。加工品ホルダ６２の両側には対流止め６４と６６
がある。これらの対流止めは石英板から作られ、複数の
孔がある。対流止め６６の右側にはトラップ６８があ
る。トラップ６８は石英ウールなどである。トラップ６
８はガス流の活性ドーパント種を捉える。炉５８の端部
７０には加工品ホルダの温度をモニタするための高温計
７２がある。炉管５８の端部７３には、炉管５８の端部
７３の出力７８につながるガス管７６によって炉管５８
に接続された乾湿球湿度計７４がある。乾湿球湿度計
は、炉管５８の内部の湿度をモニタする。炉管５８の端
部７３には、炉管８８から成る熱分解炉８６の入力８４
にガス管８２によって接続された排出口８０がある。少
くとも炉管８８の一部は加熱素子９０によって囲まれ
る。熱分解炉の内部には、石英ウールなどの活性種トラ
ップ９２がある。熱分解炉８６は、活性種が大気中に放
出されないように、炉５７からの出力ガスに残留する活
性種を捉える。熱分解炉８６の端部９４には、ガス管９
８によってフィルタ１００に接続された出力９６があ
る。フィルタ１００にはフィルタ１００からガス管１０
４を通して残留ガスが大気中に放出される出口ポート１
０２がある。
【００２４】本発明の方法は実施例において、ドーパン
ト種がヒ素やリン等であるｎ型ドーピングに関して述べ
る。当業者は、ドーパント種がホウ素等のｐ型ドーパン
トの気体ソースとして、例えばジボランなどのｐ型ドー
パントを含む物質を使用してｐ型ドーパントに適用でき
ることを理解できよう。上記問題を解決するために、高
ドーピング・レベルを得るための他の方法に関して、ガ
ス中で、例えばヒ素などのドーパントの濃度が十分に高
く、且つ酸化剤の濃度が十分に低い場合、ここで、シリ
コンなどの半導体のｎ型ドーピングが気相ドーピングで
可能なことを示す。この方法は、例えば図１の炉５７な
どの炉のウエハを加熱し、キャリア・ガスを含むガス及
びドーパントを含む成分のガスを導入する。ドーパント
含有成分のガスは、高分圧状態でヘリウムなどの適切な
キャリア・ガスで希釈される。実験では、一般にシリコ
ン集積回路産業で用いられるよりも高濃度のヒ素のソー
スとしてアルシン（ＡｓＨ3 ）ガスを使用し、良好な結
果を得た。第三ブチルアルシン、トリメチルアルシン、
トリエチルアルシンなどのヒ素含有ガスも使用できる。
さらに、少量の酸素をキャリア・ガス及びドーパント・
ソース・ガスに添加すると、シリコン表面などの半導体
表面にヒ素を豊富に含むガラスが形成され、内拡散メカ
ニズムが変化し得る。
ト種がヒ素やリン等であるｎ型ドーピングに関して述べ
る。当業者は、ドーパント種がホウ素等のｐ型ドーパン
トの気体ソースとして、例えばジボランなどのｐ型ドー
パントを含む物質を使用してｐ型ドーパントに適用でき
ることを理解できよう。上記問題を解決するために、高
ドーピング・レベルを得るための他の方法に関して、ガ
ス中で、例えばヒ素などのドーパントの濃度が十分に高
く、且つ酸化剤の濃度が十分に低い場合、ここで、シリ
コンなどの半導体のｎ型ドーピングが気相ドーピングで
可能なことを示す。この方法は、例えば図１の炉５７な
どの炉のウエハを加熱し、キャリア・ガスを含むガス及
びドーパントを含む成分のガスを導入する。ドーパント
含有成分のガスは、高分圧状態でヘリウムなどの適切な
キャリア・ガスで希釈される。実験では、一般にシリコ
ン集積回路産業で用いられるよりも高濃度のヒ素のソー
スとしてアルシン（ＡｓＨ3 ）ガスを使用し、良好な結
果を得た。第三ブチルアルシン、トリメチルアルシン、
トリエチルアルシンなどのヒ素含有ガスも使用できる。
さらに、少量の酸素をキャリア・ガス及びドーパント・
ソース・ガスに添加すると、シリコン表面などの半導体
表面にヒ素を豊富に含むガラスが形成され、内拡散メカ
ニズムが変化し得る。
【００２５】図２は１１００℃における、０秒、１０
秒、３０秒、６０秒及び１２０秒のシリコンのヒ素ドー
ピング・プロファイルを示す。温度１１００℃は図１の
高温計７２で測定された温度であり、時間はシリコン・
ウエハが図１の炉５７内にある時間である。このデータ
から本発明の方法が理想的な拡散ソースとして機能する
ことは明白である。シリコン・ウエハの表面におけるヒ
素の表面濃度は拡散温度におけるヒ素の溶解度によって
決まり、浸透深さは拡散温度におけるシリコン内のヒ素
の平衡拡散率によって決まる。本発明の方法は前述の全
ての問題を解決する。（１）シリコンへのヒ素拡散量の
制御は、最も制御しやすいプロセス・パラメータである
温度と時間によってのみ行なわれる、（２）シリコンに
損傷が生じない、（３）ガスの清浄度が高いのでプロセ
ス清浄度も高い、（４）ヒ素含有ガスに晒されるどの表
面にもドーパントを拡散できるので、このプロセスを平
坦でない表面に簡単に応用できる。
秒、３０秒、６０秒及び１２０秒のシリコンのヒ素ドー
ピング・プロファイルを示す。温度１１００℃は図１の
高温計７２で測定された温度であり、時間はシリコン・
ウエハが図１の炉５７内にある時間である。このデータ
から本発明の方法が理想的な拡散ソースとして機能する
ことは明白である。シリコン・ウエハの表面におけるヒ
素の表面濃度は拡散温度におけるヒ素の溶解度によって
決まり、浸透深さは拡散温度におけるシリコン内のヒ素
の平衡拡散率によって決まる。本発明の方法は前述の全
ての問題を解決する。（１）シリコンへのヒ素拡散量の
制御は、最も制御しやすいプロセス・パラメータである
温度と時間によってのみ行なわれる、（２）シリコンに
損傷が生じない、（３）ガスの清浄度が高いのでプロセ
ス清浄度も高い、（４）ヒ素含有ガスに晒されるどの表
面にもドーパントを拡散できるので、このプロセスを平
坦でない表面に簡単に応用できる。
【００２６】本発明によるドーパント方式は無指向性な
ので、シリコン・ウエハなどの半導体表面に形成される
トレンチの側壁へのドーピングに使用できる。トレンチ
に沿うドーピング層は、トレンチ・キャパシタを形成す
るのに使用できる。トレンチの側壁がドープされるトレ
ンチ・キャパシタは、イオン注入によって得ることは困
難である。図３は従来の手段によって形成されたトレン
チ１２２を有するシリコン・ウエハ１２０を走査電子顕
微鏡で見た図である。本発明のプロセスを使用すること
により、トレンチ１２２の周辺に１１００℃、１２０秒
でドープされた、約０．１６ミクロンの厚さの高ドープ
領域１２６が形成されている（図３参照）。
ので、シリコン・ウエハなどの半導体表面に形成される
トレンチの側壁へのドーピングに使用できる。トレンチ
に沿うドーピング層は、トレンチ・キャパシタを形成す
るのに使用できる。トレンチの側壁がドープされるトレ
ンチ・キャパシタは、イオン注入によって得ることは困
難である。図３は従来の手段によって形成されたトレン
チ１２２を有するシリコン・ウエハ１２０を走査電子顕
微鏡で見た図である。本発明のプロセスを使用すること
により、トレンチ１２２の周辺に１１００℃、１２０秒
でドープされた、約０．１６ミクロンの厚さの高ドープ
領域１２６が形成されている（図３参照）。
【００２７】ドーピング領域は化学的エッチングによっ
て強調されている。トレンチ・キャパシタはＤＲＡＭセ
ルの用途で有用である。トレンチ１２２の側壁をドーピ
ング後、適切な誘電体（図３に図示なし）、例えば、シ
リコン窒化物や二酸化けい素を被着して側壁をコーティ
ングすることができる。次にトレンチ１２２をポリシリ
コンで充填でき、ポリシリコンは本発明の方法によって
後にドープすることができる。ポリシリコンはトレンチ
・キャパシタとのコンタクトの１つになる。
て強調されている。トレンチ・キャパシタはＤＲＡＭセ
ルの用途で有用である。トレンチ１２２の側壁をドーピ
ング後、適切な誘電体（図３に図示なし）、例えば、シ
リコン窒化物や二酸化けい素を被着して側壁をコーティ
ングすることができる。次にトレンチ１２２をポリシリ
コンで充填でき、ポリシリコンは本発明の方法によって
後にドープすることができる。ポリシリコンはトレンチ
・キャパシタとのコンタクトの１つになる。
【００２８】ドープされていないシリコンを被着して後
にドープすることには利点がある。被着時のドーピング
は膜の順応整合性を低下させるが、ドープされていない
シリコン膜の順応整合性は高い。この方法を適用するに
は、ドープされていないポリシリコンでトレンチを部分
的に充填し、アルシン・ガスに晒し、第２のポリシリコ
ンを被着させて充填を完了する。
にドープすることには利点がある。被着時のドーピング
は膜の順応整合性を低下させるが、ドープされていない
シリコン膜の順応整合性は高い。この方法を適用するに
は、ドープされていないポリシリコンでトレンチを部分
的に充填し、アルシン・ガスに晒し、第２のポリシリコ
ンを被着させて充填を完了する。
【００２９】非常に浅い接合部を形成する能力（５０ｎ
ｍの接合部はＡｓＨ3 を９００℃程度の温度でアニール
処理することで容易に形成される）の他に、注入損傷を
なくすことが、本発明のドーピング方式の重要な特徴で
ある。バイポーラ及びＭＯＳベースの技術では、応力の
局所化した領域（一般にトレンチ及び分離領域の近辺）
により、他の良性の注入損傷が生じて大きなすべり転位
となり、デバイス機能を破壊したり著しく劣化させたり
することが知られている。
ｍの接合部はＡｓＨ3 を９００℃程度の温度でアニール
処理することで容易に形成される）の他に、注入損傷を
なくすことが、本発明のドーピング方式の重要な特徴で
ある。バイポーラ及びＭＯＳベースの技術では、応力の
局所化した領域（一般にトレンチ及び分離領域の近辺）
により、他の良性の注入損傷が生じて大きなすべり転位
となり、デバイス機能を破壊したり著しく劣化させたり
することが知られている。
【００３０】図４はシリコン基板１４４に形成されたソ
ース１４０及びドレイン１４２を有する自己整合型ＦＥ
Ｔトランジスタを示す。誘電層１４６はシリコン基板１
４４の表面１４８に被着される。誘電層１４６には、ソ
ース領域１４０上に配置された空隙１５０と、ドレイン
領域１４２上に配置された空隙１５２が形成される。空
隙１５０と空隙１５２と間の領域１５４はＦＥＴトラン
ジスタのゲートを形成する。ある変更例では、空隙領域
がアルシン・ドープされてシリコンＮＭＯＳのｎ+ ドレ
イン領域が形成される。別の変更例では、空隙１５０、
１５２がそれぞれポリシリコン１６８、１７０で充填さ
れる。次に本発明の方法に従ってポリシリコンがドープ
される。ヒ素はポリシリコン内に容易に拡散し、次にポ
リシリコン領域１６８、１７０のそれぞれの下のシリコ
ン領域１７４、１７２がドープされ、ソース領域１４０
及びドレイン領域１４２が形成される。ポリシリコンへ
のドーピングは速く、ポリシリコンの下の単結晶シリコ
ンのヒ素プロファイルと、上部にポリシリコンがない場
合の単結晶シリコンのヒ素プロファイルとに差がないほ
どである。従って、ソース領域１４０及びドレイン領域
１４２のプロファイルはほぼ図２に示す通りである。本
発明に従った方法は、通常の高濃度注入ソース／ドレイ
ンに伴う注入損傷を避けることができる。さらに、ここ
で述べるドーピング方式では、他のドープされたポリシ
リコン膜と比較して、抵抗率が低いポリシリコンが得ら
れることが分かった。これにより、空隙１５０、１５２
を充填するようなポリシリコン・プラグは、プラグ抵抗
が問題になる前により高いレベルにスケーリングされる
電位になる。
ース１４０及びドレイン１４２を有する自己整合型ＦＥ
Ｔトランジスタを示す。誘電層１４６はシリコン基板１
４４の表面１４８に被着される。誘電層１４６には、ソ
ース領域１４０上に配置された空隙１５０と、ドレイン
領域１４２上に配置された空隙１５２が形成される。空
隙１５０と空隙１５２と間の領域１５４はＦＥＴトラン
ジスタのゲートを形成する。ある変更例では、空隙領域
がアルシン・ドープされてシリコンＮＭＯＳのｎ+ ドレ
イン領域が形成される。別の変更例では、空隙１５０、
１５２がそれぞれポリシリコン１６８、１７０で充填さ
れる。次に本発明の方法に従ってポリシリコンがドープ
される。ヒ素はポリシリコン内に容易に拡散し、次にポ
リシリコン領域１６８、１７０のそれぞれの下のシリコ
ン領域１７４、１７２がドープされ、ソース領域１４０
及びドレイン領域１４２が形成される。ポリシリコンへ
のドーピングは速く、ポリシリコンの下の単結晶シリコ
ンのヒ素プロファイルと、上部にポリシリコンがない場
合の単結晶シリコンのヒ素プロファイルとに差がないほ
どである。従って、ソース領域１４０及びドレイン領域
１４２のプロファイルはほぼ図２に示す通りである。本
発明に従った方法は、通常の高濃度注入ソース／ドレイ
ンに伴う注入損傷を避けることができる。さらに、ここ
で述べるドーピング方式では、他のドープされたポリシ
リコン膜と比較して、抵抗率が低いポリシリコンが得ら
れることが分かった。これにより、空隙１５０、１５２
を充填するようなポリシリコン・プラグは、プラグ抵抗
が問題になる前により高いレベルにスケーリングされる
電位になる。
【００３１】ここで述べるドーピング方式は、浅い自己
整合接合部を形成する、ＤＲＡＭチップの製造や他のＭ
ＯＳベースのデバイスの製造に有用である。
整合接合部を形成する、ＤＲＡＭチップの製造や他のＭ
ＯＳベースのデバイスの製造に有用である。
【００３２】さらに、ここで述べる方式はバイポーラ・
デバイスのエミッタ及び埋め込み型サブコレクタの形成
に応用できる。（本発明に従って製作されるバイポーラ
・デバイスについては１９９１年８月３０日出願の米国
特許出願第７５３２７８号を参照されたい。）現在、コ
レクタによっては、高濃度ヒ素注入及びその後のエピタ
キシャル成長によって形成されるが、注入による損傷は
エピタキシャル層が成長する前に完全に除去しなければ
ならない。現在、高温での長い酸化処理ステップは、損
傷領域以外のシリコンも減耗させるために行われる。こ
のステップは、シリコン表面に損傷を生じさせない本発
明の方法を使用すれば完全に回避できる。また、ここで
述べる方法では、所望の濃度レベルと空間があるエミッ
タとサブコレクタを形成する方法の制御性を高めること
ができる。
デバイスのエミッタ及び埋め込み型サブコレクタの形成
に応用できる。（本発明に従って製作されるバイポーラ
・デバイスについては１９９１年８月３０日出願の米国
特許出願第７５３２７８号を参照されたい。）現在、コ
レクタによっては、高濃度ヒ素注入及びその後のエピタ
キシャル成長によって形成されるが、注入による損傷は
エピタキシャル層が成長する前に完全に除去しなければ
ならない。現在、高温での長い酸化処理ステップは、損
傷領域以外のシリコンも減耗させるために行われる。こ
のステップは、シリコン表面に損傷を生じさせない本発
明の方法を使用すれば完全に回避できる。また、ここで
述べる方法では、所望の濃度レベルと空間があるエミッ
タとサブコレクタを形成する方法の制御性を高めること
ができる。
【００３３】単結晶シリコン及び真性ポリシリコン層
は、急速加熱ＬＰＣＶＤ（低圧化学気相成長）システム
で第三ブチルアルシン（ＴＢＡ）を使用してドープされ
た。ＴＢＡは、急性毒性が低いという、アルシン・ガス
にない利点をもつ。ドーピング実験は１００％ＴＢＡで
行われ、また、１０％と低いＴＢＡでＡｒ又はＨ2 との
混合物でも行われた。ヒ素と単結晶シリコンのＳＩＭＳ
ドーパント・プロファイルのサンプルは、２×１０20Ａ
ｓ／ｃｍ3 を超える濃度を示した。シート抵抗測定値は
２５Ω／□と低い値を示している。
は、急速加熱ＬＰＣＶＤ（低圧化学気相成長）システム
で第三ブチルアルシン（ＴＢＡ）を使用してドープされ
た。ＴＢＡは、急性毒性が低いという、アルシン・ガス
にない利点をもつ。ドーピング実験は１００％ＴＢＡで
行われ、また、１０％と低いＴＢＡでＡｒ又はＨ2 との
混合物でも行われた。ヒ素と単結晶シリコンのＳＩＭＳ
ドーパント・プロファイルのサンプルは、２×１０20Ａ
ｓ／ｃｍ3 を超える濃度を示した。シート抵抗測定値は
２５Ω／□と低い値を示している。
【００３４】厚い誘電層上のポリシリコン層もＴＢＡを
使用してドープされた。１×１０20Ａｓ／ｃｍ3 を超え
る濃度で一様なヒ素濃度を示したＳＩＭＳドーパント・
プロファイルは、１０００℃、６０秒間の拡散によっ
て、９００ｎｍの厚いポリシリコン層について実現可能
である。ポリシリコン層のシート抵抗測定値は、１５０
ｎｍの層で２５Ω／□と低い。また、ＤＲＡＭの深いト
レンチは、ドープされていないポリシリコンでトレンチ
を部分的に充填し、ＴＢＡに晒し、第２ポリシリコンで
被着して充填を完了することによってドープされ、良好
な結果が得られた。垂直のＳＩＭＳプロファイルは、深
いが６ミクロンを超えるトレンチで約１×１０20Ａｓ／
ｃｍ3 の一様なドーピングを示す。
使用してドープされた。１×１０20Ａｓ／ｃｍ3 を超え
る濃度で一様なヒ素濃度を示したＳＩＭＳドーパント・
プロファイルは、１０００℃、６０秒間の拡散によっ
て、９００ｎｍの厚いポリシリコン層について実現可能
である。ポリシリコン層のシート抵抗測定値は、１５０
ｎｍの層で２５Ω／□と低い。また、ＤＲＡＭの深いト
レンチは、ドープされていないポリシリコンでトレンチ
を部分的に充填し、ＴＢＡに晒し、第２ポリシリコンで
被着して充填を完了することによってドープされ、良好
な結果が得られた。垂直のＳＩＭＳプロファイルは、深
いが６ミクロンを超えるトレンチで約１×１０20Ａｓ／
ｃｍ3 の一様なドーピングを示す。
【００３５】要約すると、本発明の拡散方法に使われる
ドーピング・ガスは、従来技術と比較すれば、ドーパン
トヒ素のソースの濃度が比較的高い。ヒ素含有ガスの濃
度は、容積％でキャリア・ガスとヒ素含有ガスの合計の
約０．１％を超える。一方、従来技術ではヒ素含有ガス
の容積濃度はキャリア・ガスとヒ素含有ガスの合計の約
０．０１％である。さらに本発明に従った方法では、キ
ャリア・ガスとヒ素含有ガスの混合物の圧力は約０．１
トルを超え、従来技術では、約１０-3トルと非常に低
い。さらに、キャリア・ガスとヒ素含有ガスの組合わせ
は水蒸気又は酸素分子などの酸化剤の量が非常に少な
く、約１ｐｐｍ未満である。
ドーピング・ガスは、従来技術と比較すれば、ドーパン
トヒ素のソースの濃度が比較的高い。ヒ素含有ガスの濃
度は、容積％でキャリア・ガスとヒ素含有ガスの合計の
約０．１％を超える。一方、従来技術ではヒ素含有ガス
の容積濃度はキャリア・ガスとヒ素含有ガスの合計の約
０．０１％である。さらに本発明に従った方法では、キ
ャリア・ガスとヒ素含有ガスの混合物の圧力は約０．１
トルを超え、従来技術では、約１０-3トルと非常に低
い。さらに、キャリア・ガスとヒ素含有ガスの組合わせ
は水蒸気又は酸素分子などの酸化剤の量が非常に少な
く、約１ｐｐｍ未満である。
【００３６】
【発明の効果】本発明の方法により、シリコン表面を直
接ドープし、拡散プロセスによってピーク濃度が高い、
浅いｎ型ドーピング領域を形成できるので、高ドーピン
グ濃度を得るための一般のイオン注入によるシリコン表
面の損傷を無くすことができる。この方法は無指向性で
あるのでトレンチ側壁を高濃度でドープできる。
接ドープし、拡散プロセスによってピーク濃度が高い、
浅いｎ型ドーピング領域を形成できるので、高ドーピン
グ濃度を得るための一般のイオン注入によるシリコン表
面の損傷を無くすことができる。この方法は無指向性で
あるのでトレンチ側壁を高濃度でドープできる。
【図１】本発明に従った高レベルのドーピングを得るた
めの典型的な拡散ドーピング装置の図である。
めの典型的な拡散ドーピング装置の図である。
【図２】温度１１００℃、時間０、１０、３０、６０、
１２０秒で拡散したヒ素のドーピング・プロファイルを
示す図である。
１２０秒で拡散したヒ素のドーピング・プロファイルを
示す図である。
【図３】本発明の方法によって、トレンチの側壁に、高
濃度にドープされた薄い領域が形成されたシリコン・ウ
エハのトレンチの走査電子顕微鏡で見た断面図である。
高濃度にドープされた領域は化学的エッチングによって
強調されている。
濃度にドープされた薄い領域が形成されたシリコン・ウ
エハのトレンチの走査電子顕微鏡で見た断面図である。
高濃度にドープされた領域は化学的エッチングによって
強調されている。
【図４】本発明に従い、ヒ素を高濃度で拡散させること
によってソースとドレインの領域が形成されたＦＥＴデ
バイスの断面図である。
によってソースとドレインの領域が形成されたＦＥＴデ
バイスの断面図である。
２０、２２ リザーバ ２８、４４ ガス清浄器 ３６ ガス・フロー／パージ制御システム ５７ 炉 ６０、９０ 加熱素子 ７２ 高温計 ７４ 乾湿球湿度計 ８６ 熱分解炉 １００ フィルタ １２２ トレンチ １４０ ソース領域 １４２ ドレイン領域 １４４ シリコン基板 １４６ 誘電層 １５４ ゲート １６８、１７０ ポリシリコン領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/784 (72)発明者 ポール・マーティン・ファーヘイ アメリカ合衆国10570、ニューヨーク州プ レザントビル、フォックスウッド・ドライ ブ ５−７ (72)発明者 トーマス・ネルソン・ジャクソン アメリカ合衆国10566、ニューヨーク州ピ ークスキル、コートランド・アベニュー 80 (72)発明者 クレイグ・ミッチェル・ランソム アメリカ合衆国12533、ニューヨーク州ホ ープウェル・ジャンクション、リージェン ト・ドライブ ８ (72)発明者 ディベンドラ・クーマー・サダナ アメリカ合衆国10570、ニューヨーク州プ レザントビル、スカイ・トップ・ドライブ 90
Claims (6)
- 【請求項１】不活性キャリア・ガスとドーパント含有ガ
スとを含むガスを供給するステップと、 半導体表面を上記ガスに晒すステップとを含む、 ドーパント種で半導体表面をドープする方法であって、 上記ドーパント含有ガスが上記ガスの約０．１容積％を
超え、 上記ガスの圧力が約０．１トルを超え、 上記ガスが約１ｐｐｍ未満の濃度の酸化剤を有すること
を特徴とする方法。 - 【請求項２】上記ドーパントのピーク濃度が約３×１０
19原子／ｃｍ3 を超える、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】上記方法がバイポーラ・トランジスタのエ
ミッタ又はサブコレクタを形成する、請求項１記載の方
法。 - 【請求項４】上記方法がＦＥＴトランジスタのソース又
はドレインを形成する、請求項１記載の方法。 - 【請求項５】上記ドーパント種がｎ型ドーパント又はｐ
型ドーパントである、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】不活性キャリア・ガスとヒ素含有ガスとを
含むガスを供給するステップと、 シリコン表面を上記ガスに晒すステップとを含む、 半導体表面を約３×１０19原子／ｃｍ3 を超えるピーク
濃度のヒ素ドーパントでドープする方法であって、 上記ヒ素含有ガスが上記ガスの約０．１容積％を超え、 上記ガスの圧力が約０．１トルを超え、 上記ガスが約１ｐｐｍ未満の濃度の酸化剤を有すること
を特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US913560 | 1992-07-14 | ||
| US07/913,560 US5242859A (en) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | Highly doped semiconductor material and method of fabrication thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0684819A true JPH0684819A (ja) | 1994-03-25 |
| JP2599556B2 JP2599556B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=25433386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5165051A Expired - Lifetime JP2599556B2 (ja) | 1992-07-14 | 1993-06-11 | 高濃度ドープ領域を有する半導体装置の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5242859A (ja) |
| EP (1) | EP0578996A1 (ja) |
| JP (1) | JP2599556B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8449675B2 (en) | 2004-12-16 | 2013-05-28 | Siltronic Ag | Semiconductor wafer with an epitaxially deposited layer, and process for producing the semiconductor wafer |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2920546B2 (ja) * | 1989-12-06 | 1999-07-19 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 同極ゲートｍｉｓトランジスタの製造方法 |
| US5471330A (en) * | 1993-07-29 | 1995-11-28 | Honeywell Inc. | Polysilicon pixel electrode |
| US5599735A (en) * | 1994-08-01 | 1997-02-04 | Texas Instruments Incorporated | Method for doped shallow junction formation using direct gas-phase doping |
| US5489550A (en) * | 1994-08-09 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Gas-phase doping method using germanium-containing additive |
| US5641707A (en) * | 1994-10-31 | 1997-06-24 | Texas Instruments Incorporated | Direct gas-phase doping of semiconductor wafers using an organic dopant source of phosphorus |
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| DE10121778B4 (de) | 2001-05-04 | 2005-12-01 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Erzeugung eines Dotierprofils bei einer Gasphasendotierung |
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| CN101593697B (zh) * | 2008-05-30 | 2012-01-18 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 掺杂区、阱区形成方法和基底图形化方法 |
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1992
- 1992-07-14 US US07/913,560 patent/US5242859A/en not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-06-11 JP JP5165051A patent/JP2599556B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1993-06-21 EP EP93109876A patent/EP0578996A1/en not_active Withdrawn
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Also Published As
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|---|---|
| US5242859A (en) | 1993-09-07 |
| JP2599556B2 (ja) | 1997-04-09 |
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